專利名稱：半導(dǎo)體裝置及使用了該半導(dǎo)體裝置的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及使用了該半導(dǎo)體裝置的裝置。
背景技術(shù)：
在肖特基勢壘二極管(以下，稱為SBD)中，當(dāng)在肖特基結(jié)部流過浪涌電流時，其特性容易變化，因而期望在肖特基結(jié)部不流過浪涌電流。在此，作為以往的利用了 SBD的半導(dǎo)體元件，例如存在專利文獻I及專利文獻2所記載的半導(dǎo)體元件。在專利文獻I及專利文獻2中，關(guān)于SBD,存在對肖特基結(jié)和pn結(jié)進行組合而提聞了浪涌電壓容量的結(jié)構(gòu)。 更具體而言，在專利文獻I中，在n+層上配置有n_層，在該n_層中的護圈下配置有n型區(qū)域。在n_層上配置有金屬膜，從而在它們之間形成肖特基結(jié)。在該文獻中記載了浪涌電流不流過肖特基結(jié)，而流入護圈部的情況。另外，在專利文獻2中，在n+層上配置有n_層，在該n_層中配置有p層。在該n_層上配置有金屬膜，從而在它們之間形成肖特基結(jié)。另外，在n_層內(nèi)的深的p層之間配置有p層，該P層設(shè)置在主電極與n_層的邊界。專利文獻I :日本特開平9-9522號公報專利文獻2 日本特開平3-250670號公報但是，根據(jù)專利文獻I所記載的結(jié)構(gòu)，浪涌電流集中于護圈部。由于護圈部散熱性低，因此由于浪涌電流施加于護圈部而導(dǎo)致元件的溫度上升等，從而可靠性可能降低。另外，在專利文獻2的結(jié)構(gòu)中，在整流區(qū)域內(nèi)均勻地配置有pn結(jié)Z2，但由于擊穿電壓都相等，因此僅將電場不穩(wěn)定的部位擊穿。因此在護圈部流過浪涌電流，可靠性仍然可能降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高可靠性的半導(dǎo)體裝置及使用了該半導(dǎo)體裝置的裝置。為了解決上述的課題，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置具備肖特基結(jié)和pn結(jié)，其特征在于，所述pn結(jié)設(shè)置在整流區(qū)域和護圈部，所述整流區(qū)域的pn結(jié)部的擊穿電壓比所述肖特基結(jié)及所述護圈部的pn結(jié)低。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提高可靠性。


圖I是實施例I涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖2(a) (h)是表示實施例I涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的圖。圖3是表示對實施例I涉及的半導(dǎo)體裝置施加浪涌電壓時的載流子的流動的圖。
圖4是表示pn結(jié)和SBD的I-V特性的圖。圖5是具有低濃度P型擴散層的情況和不具有低濃度P型擴散層的情況的能帶結(jié)構(gòu)(肖特基結(jié))的圖。圖6是實施例2涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖7是將各實施例涉及的半導(dǎo)體裝置適用于交流發(fā)電機的圖，是關(guān)于實施例3的圖。圖8是表示實施例4涉及的電路狀態(tài)的單線接線圖。符號說明 I高濃度N型基板2低濃度N型外延層4 N型擴散層5高濃度P型擴散層6低濃度P型擴散層7金屬電極8背面電極層9硅側(cè)面31、32、33絕緣膜(硅氧化膜)41 溝道截斷環(huán)(channel stopper)42 47 二極管48轉(zhuǎn)子繞組49定子繞組50調(diào)節(jié)器51 負(fù)載52蓄電池120半導(dǎo)體芯片121,122焊料(接合材料)130支承電極體131 底座132 槽133 基體134外周側(cè)壁135引線電極136外周側(cè)壁137 樹脂138散熱板
具體實施例方式以下，說明在實施本發(fā)明上優(yōu)選的實施例。需要說明的是，下述例子只不過是實施例，不言而喻沒有對實施方式進行限定。
[實施例I]利用圖I至圖4，對實施例I進行說明。本實施例涉及的半導(dǎo)體裝置在高濃度N型基板I表面上形成有低濃度N型外延層2，在低濃度N型外延層2的上側(cè)配置有下述的低濃度P型擴散層6和形成肖特基結(jié)的金屬電極7。作為金屬電極7的材料，例如通過MoSi2來形成肖特基結(jié)，從而能夠降低結(jié)部的勢壘，且使穩(wěn)定性提高。金屬電極7只要是能夠形成肖特基結(jié)的材料即可，沒有限定為MoSi2。金屬電極7的外側(cè)端部彎曲抬起，在彎曲抬起的金屬電極7與低濃度N型外延層2之間配置有絕緣膜33。在高濃度N型基板I表面的下側(cè)面形成有背面電極層8。電流在金屬電極7與背面電極層8之間流動。多個高濃度P型擴散層5在金屬電極7與低濃度N型外延層2之間沿著接合面(圖中左右方向)具有固定的間隔而配置，以使電流均勻流動來防止元件的容量降低。需要說明的是，高濃度P型擴散層5的最外側(cè)為護圈部。在高濃度P型擴散層5彼此之間配置有縱向的厚度比高濃度P型擴散層5薄的低濃度P型擴散層6。通過高濃度P型擴散層5和低濃度P型擴散層6來避免金屬電極7與低濃度N型外延層2直接接觸。在高濃度P 型擴散層5和低濃度P型擴散層6中，由于高濃度P型擴散層5與N型擴散層4為pn結(jié)，而低濃度P型擴散層6與金屬電極7為SBD，因此如圖4所示，在施加順向偏壓時，電流容易流過SBD，另一方面，在施加逆向偏壓時，高濃度P型擴散層5容易流過浪涌電流。在高濃度P型擴散層5的低濃度N型外延層2側(cè)的前端中央部配置有N型擴散層4，該N型擴散層4在整流區(qū)域(不含護圈部)具有比低濃度N型外延層2高的雜質(zhì)濃度，與低濃度N型外延層2相比成為低電阻層。金屬電極7經(jīng)由低濃度P型擴散層6而與低濃度N型外延層形成肖特基結(jié)(在圖中，標(biāo)記為S)，金屬電極7與高濃度P型擴散層5之間形成歐姆結(jié)(在圖中，標(biāo)記為O)。高濃度P型擴散層5與低濃度N型外延層2之間(在圖中，將接合面標(biāo)記為Z2)、及高濃度P型擴散層5與N型擴散層4之間(在圖中，將接合面標(biāo)記為Zl)形成pn結(jié)。這樣，成為肖特基結(jié)S與pn結(jié)并存的結(jié)構(gòu)。并且，對于各結(jié)間的擊穿電壓而言，高濃度P型擴散層5與N型擴散層4之間的pn結(jié)比肖特基結(jié)及高濃度P型擴散層5與低濃度N型外延層2之間的pn結(jié)低，從而能夠使擊穿電壓的值形成層次化。利用圖2(a) (h)，對本實施例涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序進行說明。如圖2(a)所示，利用外延生長法在高濃度N型基板I上堆積低濃度N型外延層2。接著，如圖2(b)所示，在護圈部以外的整流區(qū)域內(nèi)將絕緣膜(硅氧化膜)31形成在低濃度N型外延層2上，該絕緣膜31具有與pn結(jié)Zl的形成場所對應(yīng)的規(guī)定面積的開口部。接著，如圖2(c)所示，利用經(jīng)由絕緣膜(硅氧化膜)31的離子注入法等將N型的雜質(zhì)注入到低濃度N型外延層2內(nèi)，而形成N型擴散層4。在除去絕緣膜(硅氧化膜)31后，如圖2(d)所示，在低濃度N型外延層2上形成護圈的形成場所(或pn結(jié)Z2的場所)及絕緣膜(硅氧化膜)32，該絕緣膜32具有與pn結(jié)Zl的形成場所對應(yīng)的規(guī)定面積的開口部。此時，優(yōu)選開口部覆蓋形成了 N型擴散層4的所述開口，且該開口部的面積比所述開口大。接著，如圖2(e)所示，經(jīng)由絕緣膜(硅氧化膜)32而利用離子注入法等將P型的雜質(zhì)注入到低濃度N型外延層2內(nèi)，而形成高濃度P型擴散層5。即，通過該工序，在除了護圈部外的整流區(qū)域內(nèi)，在N型擴散層4與高濃度P型擴散層5之間形成pn結(jié)Zl，在護圈部中，在低濃度N型外延層2與高濃度P型擴散層5之間形成pn結(jié)Z2。此時，pn結(jié)Zl的擊穿電壓V zdPpn結(jié)Z2的擊穿電壓V Z2的關(guān)系存在V Z1〈 V Z2的關(guān)系，能夠使擊芽電壓形成層次化。接著，如圖2(f)所示，除去絕緣膜(硅氧化膜)32后，在低濃度N型外延層2的表面形成與護圈部的一部分相接的絕緣膜(硅氧化膜)33。在形成絕緣膜33后，如圖2(g)所示，利用經(jīng)由絕緣膜(硅氧化膜)33的離子注入法等將P型的雜質(zhì)注入到低濃度N型外延層2內(nèi)，而形成低濃度P型擴散層6。接著，如圖2(h)所示，將由鑰、鎳、鈦等構(gòu)成的金屬電極7形成在低濃度N型外延層2的表面上。此時，通過低濃度N型外延層2和金屬電極7形成肖特基結(jié)S，通過高濃度P型擴散層5和金屬電極7形成歐姆連接O。最后，在高濃度N型基板I上的與低濃度N型外延層2相對的一側(cè)形成進行了歐姆結(jié)的 由鋁、金或銀等形成的背面?zhèn)入姌O層8。需要說明的是，利用離子注入法對形成上述的N型擴散層4及高濃度P型擴散層5的方法進行了說明，但除離子注入法以外，還可以為固層擴散法、蒸鍍法、濺射法或氣體擴散法等能夠在硅中滲雜雜質(zhì)的方法。利用圖3，說明對本實施例涉及的半導(dǎo)體裝置施加浪涌電壓時的情況。當(dāng)對元件施加高的浪涌電壓時，在元件中從擊穿電壓低的部位導(dǎo)通，但在本實施例中，在整流區(qū)域的高濃度P型擴散層5的低濃度N型外延層2側(cè)的前端配置具有比周圍的低濃度N型外延層2高的雜質(zhì)濃度的N型擴散層4，該N型擴散層4與周圍的低濃度N型外延層2相比，pn結(jié)的濃度斜率大，且電場強。因此對于擊穿電壓而言，高濃度P型擴散層5與N型擴散層4之間的pn結(jié)比肖特基結(jié)(pn結(jié)比肖特基結(jié)擊穿電壓低的情況參照圖4。)、及高濃度P型擴散層5與低濃度N型外延層2之間的pn結(jié)低，在施加高的浪涌電壓的情況下，從擊穿電壓最低的高濃度P型擴散層5與N型擴散層4之間的pn結(jié)擊穿，而流過浪涌電流。在圖3中示意性地表示施加浪涌電壓時的情況。如該圖所示，浪涌電流經(jīng)由N型擴散層4向高濃度P型擴散層5流動。因此，在肖特基結(jié)S及護圈部的pn結(jié)Z2處不會流過浪涌電流。根據(jù)本實施方式，由于同時具備肖特基結(jié)和設(shè)置在護圈部及整流區(qū)域的pn結(jié)，因此在施加浪涌電壓時，浪涌電流不會流過比pn結(jié)擊穿電壓高的肖特基結(jié)，而流過pn結(jié)。因此，浪涌電流不會流過肖特基結(jié)，從而整體特性不會劣化。并且，在本實施例中，對于在護圈部及整流區(qū)域設(shè)置的pn結(jié)而言，在設(shè)置于護圈的pn結(jié)Z2處不設(shè)置N型擴散層4，在設(shè)置于整流區(qū)域的pn結(jié)Zl處設(shè)置N型擴散層4，使pn結(jié)的濃度斜率變大來增大pn結(jié)的電場，由此在pn結(jié)中，也使整流區(qū)域的pn結(jié)的擊穿電壓降低。通過使整流區(qū)域的pn結(jié)的擊穿電壓比護圈部的pn結(jié)的擊穿電壓低，從而除了在上述的肖特基結(jié)處不會流過浪涌電流外，在護圈部也不會流過浪涌電流。需要說明的是，使pn結(jié)的濃度斜率變大來增大pn結(jié)的電場的方法不局限于在前端設(shè)置擴散層，也可以使用其他的代替方法。護圈部的高濃度P型擴散層5僅局部與金屬制的金屬電極7接觸，與整體接觸的整流區(qū)域相比，熱量在熱傳導(dǎo)率高的金屬制電極內(nèi)向圖3中左右方向傳導(dǎo)的程度低，散熱的程度小。因此，當(dāng)在散熱性低的護圈區(qū)域流過浪涌電流時，在元件中積存熱量而導(dǎo)致元件的溫度上升，從而產(chǎn)生性能的降低或壽命的減少這樣的可靠性降低等的問題。但是，根據(jù)本實施例，整流區(qū)域的pn結(jié)的擊穿電壓比護圈部的pn結(jié)的擊穿電壓低,在護圈區(qū)域的pn結(jié)處不會流過施加浪涌電壓時的浪涌電流。因此，能夠避免元件的溫度上升，能夠提高可靠性
坐寸o
另外，護圈區(qū)域與整流區(qū)域相比，容易成為電場集中部位。這樣的部分的擊穿電壓比整流區(qū)域低或與其同等程度時，在擊穿后集中地流過浪涌電流而使溫度變高。作為半導(dǎo)體裝置而言，在散熱性低的護圈區(qū)域溫度上升的狀態(tài)從可靠性降低的觀點出發(fā)，產(chǎn)生顯著不優(yōu)選的結(jié)果。因此，在護圈部不擊穿尤為重要。在本實施例中，能夠如上述那樣使浪涌電流不流過護圈部。因此，能夠提高可靠性。另外，通過設(shè)置多個擊穿電壓低的整流區(qū)域的pn結(jié)部，能夠進一步降低浪涌電流流過護圈部及肖特基結(jié)處的概率，并且能夠防止浪涌電流的集中，從而難以導(dǎo)致元件自身的破壞。另外，在本實施例中，在肖特基結(jié)部分設(shè)置低濃度P型擴散層6。設(shè)有低濃度P型 擴散層6的肖特基結(jié)部分的能帶結(jié)構(gòu)為圖5那樣的結(jié)構(gòu)。通過低濃度P型擴散層6，能夠調(diào)整肖特基接合面處的相對于載流子移動的勢壘的自身高度，能夠?qū)輭镜姆逯滴恢眯纬稍诠鑳?nèi)部(低濃度P型擴散層6內(nèi)部)。通過將勢壘的峰值位置形成在硅內(nèi)部，能夠增加能帶的厚度(圖5中的區(qū)域A)，防止隧道電流等引起的漏電流，進而能夠難以受到半導(dǎo)體表面的污染等的影響，因此特性穩(wěn)定。另外，通過使薄片電阻為40kQ/ □以上，能夠使理想系數(shù)n值接近I，能夠形成表現(xiàn)出理想的I-V特性的肖特基結(jié)。因此，還能夠減少再結(jié)電流，從而成為高效率。[實施例2]利用圖6，對實施例2進行說明。在本實施例中，在實施例I中說明的內(nèi)容中，還在護圈的外側(cè)設(shè)置溝道截斷環(huán)41。其以外的結(jié)構(gòu)與實施例I相同，在此省略詳細(xì)說明。通過設(shè)置與高濃度P型擴散層5相反極性的N型擴散層的溝道截斷環(huán)41，能夠抑制從高濃度P型擴散層5伸過來的耗盡層，因此能夠防止耗盡層到達硅側(cè)面9，從而能夠保護硅側(cè)面9。另外，作為N型擴散層的溝道截斷環(huán)41在實施例中說明的制造工序中與N型擴散層4同樣，能夠通過絕緣膜(硅氧化膜)31形成，因此不用新增加工序，不會導(dǎo)致制造負(fù)擔(dān)的增加。[實施例3]利用圖7，對實施例3進行說明。在本實施例中，將上述各實施例中說明的半導(dǎo)體裝置搭載于交流發(fā)電機二極管。在與上述實施例中說明的半導(dǎo)體裝置相當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體芯片120的一端側(cè)，通過Pb-Sn系或不使用鉛的接合材料121，在支承電極體130的中央部的底座131將半導(dǎo)體芯片120與支承電極體130電結(jié)。在底座131的周圍形成槽132，該形成為圓環(huán)狀的槽132的外周側(cè)成為外周側(cè)壁136，外周側(cè)壁136被壓入外周側(cè)的散熱板138的圓孔中。即，交流發(fā)電機二極管以壓入到散熱板138中的狀態(tài)固定，通過壓入到散熱板138，能夠提高散熱特性。底座131在比支承電極體130的外周側(cè)壁136靠下述的引線電極135側(cè)能夠搭載半導(dǎo)體芯片120。在半導(dǎo)體芯片120的另一端側(cè)，經(jīng)由Pb-Sn系或不使用鉛的接合材料122而在半導(dǎo)體芯片120的中央部分電結(jié)引線電極135。通過利用未使用鉛的焊料，能夠減輕對環(huán)境的負(fù)擔(dān)。如上所述，在半導(dǎo)體芯片120的上下兩端面?zhèn)扰渲秒姌O體，電極體間經(jīng)由接合材料121和半導(dǎo)體芯片120通電。并且，以覆蓋半導(dǎo)體芯片120和焊料部分的方式通過樹脂137密封支承電極體130的底座131、槽132及外周側(cè)壁136的一部分、引線電極135的與半導(dǎo)體芯片120的結(jié)部即引線電極的基體133。通過設(shè)置槽132，能夠使成形的數(shù)值的固定牢固，能夠防止樹脂的脫落。通過進行樹脂密封，能夠緩和將支承電極體130向散熱板138壓入時的應(yīng)力集中，從而提高交流發(fā)電機二極管相對于機械的應(yīng)力及熱的應(yīng)力的可靠性。如本實施例所示，通過使用上述各實施例中說明的半導(dǎo)體裝置，能夠提高相對于使用時的溫度上升的可靠性。尤其是在本實施例那樣在交流發(fā)電機二極管中使用半導(dǎo)體裝置的情況下，由于使用時成為高溫，從而耐熱特性的提高成為大的課題。因此使用能夠避免溫度上升且能夠提高可靠性的半導(dǎo)體裝置是有益的。另外，交流發(fā)電機二極管自身的熱應(yīng)力對策也成為大的課題，但通過采用圖6所示的實施例，從而有助于使用溫度范圍的擴大、 相對于熱應(yīng)力的疲勞壽命的提聞。另外，通過形成槽132，能夠降低將支承電極體130向散熱板138壓入時的在半導(dǎo)體芯片上集中的應(yīng)力，并且，通過如圖6所示那樣將槽132形成為隨著朝向底座內(nèi)部而進入內(nèi)周側(cè)，從而能夠防止樹脂的脫落。[實施例4]利用圖8，對實施例4進行說明。本實施例涉及的旋轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)包括設(shè)置在轉(zhuǎn)子上的轉(zhuǎn)子繞組48及設(shè)置在與轉(zhuǎn)子具有規(guī)定的間隙而對置的定子上來取出產(chǎn)生的三相交流電流的定子繞組49 ;作為與該各相的定子繞組49連接的二極管42 47而起作用的上述實施例中說明的半導(dǎo)體裝置；與該半導(dǎo)體裝置的直流側(cè)連接的調(diào)節(jié)器50 ;與相同的半導(dǎo)體裝置的直流側(cè)連接的負(fù)載51 ;與調(diào)節(jié)器50和負(fù)載51連接的蓄電池52。調(diào)節(jié)器50基于蓄電池52的電壓值，來控制向轉(zhuǎn)子繞組48供給的電流。在本說明中，旋轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)是指至少具備具有轉(zhuǎn)子繞組、定子繞組的旋轉(zhuǎn)電機和與定子繞組連接的二極管的系統(tǒng)。當(dāng)然，不排除添加除此以外的結(jié)構(gòu)。另外，在上述中對旋轉(zhuǎn)電機而言，有意圖地對發(fā)電機進行了記載，但若存在其他的電源，則也可以將上述的旋轉(zhuǎn)電機作為電動機而用于負(fù)載驅(qū)動用。另外，作為負(fù)載51的種類，考慮有各種負(fù)載，在搭載于機動車的情況下，存在汽車空調(diào)、汽車立體聲裝置、車內(nèi)照明、音響等，尤其是對于混合動力車或電動機動車而言，還能夠假定為與驅(qū)動電動機連接。不局限于機動車，還能夠適合普通車輛。如本實施所示那樣，上述的半導(dǎo)體裝置能夠適用于回轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)，進而還能夠適用于搭載該回轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)的車輛等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備肖特基結(jié)和Pn結(jié)，其特征在于， 所述Pn結(jié)設(shè)置在整流區(qū)域和護圈部， 所述整流區(qū)域的Pn結(jié)部的擊穿電壓比所述肖特基結(jié)及所述護圈部的pn結(jié)低。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述整流區(qū)域的Pn結(jié)部將具有p或n中的任一種導(dǎo)電型的第一擴散層和與該p或n中的任一種導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的層接合，所述整流區(qū)域的pn結(jié)部的接合面中，在所述相反的導(dǎo)電型的層的一側(cè)具備第二擴散層，該第二擴散層為與該相反的導(dǎo)電型的層相同的導(dǎo)電型，且雜質(zhì)濃度比該相反的導(dǎo)電型的層高。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述整流區(qū)域的pn結(jié)部存在有多個。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在構(gòu)成所述肖特基結(jié)的接合面的半導(dǎo)體側(cè)還設(shè)有Pn結(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述護圈部的外側(cè)配置有溝道截斷環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 構(gòu)成所述肖特基結(jié)的接合面的半導(dǎo)體側(cè)的薄片電阻為40kQ/ □以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 構(gòu)成所述肖特基結(jié)的電極為MoSi2。
8.一種交流發(fā)電機二極管，具備權(quán)利要求I至7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置和設(shè)置在該半導(dǎo)體裝置的兩端的電極，其特征在于， 利用焊料將所述半導(dǎo)體裝置與所述電極連接， 所述半導(dǎo)體裝置及所述焊料被樹脂密封。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的交流發(fā)電機二極管，其特征在于， 還具備支承所述半導(dǎo)體裝置及所述樹脂的支承體， 該支承體具備用于保持所述樹脂的槽。
10.一種旋轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)，其特征在于，具備 旋轉(zhuǎn)電機，其具備轉(zhuǎn)子及隔開規(guī)定的間隙與該轉(zhuǎn)子對置配置的定子； 整流用的二極管，其與設(shè)置在所述定子上的定子繞組連接，且具有將交流電流切換為直流電流的權(quán)利要求I至7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的旋轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)，其特征在于， 所述定子具有轉(zhuǎn)子繞組，該轉(zhuǎn)子繞組具備對施加給該轉(zhuǎn)子繞組的電壓進行控制的調(diào)節(jié)器， 該調(diào)節(jié)器與所述二極管的直流側(cè)電連接。
12.—種車輛，其特征在于，具備 權(quán)利要求10或11所述的回轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)； 與該回轉(zhuǎn)電機系統(tǒng)電連接的負(fù)載。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠提高可靠性的半導(dǎo)體裝置、使用了該半導(dǎo)體裝置的回轉(zhuǎn)電機或使用了該半導(dǎo)體裝置的車輛。為了解決上述的課題，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置中具備肖特基結(jié)和pn結(jié)，該半導(dǎo)體裝置的特征在于，所述pn結(jié)設(shè)置在整流區(qū)域和護圈部，所述整流區(qū)域的pn結(jié)部的擊穿電壓比所述肖特基結(jié)及所述護圈部的pn結(jié)低。
文檔編號H01L29/872GK102646723SQ20121002389
公開日2012年8月22日 申請日期2012年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者寺川武士, 成田一豐, 松吉聰, 森睦宏 申請人:株式會社日立制作所