具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】描述了具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)。例如，半導(dǎo)體器件包括布置在襯底之上的多條垂直堆疊的納米線。每條納米線包括布置在納米線中的分立的溝道區(qū)。柵極電極疊置體包圍多條垂直堆疊的納米線。一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)布置在多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)相鄰。
【專利說明】具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式涉及納米線半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，尤其涉及具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]在過去的幾十年，在集成電路中的特征的縮放是支持不斷增長的半導(dǎo)體工業(yè)的推動力?？s放到越來越小的特征實現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片的有限不動產(chǎn)上的功能單元的增加的密度。例如，縮小的晶體管尺寸允許增加數(shù)量的存儲器器件合并在芯片上，導(dǎo)致具有增加的容量的產(chǎn)品的制造。然而，對更大的容量的激勵并不是沒有問題。優(yōu)化每個器件的性能的必要性變得日益重要。
[0003]當微電子器件尺寸按比例調(diào)整超過15納米(nm)節(jié)點時維持移動性提高和短溝道控制在器件制造中提供挑戰(zhàn)。用于制造器件的納米線提供改善的短溝道控制。例如，硅鍺(SixGe1^x)納米線溝道結(jié)構(gòu)(其中x〈0.5)在適合于用在利用較高電壓操作的很多常規(guī)產(chǎn)品中的相應(yīng)Eg處提供移動性增強。此外，硅鍺(SixGe1J納米線溝道結(jié)構(gòu)(其中x>0.5)在較低的Eg(適合于例如在移動/手持領(lǐng)域中的低電壓產(chǎn)品)處提供移動性增強。
[0004]很多不同的技術(shù)試圖提高晶體管的外部電阻(Rrart)，包括提高的接觸金屬，摻雜劑的增加的活化和在半導(dǎo)體與接觸金屬之間的降低的屏障。然而，在Rrart減小的領(lǐng)域中仍然需要明顯的改進。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施方式包括具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)。
[0006]在實施方式中，半導(dǎo)體器件包括布置在襯底上方的多條垂直堆疊的納米線。每條納米線包括布置在納米線中的分立的溝道區(qū)。柵極電極疊置體包圍多條垂直堆疊的納米線。一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)布置在多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)相鄰。
[0007]在另一個實施方式中，制造納米線半導(dǎo)體器件的方法包括在襯底上方形成多條垂直堆疊的納米線。每條納米線包括布置在納米線中的分立的溝道區(qū)。柵極電極疊置體形成為包圍多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)。一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)在多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)相鄰地形成。
[0008]在另一個實施方式中，制造納米線半導(dǎo)體器件的方法包括在襯底上方形成多條垂直堆疊的納米線。每條納米線包括布置在納米線中的分立的溝道區(qū)。柵極電極疊置體形成為包圍多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)。多條垂直堆疊的納米線中的每條納米線的源極區(qū)和漏極區(qū)被移除。一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)在多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)相鄰地形成。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1A示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的三維橫截面視圖。
[0010]圖1B示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沿著a-a’軸截取的圖1A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的源極/漏極橫截面視圖。
[0011]圖1C示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沿著b-b’軸截取的圖1A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的溝道橫截面視圖。
[0012]圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的另一基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的源極/漏極橫截面視圖。
[0013]圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的圖2A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的溝道橫截面視圖。
[0014]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的間隔物橫截面視圖。
[0015]圖4A-4C示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的表示在提供用于制造具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線半導(dǎo)體器件的起始結(jié)構(gòu)的方法中的各種操作的三維橫截面視圖。
[0016]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的具有諸如作為非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的接觸區(qū)之類的金屬區(qū)的納米線半導(dǎo)體器件的三維橫截面視圖。
[0017]圖6A和6B示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在制造多納米線結(jié)構(gòu)的非分立源極或漏極區(qū)中的各種操作的橫截面視圖。
[0018]圖7A-7D示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在制造多納米線結(jié)構(gòu)的非分立源極或漏極區(qū)中的各種操作的橫截面視圖。
[0019]圖8A-8F示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在制造多納米線結(jié)構(gòu)的非分立源極或漏極區(qū)中的各種操作的橫截面視圖。
[0020]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的一個實現(xiàn)的計算器件。

【具體實施方式】
[0021]描述了具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的結(jié)構(gòu)。在下面的描述中，闡述了很多特定的細節(jié)，例如特定的納米線集成和材料狀況，以便提供對本發(fā)明的實施方式的透徹理解。對本領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言，能夠在沒有這些特定細節(jié)的情況下實施本發(fā)明的實施方式是顯而易見的。在其它實例中，公知的特征例如集成電路設(shè)計布局沒有被詳細描述，以便不必要地使本發(fā)明的實施方式迷糊不清。此外，應(yīng)當理解，在附圖中示出的各種實施方式是例示性的表示且不一定按比例繪制。
[0022]本文描述了具有改善的(減小的)外部電阻的納米線結(jié)構(gòu)和制造例如具有用于具有兩個或多條納米線的器件的非分立的或整體的(global)源極區(qū)和漏極區(qū)的這樣的結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的一個或多個實施方式目的在于用于改善(通過增加)多納米線器件的非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)中的接觸面積或通過摻雜或材料設(shè)計來改善非分立的源極或漏極和接觸屏障或這兩者的方法?？偟膩碚f，可通過借助于增加接觸面積或減小在金屬與半導(dǎo)體之間或在重摻雜半導(dǎo)體與輕摻雜半導(dǎo)體之間的屏障而降低外部電阻來提高器件性能。
[0023]在實施方式中，具有空隙的(例如非分立的)源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)展示了由此制造的器件的改善(降低)的外部電阻或溝道電阻。一個或多個實施方式目的在于一個或多個金屬源極區(qū)和漏極區(qū)，通過激光退火在非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)中引入增加的摻雜或應(yīng)變，“之”字型(例如有刻面的)非分立源極和漏極界面。一個或多個實施方式目的在于向納米線或納米線部分提供摻雜劑并融合外延摻雜材料以最終提供omega鰭型或包覆式接觸部的工藝流程。
[0024]本文描述的實施方式目的可在于工藝流程和產(chǎn)生對納米線結(jié)構(gòu)獨特的結(jié)構(gòu),例如與FET或三柵極型架構(gòu)區(qū)不同的結(jié)構(gòu)。例如，在一個實施方式中，激光熔化工藝用于混合兩種材料，還用于限定交替的納米線，用于摻雜納米線并可能用于使納米線的溝道區(qū)發(fā)生應(yīng)變。在另一個實施方式中，提供金屬源極區(qū)和漏極區(qū)，其中，例如通過使用接觸金屬作為接觸部并代替源極區(qū)和漏極區(qū)，從而利用與納米線的保留部分接觸的金屬來實際上代替源極區(qū)和漏極區(qū)。這樣的實施方式可實現(xiàn)非摻雜線的使用以及用于優(yōu)化由此形成的器件的逸出功選項。在另一個實施方式中，通過外延形成和隨后的晶體取向相關(guān)蝕刻來制造非分立的源極或漏極區(qū)以提供具有增加的接觸區(qū)域的結(jié)構(gòu)。在另一個實施方式中，工藝流程實現(xiàn)納米線的摻雜，其導(dǎo)致在源極區(qū)和漏極區(qū)中的合并的外延區(qū)和可能與源極區(qū)和漏極區(qū)的omega接觸。應(yīng)當理解,本文描述的實施方式(例如上述實施方式)可彼此結(jié)合來使用。
[0025]本文描述的一個或多個實施方式目的在于提高基于納米線的器件的性能。在實施方式中，納米線結(jié)構(gòu)設(shè)置有隨著納米線的數(shù)量有利地按比例調(diào)整的接觸面積(例如在源極區(qū)和漏極區(qū)中)。例如，在一個實施方式中，基于納米線的結(jié)構(gòu)具有包覆在多條納米線的整體的源極或漏極區(qū)周圍的接觸區(qū)域，對相同的間距提供高接觸區(qū)域。還提供制造這樣的結(jié)構(gòu)的方法。在一個實施方式中，提供金屬源極區(qū)和漏極區(qū)。當具有適當?shù)牡偷钠琳系慕饘俦贿x擇時，這樣的器件的外部電阻(接觸+體)可減小，因為金屬的電阻將低于摻雜硅。
[0026]總的來說，本文描述的一種或多種方法可用于通過降低基于納米線的器件的外部電阻來提高在該器件中的驅(qū)動電流。下面提供示例性實施方式。
[0027]在第一示例性實施方式中，圖1A示出了基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的三維橫截面視圖。圖1B示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沿著a-a’軸截取的圖1A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的源極/漏極橫截面視圖。圖1C示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沿著b-b’軸截取的圖1A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的溝道橫截面視圖。
[0028]參考圖1A，半導(dǎo)體器件100包括布置在襯底102之上的一條或多條垂直堆疊的納米線(例如104組)。作為例子，為了例證性目的，示出了具有納米線104AU04B和104C的三個基于納米線的器件。為了描述的方便，納米線104A用作例子，其中描述關(guān)注于納米線中一條納米線。應(yīng)當理解，在一條納米線的屬性被描述的情況下，基于多條納米線的實施方式可具有每條納米線的相同屬性。
[0029]每條納米線104包括布置在納米線中的溝道區(qū)106。溝道區(qū)106具有長度(L)。參考圖1C，溝道區(qū)還具有與長度(L)正交的邊界(Pc)。參考圖1A和1C，柵極電極疊置體108包圍每個溝道區(qū)106的整個邊界(Pc)。柵極電極疊置體108包括柵極電極連同布置在溝道區(qū)106和柵極電極(未示出)之間的柵極電極層。溝道區(qū)是分立的，因為它完全由柵極電極疊置體108包圍而沒有任何中間材料，例如下層襯底材料或上層溝道制造材料。因此，在具有多條納米線104的實施方式中，納米線的溝道區(qū)106相對于彼此也是分立的。
[0030]參考圖1A和1B，半導(dǎo)體器件100包括一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112。所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112布置在多條垂直堆疊的納米線104的溝道區(qū)106的任一側(cè)上。此外，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112(直接或間接地，后者在圖1A中示出)與多條垂直堆疊的納米線104的溝道區(qū)106相鄰。源極區(qū)/漏極區(qū)110/112是非分立的，因為對納米線104的每個溝道區(qū)106沒有單獨的且分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。在一個這樣的例子中，如下面將詳述的，源極/漏極區(qū)110/112包括中間材料，例如中間溝道制造材料。因此，在具有多條納米線104的實施方式中，納米線的源極區(qū)/漏極區(qū)110/112是整體的源極區(qū)/漏極區(qū)，與對每條納米線是分立的相反。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的實施方式且如在圖1A和IB中描繪的，半導(dǎo)體器件100還包括一對接觸部114，每個接觸部114布置在一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112中的一個上。在一個這樣的實施方式中，如在圖1B中描繪的，在垂直意義上，每個接觸部114完全包圍相應(yīng)的非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)110/112。
[0032]參考圖1B和1C，非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112是整體的，這意味著單個統(tǒng)一特征用作多條(在這種情況下，3個)納米線104的源極區(qū)或漏極區(qū)的，并且非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112更特別地對于多于一個分立的溝道區(qū)106是整體的。在實施方式中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112是由與分立的溝道區(qū)106相同的第一半導(dǎo)體材料和不同的第二半導(dǎo)體材料組成的一對半導(dǎo)體區(qū)。例如，在一個這樣的實施方式中，第二材料是在分立的納米線的制造中用作中間材料的中間材料。下面關(guān)于圖4C、6A和6B更詳細描述了這樣的例子。在特定的這樣的實施方式中，第一和第二半導(dǎo)體材料融合，且非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112的半導(dǎo)體區(qū)還包括摻雜劑物質(zhì)。下面關(guān)于圖6A和6B更詳細描述了這樣的例子。作為總的例子，在特定的實施方式中，第一半導(dǎo)體材料是硅鍺，第二半導(dǎo)體材料是硅，且摻雜劑物質(zhì)是P型摻雜劑物質(zhì)。在另一個特定的實施方式中，第一半導(dǎo)體材料是硅，第二半導(dǎo)體材料是硅鍺，且摻雜劑物質(zhì)是N型摻雜劑物質(zhì)。在實施方式中，從正交于分立的溝道區(qū)106的長度的橫截面視角看，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112中的每個在形狀上近似是矩形的，如在圖1B中描繪的。
[0033]在另一個方面中，非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112的整個邊界可能無法與接觸部114接觸。使用圖1B作為對比例子，如沿著a-a’軸截取的非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112的整個邊界由接觸部114包圍。然而在另一實施方式中，例如由于中間介電層的存在，到非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112的通路沒有產(chǎn)生，且接觸部114因此只部分地包圍非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112。下面關(guān)于圖8C-8F描述這樣的實施方式的特定例子。
[0034]在另一個方面中，納米線104A-104C的位于源極區(qū)和漏極區(qū)中的部分被移除并用金屬物質(zhì)例如接觸金屬代替。在實施方式中，然后一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)提供實際上與多條垂直堆疊的納米線104A-104C的接觸。也就是說，接觸區(qū)114除了提供接觸以外還充當非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。下面關(guān)于圖5描述這樣的實施方式的特定例子。
[0035]在另一個方面中，通過添加耦合材料使多條納米線的分立的部分成為非分立的。如在另一背景中使用的，在第二示例性實施方式中，圖1A示出了基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的三維橫截面視圖。圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的沿著a-a’軸截取的圖1A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的源極/漏極橫截面視圖。圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的沿著b-b’軸截取的圖1A的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的溝道橫截面視圖。
[0036]參考圖1A，半導(dǎo)體器件100包括布置在襯底102之上的一條或多條垂直堆疊的納米線(例如104組)。每條納米線104包括布置在納米線中的溝道區(qū)106。參考圖1A和2B，柵極電極疊置體108包圍每個溝道區(qū)106的整個邊界(Pc)。參考圖1A和2A，半導(dǎo)體器件100包括一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112。所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112布置在多條垂直堆疊的納米線104的溝道區(qū)106的任一側(cè)上。此外，一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112與多條垂直堆疊的納米線104的溝道區(qū)106相鄰。也包括一對接觸部114，每個接觸部114布置在一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112中的一個上。
[0037]參考圖2B，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112是由與分立的溝道區(qū)104A-104C相同的第一半導(dǎo)體材料和至少部分地包圍第一半導(dǎo)體材料的有刻面(例如“之”字型)第二的半導(dǎo)體材料130組成的一對半導(dǎo)體區(qū)。也就是說，第二半導(dǎo)體材料130制成納米線104A-104C的分立的部分以及非分立的或整體的源極區(qū)和漏極區(qū)。在一個這樣的實施方式中，第一(例如納米線材料)和第二(130)半導(dǎo)體材料是相同的。下面關(guān)于圖7A-7D描述這樣的實施方式的特定例子。
[0038]再次參考圖1A，在實施方式中，半導(dǎo)體器件100還包括一對間隔物116。間隔物116布置在柵極電極疊置體10和一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)110/112中的相應(yīng)的一個之間。下面關(guān)于圖3更詳細描述這樣的間隔物116。
[0039]襯底102可由適合于半導(dǎo)體器件制造的材料組成。在一個實施方式中，襯底102包括由包括但不限于硅、鍺、硅鍺或II1-V化合物半導(dǎo)體材料的單晶組成的下部體襯底。由可包括但不限于二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的材料組成的上部絕緣層布置在下部體襯底上。因此,襯底100可由起始絕緣體上半導(dǎo)體襯底制造?？蛇x地，結(jié)構(gòu)100直接由體襯底形成，且局部氧化用于形成電絕緣部分來代替上面描述的上部絕緣層。在另一可選的實施方式中，結(jié)構(gòu)100直接由體襯底形成，且摻雜用于在其上形成電絕緣活性區(qū)，例如納米線。在一個這樣的實施方式中，第一納米線(即，接近襯底)是Omega-FET型結(jié)構(gòu)的形式。
[0040]在實施方式中，納米線104可被依尺寸制造為線或帶，并可具有方形或圓形角。參考1C，在實施方式中，每個溝道區(qū)106具有寬度(Wc)和高度(He)，寬度(Wc)近似與高度(He)相同。也就是說，溝道區(qū)106和源極/漏極區(qū)110/112是正方形狀的，或如果是圓角的，則在橫截面圖中是圓形狀的。然而在另一實施方式(未示出)中，溝道區(qū)的寬度和高度不是相同的。例如，寬度(Wc)實質(zhì)上大于高度(He)。在特定的實施方式中，寬度Wc比高低He大約大2-10倍。也就是說，溝道區(qū)106和源極/漏極區(qū)110/112是矩形狀的，或如果是圓角的，則在橫截面圖中是卵形狀的。具有這樣的幾何結(jié)構(gòu)的納米線可被稱為納米帶。在可選的實施方式(未示出)中，納米帶被垂直地定向。
[0041]在實施方式中，納米線104由例如但不限于硅、硅鍺或其組合的材料組成。在一個這樣的實施方式中，納米線是單晶的。例如，對于硅納米線104，單晶納米線可以基于(100)整體取向，例如在z方向上具有〈100〉平面。然而應(yīng)理解，也可考慮其它取向。在實施方式中，從橫截面視角看，納米線104的尺寸在納米級。例如，在特定的實施方式中，納米線104的最小尺寸小于大約20納米。在實施方式中，納米線104由應(yīng)變材料組成，特別是在溝道區(qū)106中。
[0042]在實施方式中，柵極電極疊置體108的柵極電極由金屬柵極組成，而柵極介電層由高K材料組成。例如，在一個實施方式中，柵極介電層由例如但不限于氧化鉿、氮氧化鉿、娃酸鉿、氧化鑭、氧化錯、娃酸錯、氧化鉭、鈦酸鋇銀、鈦酸鋇、鈦酸銀、氧化釔、氧化招、氧化鉛鈧鉭、鈮酸鉛鋅或其組合的材料組成。此外，柵極介電層的一部分可包括由納米線104的頂部幾層形成的一層原生氧化物。在實施方式中，柵極介電層由頂高k部分和下部分組成，下部分由半導(dǎo)體材料的氧化物組成。在一個實施方式中，柵極介電層由氧化鉿的頂部部分和二氧化硅或氮氧化硅的底部部分組成。
[0043]在一個實施方式中，柵極電極由例如但不限于金屬氮化物、金屬碳化物、金屬娃化物、金屬鋁化物、鉿、鋯、鉭、鋁、釕、鈀、鉬、鈷、鎳或?qū)щ娊饘傺趸锏慕饘賹咏M成。在特定的實施方式中，柵極電極由在金屬逸出功設(shè)定層之上形成的非逸出功設(shè)定填充材料組成。
[0044]在實施方式中，間隔物116由例如但不限于二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅之類的絕緣介電材料組成。接觸部114在一個實施方式中由金屬物質(zhì)制造。金屬物質(zhì)可以是純金屬，例如鎳或鈷，或可以是合金，例如金屬-金屬合金或金屬-半導(dǎo)體合金(例如硅化物材料)。
[0045]如上所述，使溝道區(qū)在至少幾個實施方式中是分立的，而源極區(qū)和漏極區(qū)不是。然而，不需要或甚至可以使納米線的其它區(qū)是分立的。例如，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的基于納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的間隔物橫截面視圖。
[0046]參考圖3，納米線104A-104C在間隔物116下方的位置處不是分立的。在一個實施方式中，納米線104A-104C的疊置體具有在其間的中間半導(dǎo)體材料118，例如介于硅納米線之間的硅鍺，反之亦然，如下面關(guān)于圖4B描述的。在一個實施方式中，底部納米線104A仍然與襯底102的一部分接觸。因此，在實施方式中，在間隔物中的一個或兩個之下的多條垂直堆疊的納米線在納米線之間、在底部納米線104A之下或這兩種情況下是非分立的。
[0047]在另一方面，提供了制造納米線半導(dǎo)體器件的方法。例如，圖4A-4C示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的代表在提供用于制造具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線半導(dǎo)體器件的起始結(jié)構(gòu)的方法中的各種操作的三維橫截面視圖。
[0048]制造納米線半導(dǎo)體器件的方法可包括在襯底之上形成納米線。在示出兩個硅納米線的形成的特定例子中，圖4A示出襯底402 (例如，由體襯底硅襯底402A組成，402A上具有絕緣二氧化硅層402B)，其上布置有硅化物層404/硅鍺層406/硅化物層408的疊置體。應(yīng)理解，在另一實施方式中，硅鍺層/硅層/硅鍺層疊置體可用于最終形成兩個硅鍺納米線。
[0049]參考圖4B，硅層104/硅鍺層406/硅層408的疊置體的一部分以及二氧化硅層402B的頂部部分例如使用掩模和等離子蝕刻工藝被圖案化到鰭型結(jié)構(gòu)410中。
[0050]該方法還可包括在納米線中形成溝道區(qū)，溝道區(qū)具有長度和與長度正交的邊界。在示出兩個硅納米線之上的三個柵極結(jié)構(gòu)的形成的特定例子中，圖4C示出鰭型結(jié)構(gòu)410，其上布置有三個犧牲柵極4A、412b和412C。在一個這樣的實施方式中，三個犧牲柵極4A、412b和412C由全部被沉積并使用等離子體蝕刻工藝被圖案化的犧牲柵極氧化物層414和犧牲多晶柵極層416組成。
[0051]雖然沒有描繪，在圖案化以形成三個犧牲柵極4A、412b和412C之后，間隔物可在三個犧牲柵極4A、412b和412C的側(cè)壁上形成，可執(zhí)行摻雜(例如末端和/或源極和漏極型摻雜)，且夾層介電層可被形成為覆蓋三個犧牲柵極4A、412b和412C。為了更換柵極或后柵極過程，夾層介電層可被磨光以暴露出三個犧牲柵極4A、412b和412C?？蛇x地，鰭式結(jié)構(gòu)410的硅鍺層406的部分和絕緣二氧化硅層402B可在最初由三個犧牲柵極4A、412b和412C覆蓋的區(qū)中被移除。硅層404和408的分立區(qū)因此保留?；蛘咴谙喾吹那闆r中，如果以硅層和硅鍺層的反向疊置體開始，兩個硅鍺層的分立的部分保留。
[0052]在一個實施方式中，娃層404和408的分立的部分將最終成為基于納米線的器件中的溝道區(qū)。因此，在這個過程階段，可執(zhí)行溝道設(shè)計或調(diào)節(jié)。例如，在一個實施方式中，使用氧化和蝕刻工藝使所形成的硅層404和408的分立的部分變薄。這樣的蝕刻工藝可被執(zhí)行，同時線通過蝕刻硅鍺層406而被分隔開。因此，由硅層404和408形成的初始線開始較粗，并變薄到適合于納米線器件中的溝道區(qū)的尺寸，與對器件的源極區(qū)和漏極區(qū)進行修改無關(guān)。
[0053]初始處理也可包括形成包圍溝道區(qū)的整個邊界的柵極電極疊置體。在示出在兩個硅納米線之上的三個柵極結(jié)構(gòu)的形成的特定例子中，柵極介電層(例如高k柵極介電層)和柵極電極層(例如金屬柵極電極層)形成。此外，可執(zhí)行在永久柵極疊置體的形成之后任何夾層介電層的隨后移除，提供到源極區(qū)和漏極區(qū)的通路。
[0054]該方法還可包括在溝道區(qū)的任一側(cè)上形成納米線的一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。因此，可執(zhí)行源極區(qū)和漏極區(qū)制造和設(shè)計或調(diào)節(jié)，其例子跟在后面。應(yīng)當理解，類似的設(shè)計或調(diào)節(jié)可替代地在工藝流程中的較早時候例如在夾層介電層的沉積和永久柵極電極的形成之前被執(zhí)行。
[0055]在第一例子中，以圖4C的結(jié)構(gòu)作為起始點開始，圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的具有諸如作為非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的接觸區(qū)之類的金屬區(qū)的納米線半導(dǎo)體器件的三維橫截面視圖。
[0056]參考圖5,柵極電極疊置體512包括柵極介電層520、柵極電極522和側(cè)壁間隔物524。柵極電極疊置體包圍分立納米線溝道區(qū)504A/B。一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)510和512與分立的溝道區(qū)504A/B相鄰。掩埋氧化物層502隔離襯底500。應(yīng)當理解，本文的概念可應(yīng)用于在體結(jié)構(gòu)上或在下面的鰭式氧化物結(jié)構(gòu)例如下層omega-FET器件上的線。在實施方式中，一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)510和512有效地接觸不包括納米線材料的區(qū)。在一個這樣的實施方式中，接觸部由金屬物質(zhì)形成。在特定的這樣的實施方式中，通過共形地沉積接觸金屬并接著填充任何其余的溝槽體積來形成金屬物質(zhì)?？赏ㄟ^使用化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或金屬回流來執(zhí)行沉積的共形方面。因此，圖5的結(jié)構(gòu)可被視為具有接觸納米線的端部的接觸部(與僅包圍納米線相對)。
[0057]在實施方式中，為了從圖4C的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)圖5的結(jié)構(gòu)，形成間隔物，且選擇性地蝕刻在源極/漏極開口中的硅區(qū)，保留硅鍺層。額外的硅鍺然后在現(xiàn)有的硅鍺線的頂部上外延地生長。硅鍺也可被摻雜并退火以將摻雜劑推到在間隔物之下的相鄰硅線表面中。工藝流程如以前夾層介電材料的形成和柵極電極疊置體的形成一樣繼續(xù)。當在源極/漏極區(qū)中的夾層介電材料被移除之后，硅鍺外延層被暴露并接著被蝕刻以維持腔對進入間隔物中的硅納米線的端部敞開。接觸金屬接著被沉積以填充腔，并做出硅納米線的端部。在一個這樣的實施方式中，這種方法可應(yīng)用于具有非常低的界面屏障高度的金屬化接觸方案，其中小接觸面積不是明顯的損失。在另一實施方式中，可選的工藝流程包括蝕刻出硅和硅鍺線兩者，然后在源極區(qū)和漏極區(qū)處填充金屬或另一臨時材料，該臨時材料隨后在溝槽接觸部制造操作通過蝕刻被移除。
[0058]在本文描述的一種或多種方法中，除了提供電接觸以外，接觸金屬和沉積工藝可被選擇成使得金屬包括在溝道納米線上的適當應(yīng)力以增強器件性能。例如，在例如在非摻雜線的特殊情況下的一個實施方式中，禁帶中央逸出功金屬用于制造接觸部，而在金屬與源極/漏極界面處不需要高摻雜水平。
[0059]上述工藝流程的變形可用于使用激光熔化退火或其它有效的退火來摻雜或增加納米線的硅(或可選地，硅鍺)源極區(qū)和漏極區(qū)中的應(yīng)變原子濃度。圖6A和6B示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在多納米線結(jié)構(gòu)的非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)的制造中的各種操作的橫截面視圖。
[0060]例如，使用圖4C的結(jié)構(gòu)作為起始點，間隔物首先在柵極疊置體412A-412C上形成。參考圖6A，硅區(qū)610或硅鍺區(qū)620是納米線的端部，另一材料作為中間材料在納米線的制造中被使用。摻雜硅或硅鍺層650選擇性地沉積在源極區(qū)和漏極區(qū)周圍，例如，包圍區(qū)610和620的疊置體的暴露出的部分。參考圖6B，非晶形深度699在圖6A的結(jié)構(gòu)的高劑量注入之后形成。在實施方式中，激光熔化退火工藝(可能包括在熔化期間提供支承的臨時層的沉積)用于熔化在非晶形深度699之上的所有非晶形層。在另一實施方式中，使用基于非激光的退火。在一個這樣的實施方式中，熔化引起原子在熔化的層中的再分布。沉積的層可接著被摻雜，因為注入的摻雜劑再分布到層610和620中，降低了最終形成的非分立源極或漏極區(qū)的電阻。在實施方式中，當沉積的層包括應(yīng)變原子例如鍺或碳時，在非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)中的因而產(chǎn)生的應(yīng)變用于增加在相應(yīng)的分立的溝道區(qū)中的應(yīng)變。例如，在特定的實施方式中，Ge:B膜(作為650)被沉積并熔化。因此，在與納米線成一直線的非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)的部分中的Ge和B濃度增加了。增加的Ge起作用來使硅或硅鍺的PMOS溝道發(fā)生應(yīng)變。這樣的選擇可能不與全接觸(contact-all-around)結(jié)構(gòu)兼容，因為源極區(qū)和漏極區(qū)將具有均勻的Ge濃度。
[0061]用于改善基于納米線的結(jié)構(gòu)的電阻的另一選擇可涉及通過暴露半導(dǎo)體材料的刻面例如〈111〉刻面來增加多條納米線的接觸面積。例如，圖7A-7D示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在多納米線結(jié)構(gòu)的非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)的制造中的各種操作的橫截面視圖。
[0062]例如，使用圖4C的結(jié)果作為起始點，間隔物首先在柵極疊置體412A-412C上形成。參考圖7A，硅區(qū)710或硅鍺區(qū)720是納米線的端部，另一材料作為中間材料在納米線的制造中被使用。在所示的特定情況中，硅鍺區(qū)720是納米線的端部。
[0063]參考圖7B，硅區(qū)710選擇性地被移除以允許納米線的硅鍺端部720保留。硅鍺層750選擇性地沉積在源極區(qū)和漏極區(qū)周圍，例如，包圍硅鍺區(qū)720的被暴露部分，如在圖7C中描繪的。參考圖7D，取向相關(guān)蝕刻例如KOH用于進一步暴露〈111〉平面并增加與非分立源極或漏極區(qū)760的接觸面積。在實施方式中，因而產(chǎn)生的Z字形接觸源極或漏極結(jié)構(gòu)增加了接觸面積，這降低了由此制造的器件的外部電阻。在實施方式中，隨后形成的接觸金屬包覆在非分立源極或漏極區(qū)760周圍，使得它接觸非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)760的側(cè)部和頂部，增加了接觸金屬源極或漏極接觸面積。
[0064]在另一實施方式中，適合于摻雜和提供與納米線的源極或漏極區(qū)的接觸的工藝流程包括在間隔物形成(例如，以圖4C的結(jié)構(gòu)開始，后面是間隔物材料沉積和蝕刻)之后制造在非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)中的線。隨后，內(nèi)部間隔物被添加，源極/漏極摻雜劑被添加或區(qū)外延地生長。因而產(chǎn)生的結(jié)果接著填充有在稍后的處理操作被移除的犧牲電介質(zhì)，例如二氧化硅。這樣的可選的選擇可用于便于納米線的源極區(qū)和漏極區(qū)的摻雜的容易。作為示例性工藝流程，圖8A-8F示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在多納米線結(jié)構(gòu)的非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)的制造中的各種操作的橫截面視圖。
[0065]參考圖8A，在柵極或柵極占位體區(qū)806之間的源極/漏極區(qū)804中為諸如如圖4C的結(jié)構(gòu)之類的結(jié)構(gòu)提供鰭片或線802切割。例如，間隔物可被添加到圖4C的結(jié)構(gòu)，后面是在源極區(qū)和漏極區(qū)804中的硅鍺層的移除。介電層808接著形成以填充任何敞開的溝槽或腔，如在圖SB中描繪的。參考圖SC，源極/漏極區(qū)隔離層810形成。源極/漏極區(qū)隔離層810接著被凹進，如在圖8D中描繪的。參考圖8E，介電層808在線802之下凹進以暴露出線802的更多表面積。在一些情況下，所有介電層808被移除。這樣的方法可包括內(nèi)部間隔物的形成以將源極區(qū)和漏極區(qū)從存在于溝道部分之下的硅鍺層分隔開。外延層820然后在線802的源極和漏極部分上形成，如在圖8F中描繪的。用摻雜外延層包圍源極區(qū)和漏極區(qū)在實施方式中實現(xiàn)線802的源極區(qū)和漏極區(qū)的摻雜以及設(shè)定在線和接觸金屬之間的摻雜水平。
[0066]在上面的工藝流程之后，接觸金屬可在溝槽接觸蝕刻之后被添加。圖8A-8F的上述例子可在實施方式中用于在體半導(dǎo)體襯底上或在隔離襯底例如絕緣體上硅襯底上形成的納米結(jié)構(gòu)。關(guān)于圖8B和SC描述的操作可能只在體襯底的情況下是需要的。
[0067]因此，本發(fā)明的一個或多個實施方式包括用以制造具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)的方法，不同地調(diào)節(jié)溝道和接觸部位置(即，源極區(qū)和漏極區(qū))的方法，或者在同一過程中執(zhí)行這兩種方法的方法。由這樣的方法形成的結(jié)構(gòu)相對于常規(guī)結(jié)構(gòu)可提供外部電阻(Rext)改善(減小)。實施方式包括提供在源極區(qū)和漏極區(qū)(或制造金屬源極區(qū)和漏極區(qū))中的增加的摻雜、增加接觸面積或增加在器件的溝道中的應(yīng)變或這兩者。這樣的方法可提高由所描述的納米線結(jié)構(gòu)制造的器件的性能。
[0068]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的一個實現(xiàn)的計算器件900。計算器件900容納母板902。母板902可包括多個部件，包括但不限于處理器904和至少一個通信芯片906。處理器904物理地和電氣地耦合到母板902。在一些實現(xiàn)中，至少一個通信芯片906也物理地和電氣地耦合到母板902。在另外的實現(xiàn)中，通信芯片906是處理器904的部分。
[0069]根據(jù)其應(yīng)用，計算器件900可包括可以或可以不物理地和電氣地耦合到母板902的一個或多個其它部件。這些其它部件可包括但不限于易失性存儲器(例如DRAM)、非易失性存儲器(例如ROM)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤、加速度計、陀螺儀、揚聲器、照相機和大容量存儲器件(例如硬盤驅(qū)動器、光盤(⑶)、數(shù)字通用盤(DVD)等)。
[0070]通信芯片906實現(xiàn)用于數(shù)據(jù)往返計算器件900的傳輸?shù)臒o線通信。術(shù)語“無線”及其派生詞可用于描述可通過使用經(jīng)由非固體介質(zhì)的經(jīng)調(diào)制電磁輻射來傳遞數(shù)據(jù)的電路、器件、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信溝道等。該術(shù)語并不暗示相關(guān)的器件不包含任何線，雖然在一些實施方式中它們可以不包含線。通信芯片906可實現(xiàn)多種無線標準或協(xié)議中的任一個，包括但不限于 W1-Fi (IEEE802.11 系列)、WiMAX (IEEE802.16 系列)、ΙΕΕΕ802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍牙、其派生物以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無線協(xié)議。計算器件900可包括多個通信芯片906。例如，第一通信芯片906可專用于較短距離無線通信例如W1-Fi，而第二通信芯片906可專用于較長距離無線通信例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE, Ev-DO等。
[0071]計算器件900的處理器904包括封裝在處理器904內(nèi)的集成電路。在本發(fā)明的一些實現(xiàn)中，處理器的集成電路裸片包括一個或多個器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)構(gòu)建的納米線晶體管。術(shù)語“處理器”可以指處理例如來自寄存器和/或存儲器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可存儲在寄存器和/或存儲器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何器件或器件的部分。
[0072]通信芯片906還可包括封裝在通信芯片906內(nèi)的集成電路裸片。根據(jù)本發(fā)明的另一實現(xiàn)，通信芯片的集成電路裸片包括一個或多個器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)構(gòu)建的納米線晶體管。
[0073]在另外的實現(xiàn)中，容納在計算器件900內(nèi)的另一部件可包含集成電路，其包括一個或多個器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實現(xiàn)構(gòu)建的納米線晶體管。
[0074]在各種實現(xiàn)中，計算器件900可以是膝上型計算機、上網(wǎng)本計算機、筆記本計算機、超級本計算機、智能電話、平板計算機、個人數(shù)字助理(PDA)、超移動PC、移動電話、桌上型計算機、服務(wù)器、打印機、掃描儀、監(jiān)視器、機頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字照相機、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻記錄器。在另外的實現(xiàn)中，計算器件900可以是處理數(shù)據(jù)或使用嵌入式DRAM的任何其它電子器件。
[0075]公開了具有非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的納米線結(jié)構(gòu)。在實施方式中，半導(dǎo)體器件包括布置在襯底之上的多條垂直堆疊的納米線。每條納米線包括布置在納米線中的分立的溝道區(qū)。柵極電極疊置體包圍多條垂直堆疊的納米線。一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)布置在多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與多條垂直堆疊的納米線的分立的溝道區(qū)相鄰。在一個實施方式中，半導(dǎo)體器件還包括一對接觸部，每個接觸部布置在一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個上。在一個實施方式中，一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)提供與多條垂直堆疊的納米線的接觸。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件,包括: 多條垂直堆疊的納米線，所述多條垂直堆疊的納米線布置在襯底上方，所述納米線中的每條納米線包括布置在所述納米線中的分立的溝道區(qū)； 柵極電極疊置體，所述柵極電極疊置體包圍所述多條垂直堆疊的納米線；以及 一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)布置在所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)相鄰。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 一對接觸部，所述一對接觸部中的每個接觸部布置在所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個上。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個接觸部完全包圍相應(yīng)的所述非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個接觸部僅部分地包圍相應(yīng)的所述非分立的源極區(qū)或漏極區(qū)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)是包括與所述分立的溝道區(qū)相同的第一半導(dǎo)體材料和不同的第二半導(dǎo)體材料的一對半導(dǎo)體區(qū)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料融合，所述半導(dǎo)體區(qū)還包括摻雜劑物質(zhì)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料是硅鍺，所述第二半導(dǎo)體材料是硅，且所述摻雜劑物質(zhì)是P型摻雜劑物質(zhì)。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料是硅，所述第二半導(dǎo)體材料是硅鍺，且所述摻雜劑物質(zhì)是N型摻雜劑物質(zhì)。
9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，從與所述分立的溝道區(qū)的長度正交的橫截面視角看，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)中的每一個在形狀上是近似矩形的。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)是包括與所述分立的溝道區(qū)相同的第一半導(dǎo)體材料和至少部分地包圍所述第一半導(dǎo)體材料的有刻面的第二半導(dǎo)體材料的一對半導(dǎo)體區(qū)。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料是相同的。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)提供與所述多條垂直堆疊的納米線的接觸。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)實質(zhì)上由金屬構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括: 布置在所述柵極電極疊置體與所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)之間的一對間隔物。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多條垂直堆疊的納米線的在所述間隔物中的一個或兩個下方的部分是非分立的。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極電極疊置體包括金屬柵極和高K柵極電介質(zhì)，且所述納米線中的每條納米線包含硅、鍺或它們的組合。
17.—種制造納米線半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 在襯底上方形成多條垂直堆疊的納米線，所述納米線中的每條納米線包括布置在所述納米線中的分立的溝道區(qū)； 形成柵極電極疊置體，所述柵極電極疊置體包圍所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)；以及 在所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)相鄰地形成一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)包括首先針對所述納米線中的每條納米線形成分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)包括形成至少部分地包圍所述納米線中的每條納米線的所述分立的源極區(qū)和漏極區(qū)的有刻面的半導(dǎo)體材料。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)包括通過激光退火來熔化第一半導(dǎo)體材料和中間的第二半導(dǎo)體材料的垂直堆疊的納米線的部分以及周圍的半導(dǎo)體層。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，在形成所述分立的溝道區(qū)之前形成所述非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，在形成所述分立的溝道區(qū)之后形成所述非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。
23.一種制造納米線半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 在襯底上方形成多條垂直堆疊的納米線，所述納米線中的每條納米線包括布置在所述納米線中的分立的溝道區(qū)； 形成柵極電極疊置體，所述柵極電極疊置體包圍所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)； 移除所述多條垂直堆疊的納米線中的每條納米線的源極區(qū)和漏極區(qū)；以及 在所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)的任一側(cè)上并與所述多條垂直堆疊的納米線中的所述分立的溝道區(qū)相鄰地形成一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)提供與所述多條垂直堆疊的納米線的接觸。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述一對非分立的源極區(qū)和漏極區(qū)實質(zhì)上由金屬構(gòu)成。
【文檔編號】H01L29/78GK104137237SQ201180076434
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月23日
【發(fā)明者】S·M·塞亞, A·卡佩拉尼, M·D·賈爾斯, R·里奧斯, S·金, K·J·庫恩 申請人:英特爾公司