專利名稱：一種中留邊單層金屬化膜電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種電容器，尤其涉及一種中留邊單層金屬化膜電容器。
背景技術(shù)：
目前，采用的內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電容器電介質(zhì)為有機(jī)薄膜，金屬極板為金屬箔(特別是鋁箔)，具體結(jié)構(gòu)為一層有機(jī)薄膜、一層鋁箔(包括兩條不接觸中間留空的鋁箔帶)、ー層有機(jī)薄膜、一層鋁箔，總共四層構(gòu)成。因金屬箔厚度較大，一般為數(shù)十微米，甚至超過有機(jī)薄膜的厚度，制出的電容器體積較大，成本較高
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供ー種體積較佳的中留邊單層金屬化膜電容器。本實(shí)用新型解決現(xiàn)內(nèi)部串聯(lián)電容器缺點(diǎn)的技術(shù)方案為一種中留邊單層金屬化膜電容器，其包括電容器芯子，所述電容器芯子包括卷繞的ー層中留邊金屬化膜(I)和ー層兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)。作為上述方案的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述中留邊金屬化膜(I)設(shè)置有兩個(gè)金屬化層(3)，所述兩個(gè)金屬化層(3)位于所述中留邊金屬化膜(I)的同一側(cè)，且所述兩個(gè)金屬化層(3)間隔。優(yōu)選地，所述兩個(gè)金屬化層(3)的間隔距離范圍為2飛mm。作為上述方案的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)設(shè)置有金屬化層
(4)，所述金屬化層(4)位于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的中部，且所述金屬化層(4)與所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的兩端存在距離。優(yōu)選地，所述金屬化層(4)距離所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)兩端的距離范圍為f3mm。作為上述方案的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述中留邊金屬化膜(I)和所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)均為單面金屬化膜。優(yōu)選地，所述中留邊金屬化膜(I)和所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的寬度不相等，所述中留邊金屬化膜(I)的寬度大于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的寬度，所述中留邊金屬化膜(I)和所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)居中對齊。在優(yōu)選地，所述中留邊金屬化膜(I)的寬度大于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的寬度范圍為2飛_。所述中留邊單層金屬化膜電容器，使用金屬化技木，電容器芯子由ー層中留邊單面金屬化膜和一層兩側(cè)邊緣留邊單面金屬化膜卷繞而成，因此具有卷繞エ藝簡化、體積小、成本低、電性能優(yōu)良的特點(diǎn)。

圖I為本實(shí)用新型較佳實(shí)施方式提供的電容器芯子所用薄膜的剖示圖。符號說明
中留邊金屬化膜Ti~
兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜 2 金屬化層_3、4[0011]具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一歩詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖I所示，中留邊單層金屬化膜電容器的電容器芯子主要由ー層中留邊金屬化膜I和ー層兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜2卷繞而成。中留邊金屬化膜I上兩側(cè)為金屬化層3，中部約2飛_的寬度留空無金屬層，即此層基膜上的金屬化層為兩個(gè)不相通的金屬帯。兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜2上金屬化層4位于薄膜中間，兩側(cè)邊緣各有約f 3mm的寬度無金屬區(qū)域。兩層金屬化膜均為單面金屬化膜。而且，兩層金屬化膜寬度不相等，中留邊金屬化膜I寬度大于兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜2約2飛mm，兩層膜居中對齊。本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn) I、金屬化層厚度只有為零點(diǎn)零幾微米，對比金屬箔的數(shù)十微米厚度，實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)電容器的體積的小幅度減小。2、金屬化后節(jié)省了成本。3、原結(jié)構(gòu)需要卷繞兩層有機(jī)薄膜和兩層鋁箔，現(xiàn)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)為兩層金屬化膜，生產(chǎn)エ藝簡化。4、金屬化電容器具有自愈功能，在電容器出來局部擊穿后會(huì)恢復(fù)到原來的性能，但金屬箔電容器就沒有此性能，電容器的電性能得到了提高。上述實(shí)施例僅用來進(jìn)ー步說明本實(shí)用新型為ー種中留邊單層金屬化膜電容器，但本實(shí)用新型并不局限于實(shí)施例，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種中留邊單層金屬化膜電容器，其包括電容器芯子，其特征是所述電容器芯子包括卷繞的ー層中留邊金屬化膜(I)和ー層兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述中留邊金屬化膜(I)設(shè)置有兩個(gè)金屬化層(3 )，所述兩個(gè)金屬化層(3 )位于所述中留邊金屬化膜(I)的同ー側(cè)，且所述兩個(gè)金屬化層(3 )間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述兩個(gè)金屬化層(3)的間隔距離范圍為2飛mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)設(shè)置有金屬化層(4)，所述金屬化層(4)位于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的中部，且所述金屬化層(4)與所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的兩端存在距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述金屬化層(4)距 離所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)兩端的距離范圍為f 3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述中留邊金屬化膜(I)和所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)均為單面金屬化膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述中留邊金屬化膜(I)和所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的寬度不相等，所述中留邊金屬化膜(I)的寬度大于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的寬度，所述中留邊金屬化膜(I)和所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)居中對齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的中留邊單層金屬化膜電容器，其特征是所述中留邊金屬化膜(I)的寬度大于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的寬度范圍為2飛_。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種中留邊單層金屬化膜電容器，其包括電容器芯子，所述電容器芯子包括卷繞的一層中留邊金屬化膜(1)和一層兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)。所述中留邊金屬化膜(1)設(shè)置有兩個(gè)金屬化層(3)，所述兩個(gè)金屬化層(3)位于所述中留邊金屬化膜(1)的同一側(cè)，且所述兩個(gè)金屬化層(3)間隔且間隔距離范圍為2~6mm。所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)設(shè)置有金屬化層(4)，所述金屬化層(4)位于所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的中部，且所述金屬化層(4)與所述兩側(cè)邊緣留邊金屬化膜(2)的兩端存在距離且其距離范圍為1~3mm。所述電容器具有卷繞工藝簡化，體積小，成本低，電性能優(yōu)良的特點(diǎn)。
文檔編號H01G4/33GK202405113SQ20112048359
公開日2012年8月29日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者周峰 申請人:安徽賽福電子有限公司