專利名稱：半導體引線框架的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及半導體引線框架。
背景技術：
電子產(chǎn)品已經(jīng)深入社會生活的各個領域。隨著電子技術、加工技術和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，電子元器件的散熱問題漸漸凸現(xiàn)出來。電子元器件的工作溫度范圍一般是-5 65°C，超過這個范圍，元器件性能將顯著下降，并且不能穩(wěn)定工作，因而影響系統(tǒng)運行的可靠性。單個半導體組件的溫度升高10°C，系統(tǒng)的可靠性能降低50%。目前，電子元器件不僅在國防、軍工，通訊等重要領域起著關鍵作用，而且在人民生活中也有廣泛的應用，而這些領域中對系統(tǒng)穩(wěn)定性的要求亦日益增高。所以電子元器件的散熱問題卻顯得越來越重要了。引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實現(xiàn)芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。產(chǎn)品類型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP (QFJ)、SOD、SOT等，主要用模具沖壓法和化學刻蝕法進行生產(chǎn)。引線框架包括用于焊接半導體芯片的位于引線框架中心區(qū)域的焊芯片區(qū)，以及布置于焊芯片區(qū)周圍的管腳。在封裝時，先將半導體芯片布置于焊芯片區(qū)，然后用環(huán)氧樹脂塑封半導體芯片和引線框架?，F(xiàn)在大量生產(chǎn)的i^or RiWxm制程的SOP類電子組件采用的是全包封設計，主要通過環(huán)氧樹脂膠體散熱，由于環(huán)氧樹脂的膠體導熱性能不佳(環(huán)氧樹脂熱傳導率0. 94 W/mk)，在功率越來越大封裝尺寸越來越小的需求下，SOP全包封的散熱缺點越來越明顯。

實用新型內容本實用新型的目的在于避免現(xiàn)有技術中的不足之處而提供一種半導體引線框架， 其具有更為優(yōu)良的散熱特性。本實用新型的目的通過以下技術措施實現(xiàn)。半導體引線框架，包括焊芯片區(qū)和管腳，所述管腳和焊芯片區(qū)連接有彎折段，所述管腳與焊芯片區(qū)平行。所述彎折段與所述管腳和焊芯片區(qū)的相交角度為60°。所述管腳與所述焊芯片區(qū)的落差為0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸。優(yōu)選的，還包括設置于所述焊芯片區(qū)外部的鋁箔。優(yōu)選的，還包括設置于所述焊芯片區(qū)外部的銅板。本實用新型的半導體引線框架以現(xiàn)有的封裝設備為基礎，在塑封后有暴露于環(huán)氧樹脂塑封體外的散熱板用于散熱，大大改善了 SOP全包封散熱不良的狀況。
利用附圖對本實用新型做進一步說明，但附圖中的內容不構成對本實用新型的任何限制。圖1 (a)是本實用新型的一個實施例的俯視結構圖。圖1 (b)是圖1 (a)的B-B剖面圖。圖1 (c)是圖1 (a)的A-A剖面圖。圖2是本實用新型的一個實施例的封裝后的示意圖。附圖標記焊芯片區(qū)1，管腳2，彎折段3，散熱板4。
具體實施方式
結合以下實施例對本實用新型作進一步說明。實施例1本實施例的半導體引線框架如圖1所示，包括焊芯片區(qū)1和管腳2，所述管腳2和焊芯片區(qū)1連接有彎折段3，所述管腳2與焊芯片區(qū)1平行。所述彎折段3與所述管腳2和焊芯片區(qū)1的相交角度為60°。所述管腳2與所述焊芯片區(qū)1的落差為0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸。本實施例還包括設置于所述焊芯片區(qū)1外部的鋁箔，如圖2，封裝后散熱板4露出。本實施例以現(xiàn)有的封裝設備為基礎新設計一款引線框架，該款框架于Ribbon 制程的SOP功用完全相同(腳位和焊線的內引腳完全相同)，由于本設計的引線框架在塑封后有暴露于環(huán)氧樹脂塑封體外的散熱板用于散熱。本實施例有8只管腳和Pad構成，其中上方四個管腳與I^ad(焊芯片區(qū))相連接作為接地極，下方四個腳中有三只相連作為Source極供焊線和焊鋁箔使用，另一獨立腳作為 Gate 極供焊線用。Pad 和 Source & Gate 極的 Down set (落差)為 0. 0236+0. 0013/-0. 000 Inch。第二部分0. 0236+0. 0013/-0. 000英寸的落差可以保證在封裝后使散熱板4露出且避免溢膠以利于電鍍。為更好的避免溢膠需使I^ad Tilt為負值(逆時針方向)。實施例2本實施例參照圖1 一 3，在實施例1的基礎上，與實施例1不同的是，還包括設置于所述焊芯片區(qū)1外部的銅板。純銅散熱板熱傳導系數(shù)為^4W/mk，大大改善了 SOP全包封散熱不良的狀況。最后應當說明的是，以上實施例僅用于說明本實用新型的技術方案而非對本實用新型保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本實用新型作了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的實質和范圍。
權利要求1.半導體引線框架，包括焊芯片區(qū)和管腳，其特征在于所述管腳和焊芯片區(qū)連接有彎折段，所述管腳與焊芯片區(qū)平行。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體引線框架，其特征在于所述彎折段與所述管腳和焊芯片區(qū)的相交角度為60°。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體引線框架，其特征在于所述管腳與所述焊芯片區(qū)的落差為 0. 0236+0. 0013/-0. 000 英寸。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體引線框架，其特征在于還包括設置于所述焊芯片區(qū)外部的鋁箔。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體引線框架，其特征在于還包括設置于所述焊芯片區(qū)外部的銅板。
專利摘要半導體引線框架，包括焊芯片區(qū)和管腳，所述管腳和焊芯片區(qū)連接有彎折段，所述管腳與焊芯片區(qū)平行。所述彎折段與所述管腳和焊芯片區(qū)的相交角度為60°。所述管腳與所述焊芯片區(qū)的落差為0.0236+0.0013/-0.000英寸，還包括設置于所述焊芯片區(qū)外部的鋁箔或銅板。本實用新型的半導體引線框架以現(xiàn)有的封裝設備為基礎，在塑封后有暴露于環(huán)氧樹脂塑封體外的散熱板用于散熱，大大改善了SOP全包封散熱不良的狀況。
文檔編號H01L23/495GK202189779SQ201120271059
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月29日 優(yōu)先權日2011年7月29日
發(fā)明者席伍霞, 曹周, 陶少勇 申請人:杰群電子科技(東莞)有限公司