引線框架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種新型元器件，尤其是一種引線框架，屬于電子信息技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，引線框架是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。引線框架需要再起芯片區(qū)表面安裝芯片，再利用樹脂塑封芯片固定呈一整體的半導元件。引線框架具有安裝芯片的散熱片，現(xiàn)有的散熱區(qū)的限制，最大能裝4.6mm*5.3mm左右，且芯片的數(shù)量受限制，最多裝兩個芯片，產(chǎn)品電流電壓較小。
[0003]有鑒于上述的缺陷，本設(shè)計人，積極加以研宄創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的引線框架，使其更具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種增大了芯片面積，且在操作過程中也更容易和方便的引線框架。
[0005]為了達到上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案如下:一種引線框架，用以安裝芯片，包括散熱片及與所述散熱片連接的引腳區(qū)，所述散熱片內(nèi)設(shè)置有散熱區(qū)和可安裝至少兩個芯片的芯片區(qū)，所述芯片區(qū)至少分別與兩個引腳區(qū)連接，每個所述引腳區(qū)包括平行設(shè)置的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳。
[0006]進一步的，所述芯片區(qū)的長度為T0-220C引線框架長度的大于I的正整數(shù)的倍數(shù)，所述芯片區(qū)的高度與T0-220C引線框架的高度相同。
[0007]進一步的，所述散熱區(qū)的長度與芯片區(qū)的長度相同。
[0008]進一步的，所述散熱區(qū)上僅開設(shè)有一個散熱孔。
[0009]進一步的，至少兩個所述引腳區(qū)平行設(shè)置，且位于芯片區(qū)的正下方。
[0010]進一步的，每個所述引腳區(qū)還包括平行設(shè)置于左側(cè)引腳和右側(cè)引腳之間的中間引腳區(qū)，所述中間引腳區(qū)連接至芯片區(qū)，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳上設(shè)置有濺絲部。
[0011]借由上述方案，本實用新型至少具有以下優(yōu)點:由于芯片區(qū)內(nèi)可安裝至少兩個芯片，且與芯片區(qū)連接的引腳區(qū)的數(shù)量為至少兩個，從而組裝時能串聯(lián)或并聯(lián)至少兩個芯片，增大了芯片面積，另外在操作過程中也更容易和方便。
[0012]上述說明僅是本實用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。
[0015]參見圖1，本實用新型一較佳實施例所述的一種引線框架10用以安裝T0-220C-B芯片(未圖示)，下文將該引線框架10命名為T0-220C-B引線框架。T0-220C-B引線框架10包括散熱片I及與所述散熱片I連接的引腳區(qū)2，所述散熱片I內(nèi)設(shè)置有散熱區(qū)11和可安裝至少兩個芯片的芯片區(qū)12。所述芯片區(qū)12至少分別與兩個引腳區(qū)2連接，每個所述引腳區(qū)2包括平行設(shè)置的左側(cè)引腳21和右側(cè)引腳22、及平行設(shè)置于左側(cè)引腳21和右側(cè)引腳22之間的中間引腳23，所述中間引腳23連接至芯片區(qū)12，所述左側(cè)引腳21和右側(cè)引腳22上設(shè)置有濺絲部24。所述芯片區(qū)12的長度為T0-220C引線框架20長度的大于I的正整數(shù)的倍數(shù)，所述芯片區(qū)12的高度與T0-220C引線框架20的高度相同。所述散熱區(qū)11的長度與芯片區(qū)12的長度相同。所述散熱區(qū)11上僅開設(shè)有一個散熱孔13。至少兩個所述引腳區(qū)2平行設(shè)置，且位于芯片區(qū)12的正下方。
[0016]下面為采用本實施例的T0-220C-B引線框架10，T0-220C-B器件的組裝流程一般為:
[0017]S1、(加)點焊料——將一定量的軟焊料在高溫下，熔化在T0-220C-B引線框架10上;
[0018]S2、裝片——將T0-220C-B芯片在高溫下裝在已熔化的焊料上；
[0019]S3、鍵合——用特定的金屬絲，將T0-220C-B芯片表面的電極與T0-220C-B引線框架10對應的引線管腳連接好；
[0020]S4、塑封一一使用特定的環(huán)氧樹脂，注入T0-220C-B塑封模具，形成整排的T0-220C-B 器件；
[0021]S5、清洗——去除整排的T0-220C-B管腳之間的飛邊；
[0022]S6、切筋——將連接T0-220C-B單元管腳之間的中筋和底筋切除，形成單一的T0-220C-B 器件；
[0023]S7、測試一一根據(jù)各個T0-220C-B器件的電性能，進行分檔(類)；
[0024]S8、包裝——將測試后的T0-220C-B器件進行保護，方便運輸。
[0025]綜上所述，由于芯片區(qū)12內(nèi)可安裝至少兩個芯片，且與芯片區(qū)12連接的引腳區(qū)2的數(shù)量為至少兩個，從而組裝時能串聯(lián)或并聯(lián)至少兩個T0-220C-B芯片，增大了芯片面積，另外在操作過程中也更容易和方便。
[0026]除此以外，由于芯片區(qū)12的長度為T0-220C引線框架20的大于I的正整數(shù)的倍數(shù)，所述芯片區(qū)12的高度與T0-220C引線框架20的高度相同，其一方面在粘片鍵合時能與正常的T0-220C引線框架20的軌道共同使用，有助于節(jié)省成本，另一方面，本實用新型的引線框架10擴大了散熱片I面積，能組裝多個T0-220C-B芯片的同時能做大功率產(chǎn)品。
[0027]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，并不用于限制本實用新型，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和變型，這些改進和變型也應視為本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種引線框架，用以安裝芯片，包括散熱片及與所述散熱片連接的引腳區(qū)，其特征在于:所述散熱片內(nèi)設(shè)置有散熱區(qū)和可安裝至少兩個芯片的芯片區(qū)，所述芯片區(qū)至少分別與兩個引腳區(qū)連接，每個所述引腳區(qū)包括平行設(shè)置的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于:所述芯片區(qū)的長度為T0-220C引線框架長度的大于I的正整數(shù)的倍數(shù)，所述芯片區(qū)的高度與T0-220C引線框架的高度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線框架，其特征在于:所述散熱區(qū)的長度與芯片區(qū)的長度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于:所述散熱區(qū)上僅開設(shè)有一個散熱孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于:至少兩個所述引腳區(qū)平行設(shè)置，且位于芯片區(qū)的正下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的引線框架，其特征在于:每個所述引腳區(qū)還包括平行設(shè)置于左側(cè)引腳和右側(cè)引腳之間的中間引腳區(qū)，所述中間引腳區(qū)連接至芯片區(qū)，所述左側(cè)引腳和右側(cè)引腳上設(shè)置有濺絲部。
【專利摘要】本實用新型涉及一種新型元器件，尤其是一種引線框架，用以安裝芯片，包括散熱片及與所述散熱片連接的引腳區(qū)，所述散熱片內(nèi)設(shè)置有散熱區(qū)和可安裝至少兩個芯片的芯片區(qū)，所述芯片區(qū)至少分別與兩個引腳區(qū)連接，每個所述引腳區(qū)包括平行設(shè)置的左側(cè)引腳和右側(cè)引腳。由于芯片區(qū)內(nèi)可安裝至少兩個芯片，且與芯片區(qū)連接的引腳區(qū)的數(shù)量為至少兩個，從而組裝時能串聯(lián)或并聯(lián)至少兩個芯片，增大了芯片面積，另外在操作過程中也更容易和方便。
【IPC分類】H01L23-367, H01L23-495
【公開號】CN204315565
【申請?zhí)枴緾N201520013960
【發(fā)明人】張帆, 夏華忠
【申請人】無錫羅姆半導體科技有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月9日