專利名稱：晶圓承載裝置及具有它的半導(dǎo)體處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓承載裝置及具有它的半導(dǎo)體處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體、LED、MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))等加工領(lǐng)域一般采用等離子體刻蝕設(shè)備，該刻蝕設(shè)備一般由工藝模塊和傳輸模塊組成。工藝模塊包括工藝腔室，刻蝕工藝通常在工藝腔室中進(jìn)行，從而在晶圓上刻蝕出所需要的圖形，傳輸模塊則負(fù)責(zé)將待加工的晶圓傳入工藝腔室并將處理完的晶圓傳出工藝腔室。對于LED領(lǐng)域使用的刻蝕設(shè)備，由于單個(gè)晶圓的直徑一般為2寸、4寸或者6寸，而工藝腔室的尺寸通常要遠(yuǎn)大于晶圓直徑，因此為了提高產(chǎn)能，LED刻蝕機(jī)往往用到托盤，將多個(gè)晶圓放到托盤上，然后將托盤傳入工藝腔室，對晶圓進(jìn)行批量工藝處理。圖1A示出了用于支撐晶圓的傳統(tǒng)托盤，圖1B示出了具有傳統(tǒng)托盤的晶圓承載裝置，如圖1A和IB所示，在工藝腔室100’內(nèi)部設(shè)有靜電卡盤200’。托盤300’由機(jī)械手傳輸進(jìn)入工藝腔室100’，并將托盤300’放在靜電卡盤200’上，晶圓400’被設(shè)置在托盤300’的凹槽內(nèi)。靜電卡盤200’的作用是將托盤300’固定，并對托盤300’進(jìn)行溫度控制，托盤300’再對晶圓400’進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。為了更好的實(shí)現(xiàn)溫度控制，靜電卡盤200’與托盤之間會(huì)充有He氣，填充在靜電卡盤200’與托盤300’接觸面的空隙處，以增大兩者的熱交換面積。上述晶圓承載裝置中，雖然晶圓400’與托盤300’接觸，但二者之間的接觸面沒有通入熱傳導(dǎo)氣體如He氣，從而導(dǎo)致晶圓400’與托盤300’之間的熱交換效果不好，從而無法對晶圓400’進(jìn)行有效的溫度調(diào)節(jié)。另外，如果直接在托盤300’上放置晶圓400’的位置打孔并通入He氣的話，孔需要具有一定的直徑。如果孔的直徑太小，則無法達(dá)到熱交換的目的，而如果孔的直徑較大，通入He氣時(shí)會(huì)對晶圓400’產(chǎn)生向上的推力，由于晶圓400’離靜電卡盤200’距離較大，靜電卡盤200’對晶圓400’的吸附力本身就不大，在抵消了 He氣對晶圓400’向上的推力之后就會(huì)進(jìn)一步減弱靜電卡盤200’對晶圓400’的吸附力。靜電卡盤200’對晶圓400’的吸附力的降低會(huì)導(dǎo)致晶圓400’與托盤300’接觸不緊密，從而導(dǎo)致He氣泄漏。He氣會(huì)大量的泄露到工藝腔室中，從而達(dá)不到良好的溫度調(diào)節(jié)和控制要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，特別是解決無法對晶圓進(jìn)行快速有效進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的缺陷。為此，本發(fā)明的目的在于提出一種晶圓承載裝置，該晶圓承載裝置可以快速有效地對晶圓進(jìn)行溫度控制，從而能夠更好地控制晶圓的溫度，提高晶圓的溫度均勻性，提升晶圓的處理效果。本發(fā)明的另一目的在于提出一種具有上述晶圓承載裝置的半導(dǎo)體處理設(shè)備。
為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的晶圓承載裝置，包括:卡盤和升降組件，所述卡盤包括:卡盤本體，所述卡盤本體內(nèi)具有中空腔，且所述卡盤本體的頂壁設(shè)有第一通孔；和移動(dòng)部，所述移動(dòng)部容納在所述中空腔內(nèi)，所述移動(dòng)部的上表面設(shè)有與所述第一通孔對應(yīng)的凸出部；托盤，所述托盤設(shè)在所述卡盤本體上，所述托盤設(shè)有與所述第一通孔對應(yīng)且用于容納晶圓的第二通孔，其中所述第二通孔的上端的直徑大于所述晶圓的直徑且所述第二通孔的下端的直徑小于所述晶圓的直徑；所述升降組件與所述移動(dòng)部相連用于驅(qū)動(dòng)所述移動(dòng)部在所述中空腔內(nèi)升降以使所述凸出部與所述晶圓接觸或脫離。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置，通過升降組件控制卡盤的移動(dòng)部升降，從而移動(dòng)部上的凸出部可以與晶圓接觸或脫離，當(dāng)凸出部與晶圓接觸時(shí)可以實(shí)現(xiàn)移動(dòng)部與晶圓之間的熱交換，從而實(shí)現(xiàn)卡盤對晶圓的直接溫度控制，進(jìn)而能夠快速有效地對晶圓進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，提高了晶圓的溫度均勻性，提高工藝性能。當(dāng)凸出部與晶圓脫離時(shí)，由于第二通孔的下端的直徑小于晶圓的直徑，且托盤的第二通孔的上端的直徑大于晶圓的直徑，因此晶圓可以支撐在托盤的第二通孔的上端處且距離第二通孔的下端具有預(yù)定距離，從而可以通過移動(dòng)托盤實(shí)現(xiàn)對晶圓的快速取放，提高處理效率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二通孔為臺階狀，所述第二通孔包括第一孔段和位于所述第一孔段下面的第二孔段，其中所述第一孔段的直徑大于所述晶圓的直徑且所述第二孔段的直徑小于所述晶圓的直徑。由此，當(dāng)移動(dòng)部下降而凸出部與晶圓脫離時(shí)，晶圓可以由第二通孔內(nèi)的臺階支撐。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述晶圓承載裝置還包括用于對所述晶圓產(chǎn)生靜電吸附力的電極，所述電極的一端設(shè)在所述移動(dòng)部內(nèi)且所述電極的另一端延伸出所述移動(dòng)部。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述電極包括電極本體、電極分支和引出段，所述電極分支的一端與所述電極本體相連且所述電極分支的另一端延伸到所述凸出部內(nèi)，所述引出段的一端與所述電極本體相連且所述引出段的另一端向下延伸出所述移動(dòng)部。由于電極分支的一端延伸到凸出部內(nèi)，因此，可以增大對晶圓的吸附力。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述移動(dòng)部內(nèi)設(shè)有用于供給溫控氣體的第一氣體通道和第一通氣孔，所述第一通氣孔的一端與所述第一氣體通道連通且所述第一通氣孔的另一端從所述凸出部的上表面露出。由此，在對所述晶圓進(jìn)行工藝處理時(shí)，通過第一氣體通道和第一通氣孔供給的溫控氣體可以對所述晶圓進(jìn)行溫度控制，進(jìn)一步提高晶圓的溫度均勻性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述卡盤本體設(shè)有用于供給溫控氣體的第二氣體通道和第二通氣孔，所述第二通氣孔的一端與所述第二通道連通且所述第二通氣孔的另一端從所述卡盤本體與所述托盤接觸的表面露出。由此，在對所述晶圓進(jìn)行工藝處理時(shí)，通過第二氣體通道和第二通氣孔供給的溫控氣體可以對所述托盤進(jìn)行溫度控制。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述溫控氣體為He氣。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一通孔、第二通孔和所述凸出部均為多個(gè)且所述第一通孔、第二通孔和所述凸出部一一對應(yīng)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述升降組件可以為氣缸、液壓缸、電缸和絲杠傳動(dòng)裝置中的一種。
根據(jù)本發(fā)明第二方面實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備，包括:晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置可以為根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的晶圓承載裝置。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備為LED (發(fā)光二極管)或MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))刻蝕機(jī)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述LED或MEMS刻蝕機(jī)為電感耦合等離子體刻蝕機(jī)。本發(fā)明附加的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1A為承載晶圓的傳統(tǒng)托盤的不意圖；圖1B為具有圖1A所示傳統(tǒng)托盤的傳統(tǒng)晶圓承載裝置的剖面圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置的示意圖，其中升降組件驅(qū)動(dòng)移動(dòng)部的凸出部下降以便所述凸出部與晶圓脫離；和圖3為本發(fā)明實(shí)施例晶圓承載裝置的示意圖，其中升降組件驅(qū)動(dòng)移動(dòng)部的凸出部上升以便所述凸出部與晶圓接觸。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。以下結(jié)合附圖2-3描述本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置200。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置200包括卡盤210、托盤220和升降組件230。如圖2和3所示，卡盤210包括卡盤本體211和移動(dòng)部212。具體地，卡盤本體211內(nèi)具有中空腔213，卡盤本體211的頂壁設(shè)有第一通孔2111。移動(dòng)部212容納在卡盤本體211的中空腔213中，且移動(dòng)部212的上表面設(shè)有凸出部2121。凸出部2121與第一通孔2111對應(yīng)，換言之，凸出部2121與第一通孔2111的數(shù)量相同，它們的位置在圖2和圖3中的上下方向上相對，且它們的尺寸匹配，以便凸出部2121可以穿過第一通孔2111沿上下方向移動(dòng)。托盤220設(shè)在卡盤210上，如圖2和3所示，更具體而言，托盤220設(shè)在卡盤210的卡盤本體211的頂面上。托盤220設(shè)有與第一通孔2111對應(yīng)且用于容納晶圓240的第二通孔2201，換言之，第一通孔2111與第二通孔2201的數(shù)量相同，它們的位置在上下方向上相對，且第二通孔2201允許凸出部2121在其內(nèi)升降。第二通孔2201的上端的直徑大于晶圓240的直徑，而第二通孔2201的下端的直徑小于晶圓240的直徑，由此晶圓240可以容納(或部分容納)在托盤220的第二通孔2201內(nèi)且晶圓240的下表面距離托盤220的下表面預(yù)定距離。升降組件230與移動(dòng)部212相連用于驅(qū)動(dòng)移動(dòng)部212在中空腔213內(nèi)升降以使凸出部2121與晶圓240接觸或脫離。如圖2所示，升降組件230驅(qū)動(dòng)移動(dòng)部212下降，凸出部2121的上表面與卡盤本體211的上表面平齊，從而凸出部2121與晶圓240脫離。由此，可以方便地通過傳輸托盤220而傳輸晶圓，提聞了效率。如圖3所示，升降組件230驅(qū)動(dòng)移動(dòng)部212上升，凸出部2121的上表面向上凸出卡盤本體211的上表面，從而凸出部2121與晶圓240接觸。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，托盤220的第二通孔2201為臺階狀，換言之，第二通孔2201包括第一孔段2202和位于第一孔段2202下面的第二孔段2203，第一孔段2202的直徑大于晶圓240的直徑，第二孔段2203的直徑小于晶圓240的直徑。由此，保證晶圓240能夠至少部分容納和支撐在托盤220的第一孔段2202內(nèi)，優(yōu)選地，晶圓240厚度大于第一孔段2202的深度。上面雖然描述了第一孔段2202和第二孔段2203的直徑與晶圓240的直徑的關(guān)系，可以理解的是，第一孔段2202和第二孔段2203并不限于圓形孔，例如也可以為方形孔，只要晶圓可以支撐和容納在第一孔段2202內(nèi)而不下落到第二孔段2203內(nèi)即可。同理，第一通孔2111和凸出部2121的橫截面形狀也不限于圓形，在本發(fā)明的描述中，除非特別說明，以第一通孔2111和第二通孔2201以及凸出部2121均為圓形為例進(jìn)行描述。優(yōu)選地，第一通孔2111和第二通孔2201以及凸出部2121均為多個(gè)且——對應(yīng)，從而可以同時(shí)處理多個(gè)晶圓。升降組件230的位置沒有特別限制，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，升降組件230位于卡盤210下方且與移動(dòng)部212相連。升降組件230的形式也沒有特別限制，例如升降組件230可以為氣缸、液壓缸、電缸或絲杠傳動(dòng)裝置。在對晶圓240進(jìn)行工藝處理時(shí)，升降組件230推升移動(dòng)部212上升以使移動(dòng)部212的凸出部2121穿過第一通孔2111和第二通孔2201的一部分以與晶圓240接觸且可以將晶圓240頂起脫離托盤220。如圖3所示，此時(shí)，移動(dòng)部212的凸出部2121與晶圓240直接接觸，實(shí)現(xiàn)了移動(dòng)部212與晶圓240之間的直接熱交換，從而實(shí)現(xiàn)卡盤210對晶圓的直接溫度控制，進(jìn)而能夠快速有效地對晶圓進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，提高了晶圓的溫度均勻性，提高工藝效果O當(dāng)晶圓處理完畢后，升降組件230使移動(dòng)部212下降以使移動(dòng)部212的凸出部2121與晶圓240脫離，晶圓的至少一部分容納和支撐在第二通孔2201內(nèi)，由此可以通過傳輸托盤220而將處理完畢的晶圓傳輸出工藝腔室，實(shí)現(xiàn)了晶圓的快速取放，提高處理效率。如圖2和3所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置200還包括用于對晶圓產(chǎn)生靜電吸附力的電極250，電極250的一端設(shè)在移動(dòng)部212內(nèi)，電極250的另一端延伸出移動(dòng)部212，例如與電源(未示出)相連。電極250在被通電時(shí)對晶圓240產(chǎn)生靜電吸附力，使移動(dòng)部212的凸出部2121與晶圓240之間接觸更加穩(wěn)固，防止晶圓240脫落及溫控氣體(下面將會(huì)描述)泄露至工藝腔室，從而提高了氣體利用率，提高晶圓240的溫度均勻性，使晶圓240的冷卻效果更好。優(yōu)選地，電極250包括電極本體2502、電極分支2501和引出段2503，電極分支2501的一端與電極本體2502相連且電極分支2501的另一端延伸到凸出部2121內(nèi)，引出段2503的一端與電極本體2502相連，引出段2503的另一端向下延伸出移動(dòng)部212例如與電源相連。通過使電極250的分支引入到凸出部2121內(nèi)，凸出部2121與晶圓接觸時(shí)可以更好地吸附晶圓。當(dāng)凸出部2121為多個(gè)時(shí)，通過每個(gè)凸出部2121內(nèi)的電極分支2501吸附晶圓，提高了吸附力。結(jié)合圖3，在本發(fā)明的一些示例中，在移動(dòng)部212內(nèi)設(shè)有用于供給溫控氣體的第一氣體通道(未不出)和第一通氣孔(未不出)。第一通氣孔的一端與第一氣體通道連通，第一通孔2111的另一端延伸到凸出部2121與晶圓240接觸的表面，即從凸出部2121與晶圓接觸的表面露出。第一氣體通道利用可以與氣源(未示出)相連。在對晶圓240進(jìn)行工藝處理時(shí)通過由第一氣體通道和第一通氣孔傳輸?shù)臏乜貧怏w對晶圓240進(jìn)行溫度控制。通過凸出部2121與晶圓240接觸的表面處通入溫控氣體，可以有效地對晶圓240進(jìn)行冷卻。另外，溫控氣體通常為惰性氣體，可以起到對晶圓240快速冷卻的目的。優(yōu)選地，溫控氣體例如為氦氣(He)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置200，升降組件230驅(qū)動(dòng)卡盤210的移動(dòng)部212垂直向上移動(dòng)預(yù)定距離后(如圖3所示的移動(dòng)部212的位置)，移動(dòng)部212的凸出部2121與晶圓240接觸，卡盤210的移動(dòng)部212與晶圓240之間發(fā)生熱交換，從而實(shí)現(xiàn)卡盤210的移動(dòng)部212對晶圓240的直接溫度控制，進(jìn)而能夠快速有效地對晶圓240進(jìn)行冷卻，使晶圓240溫度更加均勻，提高工藝性能。并且通過在卡盤210的移動(dòng)部212與晶圓240接觸面的間隙內(nèi)通入氦氣，可以進(jìn)一步提高對晶圓240的冷卻效果，而通過對電極250通電，增加移動(dòng)部212的凸出部2121與晶圓240之間的吸附力，一方面可以防止氦氣泄漏到工藝腔室內(nèi)，另一方面可以對晶圓240進(jìn)行有效的冷卻。當(dāng)升降組件230驅(qū)動(dòng)卡盤210的移動(dòng)部212垂直向下移動(dòng)預(yù)定距離后(如圖2所示的移動(dòng)部212的位置)，晶圓240脫離移動(dòng)部212的凸出部2121，由于托盤220的第二通孔2201的下端口直徑小于晶圓240的直徑，且托盤220的第二通孔2201的上端口直徑大于晶圓240的直徑，晶圓240將被支撐在托盤220的第二通孔2201的上端口處，進(jìn)而通過移動(dòng)托盤220實(shí)現(xiàn)對晶圓240的快速取放，提高晶圓承載裝置200的效率。另外，可選地，如圖3所示，卡盤本體211還可以設(shè)有用于供給溫控氣體的第二氣體通道(未示出)和第二通氣孔(未示出)，第二通氣孔的一端與第二通道連通且第二通氣孔的另一端從卡盤本體211與所述托盤220接觸的表面露出，從而將卡盤本體211與托盤220之間的縫隙內(nèi)通入溫控氣體，對托盤220進(jìn)行溫度控制，第二氣體通道與氣源(未示出)相連。如上所述，溫控氣體例如也可以為氦氣(He)。由于托盤220與晶圓240接觸，通過對托盤220進(jìn)行溫控，從而通過托盤220間接地對晶圓240進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，降低晶圓240的冷卻時(shí)間，提高效率。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置，通過卡盤的移動(dòng)部對晶圓進(jìn)行直接溫度控制，進(jìn)而提高晶圓的溫度均勻性，快速達(dá)到對晶圓的冷卻目的，提升晶圓的工藝效果。本發(fā)明的實(shí)施例還提出了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，包括晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置可以為根據(jù)本發(fā)明上述任一實(shí)施例描述的晶圓承載裝置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備可以為刻蝕設(shè)備、外延設(shè)備等。可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備的其他結(jié)構(gòu)和操作對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言都是已知的，這里不再詳細(xì)描述。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體處理設(shè)備例如可以為LED或MEMS刻蝕機(jī)，具體地，該LED或MEMS刻蝕機(jī)可為電感耦合等離子體刻蝕機(jī)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備具有上述晶圓承載裝置帶來的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，這里不再詳細(xì)描述。在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
權(quán)利要求
1.一種晶圓承載裝置，其特征在于，包括: 卡盤，所述卡盤包括: 卡盤本體，所述卡盤本體內(nèi)具有中空腔，且所述卡盤本體的頂壁設(shè)有第一通孔；和 移動(dòng)部，所述移動(dòng)部容納在所述中空腔內(nèi)，所述移動(dòng)部的上表面設(shè)有與所述第一通孔對應(yīng)的凸出部； 托盤，所述托盤設(shè)在所述卡盤本體上，所述托盤設(shè)有與所述第一通孔對應(yīng)且用于容納晶圓的第二通孔，其中所述第二通孔的上端的直徑大于所述晶圓的直徑且所述第二通孔的下端的直徑小于所述晶圓的直徑；及 升降組件，所述升降組件與所述移動(dòng)部相連用于驅(qū)動(dòng)所述移動(dòng)部在所述中空腔內(nèi)升降以使所述凸出部與所述晶圓接觸或脫離。
2.按權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述第二通孔為臺階狀，所述第二通孔包括第一孔段和位于所述第一孔段下面的第二孔段，其中所述第一孔段的直徑大于所述晶圓的直徑且所述第二孔段的直徑小于所述晶圓的直徑。
3.按權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，還包括用于對所述晶圓產(chǎn)生靜電吸附力的電極，所述電極的一端設(shè)在所述移動(dòng)部內(nèi)且所述電極的另一端延伸出所述移動(dòng)部。
4.按權(quán)利要求3所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述電極包括電極本體、電極分支和引出段，所述電極分支的一端與所述電極本體相連且所述電極分支的另一端延伸到所述凸出部內(nèi)，所述引出段的一端與所述電極本體相連且所述引出段的另一端向下延伸出所述移動(dòng)部。
5.按權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述移動(dòng)部內(nèi)設(shè)有用于供給溫控氣體的第一氣體通道和第一通氣孔，所述第一通氣孔的一端與所述第一氣體通道連通且所述第一通氣孔的另一端從所述凸出部的上表面露出。
6.按權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述卡盤本體設(shè)有用于供給溫控氣體的第二氣體通道和第二通氣孔，所述第二通氣孔的一端與所述第二通道連通且所述第二通氣孔的另一端從所述卡盤本體與所述托盤接觸的表面露出。
7.按權(quán)利要求4或6所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述溫控氣體為He氣。
8.按權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔和所述凸出部均為多個(gè)且所述第一通孔、第二通孔和所述凸出部一一對應(yīng)。
9.按權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述升降組件為氣缸、液壓缸、電缸和絲杠傳動(dòng)裝置中的一種。
10.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，包括: 晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置為如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的晶圓承載裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備為LED或MfflS刻蝕機(jī)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，所述LED或MEMS刻蝕機(jī)為電感耦合等離子體刻蝕機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明提出一種晶圓承載裝置和具有它的半導(dǎo)體處理設(shè)備，晶圓承載裝置包括卡盤，卡盤包括移動(dòng)部和具有中空腔的卡盤本體，且卡盤本體的頂壁設(shè)有第一通孔，移動(dòng)部容納在中空腔內(nèi)，移動(dòng)部的上表面設(shè)有與第一通孔對應(yīng)的凸出部；托盤，托盤設(shè)在卡盤本體上，托盤設(shè)有與第一通孔對應(yīng)且用于容納晶圓的第二通孔，其中第二通孔的上端的直徑大于晶圓直徑且第二通孔的下端的直徑小于晶圓直徑；和升降組件，升降組件與卡盤的移動(dòng)部相連用于驅(qū)動(dòng)移動(dòng)部在中空腔內(nèi)升降以使凸出部與晶圓接觸或脫離。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶圓承載裝置，通過卡盤的移動(dòng)部對晶圓進(jìn)行直接溫度控制，從而可以快速且有效地控制晶圓的溫度，提高晶圓的溫度均勻性，提升工藝效果。
文檔編號H01L21/683GK103094166SQ201110338680
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者管長樂 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司