技術(shù)編號：7163495
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子，特別涉及一種晶圓承載裝置及具有它的半導(dǎo)體處理設(shè)備。背景技術(shù)在半導(dǎo)體、LED、MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))等加工領(lǐng)域一般采用等離子體刻蝕設(shè)備，該刻蝕設(shè)備一般由工藝模塊和傳輸模塊組成。工藝模塊包括工藝腔室，刻蝕工藝通常在工藝腔室中進(jìn)行，從而在晶圓上刻蝕出所需要的圖形，傳輸模塊則負(fù)責(zé)將待加工的晶圓傳入工藝腔室并將處理完的晶圓傳出工藝腔室。對于LED領(lǐng)域使用的刻蝕設(shè)備，由于單個晶圓的直徑一般為2寸、4寸或者6寸，而工藝腔室的尺寸通常要遠(yuǎn)大于晶圓直徑，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。