專利名稱：基于玻璃基的plc晶圓切割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法。
背景技術(shù)：
XPON作為新一代光纖接入技術(shù)，在高干擾性、帶寬特性、接入距離、維護管理方面均具有巨大優(yōu)勢，XPON光接入技術(shù)比較成熟的EPON和GPON均是由局端0LT、用戶端ONU設(shè)備和無源光分配網(wǎng)絡(luò)ODN組成，而光分路器是XPON接入技術(shù)中ODN網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)功能器件， 做為光分路器核心部分之一的平面波導(dǎo)型芯片，決定了光分路器的主要成本。平面波導(dǎo)型芯片成品價格過高，供貨緊急，因此購買芯片半成品(PLC晶圓)切割成單個芯片，此種半自產(chǎn)的方式已成為解決上述問題的必然方法，但同時由于晶圓本身尺寸及材料的原因，目前市場上沒有專門針對PLC晶圓切割的設(shè)備及方法?，F(xiàn)有的PLC晶圓切割方法通過UV膜工藝將PLC晶圓與晶圓架進行固定，一方面貼 UV膜時需要采用專門設(shè)備實施，貼UV膜的效果受操作人員技能影響；另一方面該UV膜固定PLC晶圓時的牢固度不強，切割時切刀轉(zhuǎn)速過快時，容易產(chǎn)生移位造成切割精度不高，產(chǎn)生的崩缺大，通常在lOOum，也影響切割效率；同時該UV膜的成本也高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，該基于玻璃基的PLC晶圓切割方法可以避免在對PLC晶圓進行切割速度快時容易產(chǎn)生側(cè)崩或側(cè)崩過大，提高切割效率和切割精度，降低切割成本。為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，該基于玻璃基的PLC晶圓切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合層，通過熱熔方式使粘合層與需要切割的PLC晶圓進行粘合，待粘合層冷卻PLC晶圓固定后采用切割工具對與玻璃基板固定的PLC晶圓進行切割。優(yōu)選地，所述粘合層由粘合劑組成，其中粘合劑包括工業(yè)石蠟和松香按質(zhì)量 7 1 6 1進行合成制得。優(yōu)選地，所述粘合層的厚度為0. 05-0. 2um。優(yōu)選地，所述切割工具包括切刀。優(yōu)選地，所述粘合層通過熱風(fēng)機。本發(fā)明提供一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，在玻璃基板上涂上涂有粘合層，通過熱熔方式使粘合層與需要切割的PLC晶圓進行粘合，待粘合層冷卻PLC晶圓固定后采用切割工具對與玻璃基板固定的PLC晶圓進行切割。與現(xiàn)有技術(shù)，由于被切割的PLC晶圓通過熱熔將粘合層與玻璃基板進行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀轉(zhuǎn)速過快時，避免PLC晶圓產(chǎn)生移位造成切割精度不高，同時該PLC晶圓與粘合層之間產(chǎn)生足夠的機械強度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺減少，通常在50um，同時切刀轉(zhuǎn)速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本較低。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法實施例。該基于玻璃基的PLC晶圓切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合層，該粘合層的厚度可以為0. 05-0. 2um，通過熱熔方式使粘合層與需要切割的PLC晶圓進行粘合，待粘合層冷卻PLC晶圓固定后采用切割工具對與玻璃基板固定的PLC晶圓進行切割。具體地說，所述粘合層由粘合劑組成，其中粘合劑包括工業(yè)石蠟和松香按質(zhì)量以 7 1 6 1的比例合成制得；所述切割工具包括切刀。所述粘合層可以通過熱風(fēng)機。本發(fā)明基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，在玻璃基板上涂上涂有粘合層，通過熱熔方式使粘合層與需要切割的PLC晶圓進行粘合，待粘合層冷卻PLC晶圓固定后采用切割工具對與玻璃基板固定的PLC晶圓進行切割。與現(xiàn)有技術(shù)，由于被切割的PLC晶圓通過熱熔將粘合層與玻璃基板進行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀轉(zhuǎn)速過快時，避免PLC晶圓產(chǎn)生移位造成切割精度不高，同時該PLC晶圓與粘合層之間產(chǎn)生足夠的機械強度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺減少，通常在50um，同時切刀轉(zhuǎn)速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本較低。該粘合層在使用過程中，不產(chǎn)生任何有害的氣體以及異味比UV膜更安全和更環(huán)保。采用玻璃作為基板，其與與待切割的PLC晶圓材質(zhì)相近，厚度均勻，更容易固定；同時玻璃基板表面光滑，與切割設(shè)備的真空平面吸附作用相當(dāng)。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，包括在玻璃基板上涂上涂有粘合層，通過熱熔方式使粘合層與需要切割的PLC晶圓進行粘合，待粘合層冷卻PLC晶圓固定后采用切割工具對與玻璃基板固定的PLC晶圓進行切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，其特征在于所述粘合層由粘合劑組成，其中粘合劑包括工業(yè)石蠟和松香按質(zhì)量7 1 6 1進行合成制得。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，其特征在于 所述粘合層的厚度為0. 05-0. 2um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，其特征在于 所述切割工具包括切刀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，其特征在于 所述粘合層通過熱風(fēng)。
全文摘要
本發(fā)明適用于半導(dǎo)體制程領(lǐng)域。本發(fā)明公開一種基于玻璃基的PLC晶圓切割方法，該基于玻璃基的PLC晶圓切割方法包括，在玻璃基板上涂上涂有粘合層，通過熱熔方式使粘合層與需要切割的PLC晶圓進行粘合，待粘合層冷卻PLC晶圓固定后采用切割工具對與玻璃基板固定的PLC晶圓進行切割。與現(xiàn)有技術(shù)，由于被切割的PLC晶圓通過熱熔將粘合層與玻璃基板進行固定，其牢固度是UV膜的3倍以上，一方面可以在切刀轉(zhuǎn)速過快時，避免PLC晶圓產(chǎn)生移位造成切割精度不高，同時該PLC晶圓與粘合層之間產(chǎn)生足夠的機械強度，使得切割后的晶粒有背面的崩缺減少，通常在50um，同時切刀轉(zhuǎn)速快是可以提高切割速度，提高切割效率，成本較低。
文檔編號H01L21/78GK102280410SQ20111016879
公開日2011年12月14日 申請日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者吳傳潔 申請人:深圳市中興新地通信器材有限公司