專利名稱：具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置的多芯片封裝技術(shù)，特別是有關(guān)于一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
目前，多芯片封裝是一種新的封裝趨勢(shì)，允許多個(gè)芯片安裝在同一封裝構(gòu)造，以達(dá)到更完整的功能與更大的容量，例如記憶卡(memory card)或閃存模塊(eMMC)。目前多芯片封裝構(gòu)造所使用的芯片載體是一種例如具有玻纖核心層的印刷電路板或軟性電路板的基板，利用模封形成的封膠體形成于基板的上表面，以密封芯片。除了封裝成本偏高，基板的下表面因無(wú)法被封膠體密封保護(hù)，容易磨耗受損，并且也有基板剝離、封裝翹曲與抗?jié)裥暂^差的問題。故有人提出以導(dǎo)線架取代基板的多芯片封裝技術(shù)。 中國(guó)臺(tái)灣專利1335656號(hào)(即美國(guó)專利7，795，715 B2號(hào))導(dǎo)線架式的快閃記憶卡，揭示一種使用導(dǎo)線架的記憶卡多芯片封裝構(gòu)造，導(dǎo)線架具有用以承載芯片的芯片座、弓丨線與接觸墊，然而接觸墊是直接或以個(gè)別連結(jié)桿連接到封膠體外的金屬框架，在封裝制程中缺乏足夠的固定，一旦晃動(dòng)或位移，便會(huì)造成溢膠或腳位不精確的問題。此外，當(dāng)連接習(xí)知接觸墊的導(dǎo)線架的部位延伸到記憶卡的插接側(cè)也會(huì)容易發(fā)生靜電放電的破壞與接觸墊的剝落。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，可省略基板以降低封裝成本，并可避免習(xí)知使用導(dǎo)線架導(dǎo)致接觸墊的溢膠與腳位位移的發(fā)生。本發(fā)明的次目的在于提供一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，有效解決由導(dǎo)線架構(gòu)成的接觸墊容易晃動(dòng)與位移的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，包含一導(dǎo)線架，具有一芯片座與復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸指，由該芯片座之一側(cè)邊更延伸連接至少一個(gè)第二接觸指，該第二接觸指位于該些第一接觸指之間并為成排排列；一非導(dǎo)電膠帶，貼附于該些第一接觸指與該第二接觸指上，以串連固定該些第一接觸指與該第二接觸指；一第一芯片，設(shè)置于該芯片座上；一第二芯片，設(shè)置于該第一芯片上；復(fù)數(shù)個(gè)焊線，電性連接該第一芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊至該些第一接觸指與該第二接觸指；一封膠體，密封該芯片座、該第一芯片、該第二芯片及該非導(dǎo)電膠帶并結(jié)合該些第一接觸指與該第二接觸指；以及一金屬鍍層，形成于該些第一接觸指與該第二接觸指的下表面并顯露在該封膠體之外。進(jìn)一步，該第一芯片的尺寸大于該第二芯片的尺寸。進(jìn)一步,其特征在于,該第一芯片為一內(nèi)存芯片，該第二芯片為一控制器芯片。進(jìn)一步，該封膠體具有一記憶卡的形狀。
進(jìn)一步，該封膠體具有一插接側(cè)，該導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)個(gè)第一連結(jié)桿與復(fù)數(shù)個(gè)第二連結(jié)桿，其中該些第一連結(jié)桿連接該芯片座至該封膠體之復(fù)數(shù)個(gè)非插接側(cè)，該些第二連結(jié)桿連接該些第一接觸指中的兩側(cè)第一接觸指至該封膠體的該些非插接側(cè)。進(jìn)一步，該第一芯片的一主動(dòng)面形成有一重配置線路層，以電性連接該第二芯片至該些第一接觸指與該第二接觸指。進(jìn)一步，另包含至少一個(gè)被動(dòng)組件，設(shè)置于該第一芯片上并與該重配置線路層電性連接。進(jìn)一步，該金屬鍍層為一滾鍍鎳金層。
進(jìn)一步，該非導(dǎo)電膠帶的寬度小于該些第一接觸指與該第二接觸指的指長(zhǎng)度，以使該些第一接觸指與該第二接觸指的上表面保留有復(fù)數(shù)個(gè)供焊線連接的打線區(qū)域。進(jìn)一步，該些第一接觸指與該第二接觸指的厚度大于該芯片座的厚度，以使該封膠體覆蓋該芯片座的下表面。本發(fā)明達(dá)到的技術(shù)效果如下I、可借由導(dǎo)線架具有兩種接觸指的特殊結(jié)構(gòu)以及與非導(dǎo)電膠帶的貼附關(guān)系作為本發(fā)明其中之一技術(shù)手段，有效整合接觸指使其構(gòu)成于導(dǎo)線架并且增進(jìn)在模封前接觸指的固定效果，可省略基板以降低封裝成本，并可避免公知使用導(dǎo)線架導(dǎo)致接觸指的溢膠與腳位位移的發(fā)生。2、可借由導(dǎo)線架具有兩種接觸指的特殊結(jié)構(gòu)以及與非導(dǎo)電膠帶的貼附關(guān)系作為本發(fā)明其中之一技術(shù)手段，有效解決由導(dǎo)線架構(gòu)成的接觸指容易晃動(dòng)與位移的問題。3、對(duì)于導(dǎo)線架的接觸指的多種固定機(jī)構(gòu)作為本發(fā)明其中之一技術(shù)手段，使導(dǎo)線架的連結(jié)桿不延伸至封膠體的插接側(cè)并能減少連結(jié)桿的使用數(shù)量，達(dá)到較佳的抗?jié)裥耘c靜電放電保護(hù)。4、非導(dǎo)電膠帶的寬度與接觸指長(zhǎng)度差異作為本發(fā)明其中之一技術(shù)手段，可使該些第一接觸指與該第二接觸指的上表面保留有復(fù)數(shù)個(gè)供焊線連接的打線區(qū)域并使該非導(dǎo)電膠帶能被封膠體完全密封，而不影響產(chǎn)品外觀。5、導(dǎo)線架的接觸指與芯片座的厚度差作為本發(fā)明其中之一技術(shù)手段，使封膠體能覆蓋芯片座的下表面，導(dǎo)線架的結(jié)構(gòu)中僅有接觸指的下表面與連結(jié)桿的切割斷面不被封膠體覆蓋，特別適用于低成本記憶卡。


圖I為根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造的截面示意圖；圖2為圖I的多芯片封裝構(gòu)造透視封膠體的俯視示意圖；圖3A至3G為根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造在制程步驟中各組件的俯視示意圖；圖4為圖3A圖中提供導(dǎo)線架的步驟中多個(gè)封裝單元區(qū)構(gòu)成于一導(dǎo)線架的俯視示意圖。圖5為圖3B中設(shè)置第一芯片的步驟之前第一芯片由一晶圓取出的不意圖。圖6為圖3F中形成封膠體的步驟中封膠體連續(xù)覆蓋多個(gè)封裝單元區(qū)的示意圖。
圖7為圖3G中單體化切割的步驟后封膠體的底面示意圖。圖8為在單體化切割的步驟之后于封膠體的底面滾壓形成金屬鍍層的示意圖。

100多芯片封裝構(gòu)造
110導(dǎo)線架111芯片座112第一接觸指
112A兩側(cè)第一接觸指
113第二接觸指114第一連結(jié)桿115第二連結(jié)桿
120非導(dǎo)電膠帶
130第一芯片131重配置焊墊132原生焊墊
133轉(zhuǎn)接墊134被動(dòng)組件接墊
140第二芯片151、152焊線
161插接側(cè)162非插接側(cè)
180重配置線路層
190被動(dòng)組件
具體實(shí)施例方式以下將配合所附圖示詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，然應(yīng)注意的是，該些圖示均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方法來(lái)說明本發(fā)明的基本架構(gòu)或?qū)嵤┓椒?，故僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的組件與組合關(guān)系，圖中所顯示的組件并非以實(shí)際實(shí)施的數(shù)目、形狀、尺寸做等比例繪制，某些尺寸比例與其它相關(guān)尺寸比例或已夸張或是簡(jiǎn)化處理，以提供更清楚的描述。實(shí)際實(shí)施的數(shù)目、形狀及尺寸比例為一種選置性，詳細(xì)的組件布局可能更為復(fù)雜。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造100舉例說明于圖I的截面示意圖與圖2的透視封膠體的俯視示意圖，該多芯片封裝構(gòu)造100的底視示意圖可參閱圖8。該多芯片封裝構(gòu)造100包含一導(dǎo)線架110、一非導(dǎo)電膠帶120、一第一芯片130、一第二芯片140、復(fù)數(shù)個(gè)焊線151、一封膠體160以及一金屬鍍層170。該導(dǎo)線架110為一金屬框架，其金屬材質(zhì)可為鐵鎳合金或銅合金，作為支撐芯片的骨架與底盤，并且具有可供封膠體包覆填充的間隙，不同于基板的非導(dǎo)電核心與不可被封膠體包覆下表面。如圖I與圖2所示，該導(dǎo)線架110具有一芯片座111與復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸指112，這表示該芯片座111與該些第一接觸指112為相同材質(zhì)并構(gòu)成于同一導(dǎo)線架。然在完整產(chǎn)品中，該些第一接觸指112為分離。并且，由該芯片座111的一側(cè)邊更延伸連接至少一第二接觸指113，該第二接觸指113位于該些第一接觸指112之間并為成排排列。其中該第二接觸指113的寬度可與每一第一接觸指112的寬度相當(dāng)，但長(zhǎng)度可略有不同，例如該第二接觸指113的長(zhǎng)度可略大于該些第一接觸指112的平均長(zhǎng)度(如圖7所示)。該第二接觸指113的作用可為接地或電源的連接，而該些第一接觸指112的主要用途為訊號(hào)傳輸。在本實(shí)施例中，該些第一接觸指112與該第二接觸指113作為記憶卡對(duì)外的端子金手指。并且，如圖2所示，該非導(dǎo)電膠帶120貼附于該些第一接觸指112與該第二接觸指113上，以串連固定該些第一接觸指112與該第二接觸指113。在本實(shí)施例中，該非導(dǎo)電膠帶120為條狀，其配置方向與該第二接觸指113的延伸方向?yàn)榇怪?，以能在較短距離下黏附至該些第一接觸指112。如圖I所示，該非導(dǎo)電膠帶120的下方可形成有一黏著層121，以同時(shí)黏附至該第二接觸指113與該些第一接觸指112。因此，在多芯片封裝制程中模封之前，該第二接觸指113因一體連接于該芯片座111而得到腳位固定，該些第一接觸指112則藉由該非導(dǎo)電膠帶120的黏著而能與該第二接觸指113保持良好的固定間隙。

該第一芯片130設(shè)置于該芯片座111上，例如可以利用黏晶膠135黏著該第一芯片130的背面至該芯片座111的上表面。在本實(shí)施例中，該黏晶膠135的型態(tài)為復(fù)數(shù)個(gè)條狀，使該第一芯片130的背面亦可被該封膠體160包覆。并且，該第二芯片140設(shè)置于該第一芯片130上。較佳地,該第一芯片130的尺寸可大于該第二芯片140的尺寸，以作為承載該第二芯片140的母芯片。在本實(shí)施例中，該第一芯片130可為一內(nèi)存芯片，該第二芯片140可為一控制器芯片。更具體地，該第一芯片130的主動(dòng)面可形成有一重配置線路層180，以電性連接該第二芯片140至該些第一接觸指112與該第二接觸指113。該重配置線路層180為在晶圓等級(jí)以集成電路制程制作的線路層，故不會(huì)增加芯片堆棧厚度。其中，該第一芯片130的主動(dòng)面為集成電路形成表面，在本實(shí)施例中，該主動(dòng)面朝上而遠(yuǎn)離該芯片座111。該些焊線151電性連接該第一芯片130的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊至該些第一接觸指112與該第二接觸指113，其中該些焊墊為重配置焊墊131。在具體結(jié)構(gòu)中，該第一芯片130可另具有復(fù)數(shù)個(gè)原生焊墊132與復(fù)數(shù)個(gè)轉(zhuǎn)接墊133，而該重配置線路層180至少包含復(fù)數(shù)個(gè)連接該些原生焊墊132至該些轉(zhuǎn)接墊133的第一線路181以及復(fù)數(shù)個(gè)連接該些重配置焊墊131至該些轉(zhuǎn)接墊133的第二線路182 (如第3B與5圖所示)。該重配置線路層180將所有芯片的訊號(hào)、接地與電源重新布置線路，用以將該些重配置焊墊131設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢?。故該第一芯?30以打線方式電性連接至該些第一接觸指112與該第二接觸指113。該第二芯片140則以利用打線方式或覆晶接合方式電性連接至該重配置線路層180，在本實(shí)施例中，以另外的復(fù)數(shù)個(gè)焊線152電性連接該第二芯片140的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊141與被連接該重配置線路層180的該些轉(zhuǎn)接墊133。此外，為了能執(zhí)行該些第一接觸指112與該第二接觸指113的打線連接，較佳地，該非導(dǎo)電膠帶120的寬度可小于該些第一接觸指112與該第二接觸指113的指長(zhǎng)度，以使該些第一接觸指112與該第二接觸指113的上表面保留有復(fù)數(shù)個(gè)供該些焊線151連接的打線區(qū)域，可參閱圖2中該些第一接觸指112與該第二接觸指113朝向該芯片座111且不被該非導(dǎo)電膠帶120覆蓋的區(qū)域。并且，該非導(dǎo)電膠帶120與該第一芯片130位在該導(dǎo)線架110的同一設(shè)置表面，以供同時(shí)密封。該封膠體160密封該芯片座111、該第一芯片130、該第二芯片140及該非導(dǎo)電膠帶120并結(jié)合該些第一接觸指112與該第二接觸指113。尤佳地，該些第一接觸指112與該第二接觸指113的厚度可大于該芯片座111的厚度，以使該封膠體160覆蓋該芯片座111的下表面，即相對(duì)于供設(shè)置該第一芯片130的上表面的另一表面。該封膠體160是由轉(zhuǎn)移模封或壓縮模封方法形成，該封膠體160可為模封環(huán)氧或合物(；Epoxy Molding Compound,EMC)。在本實(shí)施例中，該封膠體160可具有一記憶卡的外形(如圖1、2、7及8所示)，例如微型快閃記憶卡(micro SD card)。更具體結(jié)構(gòu)中，該封膠體160具有一插接側(cè)161,為該封膠體160鄰近該些第一接觸指112與該第二接觸指113的側(cè)邊，即朝向內(nèi)存的插接方向，該封膠體160的其余側(cè)邊則為非插接側(cè)162。較佳地，該導(dǎo)線架110具有復(fù)數(shù)個(gè)第一連結(jié)桿114與復(fù)數(shù)個(gè)第二連結(jié)桿115，其中該些第一連結(jié)桿114可連接該芯片座111至該封膠體160的該些非插接側(cè)162，而該些第二連結(jié)桿115可連接該些第一接觸指112中的兩側(cè)第一接觸指112A至該封膠體160的該些非插接側(cè)162。由于使用了該非導(dǎo)電膠帶120黏貼固定該些第一接觸指112并與該第二接觸指113串連，便可使該些第一接觸指112得到該芯片座111的固定支持，故該些第二連結(jié)桿115不需要個(gè)別連接該些第一接觸指112至該插接側(cè)161，以避免靜電放電的破壞并減少連結(jié)桿的使用數(shù)量。并且，該金屬鍍層170形成于該些第一接觸指112與該第二接觸指113的下表面并顯露在該封膠體160之外，用以防 止該些第一接觸指112與該第二接觸指113的氧化并增進(jìn)對(duì)外導(dǎo)電連接能力。在本實(shí)施例中，該金屬鍍層170可為一滾鍍鎳金層。此外，該多芯片封裝構(gòu)造100可另包含至少一被動(dòng)組件190，設(shè)置于該第一芯片130上并與該重配置線路層180電性連接。該被動(dòng)組件190也被該封膠體160密封。在本實(shí)施例中，該第一芯片130另具有復(fù)數(shù)個(gè)被動(dòng)組件接墊134，可通過由該重配置線路層180復(fù)數(shù)個(gè)第三線路183連接至部分的該些第二線路182 (如圖3B及圖5所示)。利用焊料191焊接該些被動(dòng)組件190的電極至該些被動(dòng)組件接墊134,以達(dá)到該被動(dòng)組件190在該第一芯片130上的設(shè)置。關(guān)于上述具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造100的制造方法，圖3A至圖3G繪示在制程步驟中各組件的俯視示意圖，并說明如后。 首先如第圖3A與圖4圖所示，提供該導(dǎo)線架110，該導(dǎo)線架110包含復(fù)數(shù)個(gè)對(duì)應(yīng)多芯片封裝構(gòu)造的封裝單元區(qū)110A，都位于一金屬框架116內(nèi)。在每一封裝單元區(qū)IlOA內(nèi)具有該芯片座111與該些第一接觸指112。由該芯片座111的一側(cè)邊一體延伸出該第二接觸指113。并以該非導(dǎo)電膠帶120黏附固定該些第一接觸指112與該第二接觸指113。該芯片座111以該些第一連結(jié)桿114連接至該金屬框架116或鄰近封裝單元區(qū)IlOA的第一連結(jié)桿。兩側(cè)第一接觸指112A以該些第二連結(jié)桿115連接至該金屬框架116或鄰近封裝單元區(qū)IlOA的第二連結(jié)桿。借此，在封裝制程中的模封步驟之前，該些分離的第一接觸指112得到良好的腳位固定。之后，進(jìn)行第一次芯片設(shè)置步驟。如圖3B所示，將該第一芯片130設(shè)置于該芯片座111上。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D5，該第一芯片130取自于一晶圓30，而在該第一芯片130形成在晶圓階段，即該晶圓30尚未切割成個(gè)別第一芯片130之前。當(dāng)該第一芯片130設(shè)置于該芯片座111上時(shí)，該些重配置焊墊131靠近該些第一接觸指112與該第二接觸指113，以縮短焊線長(zhǎng)度。在一較佳實(shí)施例中，如圖3C所示，設(shè)置至少一個(gè)該被動(dòng)組件190于該第一芯片130上，該被動(dòng)組件190的電極對(duì)準(zhǔn)并焊接至該些被動(dòng)組件接墊134。之后，進(jìn)行第二次芯片設(shè)置步驟。如圖3D所示，將該第二芯片140設(shè)置于該第一芯片130上。當(dāng)該第二芯片140與該重配置線路層180之間為打線連接時(shí)，該第二芯片140不覆蓋該些轉(zhuǎn)接墊133。接著，執(zhí)行一打線步驟，如圖3E所示，以打線方式形成該些焊線151與152，其中該些焊線151連接該些重配置焊墊131至該些第一接觸指112與該第二接觸指113 ;該些焊線152連接該第二芯片140的焊墊至該些轉(zhuǎn)接墊133。因此，該第二芯片140可電性連接至該第一芯片130以及電性連接至該些第一接觸指112與該第二接觸指113。之后，進(jìn)行模封步驟。如圖3F所示，形成該封膠體160，以密封該第一芯片130、該第二芯片140、該被動(dòng)組件190、該些焊線151、152與該非導(dǎo)電膠帶120，并結(jié)合該導(dǎo)線架110的該第一接觸指112與該第二接觸指113。如圖6所示，該封膠體160的形成連續(xù)模封在該金屬框架116內(nèi)的多個(gè)封裝單元區(qū)，以符合大量生產(chǎn)的要求。之后，進(jìn)行一單體化切割步驟。將如圖3F所示的封膠體160裁切為如圖3G所示的外觀形狀。由于切割時(shí)，所切出的側(cè)邊幾乎都是封膠體160的材質(zhì)，不會(huì)切到公知的基板整個(gè)側(cè)邊，只會(huì)切到該些第一連結(jié)桿114與該些第二連結(jié)桿115，所以可以切出較為復(fù)雜的形狀，并且該單體化切割步驟也另可包含成型研磨的次步驟，以達(dá)到表面平整無(wú)毛邊與降 低成本的效益，不會(huì)造成公知基板的剝離或分層。較佳地，該些第一連結(jié)桿114與該些第二連結(jié)桿115的厚度不大于該芯片座111的厚度，即小于該些第一接觸指112與該第二接觸指113的厚度，使得該些第一連結(jié)桿114與該些第二連結(jié)桿115的切割斷面不會(huì)緊靠到該封膠體160的切割側(cè)邊的上下緣，即該些第一連結(jié)桿114與該些第二連結(jié)桿115的切割斷面的周邊仍被該封膠體160包覆，可減少該些第一連結(jié)桿114與該些第二連結(jié)桿115的毛邊或松動(dòng)。如圖7所示，在單體化切割之后，該封膠體160的底面只有顯露該些第一接觸指112與該第二接觸指113的下表面，該芯片座111的下表面以及該些第一連結(jié)桿114與該些第二連結(jié)桿115的下表面仍被該封膠體160覆蓋。最后，如圖所示，在圖7中該些第一接觸指112與該第二接觸指113的下表面顯露位置以滾鍍方式形成該金屬鍍層170，以制得該多芯片封裝構(gòu)造100。因此，本發(fā)明具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造可省略基板以降低封裝成本，并可避免公知使用導(dǎo)線架導(dǎo)致接觸指的溢膠與腳位位移的發(fā)生，并且有效解決由導(dǎo)線架構(gòu)成的接觸指容易晃動(dòng)與位移的問題。此外，本發(fā)明的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造不僅僅限定于快閃記憶卡的應(yīng)用，借由導(dǎo)線架的接觸指的位置改變、非導(dǎo)電膠帶的對(duì)應(yīng)形狀或數(shù)量的變化與重配置線路層的線路對(duì)應(yīng)變化，本發(fā)明也可應(yīng)用于閃存模塊(eMMC)。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，包含 一導(dǎo)線架，具有一芯片座與復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸指，由該芯片座之一側(cè)邊更延伸連接至少一個(gè)第二接觸指，該第二接觸指位于該些第一接觸指之間并為成排排列； 一非導(dǎo)電膠帶，貼附于該些第一接觸指與該第二接觸指上，以串連固定該些第一接觸指與該第二接觸指； 一第一芯片，設(shè)置于該芯片座上； 一第二芯片，設(shè)置于該第一芯片上； 復(fù)數(shù)個(gè)焊線，電性連接該第一芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊至該些第一接觸指與該第二接觸指； 一封膠體，密封該芯片座、該第一芯片、該第二芯片及該非導(dǎo)電膠帶并結(jié)合該些第一接觸指與該第二接觸指；以及 一金屬鍍層，形成于該些第一接觸指與該第二接觸指的下表面并顯露在該封膠體之外。
2.如權(quán)利要求I所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該第一芯片的尺寸大于該第二芯片的尺寸。
3.如權(quán)利要求2所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該第一芯片為一內(nèi)存芯片，該第二芯片為一控制器芯片。
4.如權(quán)利要求3所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該封膠體具有一記憶卡的形狀。
5.如權(quán)利要求4所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該封膠體具有一插接側(cè)，該導(dǎo)線架具有復(fù)數(shù)個(gè)第一連結(jié)桿與復(fù)數(shù)個(gè)第二連結(jié)桿，其中該些第一連結(jié)桿連接該芯片座至該封膠體之復(fù)數(shù)個(gè)非插接側(cè)，該些第二連結(jié)桿連接該些第一接觸指中的兩側(cè)第一接觸指至該封膠體的該些非插接側(cè)。
6.如權(quán)利要求2、3、4或5所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該第一芯片的一主動(dòng)面形成有一重配置線路層，以電性連接該第二芯片至該些第一接觸指與該第二接觸指。
7.如權(quán)利要求6所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，另包含至少一個(gè)被動(dòng)組件，設(shè)置于該第一芯片上并與該重配置線路層電性連接。
8.如權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該金屬鍍層為一滾鍍鎳金層。
9.如權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該非導(dǎo)電膠帶的寬度小于該些第一接觸指與該第二接觸指的指長(zhǎng)度，以使該些第一接觸指與該第二接觸指的上表面保留有復(fù)數(shù)個(gè)供焊線連接的打線區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的具有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，其特征在于，該些第一接觸指與該第二接觸指的厚度大于該芯片座的厚度，以使該封膠體覆蓋該芯片座的下表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有導(dǎo)線架式接觸指的多芯片封裝構(gòu)造，包含導(dǎo)線架，具有芯片座與復(fù)數(shù)個(gè)第一接觸指，由該芯片座一側(cè)邊更延伸連接至少一個(gè)第二接觸指，第二接觸指位于該些第一接觸指之間并為成排排列；非導(dǎo)電膠帶貼附于該些第一接觸指與該第二接觸指上，以串連固定該些第一接觸指與該第二接觸指；第一芯片設(shè)置于該芯片座上；第二芯片設(shè)置于該第一芯片上；復(fù)數(shù)個(gè)焊線，電性連接該第一芯片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊至該些第一接觸指與該第二接觸指；一封膠體密封該芯片座、第一芯片、第二芯片及非導(dǎo)電膠帶并結(jié)合第一接觸指與第二接觸指；以及一金屬鍍層，形成于該些第一接觸指與該第二接觸指的下表面并顯露在該封膠體外。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102800642SQ20111013675
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月25日
發(fā)明者陳暉長(zhǎng) 申請(qǐng)人:力成科技股份有限公司