專利名稱：用于閃速存儲器淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，特別涉及用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型邏輯、存儲器和模擬電路，其中存儲器件在集成電路產(chǎn)品中占了相當(dāng)大的比例。而在存儲器件中，近年來閃速存儲器(flash memory)的發(fā)展尤為迅速。它的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息，具有集成度高、較快的存取速度、易于擦除和重寫等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。閃存的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)稱為閃存單元(bit)。閃存單元的結(jié)構(gòu)與常規(guī)MOS晶體管不同。常規(guī)的MOS晶體管的柵極(gate)和導(dǎo)電溝道間由柵極絕緣層隔開，一般為氧化層 (oxide)；而閃存單元在控制柵(CG control gate，相當(dāng)于常規(guī)的MOS晶體管的柵極)與導(dǎo)電溝道間還多了一層物質(zhì)，稱之為浮柵(Refloating gate)。由于浮柵的存在，使閃存可以完成三種基本操作模式即讀、寫、擦除。即便在沒有電源供給的情況下，浮柵的存在可以保持存儲數(shù)據(jù)的完整性。相鄰的閃存單元之間以淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)隔離。圖1至圖3為現(xiàn)有的閃速存儲器的閃存單元之間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法的剖面示意圖。請參考圖1，提供襯底200，所述襯底200表面依次形成有隧穿氧化層210、多晶硅層220、氮化硅層240，依次刻蝕氮化硅層240、多晶硅層220、隧穿氧化層210，形成淺溝槽 230。參考圖2，采用熱氧化工藝，形成覆蓋所述淺溝槽230的襯墊氧化層250。參考圖3，形成填充滿所述淺溝槽230的隔離介質(zhì)層260。但是在實(shí)際中發(fā)現(xiàn)，采用上述方法形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的閃速存儲器，由于熱氧化過程所導(dǎo)致的隧穿氧化層“笑臉”問題，即淺溝槽兩側(cè)的隧穿氧化層變厚，降低了控制柵及源、漏對浮柵的耦合系數(shù)，使得器件的編程和擦除效率降低，并導(dǎo)致器件擦除后的讀電流降低，縮小了存儲器件的工作窗口?，F(xiàn)有的解決笑臉問題的方法是先形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的填充介質(zhì)層高于半導(dǎo)體襯底；再形成覆蓋半導(dǎo)體襯底的多晶硅層，然后對所形成的多晶硅層進(jìn)行研磨處理，并以所述填充介質(zhì)層為研磨停止層。但是通過上述方法形成的多晶硅層的厚度不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，采用所述方法可以有效的改善傳統(tǒng)工藝所帶來的浮柵隧穿氧化層的“笑臉”問題，提高閃速存儲器的編程和擦除效率，增加閃速存儲器擦除狀態(tài)下的讀電流，從而達(dá)到增大存儲器窗口的目的。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，包括提供半 導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成有隧穿氧化層和浮柵多晶硅層；在所述浮柵多晶硅層表面形成硬掩膜層，并依次刻蝕所述浮柵多晶硅層、隧穿氧化層、半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽；采用原位蒸汽生成工藝形成覆蓋所述淺溝槽表面的襯墊氧化層；形成填充滿所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層。優(yōu)選地，所述隧穿氧化層的厚度是70-120埃。優(yōu)選地，所述隧穿氧化層的形成工藝為干法熱氧化生長工藝。優(yōu)選地，形成所述襯墊氧化層的溫度是900度至1200度。優(yōu)選地，所述原位蒸汽生成工藝的工藝壓強(qiáng)為0. ITorr至lOOTorr，反應(yīng)氣體為 H2, O2與N2的混合氣體，混合氣體流量為0. ISLM至10SLM。優(yōu)選地，所述化學(xué)氣相淀積生成工藝的工藝壓強(qiáng)為0. ITorr至lOOTorr，反應(yīng)氣體為SiH4與O2的混合氣體，SiH4與O2的混合氣體氣體流量為0. ISLM至50SLM。優(yōu)選地，所述原位蒸汽生成工藝的反應(yīng)時間是1-lOs。優(yōu)選地，所述襯墊氧化層的厚度為50-200埃。優(yōu)選地，采用化學(xué)氣相淀積形成填充滿所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層。優(yōu)選地，所述浮柵多晶硅層的沉積工藝為化學(xué)氣相沉積法。優(yōu)選地，所述浮柵多晶硅層的厚度是100-1000埃。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明采用原位蒸汽生成工藝在形成于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的淺溝槽表面形成襯墊氧化層。因?yàn)椴捎迷徽羝晒に囆纬伤鲆r墊氧化層的沉積速度快，所需要的沉積時間短，所以可以減少反應(yīng)氣體中的氧氣相對于所述浮柵多晶硅層以及淺溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底的擴(kuò)散，并因此減少反應(yīng)氣體中的氧氣與所述浮柵多晶硅層以及淺溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底之間的氧化反應(yīng)，從而提高了隧穿氧化層的厚度的均一性。并因此有效的改善傳統(tǒng)工藝所帶來的浮柵的隧穿氧化層的“笑臉”問題，提高閃速存儲器的編程和擦除效率，增加閃速存儲器擦除狀態(tài)下的讀電流，從而達(dá)到增大存儲器窗口的目的。


圖1至圖3是現(xiàn)有的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法的剖面示意圖；圖4是本發(fā)明一個實(shí)施例所提供的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法的流程示意圖；圖5至圖8是本發(fā)明一個實(shí)施例所提供的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有的閃速存儲器在淺溝隔離墊氧層形成過程中所導(dǎo)致的浮柵隧穿氧化物“笑臉”問題，降低了控制柵及源漏對浮柵的耦合系數(shù)，使得器件的編程和擦除效率降低，并導(dǎo)致器件擦除后的讀電流降低，縮小了存儲器件的工作窗口。本發(fā)明的發(fā)明人針對上述問題進(jìn)行研究，發(fā)現(xiàn)通過改變閃速存儲器中相鄰閃存單元之間的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法可以降低閃速存儲器的讀電流，并且提高寫入和擦除的效率。發(fā)明人針對上述問題進(jìn)行研究，認(rèn)為現(xiàn)有的閃速存儲器中相鄰閃存單元之間的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法中，在采用熱氧化工藝形成襯墊氧化層的步驟中，浮柵多晶硅層及半導(dǎo)體襯底部分材料參與氧化反應(yīng)，導(dǎo)致隧穿氧化層的厚度增加。具體請參考圖1至圖3。如圖1和圖2所示，在采用熱氧化工藝形成襯墊氧化層250的步驟中，氧氣與淺溝槽230所暴露的襯底200以及浮柵多晶硅層220發(fā)生氧化反應(yīng)生成氧化物，使得所形成的襯墊氧化層250具有位于浮柵多晶硅層220與隧穿氧化層210之間，以及隧穿氧化層與襯底200之間的凸起280。如圖3所述，所述凸起280導(dǎo)致所述隧穿氧化層210靠近隔離介質(zhì)層260的部分變厚。隧穿氧化層210變厚，導(dǎo)致閃速存儲器的控制柵及源漏對浮柵的耦合系數(shù)減小，從而使得器件的編程和擦除效率降低。發(fā)明人經(jīng)過進(jìn)一步研究，在本發(fā)明中提供一種用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法。本發(fā)明所提供的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法用于改善閃速存儲器的“笑臉”效應(yīng)。采用本發(fā)明所提供的于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法可以改善現(xiàn)有閃速存儲器的“笑臉”效應(yīng)，以此提高閃速存儲器的性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖4是本發(fā)明的一個實(shí)施例所提供的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法的流程示意圖，包括步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成有隧穿氧化層和浮柵
多晶娃層；步驟S102，在所述浮柵多晶硅層表面形成硬掩膜層，并依次刻蝕所述硬掩膜層、浮柵多晶硅層、隧穿氧化層、半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽；步驟S103，采用原位蒸汽生成工藝形成覆蓋所述淺溝槽表面的襯墊氧化層；步驟S104，形成填充滿所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層。首先，參考圖5，執(zhí)行步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體 襯底100表面依次形成有隧穿氧化層110和浮柵多晶硅層120。具體的，半導(dǎo)體基底100可以是單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅、或硅鍺(SiGe)，也可以是絕緣體上硅(SOI)，或者還可以包括其它的材料，例如銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、 砷化鎵或銻化鎵。雖然在此描述了可以形成半導(dǎo)體基底100的材料的幾個示例，但是可以作為半導(dǎo)體基底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。本實(shí)施例中，采用熱氧化形成所述隧穿氧化層110，形成所述隧穿氧化層110的工藝氣體中包括含硅氣體和氧氣，所述含硅氣體為SiH2Cl2或SiH2。受真空條件的限制，工藝氣體中還包括N2。所形成的隧穿氧化層110的厚度為70-120埃。所述隧穿氧化層110的厚度太大，會增大浮柵多晶硅層120 (后續(xù)經(jīng)過刻蝕形成浮柵)與半導(dǎo)體襯底100之間的距離，從而減小浮柵多晶硅層120與半導(dǎo)體襯底100之間的電容，降低閃速存儲器的讀、寫入以及擦除的效率。 在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，還可以對所形成的隧穿氧化層250進(jìn)行退火處理。在本實(shí)施例中，所述浮柵多晶硅層120的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝，所述浮柵多晶硅層120的厚度為100-1000埃。所述浮柵多晶硅層120的作用是在后續(xù)過程中形成浮柵。參考圖6，執(zhí)行步驟S102，在所述浮柵多晶硅層120表面形成硬掩膜層130，并依次刻蝕所述硬掩膜層130、浮柵多晶硅層120、隧穿氧化層110、半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成淺溝槽140。在本實(shí)施例中，所述硬掩膜層130的材料是氮化硅。所述硬掩膜層130用于在后續(xù)化學(xué)機(jī)械研磨的過程中用作研磨停止層。在本實(shí)施例中，在所述硬掩膜層130表面形成含有開口的光刻膠層，所述開口的位置與寬度與后續(xù)形成的淺溝槽的位置與寬度相對應(yīng)。然后沿所述開口依次刻蝕硬掩膜層 130、浮柵多晶硅層120、隧穿氧化層110、半導(dǎo)體襯底100，直至在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成預(yù)定深度的淺溝槽140。所述刻蝕可以利用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法進(jìn)行刻蝕，例如利用等離子干法刻蝕。具體包括選用電感耦合等離子體型刻蝕設(shè)備，在刻蝕過程中，例如刻蝕氣體包括氬氣 Ar以及四氟甲烷CF4、六氟乙烷C2F6和三氟甲烷CHF3等含氟氣體。在反應(yīng)室內(nèi)同時通入上述氣體，其中氬氣Ar起到稀釋刻蝕氣體的作用，其流量為lOOsccm 300sCCm。起刻蝕作用的氣體中，四氟甲烷CF4的流量為50sccm IOOsccm ；六氟乙烷C2F6的流量為IOOsccm 400sccm ；三氟甲烷CHF3的流量為IOsccm lOOsccm。反應(yīng)室內(nèi)將所述氣體電離為等離子體的射頻功率源的輸出功率為50W 1000W ；射頻偏置功率源的輸出功率為50W 250W。 反應(yīng)室內(nèi)的壓力設(shè)置為50mTorr 200mTorr，半導(dǎo)體基底溫度控制在20°C和90°C之間。上述等離子刻蝕的過程是一種各向異性的刻蝕，刻蝕氣體和稀釋氣體的共同作用使刻蝕后的溝槽為斜面。所述刻蝕工藝還可以在其它刻蝕設(shè)備中進(jìn)行，如電容耦合等離子體型刻蝕設(shè)備、感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備。參考圖7，執(zhí)行步驟S103，采用原位蒸汽生成工藝(ISSG)形成覆蓋所述淺溝槽140 表面的襯墊氧化層150。所述原位蒸汽生成工藝為濕氧氧化工藝，氧化速度快。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所形成的襯墊氧化層150的厚度為50-200埃，采用原位蒸汽生成工藝形成所述厚度的襯墊氧化層150所使用的時間為Ι-lOs。因?yàn)榉磻?yīng)時間很短，只有Ι-lOs，所以反應(yīng)氣體中的氧氣在所述浮柵多晶硅層120與隧穿氧化層110之間，以及所述隧穿氧化層110與半導(dǎo)體襯底 100之間擴(kuò)散的量很少。并因此反應(yīng)氣體中的氧氣不會與所述浮柵多晶硅層和淺溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底發(fā)生反應(yīng)，從而避免了因?yàn)榉磻?yīng)氣體中的氧氣與淺溝槽140兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100，以及浮柵多晶硅層120發(fā)生反應(yīng)生成氧化物，并因此提高了隧穿氧化層110的厚度的均一性。
在現(xiàn)有技術(shù)中，采用熱氧化的工藝形成襯墊氧化層150，所形成的襯墊氧化層150 厚度為50-200埃。采用熱氧化的工藝形成所述厚度的襯墊氧化層150的所使用的時間為 5-6小時。因?yàn)檠趸瘜拥男纬伤俣群苈苑磻?yīng)氣體中的氧氣可以充分穿過所形成的厚度很小的氧化層擴(kuò)散到所述浮柵多晶硅層120與隧穿氧化層110之間，以及所述隧穿氧化層 110與半導(dǎo)體襯底100之間，并與淺溝槽140兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100，以及浮柵多晶硅層120 發(fā)生反應(yīng)生成氧化物，從而造成隧穿氧化層110靠近淺溝槽140部分厚度增 加。隧穿氧化層110厚度增加會導(dǎo)致浮柵多晶硅層120與半導(dǎo)體襯底100之間的電容減小，從而降低了控制柵及源、漏對浮柵的耦合系數(shù)，使得器件的編程和擦除效率降低，并導(dǎo)致器件擦除后的讀電流降低，縮小了存儲器件的工作窗口。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，原位蒸汽生成工藝的具體的工藝參數(shù)為溫度為900 度至1200度，反應(yīng)氣體為H2、02與N2的混合氣體，混合氣體流量為0. ISLM至10SLM，原位蒸流反應(yīng)壓力為0. ITorr至50Torr。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，原位蒸汽生成工藝的具體的工藝參數(shù)為溫度1000 度，混合氣體流量為0. ISLM至10SLM，反應(yīng)壓力為0. ITorr至50Torr，在上述條件下形成的襯墊氧化層150更加致密，隔離效果更好。參考圖8，執(zhí)行步驟S104，形成填充滿所述淺溝槽140的隔離介質(zhì)層160。所述隔離介質(zhì)層160用于填充所述淺溝槽140形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)160，所述隔離介質(zhì)層160的材料為氧化硅，所述隔離介質(zhì)層160的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。因?yàn)樾纬伤龈綦x介質(zhì)層160的工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。形成隔離介質(zhì)層160的步驟還包括，采用對隔離介質(zhì)層160進(jìn)行平坦處處理，直至暴露所述硬掩膜層130，所述平坦化處理可以采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝。綜上，本發(fā)明采用原位蒸汽生成工藝在形成于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的淺溝槽表面形成襯墊氧化層。因?yàn)椴捎迷徽羝晒に囆纬伤鲆r墊氧化層的沉積速度快，所需要的沉積時間短，所以可以減少反應(yīng)氣體中的氧氣相對于所述浮柵多晶硅層以及淺溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底的擴(kuò)散，并因此減少反應(yīng)氣體中的氧氣與所述浮柵多晶硅層以及淺溝槽兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底之間的氧化反應(yīng)，從而提高了隧穿氧化層的厚度的均一性。有效的改善傳統(tǒng)工藝所帶來的浮柵隧穿氧化層的“笑臉”問題，提高寫入和擦除的效率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成有隧穿氧化層和浮柵多晶硅層；在所述浮柵多晶硅層表面形成硬掩膜層，并依次刻蝕所述浮柵多晶硅層、隧穿氧化層、 半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽；采用原位蒸汽生成工藝形成覆蓋所述淺溝槽表面的襯墊氧化層；形成填充滿所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層。
2.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述襯墊氧化層的溫度是900度至1200度。
3.依據(jù)權(quán)利要求2的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述原位蒸汽生成工藝的工藝壓強(qiáng)為0. ITorr至IOOTorr，反應(yīng)氣體為H2、O2與N2的混合氣體，混合氣體流量為0. ISLM至10SLM。
4.依據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述原位蒸汽生成工藝的反應(yīng)時間是1-lOs。
5.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度是70-120埃。
6.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隧穿氧化層的形成工藝為干法熱氧化生長。
7.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成填充滿所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層的工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。
8.依據(jù)權(quán)利要求7的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相淀積生成工藝的工藝壓強(qiáng)為0. ITorr至lOOTorr，反應(yīng)氣體為SiH4與O2的混合氣體，SiH4與O2的混合氣體氣體流量為0. ISLM至50SLM。
9.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯墊氧化層的厚度為50-200埃。
10.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述浮柵多晶硅層的沉積工藝為化學(xué)氣相沉積法。
11.依據(jù)權(quán)利要求1的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述浮柵多晶硅層的厚度是100-1000埃。
全文摘要
一種用于改善閃速存儲器“笑臉”效應(yīng)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面依次形成有隧穿氧化層和浮柵多晶硅層；在所述浮柵多晶硅層表面形成硬掩膜層，并依次刻蝕所述硬掩膜層、浮柵多晶硅層、隧穿氧化層、半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽；采用原位蒸汽生成工藝形成覆蓋所述淺溝槽表面的襯墊氧化層；采用化學(xué)氣相淀積形成填充滿所述淺溝槽的隔離介質(zhì)層。通過本發(fā)明所提供的用于閃速存儲器的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法可以有效的改善傳統(tǒng)工藝所帶來的浮柵隧穿氧化物的“笑臉”問題，提高閃速存儲器的編程和擦除效率，增加閃速存儲器擦除狀態(tài)下的讀電流，從而達(dá)到增大存儲器窗口的目的。
文檔編號H01L21/762GK102184887SQ20111011735
公開日2011年9月14日 申請日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者于世瑞, 孔蔚然, 張博, 張 雄, 曹子貴, 胡劍, 顧靖 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司