專利名稱：安裝方法和安裝裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上安裝元件的安裝方法和安裝裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為半導(dǎo)體裝置集成化的方法之一，三維安裝技術(shù)備受矚目。在三維安裝技術(shù)中，將預(yù)先制作有集成電路的基板單片化為型模(die)，從實(shí)施了單片化的型模中挑選在單片化之如進(jìn)彳丁的合格品判斷試驗(yàn)中確認(rèn)為合格品的型t旲(Known Good Die :KGD)。并將挑選的型模疊層在挑選的另外的基板上，進(jìn)行安裝。作為這種將型模(以下稱為“芯片”或“元件”)疊層在基板上進(jìn)行安裝的方法，具有將多個(gè)芯片一并載置在基板上方法或者將多個(gè)芯片依次安裝在基板上的方法。其中，作為將多個(gè)芯片依次安裝在基板上的裝置，例如有專利文獻(xiàn)I中公開的電 子部件安裝裝置。電子部件安裝裝置具備收納芯片的托盤、吸附并保持芯片的吸附頭、和向基板噴出用于將芯片粘接在基板上的粘接劑的噴嘴。電子部件安裝裝置通過利用真空吸引力的吸附頭，從收納有芯片的托盤吸附并取出芯片，使保持吸附芯片狀態(tài)的吸附頭移動(dòng)至基板的上方。然后，在將芯片載置在基板上之前，從噴嘴向載置芯片的位置噴出并涂布粘接劑。之后，使吸附有芯片的吸附頭下降，將芯片載置在基板上的涂布有粘接劑的位置。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開昭62-186591號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題但是，這種在基板上依次安裝多個(gè)芯片的安裝方法存在如下問題。在專利文獻(xiàn)I公開的電子部件安裝裝置中，為了安裝一個(gè)芯片，首先，使吸附有芯片的吸附頭與噴嘴一起，進(jìn)行由托盤的上方向基板的上方移動(dòng)的操作。接著，進(jìn)行從噴嘴噴出粘接劑的操作。接著，通過解除吸附頭的吸附，進(jìn)行將芯片載置在涂布有粘接劑的位置操作。接著，進(jìn)行將載置有芯片的吸附頭從基板上向托盤上移動(dòng)的操作。因此，除了進(jìn)行使吸附頭在托盤與基板之間移動(dòng)的操作之外，還需要進(jìn)行噴出粘接劑以及載置芯片的操作。由于依次安裝多個(gè)芯片的每次都進(jìn)行這些操作，所以存在為了將多個(gè)芯片全部載置在基板上需要較長(zhǎng)時(shí)間的問題。并且，在載置芯片的位置涂布粘接劑的方法中，存在必須嚴(yán)格地控制相對(duì)于基板的吸附有芯片的吸附頭的位置的問題。本發(fā)明是鑒于上述問題完成的，提供一種安裝方法和安裝裝置，在基板上依次安裝多個(gè)芯片時(shí)，不需要進(jìn)行吸附芯片的吸附頭的嚴(yán)格的位置控制，能夠?qū)惭b裝置的操作的次數(shù)抑制在最小限度，能夠縮短將多個(gè)芯片全部載置在基板上的時(shí)間。用于解決問題的方法
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明具有下述特征。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種在基板上依次安裝多個(gè)元件的安裝方法，該安裝方法包括載置工序，將利用取出部從收納有所述多個(gè)元件的收納部取出的一個(gè)元件載置于所述基板的表面并且是涂布有液體的一個(gè)區(qū)域；和涂布工序，在將所述一個(gè)元件載置在所述一個(gè)區(qū)域上時(shí)，利用以能夠與所述取出部一起移動(dòng)的方式設(shè)置的涂布部，在所述基板表面的與所述一個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域涂布液體。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種用于在基板上依次安裝多個(gè)元件的安裝裝置，該安裝裝置包括收納所述多個(gè)元件的收納部；保持所述基板的基板保持部；取出部，將收納在所述收納部的一個(gè)元件取出，將取出的所述一個(gè)元件載置在所述基板的表面并且是涂布有液體的一個(gè)區(qū)域；涂布部，以能夠與所述取出部一起移動(dòng)的方式設(shè)置，在將所述一個(gè)元件載置在所述一個(gè)區(qū)域上時(shí)，在所述基板表面的與所述一個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域涂布液體；和移動(dòng)部，使取出有所述一個(gè)元件的所述取出部與所述涂布部一起，從所述收納部一側(cè)向所述基板一側(cè)移動(dòng)。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在基板上依次安裝多個(gè)芯片時(shí)，不需要進(jìn)行吸附芯片的吸附頭的嚴(yán)格的位置控制，能夠?qū)惭b裝置的操作的次數(shù)抑制在最小限度，能夠縮短將多個(gè)芯片全部載置在基板上的時(shí)間。


圖I是表示實(shí)施方式的安裝裝置結(jié)構(gòu)的包括部分截面的概略主視圖。圖2是放大表示吸附頭和噴嘴的周邊的截面圖。圖3是表示吸附頭的頭前端部的形狀的一個(gè)示例的主視圖和立體圖。圖4是表示托盤的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖5是用于說明實(shí)施方式的安裝方法的各工序順序的流程圖。圖6是表示預(yù)先準(zhǔn)備的基板和芯片的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7A是表示實(shí)施方式的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖
(其一)。圖7B是表示實(shí)施方式的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖
(其二 )。圖7C是表示實(shí)施方式的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖
(其三)。圖7D是表示實(shí)施方式的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖(其四)。圖8是表示從芯片相對(duì)于以歪扭的狀態(tài)與水的表面接觸的狀態(tài)至自身調(diào)整地載置的狀態(tài)、的變化的俯視圖和截面圖。圖9是表示芯片相對(duì)于區(qū)域以偏離水平方向的狀態(tài)與水的表面接觸的狀態(tài)至自身調(diào)整地載置的狀態(tài)的變化的俯視圖和截面圖。圖10是在表示芯片的表面經(jīng)過親水化處理的區(qū)域的俯視圖。圖11是用于說明實(shí)施方式的變形例的安裝方法的各工序順序的流程圖。
圖12是表示實(shí)施方式的變形例的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照

用于實(shí)施本發(fā)明的方式。(實(shí)施方式)首先，參照?qǐng)DI 圖10，說明實(shí)施方式的安裝方法和安裝裝置。先參照?qǐng)DI 圖4說明安裝裝置。圖I是表示本實(shí)施方式的安裝裝置結(jié)構(gòu)的包括部分截面的概略主視圖。圖2是放大表示吸附頭和噴嘴的周邊的截面圖。圖3 (a)和圖3 (b)分別是表示吸附頭的頭前端部的形狀的一個(gè)示例的主視圖和立體圖。圖4是表示托盤的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4 Ca)表示圖I所示的托盤的結(jié)構(gòu)的例子，圖4 (b)表示具有與圖I所示的托盤不同的結(jié)構(gòu)的其他例子。如圖I所示，安裝裝置100具備處理室I、托盤臺(tái)2、工作臺(tái)3、自動(dòng)裝置4、吸附頭5和噴嘴6。此外，安裝裝置100還具備未圖示的搬入搬出口和用于輸送托盤20和基板30的未圖不的輸送機(jī)。如圖I所示，處理室I以包圍托盤臺(tái)2、工作臺(tái)3、自動(dòng)裝置4、吸附頭5和噴嘴6的方式設(shè)置。并且處理室I以能夠控制其包圍的內(nèi)部的氛圍和壓力的方式設(shè)置。處理室I連接有用于導(dǎo)入已控制了溫度和濕度的潔凈空氣或氮?dú)獾葰怏w的未圖示的供給器、和能夠?qū)?nèi)部進(jìn)行排氣的未圖示的泵，根據(jù)處理，也能夠控制處理室I的壓力。如圖I所示，托盤臺(tái)2設(shè)置在處理室I內(nèi)的下方側(cè)。托盤臺(tái)2固定保持用于收納多個(gè)芯片40的托盤20。工作臺(tái)3也設(shè)置在處理室I內(nèi)的下方側(cè)，以與托盤臺(tái)2在水平方向上并排的方式設(shè)置。工作臺(tái)3固定保持基板30。為了使自動(dòng)裝置4的動(dòng)作為最小限度，優(yōu)選托盤臺(tái)2與工作臺(tái)3盡可能地設(shè)置在同一平面。其中，托盤20相當(dāng)于本發(fā)明中的收納部。此外，工作臺(tái)3相當(dāng)于本發(fā)明中的基板保持部。并且，芯片40相對(duì)于本發(fā)明中的元件。如圖I所示，自動(dòng)裝置4以固定后述的吸附頭5和噴嘴6的方式設(shè)置在處理室I內(nèi)。吸附頭5和噴嘴6以隔著隔離件7相鄰的方式固定在自動(dòng)裝置4上。自動(dòng)裝置I通過設(shè)置在處理室I內(nèi)的軌道部件8不僅能夠在平面方向(包括圖I的左右方向，沿著與圖I的紙面正交的平面的方向)自由移動(dòng)，也能夠在圖I的上下方向自由移動(dòng)。自動(dòng)裝置4能夠使吸附頭5與噴嘴6 —體地從托盤20的上方向保持在工作臺(tái)3的基板30的上方移動(dòng)。另夕卜，也可以使用具有過個(gè)關(guān)節(jié)的臂型的自動(dòng)裝置代替自動(dòng)裝置4。另外，自動(dòng)裝置4相當(dāng)于本發(fā)明中的移動(dòng)部。如圖I所示，吸附頭5固定在自動(dòng)裝置4。吸附頭5吸附芯片40。吸附頭5在托盤20的上方，吸附托盤20所收納的芯片40，并從托盤20中取出，在工作臺(tái)3所保持的基板30的上方解除吸附，將芯片40載置在基板30的表面、為了載置芯片40而涂布有水的后述的區(qū)域31。如圖2所示，吸附頭5具有頭主體部51和頭前端部52。頭主體部51與未圖示的排氣部連接,通過排氣部對(duì)頭主體部51的內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，在頭前端部52利用真空吸引而吸附芯片。
另外，吸附頭5相當(dāng)于本發(fā)明中的吸附部，并且相當(dāng)于本發(fā)明中的取出部。另外，吸附頭5不限于真空吸附，也可以通過靜電吸附等其他公知的吸附方法吸附芯片。另外，也可以使用取出用頭代替吸附頭，該取出用頭例如能夠利用臂等抓住芯片將其從托盤中取出，在基板上使所抓住的芯片分離而載置在基板上。取出用頭也相當(dāng)于本發(fā)明的取出部。頭前端部52的形狀可以為圖3所示的示例。在圖3的示例中，頭前端部52以與形成于作為前端的下表面53的開口部54連通的方式，在頭前端部52的中心形成有排氣孔55。并且，在下表面53，以開口部54為交點(diǎn)，形成有十字形狀的槽56。排氣孔55經(jīng)由頭主體部51與上述排氣部連接。槽56連續(xù)至大致圓形的下表面53的周邊而形成，使得在調(diào)節(jié)吸附頭5的真空吸附的吸附力、解除吸附時(shí)吸附保持的芯片容易落下。如圖I所示，噴嘴6固定于自動(dòng)裝置4。噴嘴6在基板30的表面例如涂布水。但是，噴嘴6不僅能夠供給水，也能夠供給其他各種液體或在一定程度上粘性低的凝膠狀的 物質(zhì)。在本實(shí)施方式中，以噴嘴6噴出水的情況為例，進(jìn)行說明。并且，作為噴嘴6，例如可以使用分配器。如圖2所示，噴嘴6具有噴嘴主體部61和噴嘴前端部62。噴嘴主體部61在其內(nèi)部貯存水63。噴嘴主體部61與未圖示的加壓部連接，加壓部對(duì)噴嘴主體部61的內(nèi)部空間進(jìn)行加壓，由此，將水從噴嘴前端部62噴出。另外，噴嘴6相當(dāng)于本發(fā)明中的涂布部。并且，噴嘴6不限于分配器，也可以是注射器、噴墨頭等其他的使用公知的噴出方法或涂布方法涂布液體的元件。如圖I和圖2所示，吸附頭5與噴嘴6隔著隔離件7相鄰。隔離件7以在吸附頭5位于一個(gè)芯片的上方時(shí),噴嘴6位于該一個(gè)芯片的相鄰芯片的上方的方式配置。S卩，隔離件7以下述寬度尺寸(圖2所示的尺寸D)設(shè)置，即，使得在吸附頭5將一個(gè)芯片載置在基板30的表面的涂布有水的一個(gè)區(qū)域31時(shí)，噴嘴6能夠向一個(gè)區(qū)域的相鄰區(qū)域31涂布水。另外，隔離件7與載置安裝在基板30上的芯片40的大小、以及在基板30上載置多個(gè)芯片40的各區(qū)域31的規(guī)定的間距P相對(duì)應(yīng)，能夠更換為最適當(dāng)?shù)膶挾瘸叽鏒的隔離件。由此，能夠使吸附頭5的頭前端部52的中心位置與噴嘴6的噴嘴前端部62的中心位置之間的中心間距離L大致等于規(guī)定的間距P。即，噴嘴6以能夠根據(jù)規(guī)定的間距P改變與吸附頭5的間隔L的方式設(shè)置。另外，改變間距P可以利用小型的使用滾珠絲杠的可變機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，但是從簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用隔離件7。如圖4 (a)所示，托盤20具有主體部21。在圖4 (a)中未示出，主體部21在俯視時(shí)具有矩形形狀。主體部21的上壁23的表面被分隔壁24分隔為矩形，形成多個(gè)作為用于收納芯片40的區(qū)域的芯片收納區(qū)域25。托盤20例如由石英或能夠更廉價(jià)地制造的透明塑料形成。另外，為了在利用吸附頭5真空吸附芯片40并將其取出時(shí)能夠容易地取出，可以如圖4 (b)所示的其他示例那樣，在托盤20a上，在芯片收納區(qū)域25a的底面與托盤20a的底面之間形成貫穿主體部21的貫通孔26。接著，參照?qǐng)D5 圖7D，對(duì)于本實(shí)施方式的安裝裝置的安裝方法進(jìn)行說明。圖5是用于說明本實(shí)施方式的安裝方法的各工序順序的流程圖。圖6是表示預(yù)先準(zhǔn)備的基板和芯片的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖7A 圖7D是表示本實(shí)施方式的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖。如圖5所示,本實(shí)施方式的安裝方法包括搬入工序(步驟S11)、預(yù)備移動(dòng)工序(步驟S12)、預(yù)備涂布工序(步驟S13)、返回工序(步驟S14)、吸附工序(步驟S15)、取出工序(步驟S16)、移動(dòng)工序(步驟S17)、接觸工序(步驟S18)、涂布工序(步驟S19)和解除工序(步驟S20)。在本實(shí)施方式中，預(yù)先準(zhǔn)備基板30，該基板30具有能夠?qū)⑺钄?shù)量的例如由半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的芯片全部以預(yù)期的布局收納的大小，并且具有能夠承受所需數(shù)量的芯片的重量的足夠的剛性。作為基板30，例如可以使用具有足夠剛性的玻璃基板、半導(dǎo)體晶片等。如圖6 (a)所示，在基板30的表面，在基板30上形成有載置芯片40的區(qū)域31。區(qū)域31的大小和形狀分別與載置在其上的芯片40的大小和形狀基本一致。在本實(shí)施方式中，由于使用“水”作為用于將芯片40對(duì)位的對(duì)準(zhǔn)液，所以區(qū)域31具備親水性。這種區(qū)域31例如可以通過使用具有親水性的二氧化硅(SiO2)膜而能夠容易地實(shí) 現(xiàn)。S卩，采用公知的方法在基板30的搭載面整體薄薄地形成SiO2膜(厚度例如為O. Iym),之后，采用公知的蝕刻方法，選擇性地除去該3102膜，從而能夠容易地獲得。這樣，由于區(qū)域31具有親水性，所以將少量的水放置于區(qū)域31上時(shí)，該水與區(qū)域31的表面整體親合(換言之，區(qū)域31的表面整體被潤(rùn)濕)，形成覆蓋該表面整體的薄的水膜(水滴)32。由于區(qū)域31均形成為島狀并彼此分離，所以該水不會(huì)從區(qū)域31流出到外側(cè)。作為具有親水性的區(qū)域31能夠使用的材料，除了 SiO2之外，還有Si3N4,也可以使用鋁與氧化鋁的雙層膜(A1/A1203)、鉭與氧化鉭的雙層膜(Ta/Ta205)等。為了更可靠地防止水從區(qū)域31向外側(cè)流出而積存，優(yōu)選基板30的載置芯片40 —側(cè)的面、區(qū)域31以外的區(qū)域不為親水性。例如，優(yōu)選基板30本身由具有疏水性的單晶硅(Si)、氟樹脂、有機(jī)硅樹脂、特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))樹脂、聚酰亞胺樹脂、抗蝕劑、石蠟、BCB (苯并環(huán)丁烷)等形成?；蛘撸矁?yōu)選由多晶硅、無定形硅、氟樹脂、有機(jī)硅樹脂、特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))樹脂、聚酰亞胺樹脂、抗蝕劑、石蠟、BCB等覆蓋形成有區(qū)域31的基板30的搭載面?；蛘?，還可以利用噴墨技術(shù)等選擇性地對(duì)區(qū)域31進(jìn)行親水化處理。另外，在本實(shí)施方式的安裝方法中，可以預(yù)先進(jìn)行芯片表面的親水化處理。如圖6 (b)所示，在各芯片40的一個(gè)表面，預(yù)先形成具有親水性的區(qū)域41。區(qū)域41例如通過由具有親水性SiO2膜覆蓋芯片40的表面整體而能夠容易地實(shí)現(xiàn)。此外，也可以在各芯片40的與形成有區(qū)域41的面的相反面的表面形成連接部，該連接部用于在將芯片40進(jìn)一步由基板30向其他基板復(fù)制(移載)時(shí)，將其他基板與芯片40電連接。在本實(shí)施方式中，作為基板30,可以使用例如直徑為300mm半導(dǎo)體晶片。作為芯片40,例如可以使用形成為直徑300_的半導(dǎo)體晶片,通過切割而得到的例如一邊長(zhǎng)度為5_的正方形的半導(dǎo)體芯片。還可以在芯片40的區(qū)域41以及基板30的區(qū)域31形成例如直徑為5 μ m的貫通電極。如上所述準(zhǔn)備進(jìn)行了表面的親水化處理的基板30和芯片40之后，進(jìn)行步驟Sll的搬入工序。在步驟Sll中，將收納有芯片40的托盤20和基板30搬入安裝裝置100內(nèi)。圖7A (a)表示步驟Sll中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7A (a)所示，收納有芯片40的托盤20和載置并安裝有芯片40的基板30被搬入安裝裝置100的處理室I內(nèi)。如圖I所示，基板30被固定保持在工作臺(tái)3上。另外，在圖7A 圖7D中，省略處理室I、托盤臺(tái)2和工作臺(tái)3的圖示。接著，進(jìn)行步驟S12的預(yù)備移動(dòng)工序。在步驟S12中，使吸附頭5與噴嘴6 —體地向基板30的上方移動(dòng)。圖7A (b)表示步驟S12中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7A (b)所示，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5與噴嘴6 —體地在基板30的表面的載置首個(gè)的芯片40-1的區(qū)域31-1上移動(dòng)。其中，將區(qū)域30-1 區(qū)域30-n統(tǒng)稱為區(qū)域30。接著，進(jìn)行步驟S13的預(yù)備涂布工序。在步驟S13中，為了載置首個(gè)芯片40-1而涂布水。圖7A (c-1)和圖7A (c-2)表示步驟S13中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7A (c_l)所示，從噴嘴6向基板30的表面即載置首個(gè)芯片的區(qū)域31-1噴出水。這里，預(yù)先區(qū)域31實(shí)施有親水化處理。因此，如圖7A (c-2)所示，從噴嘴6噴出的水在經(jīng)過親水化處理的區(qū)域31的整個(gè)表面擴(kuò)展，形成覆蓋區(qū)域31的整個(gè)表面的薄的水的膜32。該水的膜32由于表面張力而自然地彎曲為緩和的凸?fàn)?。?yōu)選將水的量調(diào)節(jié)為例 如在區(qū)域31之上形成圖7A (c-2)所示那樣的水的膜32的程度。作為本實(shí)施方式中使用的“水”，優(yōu)選現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工序中通常使用的“超純水”。另外，為了強(qiáng)化芯片40相對(duì)于基板30的區(qū)域31的自身調(diào)整功能，更優(yōu)選添加有用于增強(qiáng)水的表面張力的適當(dāng)?shù)奶砑觿┑摹俺兯薄Ｍㄟ^強(qiáng)化自身調(diào)整功能，芯片40相對(duì)于基板30的區(qū)域31的位置精度得到提高。另外，如上所述，作為具有“親水性”的物質(zhì)，可以適當(dāng)使用二氧化娃(Si02)。或者，也可以使用其他的無機(jī)或有機(jī)的液體代替“水”。例如優(yōu)選甘油、丙酮、乙醇、SOG (Spin On Glass)材料等液體。并且,也可以使用具有適度粘性的粘接劑,還可以使用蟻酸等還原性液體。此時(shí)，為了形成區(qū)域31，需要對(duì)這種液體具有“親液性”的材料，作為這種材料，例如可以列舉氮化硅(Si3N4)、各種金屬、硫醇、烷硫醇等。接著，進(jìn)行步驟S14的返回工序。在步驟S 14中，使吸附頭5與噴嘴6 —體地返回托盤20的上方。圖7B (d)表示步驟S14中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7B (d)所示，自動(dòng)裝置4移動(dòng)，使得在噴出水之后，吸附頭5位于托盤20上最先取出的芯片40-1的上方，使吸附頭5與噴嘴6 —體地返回托盤20的上方。另外，將區(qū)域40-1 區(qū)域40-n統(tǒng)稱為區(qū)域40。接著，對(duì)于首個(gè)芯片40-1進(jìn)行步驟S15的吸附工序。在步驟S15中，利用吸附頭5吸附收納在托盤20中的芯片40。圖7B (e)表示步驟S15中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7B (e)所示，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5以使芯片40和托盤20不破損的方式下降至與首個(gè)芯片40-1接觸，利用吸附頭5吸附芯片40-1。至于是否與芯片40接觸，可以通過預(yù)先利用計(jì)算機(jī)控制與托盤20的位置關(guān)系進(jìn)行判斷，也可以在吸附頭5設(shè)置壓力檢測(cè)器，檢測(cè)與芯片接觸時(shí)施加的壓力而進(jìn)行判斷。還可以在自動(dòng)裝置4或吸附頭5設(shè)置光學(xué)測(cè)距儀。接著，對(duì)于首個(gè)芯片40-1進(jìn)行步驟S16的取出工序。在步驟S16中，將吸附于吸附頭5的芯片40從托盤20取出。圖7B (f)表示步驟S16中的芯片和基板的狀態(tài)。在吸附頭5吸附保持首個(gè)芯片40-1之后，如圖7B (f)所示，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5上升至從托盤20的上方向基板30的上方平行移動(dòng)的平行移動(dòng)位置。接著，進(jìn)行步驟S17的移動(dòng)工序。在步驟S17中，使吸附頭5與噴嘴6 —體地從托盤20的上方向基板30的上方移動(dòng)。圖7B (g)表示步驟S17中的芯片和基板的狀態(tài)。使吸附頭5上升至平行移動(dòng)位置之后，接著，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5與噴嘴6 —體地移動(dòng)，使得吸附在吸附頭5的首個(gè)芯片40-1位于基板30的表面即載置首個(gè)芯片40-1的區(qū)域31-1的上方。此時(shí)，移動(dòng)后的吸附頭5所吸附的首個(gè)芯片40-1的位置可以不與區(qū)域31-1的位置嚴(yán)格一致，即，吸附頭5的位置可以不進(jìn)行嚴(yán)格的調(diào)節(jié)。接著，同時(shí)進(jìn)行步驟S18的接觸工序和步驟S19的涂布工序。在步驟S18中，使吸附頭5接近基板30，使芯片40與水的膜32接觸。在步驟S19中，為了載置下一個(gè)芯片40，涂布水的膜32。圖7B (h)表示步驟S18和步驟S19中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7B (h)所示，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5與噴嘴6 —體地下降至基板30的表面即載置首個(gè)芯片40-1的區(qū)域31-1附近，與基板30接近，使首個(gè)芯片40-1與在區(qū)域31-1涂布的水的膜32接觸。此時(shí)，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5下降至吸附頭5所吸附的芯片40與涂布在區(qū)域31的水的膜32的表面接觸的程度的高度即可。因此，也可以不使吸附頭5下降至吸附頭5所吸附的芯片40到達(dá)區(qū)域31的程度。 在吸附頭5所吸附的首個(gè)芯片40-1與在區(qū)域31-1涂布的水接觸的同時(shí)，從噴嘴6向區(qū)域31-1的相鄰區(qū)域即載置下一個(gè)芯片40-2的區(qū)域31-2噴出水。接著，進(jìn)行步驟S20的解除工序。在步驟S20中，解除吸附頭5的吸附，將芯片40載置在基板30上。圖7B (i)表示步驟S19和步驟S20中的芯片和基板的狀態(tài)。如圖7B
(i)所示，解除吸附頭5的吸附，使首個(gè)芯片40-1從吸附頭5脫離。解除了對(duì)吸附頭5的吸附的首個(gè)芯片40-1，由于水的膜32的表面張力，吸附在基板30的表面即載置首個(gè)芯片40-1的區(qū)域31-1。但是，由于水的膜32慢慢蒸發(fā)而消失，所以在圖7B (i)中，未表示水的膜32。另外，在由于蒸發(fā)而使水的膜32消失之后，也能夠維持芯片40與基板30的表面上的對(duì)應(yīng)的區(qū)域31之間的吸附狀態(tài)。此時(shí)，通過使芯片40的尺寸與區(qū)域31的尺寸一致，如后所述，由于水的表面張力，芯片40自身調(diào)整地載置到規(guī)定的位置(區(qū)域31)。即，在本實(shí)施方式中，不需要對(duì)自動(dòng)裝置4進(jìn)行精密的位置控制而進(jìn)行芯片40與基板30的位置匹配。因此，在吸附頭5解除吸附將芯片40載置在基板30上之后，能夠利用自動(dòng)裝置4，迅速地進(jìn)行使吸附頭5和噴嘴6向托盤20的上方移動(dòng)的動(dòng)作，能夠縮短將芯片40載置在基板30上所需要的時(shí)間。另外，步驟S19只要在步驟S17之后、進(jìn)行步驟S20的下一個(gè)工序之前進(jìn)行即可，可以不與步驟S18同時(shí)進(jìn)行，在步驟S18之前進(jìn)行，也可以與步驟S20同時(shí)進(jìn)行或者在步驟S20之后立即進(jìn)行。即，只要在解除吸附頭5的吸附將首個(gè)芯片40-1載置在區(qū)域31-1時(shí)，在載置下一個(gè)芯片40-2的區(qū)域31-2涂布水即可。并且，代替步驟S18、S20，也可以使吸附在吸附頭5的芯片40接近至與在區(qū)域31涂布的水的膜32的表面不接觸的程度的上方(例如距離基板30的表面O. 5mm左右的高度的而位置)，在該狀態(tài)下，解除吸附頭5的吸附，使芯片40落下至在區(qū)域31涂布的水的膜32的表面。此時(shí)，代替步驟S18，只要使吸附頭5接近基板30即可。這樣，通過進(jìn)行圖7B (d) 圖7B (i)所示的各工序，利用吸附頭5將首個(gè)芯片40-1從托盤20被載置到基板30的表面即為了載置首個(gè)芯片40-1而涂布有水的膜32的區(qū)域(最初的區(qū)域)31-1。并且，在利用吸附頭5將首個(gè)芯片40-1載置至最初的區(qū)域31-1時(shí)，為了載置第二個(gè)芯片40-2，利用噴嘴6向最初的區(qū)域31-1相鄰的區(qū)域31-2涂布水的膜32。在對(duì)首個(gè)芯片40-1進(jìn)行從步驟S14到步驟S20的各工序后，再次返回步驟S14，對(duì)下一個(gè)芯片40-2進(jìn)行從步驟S14到步驟S20的各工序，將下一個(gè)芯片40-2從托盤20載置到基板30。圖7C (j) 圖7C (ο)表示對(duì)于下一個(gè)芯片進(jìn)行的步驟S14 步驟S20的各工序中芯片和基板的狀態(tài)。除了對(duì)首個(gè)芯片還是對(duì)下一個(gè)芯片進(jìn)行不同之外，圖7C (j) 圖7C (ο)分別與圖7B (d) 圖7B (i)相同。并且，各步驟中各自的動(dòng)作上面已經(jīng)敘述過，所以省略。這樣，通過進(jìn)行圖7C (j) 圖7C (O)所示的各工序，利用吸附頭5，第二個(gè)芯片40-2從托盤20被載置到最初的區(qū)域31-1相鄰的區(qū)域即為了載置第二個(gè)芯片40-2而涂布有水的膜32的區(qū)域(第二個(gè)區(qū)域)31-2。并且，在利用吸附頭5將第二個(gè)芯片40-2載置至第二個(gè)區(qū)域31-2時(shí)，為了載置下一個(gè)芯片40，利用噴嘴6向第二個(gè)區(qū)域31-2相鄰的區(qū)域(載置第三個(gè)芯片的區(qū)域)涂布水的膜32。
這樣,首個(gè)(第一個(gè))芯片40-1 最后的(第η個(gè))芯片40-n以排列成一列的方式進(jìn)行載置時(shí)，從第一個(gè)芯片40-1至第η-I個(gè)芯片40-n-l，以下同樣地重復(fù)進(jìn)行各工序。但是，對(duì)于該一列的最后的(第η個(gè))芯片40-η，進(jìn)行步驟S14至步驟S17的各工序后的工序不同。對(duì)于最后的(第η個(gè))芯片40-η，如圖5所示，在步驟S18 步驟S20的各工序中，不進(jìn)行步驟S19，只進(jìn)行步驟S18和步驟S20。圖7D (ρ) 圖7D (r)分別表示對(duì)于最后的(第η個(gè))芯片進(jìn)行的步驟S17、步驟S18、步驟S20中芯片和基板的狀態(tài)。如圖7D (ρ) 圖7D (r)所示,在利用吸附頭5將最后的(第η個(gè))芯片40-η載置至最后的(第η個(gè)區(qū)域)31-η時(shí)，不必為了載置下一個(gè)芯片而利用噴嘴6涂布水。如上所述，排列成一列的首個(gè)(第一個(gè))芯片40-1至最后的(第η個(gè))芯片40_η依次以規(guī)定的間距P被載置到基板30上。然后，通過反復(fù)進(jìn)行多次(m次)這種一系列的操作，以在基板30上排列成m行η列的矩陣狀、并且在列方向依次以規(guī)定的間距P排列的方式，載置多個(gè)芯片40。這樣，所有的芯片40的載置工序結(jié)束之后，將載置了所有芯片40的基板30搬出到處理室I外。此外，也可以利用設(shè)置在工作臺(tái)3內(nèi)的未圖示的加熱器進(jìn)行加熱而強(qiáng)化吸附后搬出。并且，載置所有的芯片40后變空的托盤20也被搬出到處理室I外。下面，對(duì)于利用本實(shí)施方式的安裝方法，將安裝裝置的操作的次數(shù)限制為最小限度、能夠縮短用于將多個(gè)芯片全部載置在基板上的時(shí)間的情況進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的安裝裝置中，噴嘴6與吸附頭5 —體地設(shè)置。并且，設(shè)置噴嘴6，使得在吸附頭5將一個(gè)芯片40-1載置到涂布有水的區(qū)域(一個(gè)區(qū)域)31-1上時(shí)，能夠向與一個(gè)區(qū)域31-1以規(guī)定的間距P設(shè)置的相鄰的區(qū)域31-2涂布用于載置下一個(gè)芯片40-2的水。因此，不需要利用自動(dòng)裝置4使吸附頭5和噴嘴6從載置一個(gè)芯片40-1的位置(一個(gè)區(qū)域31-1)向?yàn)榱溯d置下一個(gè)芯片40-2而涂布水的位置(相鄰區(qū)域31-2)移動(dòng)。例如,利用自動(dòng)裝置4使吸附有一個(gè)芯片40-1的吸附頭5與噴嘴6 —體地從托盤20的上方向基板30的上方移動(dòng)所需要的時(shí)間(與步驟S17所需要的時(shí)間相同)為O. 5秒。并且，在吸附頭5載置芯片40之后，利用自動(dòng)裝置4使吸附頭5與噴嘴6 —體地從吸附頭5載置芯片40的位置(一個(gè)區(qū)域31-1)移動(dòng)至為了載置下一個(gè)芯片40-2噴嘴6涂布水的位置(相鄰的區(qū)域31-2)所需要的時(shí)間為O. 5秒。并且，利用自動(dòng)裝置4使載置了芯片40后的吸附頭5與噴嘴6 —體地從基板30的上方向托盤20的上方移動(dòng)所需要的時(shí)間(與步驟S14所需要的時(shí)間相同)為O. 5秒。于是，在本實(shí)施方式中，能夠削減利用自動(dòng)裝置4使吸附頭5與噴嘴6 —體地從一個(gè)區(qū)域31-1移動(dòng)至相鄰區(qū)域31-2的操作和該操作所需要的時(shí)間。因此，能夠?qū)⒂糜趯⒁粋€(gè)芯片40載置在基板30上的自動(dòng)裝置4的操作以及自動(dòng)裝置4的操作所需要的時(shí)間，削減至包括使吸附頭5與噴嘴6 —體地從一個(gè)區(qū)域31-1移動(dòng)至相鄰區(qū)域31-2的操作時(shí)的2/3。下面，參照?qǐng)D8 圖10，對(duì)于通過本實(shí)施方式的安裝方法，利用液體在芯片與基板之間自身調(diào)整地進(jìn)行的對(duì)位的情況進(jìn)行說明。圖8是表示從芯片相對(duì)于區(qū)域以歪扭的狀態(tài)與水的表面接觸的狀態(tài)至自身調(diào)整 地載置的狀態(tài)的俯視圖和截面圖。圖8 (a) 圖8 (d)依次表示伴隨時(shí)間經(jīng)過的變化。圖8 (a) 圖8 (d)的各圖中，上面是俯視圖，下面是側(cè)面圖。圖9是表不從芯片相對(duì)于區(qū)域以在水平方向上偏離的狀態(tài)與水的表面接觸的狀態(tài)至自身調(diào)整地載置的狀態(tài)的俯視圖和截面圖。圖9 (a) 圖9 (d)依次表示伴隨時(shí)間經(jīng)過的變化。圖9 (a) 圖9 (d)的各圖中，上面是俯視圖，下面是側(cè)面圖。在圖8和圖9中，基板僅示出了區(qū)域的周圍部分。圖10是表示芯片的表面即經(jīng)過親水化處理的區(qū)域的俯視圖。在芯片40的區(qū)域41相對(duì)于基板30的區(qū)域31以歪扭的狀態(tài)接觸時(shí)，如圖8 (a)所示，來自形成于區(qū)域31的水的膜32的水潤(rùn)濕擴(kuò)展至經(jīng)過親水化處理的區(qū)域41。之后，芯片40由于水的表面張力一邊由圖8 (b)向圖8 (c)轉(zhuǎn)動(dòng)，使得設(shè)計(jì)為相同尺寸的區(qū)域31與區(qū)域41基本整個(gè)面地重合，一邊縮小區(qū)域41與區(qū)域31的間隔地進(jìn)行移動(dòng)。于是，最終如圖8 (d)所示，芯片40的區(qū)域41與基板30的區(qū)域31基本整個(gè)面地重合。另一方面，在芯片40的區(qū)域41相對(duì)于基板30的區(qū)域31以在水平方向上偏離的狀態(tài)接觸時(shí)，如圖9 (a)所示，來自形成于區(qū)域31的水的膜32的水潤(rùn)濕擴(kuò)展至經(jīng)過親水化處理的區(qū)域41。之后，芯片40由于水的表面張力一邊由圖9 (b)向圖9 (c)在平行方向上移動(dòng)，使得設(shè)計(jì)為相同尺寸的區(qū)域41與區(qū)域31基本整個(gè)面地重合，一邊縮小區(qū)域41與區(qū)域31的間隔地進(jìn)行移動(dòng)。于是，最終如圖9 (d)所示，芯片40的區(qū)域41與基板30的區(qū)域31基本整個(gè)面地重合。通常，如圖10 (a)所示，由于將芯片40的整個(gè)表面作為區(qū)域41進(jìn)行親水化處理，所以芯片40的周邊部的表面也經(jīng)過親水化處理。但是，也可以如圖10 (b)所示，將芯片40a的中心部作為區(qū)域41a，在芯片40a的周邊部不進(jìn)行親水化處理，設(shè)置疏水性的區(qū)域(疏水框)41b。通過在周邊部設(shè)置疏水框41b，能夠利用區(qū)域41a與疏水框41b的邊界的形狀進(jìn)行對(duì)位。因此，在切割芯片制成單片時(shí)，即使在由于伴隨切割的飛邊等而導(dǎo)致芯片的周邊部的形狀偏離預(yù)期的形狀時(shí)，只要能夠維持中心部的區(qū)域41a的形狀，就能夠利用水以良好的精度使芯片與載置芯片的區(qū)域?qū)ξ?。形成疏水?1b的方法沒有限定，可以使區(qū)域41a的表面采用例如具有親水性的SiO2膜、使疏水框41b的表面采用例如Si，由此形成疏水框41b。以上，根據(jù)本實(shí)施方式，進(jìn)行利用吸附頭，從收納有多個(gè)芯片的托盤吸附取出一個(gè)芯片，并將取出的一個(gè)芯片載置在基板的表面即涂布有水的一個(gè)區(qū)域的載置工序。并且，在將一個(gè)芯片載置到一個(gè)區(qū)域上時(shí)，利用噴嘴在基板的表面的載置下一個(gè)芯片的區(qū)域涂布水。由此，在芯片與基板之間自身調(diào)整地進(jìn)行對(duì)位。因此，不需要對(duì)吸附芯片的吸附頭進(jìn)行嚴(yán)格的位置控制，能夠?qū)惭b裝置的操作的次數(shù)抑制為最小限度，能夠縮短用于將多個(gè)芯片全部載置到基板上所需要的時(shí)間。其中，在本實(shí)施方式中，以對(duì)基板表面的載置芯片的區(qū)域進(jìn)行親水化處理為例進(jìn)行了說明。但是，只要在載置芯片的區(qū)域的周圍形成堤壩、槽等凹凸形狀而能夠使得液體不擴(kuò)展到該區(qū)域以外即可，可以不對(duì)載置芯片的區(qū)域進(jìn)行親水化處理。此外，在本實(shí)施方式中，為了載置首個(gè)芯片，在進(jìn)行步驟S13之后，進(jìn)行步驟S14，使吸附頭與噴嘴一體地向托盤的上 方移動(dòng)并返回。但是，對(duì)于首個(gè)芯片，也可以在步驟S17與步驟S18之間進(jìn)行步驟S13。并且，在本實(shí)施方式中，以使吸附頭與噴嘴一體地移動(dòng)為例進(jìn)行了說明。但是，只要能夠使吸附頭與噴嘴一起進(jìn)行移動(dòng)即可，可以使吸附頭和噴嘴為獨(dú)立個(gè)體，進(jìn)行同樣的移動(dòng)操作。此外,在本實(shí)施方式中，以在一個(gè)區(qū)域上載置一個(gè)芯片時(shí)，在基板表面的載置下一個(gè)芯片的區(qū)域涂布水為例進(jìn)行了說明。但是，只要在一個(gè)區(qū)域上載置一個(gè)芯片時(shí)，能夠在基板表面的不同于該一個(gè)區(qū)域的區(qū)域涂布水即可。例如，可以在一個(gè)區(qū)域上載置一個(gè)芯片時(shí)，在基板表面的載置后兩個(gè)芯片的區(qū)域涂布水。此外，在本實(shí)施方式中，以使吸附頭與噴嘴一體地從托盤的上方向基板的上方移動(dòng)為例進(jìn)行了說明。但是，只要能夠使吸附頭與噴嘴一體地從托盤一側(cè)向基板一側(cè)移動(dòng)即可。例如，可以使托盤與基板處于垂直立起的狀態(tài)，使吸附頭與噴嘴一體地從托盤的側(cè)方向基板的側(cè)方移動(dòng)。(實(shí)施方式的變形例)接著，參照?qǐng)D11和圖12，對(duì)于實(shí)施方式的變形例的安裝方法進(jìn)行說明。圖11是用于說明本變形例的安裝方法的各工序順序的流程圖。圖12是表示本變形例的安裝方法的各工序中芯片和基板的狀態(tài)的概略截面圖。本變形例的安裝方法，在經(jīng)過親水化處理的芯片的表面涂布水這一點(diǎn)上，與實(shí)施方式的安裝方法不同。本變形例的安裝方法可以使用圖I中說明的實(shí)施方式的安裝裝置進(jìn)行。但是，安裝裝置在處理室的內(nèi)部具有在涂布液體的圖I中未圖示的芯片側(cè)噴嘴。芯片側(cè)噴嘴在芯片的表面即與涂布在基板上載置芯片的區(qū)域上的水接觸的區(qū)域涂布液體。如圖11所示，本變形例的安裝方法包括搬入工序(步驟S31)、預(yù)備移動(dòng)工序(步驟S32 )、預(yù)備涂布工序(步驟S33 )、返回工序(步驟S34 )、吸附工序(步驟S35 )、取出工序(步驟S36)、元件側(cè)涂布工序(步驟S37)、移動(dòng)工序(步驟S38)、接觸工序(步驟S39)、涂布工序(步驟S40)和解除工序(步驟S41)。預(yù)先準(zhǔn)備的基板和芯片可以與實(shí)施方式相同。首先，進(jìn)行步驟S31 步驟S33。步驟S31 步驟S33各工序與實(shí)施方式的步驟Sll 步驟S13各工序相同。并且，步驟S31和步驟S32中的芯片和基板狀態(tài)如圖7A (a)和圖7A (b)所示。并且，步驟S33中的芯片和基板狀態(tài)如圖7A (c_l)和圖7A (c_2)所示。接著，對(duì)于首個(gè)芯片40-1實(shí)施步驟S34 步驟S36。步驟S34 步驟S36各工序與實(shí)施方式的步驟S 14 步驟S16各工序相同。并且，步驟S34 步驟S36中的芯片和基板狀態(tài)如與圖7B Cd) 圖7B Cf)分別相同的圖12 Ca) 圖12 (c)所示。
接著，對(duì)于首個(gè)芯片40-1實(shí)施步驟S37的元件側(cè)涂布工序。在步驟S37中，在芯片40的表面涂布水。圖12 (d)表示步驟S37中芯片和基板的狀態(tài)。如圖12 (d)所示，在芯片40的表面即與在基板30的表面載置芯片40的區(qū)域31上涂布的水的膜32接觸的區(qū)域41,涂布水的膜(水滴)42。例如利用自動(dòng)裝置4，使吸附有首個(gè)芯片40-1的吸附頭5移動(dòng)至設(shè)置在處理室I內(nèi)的芯片側(cè)噴嘴之上，從芯片側(cè)噴嘴向吸附頭5所吸附的首個(gè)芯片40-1的下表面噴出水。與實(shí)施方式同樣，預(yù)先對(duì)在芯片40的表面即區(qū)域31涂布的水的膜32接觸的區(qū)域41實(shí)施親水化處理。因此，如圖12 (d)所示，從芯片側(cè)噴嘴 噴出的水以擴(kuò)展的方式被涂布在芯片40的表面即與涂布在區(qū)域31的水的膜32接觸的區(qū)域41。接著，對(duì)于首個(gè)芯片40-1進(jìn)行步驟S38的移動(dòng)工序。步驟S38的工序與實(shí)施方式的步驟S17的工序相同。并且，步驟S38中芯片和基板的狀態(tài)如圖12 (e)所示。接著，同時(shí)進(jìn)行步驟S39的接觸工序和步驟S40的涂布工序。在步驟S39中，使吸附頭5接近基板30，使在首個(gè)芯片40-1上涂布的水的膜42與在區(qū)域31涂布的水的膜32接觸。在步驟S40中，為了載置下一個(gè)芯片40-2而涂布水。圖12 (f)表示步驟S39和步驟S40中芯片和基板的狀態(tài)。在使吸附頭5移動(dòng)至區(qū)域31-1的上方之后，接著，如圖12 (f)所示，利用自動(dòng)裝置4，使吸附頭5與噴嘴6 —體地下降至基板30上的載置位置(區(qū)域31-1)附近，使涂布在首個(gè)芯片40-1的表面的水的膜42與涂布在區(qū)域31-1的水的膜32接觸。在涂布在吸附頭5所吸附的首個(gè)芯片40-1的表面的水的膜42與涂布在區(qū)域31-1的水的膜32接觸的同時(shí)，從噴嘴6向區(qū)域31-1的相鄰區(qū)域即載置下一個(gè)芯片40-2的區(qū)域31-2噴出水。接著，進(jìn)行步驟S41的移動(dòng)工序。步驟S41的工序與實(shí)施方式的步驟S20的工序相同。并且，步驟S41中芯片和基板的狀態(tài)如圖12 (g)所示。這樣，通過進(jìn)行圖12 (a) 圖12 (g)所示的各工序，利用吸附頭5將首個(gè)芯片40-1從托盤20載置到最初的區(qū)域。并且，在利用吸附頭5將首個(gè)芯片40-1載置至最初的區(qū)域31-1時(shí)，為了載置第二個(gè)芯片40-2，利用噴嘴6向最初的區(qū)域31-1相鄰的區(qū)域31_2涂布水的膜32。之后，通過對(duì)于第二個(gè)芯片40-2至第η — I個(gè)芯片40_η — I，重復(fù)進(jìn)行步驟S34 步驟S41的各工序，對(duì)于第η個(gè)芯片40-η省略步驟S40重復(fù)進(jìn)行上述各工序，對(duì)排列成一列的首個(gè)(第一個(gè))芯片40-1至最后的(第η個(gè))芯片40-η依次以規(guī)定的間距P進(jìn)行載置。于是，通過反復(fù)進(jìn)行多次(m次)這種一系列的操作，多個(gè)芯片40以排列為m行η列的矩陣狀并且在列方向依次以規(guī)定的間距P進(jìn)行排列的方式，被載置在基板30上。在本變形例中，進(jìn)行載置工序，S卩，利用吸附頭，從收納有多個(gè)芯片的托盤吸附取出一個(gè)芯片，將取出的一個(gè)芯片載置在基板的表面即涂布有水的一個(gè)區(qū)域。并且，在將一個(gè)芯片載置到一個(gè)區(qū)域上時(shí)，利用噴嘴在基板的表面的載置下一個(gè)芯片的區(qū)域涂布水。由此，在芯片與基板之間通過自身調(diào)整進(jìn)行對(duì)位。因此，不需要對(duì)吸附芯片的吸附頭進(jìn)行嚴(yán)格的位置控制，能夠?qū)惭b裝置的操作的次數(shù)抑制為最小限度，能夠縮短將多個(gè)芯片全部載置到基板上所需要的時(shí)間。并且，在本變形例中，也在吸附頭所吸附保持的芯片的表面涂布水。由此，能夠更可靠地通過自身調(diào)整進(jìn)行芯片與基板相對(duì)的位置的對(duì)位。以上，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限于這些特定的實(shí)施方式，在權(quán)利要求書記載的本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變形和變更。本申請(qǐng)主張基于2009年12月28日提出的日本專利申請(qǐng)2009-297626號(hào)的優(yōu)先權(quán)，在本國(guó)際申請(qǐng)中引用日本專利申請(qǐng)2009-297626號(hào)的全部?jī)?nèi)容。符號(hào)說明I :處理室3:工作臺(tái)4:自動(dòng)裝置5:吸附頭 6:噴嘴7:隔離件20:托盤30 :基板31 :區(qū)域32:水的膜(水滴)40 :芯片100 :安裝裝置。
權(quán)利要求
1.一種安裝方法，用于在基板上依次安裝多個(gè)元件，該安裝方法的特征在于，包括 載置エ序，將利用取出部從收納有所述多個(gè)元件的收納部取出的ー個(gè)元件載置于所述基板的表面并且是涂布有液體的ー個(gè)區(qū)域；和 涂布エ序，當(dāng)將所述一個(gè)元件載置于所述ー個(gè)區(qū)域吋，利用以能夠與所述取出部一起移動(dòng)的方式設(shè)置的涂布部，在所述基板表面的與所述ー個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域涂布液體。
2.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在于 在所述涂布エ序中，在載置所述ー個(gè)元件的下一個(gè)元件的區(qū)域涂布液體。
3.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在于 所述取出部是吸附并取出元件的吸附部， 在所述載置エ序中，使吸附有所述ー個(gè)元件的所述吸附部接近所述基板，使所述ー個(gè)元件與涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體接觸，在所述ー個(gè)元件與所述液體接觸吋，解除所述吸附部的吸附。
4.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在于，包括 使取出有所述ー個(gè)元件的所述取出部與所述涂布部一起，從所述收納部ー側(cè)向所述基板一側(cè)移動(dòng)的移動(dòng)エ序。
5.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在干 所述ー個(gè)區(qū)域和與所述ー個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域被實(shí)施親水化處理。
6.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在干 在所述ー個(gè)元件的表面并且是與涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體接觸的區(qū)域?qū)嵤┯H水化處理。
7.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在于 在所述載置エ序中，利用涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體，進(jìn)行所述ー個(gè)元件與所述基板的對(duì)位。
8.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在于，包括 在所述ー個(gè)元件的表面并且是與涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體接觸的區(qū)域涂布液體的元件側(cè)涂布エ序。
9.如權(quán)利要求I所述的安裝方法，其特征在干 所述安裝方法用于將所述多個(gè)元件以規(guī)定的間距安裝在所述基板上， 所述涂布部設(shè)置為，能夠根據(jù)所述規(guī)定的間距改變與所述取出部的間隔。
10.一種安裝裝置，用于在基板上依次安裝多個(gè)元件，該安裝裝置的特征在于，包括 收納所述多個(gè)元件的收納部； 保持所述基板的基板保持部； 取出部，將收納在所述收納部的一個(gè)元件取出，將取出的所述ー個(gè)元件載置在所述基板的表面并且是涂布有液體的ー個(gè)區(qū)域； 涂布部，以能夠與所述取出部一起移動(dòng)的方式設(shè)置，當(dāng)將所述一個(gè)元件載置于所述ー個(gè)區(qū)域時(shí)，在所述基板表面的與所述ー個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域涂布液體；和 移動(dòng)部，使取出有所述ー個(gè)元件的所述取出部與所述涂布部一起，從所述收納部ー側(cè)向所述基板一側(cè)移動(dòng)。
11.如權(quán)利要求10所述的安裝裝置，其特征在干所述涂布部在將所述一個(gè)元件載置于所述ー個(gè)區(qū)域時(shí)，在載置所述ー個(gè)元件的下ー個(gè)元件的區(qū)域涂布液體。
12.如權(quán)利要求10所述的安裝裝置，其特征在于 所述取出部是吸附并取出元件的吸附部， 所述移動(dòng)部使吸附有所述ー個(gè)元件的所述吸附部接近所述基板，使所述ー個(gè)元件與涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體接觸， 所述吸附部在所述ー個(gè)元件與涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體接觸吋，解除吸附。
13.如權(quán)利要求10所述的安裝裝置，其特征在干 所述ー個(gè)區(qū)域和與所述ー個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域被實(shí)施親水化處理。
14.如權(quán)利要求10所述的安裝裝置，其特征在干 在所述ー個(gè)元件的表面并且是與涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體接觸的區(qū)域?qū)嵤┯H水化處理。
15.如權(quán)利要求10所述的安裝裝置，其特征在于 利用涂布在所述ー個(gè)區(qū)域的液體，進(jìn)行所述ー個(gè)元件與所述基板的對(duì)位。
16.如權(quán)利要求10所述的安裝裝置，其特征在干 所述安裝裝置用于將所述多個(gè)元件以規(guī)定的間距安裝在所述基板上， 所述涂布部設(shè)置為，能夠根據(jù)所述規(guī)定的間距改變與所述取出部的間隔。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在基板上依次安裝多個(gè)元件的安裝方法，包括載置工序，將利用取出部從收納有多個(gè)元件的收納部取出的一個(gè)元件載置在基板的表面并且是涂布有液體的一個(gè)區(qū)域；和涂布工序，在將一個(gè)元件載置在一個(gè)區(qū)域上時(shí)，利用以能夠與取出部一起移動(dòng)的方式設(shè)置的涂布部，將液體涂布在基板表面的與一個(gè)區(qū)域不同的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/52GK102696098SQ201080059770
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者中村充一, 杉山雅彥, 秋山直樹, 蓧崎大 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社