專利名稱：Ald系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文的示例性、說明性技術(shù)涉及原子層沉積(ALD)系統(tǒng)及其操作方法，并且涉及與機器人大型襯底裝卸、自動ALD涂覆操作和在大型矩形襯底上產(chǎn)生期望的氣流模式以及延長維護程序之間的操作時間以提高生產(chǎn)率相容的氣相沉積室和子系統(tǒng)配置。本文的技術(shù)應(yīng)用于生產(chǎn)單一或多種材料的單層涂層(如可用于制造液晶顯示器 (IXD)裝置的那些)的領(lǐng)域。1. 5相關(guān)技術(shù)氣體或蒸氣沉積是一種用于在表面上形成薄材料層的方法，其涉及將固體襯底表面暴露于氣體或蒸氣(在下文稱為氣體)以在固體表面(在本文稱為“襯底”)上沉積薄材料層。已知多種氣體沉積方法，并且?guī)追N方法常用于半導體制造，用于制造集成電路等。更一般地，氣體沉積方法用于將薄膜形成到多種襯底上以改變其表面性質(zhì)。在實踐中，通過將固體襯底置于氣體沉積室(在本文也稱為“反應(yīng)室”)中并且將固體襯底暴露于一種或更多種氣體來實施氣體沉積方法。氣體與暴露的固體襯底表面反應(yīng)以沉積或以其它方式在其上形成新材料層。一般地，通過氣體和襯底表面之間的化學反應(yīng)使得膜層與襯底表面形成原子鍵從而形成材料層。許多商業(yè)設(shè)施傾向于將原子層沉積(ALD)涂覆系統(tǒng)加入現(xiàn)有材料加工流程中來涂覆半導體晶片、玻璃襯底如液晶顯示襯底坯料等。ALD加工方法用于利用至少兩個氣體沉積步驟將原子水平的材料單層涂覆到襯底的暴露表面上，其中每個氣體沉積步驟均產(chǎn)生子單層。在實踐中，襯底被插入氣體沉積室或反應(yīng)室中，并且抽空所述室以除去其中的空氣、 水蒸汽和其它污染物，然后將第一前體氣體引入所述室中。第一前體與襯底的暴露表面以及所述室的所有其它暴露表面和任何其它部件表面發(fā)生化學反應(yīng)，并且所述反應(yīng)形成第一子單層。隨后從所述室中沖洗移除第一前體，隨后引入第二前體。第二前體與第一子單層反應(yīng)。第一子單層與第二前體氣體的反應(yīng)使材料單層完全形成到暴露的襯底表面上。隨后從室中沖洗移除第二前體。兩種前體反應(yīng)均是自限性(self-limiting)的，即在前體已經(jīng)與所有可用的位點反應(yīng)之后，反應(yīng)停止。因此，ALD涂層基本上是均勻的，具有可預測的厚度，并且其厚度在整個襯底范圍內(nèi)基本上不變化。并且根據(jù)循環(huán)次數(shù)，ALD涂層甚至在具有非常高長寬比的微米級表面特征的整個表面上產(chǎn)生均勻的涂層厚度。第二前體反應(yīng)還產(chǎn)生將與第一前體氣體反應(yīng)的表面分子以形成另一子單層。因此，ALD工藝可以無限重復從而以高精確度和純度在暴露的襯底表面上累積期望的材料涂層厚度。ALD工藝相比各種氣體沉積方法的一些優(yōu)點包括對單層厚度、材料涂層均勻性的精確控制；相對低的工藝溫度窗口(例如，低于400°C)；低前體氣體消耗；高品質(zhì)膜；和通過控制所進行的涂覆循環(huán)的數(shù)目來均勻控制總材料涂層厚度的能力。ALD工藝的一些缺點包括襯底生產(chǎn)率降低，原因是ALD工藝需要兩個沉積循環(huán)/ 單層；適用于在ALD工藝中涂覆的有限前體數(shù)目以及因此可用于ALD薄膜涂覆的有限材料數(shù)目；和ALD反應(yīng)物在暴露于其的每個表面(包括反應(yīng)室的壁、氣流導管、泵、閥和其它表面)上形成涂層的傾向，這導致材料隨時間而連續(xù)累積。關(guān)于ALD反應(yīng)室的一個特別問題在于隨時間累積在涂覆室和其它設(shè)備上的ALD材料層可具有干擾熱傳遞、剝落和污染襯底、 干擾傳感器讀數(shù)和損壞移動部件(例如泵、閥和其它部件)的不利影響。而且，前體氣體傾向于高度腐蝕性(有時有揮發(fā)性)，并且通常對操作人員有害。因此，前體氣體需要小心地進行貯存操作。此外，許多應(yīng)用需要使用高純度前體氣體以確保涂覆材料的期望電性質(zhì)不因前體污染物而劣化，并且高純度前體氣體昂貴。減少前體使用的一個解決方案是在前體氣體供應(yīng)管中利用精確質(zhì)量流量控制閥將少量體積的前體氣體注入室中。從沉積室的流出氣體中消除前體氣體的一個解決方案是在出口安裝前體捕獲器。這些裝置中的兩種公開在2005年6月27日提交的共同未決且共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請11/167，570中(發(fā)明名稱為VAPOR DEPOSITION SYSTEM AND METHODS)，該申請針對所有目的通過引用全文并入本文。雖然這些解決方案有幫助，但是它們并未解決ALD沉積室暴露表面在每個涂覆循環(huán)期間被涂覆以及需要周期性更換或清潔 (例如通過酸蝕刻等)的問題。將ALD涂覆系統(tǒng)投入商業(yè)可行運行的另一個問題是在涂覆較大襯底、特別是(如可用于的LCD顯示器的)大型矩形玻璃襯底時需要增加室尺寸。具體而言，為了開發(fā)大型矩形ALD室要克服多種工程挑戰(zhàn)，因為室自身是深度真空容器，其能夠?qū)崿F(xiàn)小于10微托、可能小于1微托的真空壓力而不泄漏或塌縮，同時也需要用于將襯底送入室中進行涂覆的相關(guān)進入門和大端口。此外，挑戰(zhàn)是在高溫下裝卸大型襯底以及在裝載循環(huán)之間快速加熱室和襯底并且保持襯底免受污染。另一個挑戰(zhàn)是為用戶提供安全的操作環(huán)境，以及清潔并修理所述室而不對整個材料加工工藝流程造成過度影響。保持所述室不含ALD涂覆層的一個解決方案是在容納前體氣體的ALD室中安裝可移除且可清潔的襯里，例如不銹鋼襯里，并且因此防止在ALD室(因為需要穿過室壁內(nèi)部的高導熱率，故其通常為鋁結(jié)構(gòu))的內(nèi)表面上形成涂層。這樣的襯里可以通過酸蝕刻等從室內(nèi)移除，并隨后重新安裝到室中。一種這樣的可移除襯里公開在2008年12月1日提交的共同未決且共同轉(zhuǎn)讓的美國臨時專利申請61/197，948中(發(fā)明名稱為GAS DEPOSITION CHAMBER WITH REMOVABLE LINER)；該臨時申請針對所有目的通過引用全文并入本文。將ALD涂覆系統(tǒng)投入商業(yè)可行運行的另一問題是需要減少涂覆循環(huán)時間，并且這包括裝卸襯底、將所述室和襯底加熱至沉積溫度、將所述室泵至深度真空、從所述室中吹掃污染物、將襯底暴露于前體氣體和將前體氣體清洗出所述室所需的時間。申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在將襯底的基本上整個涂覆表面暴露于層流氣流時可以減少循環(huán)時間，并且這可以通過控制進入氣體的速度和路徑(通過仔細設(shè)計將氣體分布在襯底寬度上的輸入增壓和降低氣體速度)來完成。與將ALD涂覆系統(tǒng)投入商業(yè)可行運行的另一問題是需要將ALD涂覆系統(tǒng)裝配到底面空間昂貴的現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備中。因此，在所屬領(lǐng)域中需要在小底面空間面積中提供高涂覆處理量的ALD生產(chǎn)涂覆裝置。
1.
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決了這些和其它問題，本發(fā)明提供一種配置為雙室“塔”的氣體沉積系統(tǒng) (1000)，其包括用于支撐相互垂直的兩個反應(yīng)室組合件(3000)的框架(1140)。本發(fā)明還提供一種氣體沉積室(3000)和關(guān)聯(lián)的氣體控制系統(tǒng)，其配置為通過一個或多個氣體沉積工藝將薄膜層沉積到固體襯底(7000)的暴露表面上。每個沉積室組合件(3000)均配置為適合于將多個不同ALD反應(yīng)物或“前體”遞送到中空矩形室(3070)中的原子層沉積(ALD)系統(tǒng)，所述中空矩形室(3070)配置為將大型矩形玻璃襯底(7000)支撐在基本水平的襯底支撐表面(3350)上。前體通過包括前體輸入口(3230)和氣體供應(yīng)模塊(3240)的輸入增壓部(3150) 引入中空矩形室(3070)中。前體通過包括出口(3310)和出口模塊(3320)的輸出增壓部 (3250)從中空矩形室(3070)中移除，所述出口模塊(3320)與真空泵(未顯示)流體連通。 每個沉積室(3000)均包括系統(tǒng)控制器，用于根據(jù)系統(tǒng)控制器中存儲的程序步驟來操作氣體供應(yīng)模塊和真空泵。或者，一個系統(tǒng)控制器可用于控制兩個沉積室組合件(3000)。ALD 和其它涂覆序列根據(jù)存儲在系統(tǒng)控制器中的涂覆程序來進行?；蛘撸脩艨梢岳门c系統(tǒng)控制關(guān)聯(lián)的用戶界面模塊(1200)進入程序數(shù)據(jù)。示例性的雙室塔(1000)配置為與機器人襯底處理器(2010)通信，所述機器人襯底處理器(2010)用于每次將一個未涂覆的襯底從襯底貯存托架(2020)運送到選定的室組合件(3000)。在襯底涂覆之后，機器人襯底處理器(2010)用于每次將一個涂覆的襯底運回貯存托架。優(yōu)選地，每個室(3000)都配置有面向機器人襯底處理器(2010)的正面可移動入口門(3080)。入口門(3080)垂直向下移動以為所述室提供入口，并且垂直向上移動以真空密封所述室。每個室的尺寸均設(shè)置為通過裝載口接收單個4. 5代(GEN 4.5)玻璃板襯底。 或者，可以使用中空矩形室(3070)來一個或多于一個較小的玻璃襯底如GEN 1.0至GEN 4. 0。每個室組合件(3000)均包括設(shè)置在中空矩形室(3070)內(nèi)的可清潔和可拆卸的室襯里組合件(6000)以容納前體氣體，由此防止污染室外壁(3010，3020，3030，3040)。為了有助于將前體氣體容納在室襯里組合件(6000)中，將吹掃氣體注入室襯里組合件(6000) 和外室壁之間的上部和下部的中空體積(7090)和(7100)中。此外，每個輸入增壓部(3150) 和輸出增壓部(3250)也都是可清潔和可拆卸的。每個室(3000)還包括設(shè)置為從室襯里組合件(6000)中的相應(yīng)輸入和輸出增壓部延伸的可清潔和可拆卸的增壓襯里(7010)和 (7080)。每個可拆卸和可清潔元件包括可以進行酸蝕刻以除去累積的ALD涂層的不銹鋼壁。
每個室組合件(3000)均配置有模塊增壓法蘭(3160)和(3260)，其制造用于不同應(yīng)用所需的多種輸入和輸出增壓部的模塊交換或互換，或者允許在常規(guī)的維護或清潔請求期間進行快速的增壓交換。每個室組合件(3000)均包括形成有與其連接的多個固定豎井(7120)的可移動豎井(7130)，所述豎井的頂面設(shè)置為形成基本水平的襯底支撐表面。井板通過容納在中空矩形室(3070)外的井致動器組合件(3390)沿垂直軸移動。室襯里組合件(6000)的底壁包括與每個豎井的位置對應(yīng)的通孔(7110)，使得井板垂直移動到上部位置時將襯底從襯底支撐表面(3350)升舉尺寸(D)以將襯底與襯底支撐表面分開，從而從室中移走。類似地，利用在上部位置中的井板，可以將襯底裝載到豎井的頂部。在將井板降低至下部位置時，井底部降低至低于襯底支撐表面(3350)并且襯底降低至與襯底支撐表面(3350)接觸。在本發(fā)明的一些實施方案中，兩個室組合件可以通過一個氣體供應(yīng)模塊驅(qū)動和通過一個真空泵抽空，并且系統(tǒng)控制器包括適用于在兩個室中基本同時進行涂覆循環(huán)的程序步驟。在一些實施方案中，可以將前體捕集器(10140)設(shè)置在出口模塊(3320)中。在其它實施方案中，可以在出口和真空泵之間設(shè)置一個或多個額外的捕集器元件。結(jié)合附圖并閱讀以下說明，這些和其它方面及優(yōu)點將變得明顯。
1.

圖1是等距視圖，其示出根據(jù)本發(fā)明的沒有外殼的雙室氣體沉積系統(tǒng)。圖2是包括本發(fā)明的一個或多個雙室氣體沉積系統(tǒng)的自動生產(chǎn)設(shè)備的平面視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的氣體沉積室組合件的正視等距正視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的氣體沉積室組合件的后視等距后視圖。圖5是示出穿過根據(jù)本發(fā)明的氣體沉積室組合件的截面A-A的等距視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的焊接的室襯里組合件的等距視圖。圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的支撐在室襯里組合件上的襯底和一對增壓襯里的分解截面視圖的示意性圖示。圖8是根據(jù)本發(fā)明的豎井頂部的側(cè)視圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的雙寬氣體沉積室的示意性俯視圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的具有與兩個室連接的氣體供應(yīng)模塊和與兩個室連接的真空泵的雙室系統(tǒng)的示意性正視圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的雙室系統(tǒng)的示意性正視圖，所述雙室系統(tǒng)具有與一個室關(guān)聯(lián)的入口增壓部、與出口室關(guān)聯(lián)的出口增壓部和將兩個室串聯(lián)起來的矩形導管。圖12是根據(jù)本發(fā)明的矩形導管的等距視圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的串聯(lián)設(shè)置在輸出增壓部和真空泵之間的第一和第二捕集器，其中截止閥位于第二捕集器和真空泵之間。圖14是根據(jù)本發(fā)明的串聯(lián)設(shè)置在輸出增壓部和真空泵之間的第一和第二捕集器，其中截止閥位于第二捕集器和真空泵之間。圖15是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置在從輸出增壓部和真空泵延伸的平行流體導管中的第一和第二捕集器，其中每個平行流體導管包括截止閥和一個或多個額外的捕集器。
圖16A是包括設(shè)置在相對的輸入和輸出增壓部之間的多個襯底支撐架的氣體沉積室的截面視圖。圖16B是包括圖16A中顯示的多個襯底支撐架的氣體沉積室的一部分的放大截面視圖。附圖標記列表
權(quán)利要求
1.一種用于將薄膜層沉積到一個或更多個襯底上的反應(yīng)室組合件(3000、8100)，其包括-用于封閉中空室的外壁組合件，包括與基本相對的左外側(cè)壁和右外側(cè)壁(3030， 3040)和基本相對的前外壁和后外壁(3042,3044)相連的基本相對的頂外壁和底外壁 (3010,3020)；-氣體供應(yīng)模塊，用于將一種或更多種氣體和氣相材料遞送到所述中空室中；-真空泵，用于從所述中空室移除氣體和氣相材料；-其特征在于，所述反應(yīng)室組合件還包括-矩形輸入孔(3140)，其延伸穿過所述左外側(cè)壁和右外側(cè)壁(3030)、(3040)之一；-矩形輸出孔(3130)，其延伸穿過所述左外側(cè)壁和右外側(cè)壁(3040)中的另一個，其中所述輸入矩形孔和所述輸出矩形孔相對設(shè)置并具有基本相同的孔尺寸；-輸入增壓部(3150)，其設(shè)置在所述外壁組合件的外部并且與所述氣體供應(yīng)模塊流體連通，用于將所述一種或更多種氣體和氣相材料通過所述輸入矩形孔遞送到所述中空室中；和-輸出增壓部(3250)，其設(shè)置在所述外壁組合件的外部并且與所述真空泵流體連通， 用于通過所述輸出矩形孔從所述中空室移除氣體和氣相材料。
2.權(quán)利要求1所述的反應(yīng)室組合件，還包括基本水平設(shè)置在所述中空室內(nèi)并且在所述輸入矩形孔和所述輸出矩形孔之間的一個或更多個襯底支撐表面(3350,8130)。
3.權(quán)利要求2所述的反應(yīng)室組合件，還包括-穿過所述前外壁(3042)的前孔(3035)，其用于提供進入所述中空室(3070)的入口， 用以裝載和卸載所述一個或更多個襯底；和-相對于所述前孔可移動的入口門(3080)，其用于當所述入口門關(guān)閉時在沉積涂覆循環(huán)期間氣體密封所述前孔，和用于當所述入口門打開時提供通過所述前孔進入所述中空室的入口。
4.權(quán)利要求2所述的反應(yīng)室，其中所述輸入增壓部形成具有輸入端和輸出端的輸入增壓室(3210)，所述輸入端通過設(shè)置在所述輸入端附近的輸入口(3220)接收來自所述氣體供應(yīng)模塊的所述一種或更多種氣體和氣相材料，所述輸出端將所述一種或更多種氣體和氣相材料通過所述矩形輸入孔(3130)遞送到所述中空室中，并且其中所述輸入增壓室的形狀為從所述輸入端到所述輸出端體積基本連續(xù)膨脹。
5.權(quán)利要求4所述的反應(yīng)室組合件，其中所述輸入增壓室(3210)在基本水平的平面內(nèi)具有第一三角形截面，其中所述輸入端形成所述第一三角形截面的頂點，并且所述輸出端形成所述第一三角形截面的底部，而且其中所述輸出端通過所述矩形輸入孔(3130)與所述中空室流體連通。
6.權(quán)利要求5所述的反應(yīng)室組合件，其中所述輸入增壓室在基本垂直的平面內(nèi)具有第二梯形截面，其中所述輸入端形成所述第二梯形截面的頂點，并且所述輸出端形成所述第二梯形截面的底部。
7.權(quán)利要求6所述的反應(yīng)室，其中所述輸出增壓部(3250)形成具有輸出端和輸入端的輸出增壓室(3300)，所述輸出端用于通過設(shè)置在所述輸出端附近的出口模塊(3220)從所述輸出增壓室移除所述氣體和氣相材料，并且所述輸入端用于通過所述左矩形孔和所述右矩形孔中對應(yīng)的一個孔將所述一種或更多種氣體和氣相材料從所述中空室中移出，并且其中所述輸出增壓室的形狀為從所述輸入端到所述輸出端體積基本連續(xù)縮小。
8.權(quán)利要求2和7中任一項所述的反應(yīng)室組合件，其中所述輸出增壓室(3300)具有基本在水平平面內(nèi)的第一三角形截面，其中所述輸出端形成所述第一三角形截面的頂點，并且所述輸入端形成所述第一三角形截面的底部，而且其中所述輸入端通過所述矩形輸出孔 (3140)與所述中空室流體連通。
9.權(quán)利要求8所述的反應(yīng)室組合件，其中所述輸出增壓室具有基本在垂直平面內(nèi)的第二梯形截面，其中所述輸出端形成所述第二梯形截面的頂點，并且所述輸入端形成所述第二梯形截面的底部。
10.權(quán)利要求9所述的反應(yīng)室組合件，其中所述出口模塊包括-圓形出口(3310)，其穿過頂部輸出增壓壁和底部輸出增壓壁之一；-壓力計，用于感測所述出口模塊中的氣體壓力；和-截止閥，用于在所述截止閥處于關(guān)閉位置時將所述出口模塊與所述真空泵相互隔開。
11.權(quán)利要求2所述的反應(yīng)室，其中所述中空體積具有在基本水平平面內(nèi)的第一矩形截面，所述第一矩形截面具有中空體積縱向長度和中空體積橫向?qū)挾?，其中所述一個或更多個襯底支撐表面(3350，8130)中的每一個均具有矩形尺寸，所述矩形尺寸具有支撐表面縱向長度和支撐表面橫向?qū)挾?，所述支撐表面縱向長度和支撐表面橫向?qū)挾雀髯缘某叽鐬榕c所述中空體積內(nèi)第一矩形截面匹配，并且支撐具有由襯底尺寸標準GEN 1(300X400mm) 至GEN 7 (2160 X 2460mm)中任一個限定的矩形尺寸的矩形襯底。
12.權(quán)利要求2所述的反應(yīng)室，還包括設(shè)置在所述中空室內(nèi)的襯里組合件(6000)，其配置為防止所述一種或更多種氣體和氣相材料污染所述外壁組合件的內(nèi)表面。
13.權(quán)利要求12所述的反應(yīng)室組合件，其中所述襯里組合件包括定位在所述左孔和所述右孔(3030,3040)之間的基本水平設(shè)置的襯里底壁(6010)，并且其中所述襯里底壁包括所述一個或更多個襯底支撐表面。
14.權(quán)利要求13所述的反應(yīng)室組合件，其中所述襯里組合件(6000)配置為通過所述前孔(3035)安裝到所述中空室中和從所述中空室移除。
15.權(quán)利要求13所述的反應(yīng)室，還包括穿過所述外壁組合件的后外壁(3044)的后孔 (3045)，其中所述襯里組合件配置為通過所述后孔(3045)安裝到所述中空室中和從所述中空室移除。
16.權(quán)利要求14和15中任一項所述的反應(yīng)室，還包括輸入增壓襯里(7015)，其包括通過關(guān)聯(lián)的所述矩形輸入孔安裝的矩形管狀元件，以防止流過所述矩形輸入孔的所述氣體和氣相材料污染所述外壁的內(nèi)表面。
17.權(quán)利要求16所述的反應(yīng)室，還包括輸出增壓襯里(7080)，其包括通過所述矩形輸出孔安裝的矩形管狀元件，以防止流過所述矩形輸出孔的所述氣體和氣相材料污染所述外壁的內(nèi)表面。
18.權(quán)利要求1所述的反應(yīng)室組合件，其中所述反應(yīng)室(3000)包括上部反應(yīng)室 (1120)，還包括-框架(1140)，其用于將所述上部反應(yīng)室(1120)支撐在所述框架的上部位置中；_第二基本相同的下部反應(yīng)室(1150)，其支撐在所述框架(1140)的下部位置中。
19.權(quán)利要求18所述的反應(yīng)室，還包括-與支撐在所述框架上的所述上部反應(yīng)室關(guān)聯(lián)的多個第一子系統(tǒng)；-與支撐在所述框架上的所述下部反應(yīng)室關(guān)聯(lián)的多個第二子系統(tǒng)；和_其中所述上部反應(yīng)室和第一子系統(tǒng)相對于所述下部反應(yīng)室和第二子系統(tǒng)獨立操作， 并且可與所述下部反應(yīng)室和第二子系統(tǒng)同時操作。
20.權(quán)利要求19所述的反應(yīng)室，還包括單個氣體供應(yīng)模塊(10030)，其將氣體或氣相材料遞送到與所述上部反應(yīng)室(1120)關(guān)聯(lián)的上部輸入增壓部(10050)中和與所述下部反應(yīng)室(1150)關(guān)聯(lián)的下部輸入增壓部(10060)中。
21.權(quán)利要求20所述的反應(yīng)室，還包括與真空泵流體連通的單個出口模塊，用于從與所述上部反應(yīng)室(1120)關(guān)聯(lián)的上部輸出增壓部(10090)和與所述下部反應(yīng)室關(guān)聯(lián)的下部輸出增壓部(10100)中的每一個中移除氣體和氣相材料。
22.權(quán)利要求1所述的反應(yīng)室，還包括設(shè)置在所述出口增壓部和所述真空泵之間的捕集器，其中所述捕集器包括適合與從所述出口增壓部中移出的不期望的烴氣體反應(yīng)的催化活性烴(HC)氧化基質(zhì)。
23.一種將薄膜層沉積到矩形襯底上的方法，所述矩形襯底具有襯底縱向長度和襯底橫向?qū)挾?，其中至少一個襯底被支撐在由外壁組合件封閉的中空矩形室中，所述方法包括如下步驟_將一種或更多種氣體和氣相材料遞送到輸入增壓部中，所述輸入增壓部設(shè)置在所述中空矩形室和氣體供應(yīng)模塊之間的所述外壁組合件的外部；-使所述一種或更多種氣體和氣相材料的體積在所述輸入增壓部中膨脹；和-通過穿過所述外壁組合件的第一側(cè)壁的矩形輸入孔將所述一種或更多種氣體和氣相材料遞送到所述中空矩形室中，其中所述矩形輸入孔的縱向孔尺寸相對于所述襯底縱向長度和所述襯底橫向?qū)挾戎晃挥谥醒氩⑶业扔诨虼笥谒鲆r底縱向長度和所述襯底橫向?qū)挾戎弧?br> 24.權(quán)利要求23所述的方法，其包括如下步驟通過矩形輸出孔將所述氣體或氣相材料從所述中空矩形室中移出，所述矩形輸出孔穿過與所述矩形輸入孔相對的所述外壁組合件的第二側(cè)壁，其中所述輸入孔和所述輸出孔具有基本相同的矩形尺寸；并且還將所述氣體和氣相材料移入輸出增壓部中，所述輸出增壓部設(shè)置在所述中空矩形室和真空泵之間的所述外壁組合件的外部。
25.權(quán)利要求24所述的方法，還包括壓縮所述輸出增壓部中的所述一種或更多種氣體和氣相材料的體積的步驟。
26.權(quán)利要求24所述的方法，其中從所述中空矩形室中移出的所述一種或更多種氣體和氣相材料包括不期望的烴材料，所述方法還包括將所述不期望的烴材料與設(shè)置在位于所述輸出增壓部和所述真空泵之間的捕集器中的催化活性烴(HC)氧化基質(zhì)反應(yīng)的步驟。
全文摘要
一種配置為雙室“塔”的氣體沉積系統(tǒng)(1000)，其包括用于支撐相互垂直的兩個反應(yīng)室組合件的框架(1140)。每個反應(yīng)室組合件(3000)均包括環(huán)繞中空室(3070)的外壁組合件，所述中空室的尺寸為容納穿過裝載口的單個4.5代(GEN 4.5)玻璃板襯底。所述襯底水平設(shè)置在中空室(3070)中，并且室組合件(3000)包括設(shè)置在中空室(3070)外部并配置為在襯底頂表面上產(chǎn)生基本水平方向的層流氣流的可拆卸和可清潔的三角形輸入(3150)和輸出(3250)增壓部。每個室包括設(shè)置在中空室(3070)中的可清潔和可拆卸的室襯里組合件(6000)，以將前體氣體容納在其中，從而防止污染室外壁(3010，3020，3030，3040)。
文檔編號H01L29/76GK102414824SQ201080018411
公開日2012年4月11日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月27日
發(fā)明者加內(nèi)什·M·孫達拉姆, 吉爾·斯文亞·貝克, 埃里克·W·德貢斯, 羅杰·R·庫蒂 申請人:劍橋納米科技公司