專利名稱：具有小芯片和遮光罩的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有基板的顯示設(shè)備，該基板具有用于控制像素陣列的分布式的獨(dú)立小芯片(chiplet)。
背景技術(shù)：
平板顯示設(shè)備與計(jì)算設(shè)備相接合廣泛用于便攜式設(shè)備中，且用于諸如電視的娛樂(lè)設(shè)備。這種顯示器通常采用分布在基板上方的多個(gè)像素以顯示圖像。各個(gè)像素包含有若干個(gè)不同顏色的發(fā)光元件(一般稱作子像素)，這些發(fā)光元件通常發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光，以表現(xiàn)各圖像元素。如本文中所使用的，像素和子像素沒(méi)有被區(qū)分且涉及單個(gè)發(fā)光元件。已知多種平板顯示技術(shù)，例如等離子體顯示器、液晶顯示器和發(fā)光二極管(LED)顯示器。包含形成發(fā)光元件的發(fā)光材料薄膜的發(fā)光二極管(LEDs)在平板顯示設(shè)備中具有很多優(yōu)勢(shì)，并且可用于光學(xué)系統(tǒng)。2002年5月7日授予Tang等人的美國(guó)專利No. 6，384，529 示出了一種包括有機(jī)LED發(fā)光元件的陣列的有機(jī)LED(OLED)彩色顯示器。另選地，可以采用無(wú)機(jī)材料，無(wú)機(jī)材料可以包括多晶半導(dǎo)體基體中的磷光晶體或量子點(diǎn)。還可以采用其他有機(jī)或無(wú)機(jī)材料薄膜來(lái)控制向發(fā)光薄膜材料的電荷注入、傳輸或阻斷，這在本領(lǐng)域中均是已知的。這些材料被布置在電極之間的基板上并且具有封裝覆蓋層或封裝覆蓋片。通常， 這些電極中的一個(gè)電極是透明的而其他的是反射式的。當(dāng)電流通過(guò)發(fā)光材料并通過(guò)透明電極時(shí)，從像素發(fā)出光并向設(shè)備外發(fā)出。如果底部電極和基板是透明的，則該設(shè)備是底部發(fā)光器。如果頂部電極和覆蓋層是透明的，則該設(shè)備是頂部發(fā)光器。所發(fā)射光的頻率取決于所使用材料的屬性。這種顯示器中，光可以通過(guò)基板(底部發(fā)光器)或者通過(guò)封裝覆蓋層(頂部發(fā)光器)發(fā)射，或者可以通過(guò)基板和封裝覆蓋層發(fā)射。眾所周知，從高指數(shù)有機(jī)層發(fā)射的光在有機(jī)層、透明電極和透明基板中(在底部發(fā)光器結(jié)構(gòu)中)被俘獲，這是由于與空氣相比這些材料具有相對(duì)高的折射系數(shù)。在有源矩陣設(shè)備中，有源控制元件由涂覆在平板基板上方的半導(dǎo)體材料薄膜(例如非晶或多晶硅)形成。通常，各子像素由一個(gè)控制元件控制并且各控制元件均包括至少一個(gè)晶體管。例如，在簡(jiǎn)單的有源矩陣有機(jī)發(fā)光(OLED)顯示器中，各控制元件包括兩個(gè)晶體管(一個(gè)選擇晶體管和一個(gè)功率晶體管)和一個(gè)電容器，該電容器用于存儲(chǔ)規(guī)定子像素亮度的電荷。各發(fā)光元件通常都采用獨(dú)立的控制電極和公共地電連接的電極。通常通過(guò)數(shù)據(jù)信號(hào)線、選擇信號(hào)線、電力連接和地連接提供對(duì)發(fā)光元件的控制。形成有源矩陣控制元件的一種常見(jiàn)的現(xiàn)有技術(shù)方法通常沉積半導(dǎo)體材料(諸如硅)的薄膜至玻璃基板上，然后通過(guò)光刻工藝使半導(dǎo)體材料形成晶體管和電容器中。硅薄膜可以是非晶的或者多晶的。由非晶硅或多晶硅制成的薄膜晶體管(TFT)與在晶體硅晶片中制得的常規(guī)晶體管相比相對(duì)較大且具有較低的性能。而且，這類薄膜器件通常在更個(gè)玻璃基板上表現(xiàn)出局部或者大面積的不均勻性，這導(dǎo)致采用這種材料的顯示器的電性能和視覺(jué)外觀的不均勻。這類有源矩陣設(shè)計(jì)中，各發(fā)光元件都需要分開(kāi)連接至驅(qū)動(dòng)電路。在薄膜中或者在晶體硅中制得的硅晶體管的行為在存在電磁輻射(包括可見(jiàn)光)的情況下發(fā)生變化。通常，將薄膜晶體管暴露于光增加了晶體管中的載流子密度，導(dǎo)致更多的電流通過(guò)晶體管。反之，這能夠增加通過(guò)發(fā)光二極管(例如有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中的發(fā)光二極管)的電流量。這些電流變化引起顯示器中的不均勻性，增加或降低的亮度或者其他不可接受的顯示器行為。 可通過(guò)在基板上形成遮光罩以遮擋晶體管免受LCD中的光照來(lái)在薄膜晶體管電路中解決該問(wèn)題，如于2003年2月25日授予Tsujimura等人的美國(guó)專利6，525，341中所公布的一樣。還公開(kāi)了用于遮擋晶體管結(jié)免受光照射的金屬柵極。于2004年6月8日授予 Fukuda的美國(guó)專利6，746，905公開(kāi)了一種遮光層，該遮光層包括位于薄膜晶體管下方的非晶碳化硅層。但是，這些結(jié)構(gòu)限于基板上的薄膜電路設(shè)計(jì)。于2003年10月21日授予Sato 的美國(guó)專利6，636，284描述了具有TFT的電光設(shè)備，該TFT包括針對(duì)IXD的上遮光罩層和下遮光罩。該上遮光罩形成在在TFT上方的柵格狀結(jié)構(gòu)中，且可以包括電容器層或者導(dǎo)電跡線(諸如數(shù)據(jù)線或電容線)。下遮光罩形成在TFT下方的基板上。該結(jié)構(gòu)要求導(dǎo)電線或者電路電容器直接位于TFT上方，因此限制了電路布局，比理想情況需要更多的處理層且在其他電路設(shè)計(jì)和電路制造工藝中不可用。采用替換的控制技術(shù)，Matusmura等人在美國(guó)專利申請(qǐng)No. 2006/0055864中描述了用于驅(qū)動(dòng)LCD顯示器的晶體硅基板。該申請(qǐng)描述了用于選擇性地將第一半導(dǎo)體基板制成的像素控制器件傳送和附加至第二平面顯示基板上的方法。示出了在像素控制器件中的布線互連和從總線和控制電極到像素控制器件的連接。但是，沒(méi)有教導(dǎo)用于防止使光暴露于這種像素控制器件中的電路的結(jié)構(gòu)或方法。因此，需要一種用于采用LED的顯示設(shè)備和高性能電路的、克服電路性能響應(yīng)于曝光而變化所引起的任何問(wèn)題的改進(jìn)的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種發(fā)光二極管顯示設(shè)備，該發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括a)透明基板；b)形成在基板上的多個(gè)像素，各像素都包括形成在透明基板上方的透明電極， 形成在透明電極上方的一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層，以及形成在該一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層上方的電極；c)在透明電極和基板之間的位于基板上方的多個(gè)小芯片，各小芯片都包括用于驅(qū)動(dòng)像素發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電路，該驅(qū)動(dòng)電路包括用于存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)電容器，并且其中對(duì)至少部分驅(qū)動(dòng)電路的光照射使得電容器泄漏電荷；d)連接墊，該連接墊形成置于驅(qū)動(dòng)電路上方的、與位于各小芯片表面上的驅(qū)動(dòng)電路分開(kāi)的第一遮光罩，并基本上遮擋至少部分驅(qū)動(dòng)電路免受照射，該連接墊電連接到驅(qū)動(dòng)電路；和e)第二遮光罩，其設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路和所述基板之間位于所述驅(qū)動(dòng)電路下方， 以遮擋部分驅(qū)動(dòng)電路免受照射。優(yōu)勢(shì)本發(fā)明優(yōu)勢(shì)在于，通過(guò)提供具有小芯片控制的發(fā)光二極管顯示器的第一遮光罩和第二遮光罩，減少了電磁干擾，并增強(qiáng)了顯示器的性能和穩(wěn)定性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有兩個(gè)遮光罩的小芯片的局部截面圖；圖2是 出了利于理解本發(fā)明的光照射的OLED驅(qū)動(dòng)電路的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的小芯片的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明可替換實(shí)施方式的小芯片的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有兩個(gè)遮光罩且示出了光線的小芯片的局部截面圖；圖6是示出了利于理解本發(fā)明的晶體硅透光性的圖；圖7是示出了利于理解本發(fā)明的晶體硅的透光性的另一圖；圖8是示出了在有源矩陣底部發(fā)射OLED設(shè)備中的小芯片驅(qū)動(dòng)電路上發(fā)光效果的圖。由于圖中各層和元件尺寸區(qū)別很大，因此附圖不是按照比例繪制的。
具體實(shí)施例方式參見(jiàn)圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括透明基板10 ； 在透明基板10上形成的多個(gè)像素5，各像素5包括形成在透明基板1上方的透明電極12， 在透明電極12上方形成的一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層14，以及在一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層上方形成的反射電極16，以在底部發(fā)光器設(shè)計(jì)中形成二極管15。在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，電極16可以是透明的，并且基板10不透明，以提供頂部發(fā)光器設(shè)計(jì)。在從顯示器的兩面發(fā)光的設(shè)計(jì)中，電極16和基板10都可以是透明的。多個(gè)小芯片20在透明電極12和透明基板10之間位于透明基板10上方，各小芯片20包括用于驅(qū)動(dòng)像素5以發(fā)射光1的驅(qū)動(dòng)電路26。參見(jiàn)圖2，在一個(gè)實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)電路26可以包括用于在電容器40中沉積電荷的選擇晶體管42。電容器40兩端的電壓控制驅(qū)動(dòng)晶體管44來(lái)驅(qū)動(dòng)OLED 46。在至少一部分驅(qū)動(dòng)電路26上的環(huán)境光照射49或者OLED 光照射48導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路26的電荷泄露，因此降低了驅(qū)動(dòng)晶體管44的驅(qū)動(dòng)電壓并因此降低了通過(guò)OLED 46的電流。其他驅(qū)動(dòng)電路在現(xiàn)有技術(shù)中是公知的，并包括在本發(fā)明中。形成與位于各小芯片20表面上的驅(qū)動(dòng)電路26分離的第一遮光罩30A的連接墊 (pad) 24置于驅(qū)動(dòng)電路26的上方，并基本上遮擋至少一部分驅(qū)動(dòng)電路26免受照射。連接墊 24與驅(qū)動(dòng)電路26電連接。第二遮光罩30B在驅(qū)動(dòng)電路26和透明基板10之間置于驅(qū)動(dòng)電路26下方，以遮擋至少一部分驅(qū)動(dòng)電路26免受照射。對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的照射包括環(huán)境光照射 49和/或來(lái)自一個(gè)或者更多個(gè)發(fā)光材料層14發(fā)射的光的OLED光照射48。各種電路元件的性能可以受光照射的影響，因此遮擋驅(qū)動(dòng)電路26的各種部件或者驅(qū)動(dòng)電路26的所有部件是有益的?？梢圆捎酶郊与娐?2來(lái)控制小芯片和像素5。在小芯片20表面可以形成連接墊24以將驅(qū)動(dòng)電路26連接至透明電極12，而附加連接墊(圖1 中未示出)可以用來(lái)從外部控制器連接配線(例如信號(hào)線和電源線及地線)至小芯片。小芯片表面可以被平坦化，并且小芯片20通過(guò)粘性平坦化層18粘附于基板10。可以在第二步驟中沉積更多的平面材料以覆蓋小芯片20。在連接墊24上方可以光刻形成過(guò)孔19，以為透明電極12提供通過(guò)粘性平坦化層18至連接墊24的通道。反射電極16對(duì)多個(gè)像素是電性共用的。在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式中可以采用各種驅(qū)動(dòng)電路26。在圖2中示出的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)中，各像素采用兩個(gè)晶體管和一個(gè)電容器。第一晶體管42響應(yīng)于信號(hào)線(例如選擇信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào))，以在電容器40中沉積電荷。第二晶體管44驅(qū)動(dòng)LED設(shè)備46響應(yīng)于存儲(chǔ)在電容器40中的電荷而發(fā)光。另選的電路例如可以采用多于兩個(gè)的晶體管和多于一個(gè) 的電容器。驅(qū)動(dòng)電路物理和電學(xué)模型已經(jīng)證明有源矩陣設(shè)計(jì)中針對(duì)LED電流的時(shí)間不均勻性的主要機(jī)制是在小芯片20的硅基板中所構(gòu)造的存儲(chǔ)電容器(例如40)中存儲(chǔ)的電荷由于驅(qū)動(dòng)電路26的環(huán)境光照射和OLED光照射而放電。因此，遮擋整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路26，尤其是遮擋使電容器40放電的任何顯著電路元件是有利的。遮擋性能因照射而變化的任何元件也是有益的。已經(jīng)證明有源矩陣驅(qū)動(dòng)電路26(如在圖2中所示出的)對(duì)即時(shí)響應(yīng)于照射。特別地，當(dāng)電荷在電容器40中沉積并且選擇信號(hào)為非有源的時(shí)，控制晶體管42在該控制晶體管 42被照射時(shí)以顯著的速度泄露電流。物理模型證明，相對(duì)于設(shè)備沒(méi)有被照射時(shí)的電荷泄露， 當(dāng)設(shè)備被照射時(shí)的電荷泄露可以增加一億的因數(shù)。該模型采用5W/cm2的623nm的光。在具有最大3V的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的二晶體管單電容器的電路中使用54fF存儲(chǔ)電容器的一種電路設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)電容器可以以約32微秒放電。當(dāng)以增加的頻率刷新存儲(chǔ)電容器40，以使得更少的時(shí)間可用于電荷泄露，LED 46發(fā)射的變化減少，顯示出電容器40中的電荷損失同樣減少。 對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管44的照射也被證明獨(dú)立于柵極電壓(或者電容器電荷)的任何變化而增加了通過(guò)OLED元件46的電流。因此，在圖2的實(shí)施方式中，通過(guò)遮擋控制晶體管42或者驅(qū)動(dòng)晶體管46，減少了由于驅(qū)動(dòng)電路照射而引起的設(shè)備性能的不希望的變化。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式，小芯片有源矩陣電路提供了極大改進(jìn)的性能，例如均勻性、響應(yīng)、頻率、電流和尺寸方面的性能。還優(yōu)選地采用平坦化層18上小芯片20上方的單配線層來(lái)減少加工步驟和成本。因此，對(duì)于表面被連接墊24大量覆蓋的小芯片20來(lái)說(shuō)，不可能用配線來(lái)遮擋小芯片20，正如上述引用的美國(guó)專利6，636，284所暗示的。此外， 也正如美國(guó)專利6，636，284所暗示的，采用金屬電容器層需要具有增加的復(fù)雜性、增加的工藝步驟和增加的成本的多層和多元件電路構(gòu)造。而且，小芯片比薄膜晶體管厚得多，而使用小金屬電容器層或者金屬晶體管柵極不會(huì)提供足夠的光線遮擋，光能夠在側(cè)面、底部或者與小芯片表面成一定角度進(jìn)入小芯片。本發(fā)明提供了適于小芯片有源矩陣電路的改進(jìn)的遮擋，該改進(jìn)的遮擋在不增加工藝步驟的情況下提供了更大程度上的遮光。因此，本發(fā)明通過(guò)同時(shí)提供更高的電學(xué)性能、降低的光照射敏感度、降低的電路布局復(fù)雜性和成本以及設(shè)備布局的增加的靈活性，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出了改進(jìn)。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式，驅(qū)動(dòng)電路26以及第一遮光罩30A和第二遮光罩30B 可置于略微不同的位置或者形成于不同的表面上或者包含不同的材料。例如，第二遮光罩 30B可以包含在基板10上經(jīng)光刻圖案化的金屬層?？商鎿Q地，第二遮光罩30B例如可以包含在基板10上圖案化的黑色樹(shù)脂層。黑色樹(shù)脂層然后可以有用地作為用于吸收入射的環(huán)境光的黑底，并由此提高顯示器設(shè)備的對(duì)比度。該黑色樹(shù)脂層也可以作為粘合劑，并將小芯片20粘附至基板10。參見(jiàn)圖3，在本發(fā)明的一個(gè)另選的實(shí)施方式中，第二遮光罩30B可以形成在小芯片20的與基板鄰近的一面。例如，金屬層可以形成在小芯片20、或者光吸收材料(諸如樹(shù)脂)或者光吸收粘合劑上。另選地，金屬層可以形成于驅(qū)動(dòng)電路26和基板10之間的小芯片中。第二遮光罩30B可以覆蓋小芯片20的整個(gè)面(如在圖3和4中所示)或者可以僅覆蓋小芯片20的一部分(如在圖1中所示)。第二遮光罩30B可以在基板10上方的至少一面上超出小芯片20而延伸(如在圖1中所顯示)，在小芯片20的任一面或者所有面超出小芯片20而延伸，因此更有效地遮擋驅(qū)動(dòng)電路26。連接墊24是不透明的(例如包含金屬或者具有金屬層)。遮光罩30A遮擋位于連接墊24下面的驅(qū)動(dòng)電路26的至少一部分。另選地，遮光罩30A可以遮擋整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路 26。通常集成電路包含用于連接電路組件(例如晶體管、電容器)的金屬，其正因?yàn)樵撃康亩徊捎?。小芯?0可以包含用于連接至外部總線的多個(gè)連接墊24，如在圖4中所示。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，基板10和平坦化粘性材料18是透明的。小芯片20 向電極12、16提供電壓差動(dòng)，使得電流流經(jīng)一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14并發(fā)光。光通過(guò)透明電極12、平坦化層18以及基板10，并從該設(shè)備發(fā)出。另選地，光可以從一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14朝向反射電極16發(fā)射出，從反射電極16反射，通過(guò)一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14，通過(guò)透明電極12、平坦化層18和基板10，并從該設(shè)備射出。因?yàn)樵撘粋€(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層有相對(duì)較高的折射率(例如1. 6至1. 7)，且透明電極有高的折射率(例如由包含折射率為1. 8至 2. 2的ΙΤ0)，光在這些層中通過(guò)全內(nèi)反射而被俘獲。此外，取決于從改一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14發(fā)射的角度，光在平坦化層18和基板10中被俘獲。平坦化層通常包含具有約為1. 5 的光學(xué)指數(shù)的透明樹(shù)脂材料，基板10通常包括玻璃并有相似的約為1. 5的光學(xué)指數(shù)。因此， 被俘獲的光能夠穿過(guò)OLED層12、14，平坦化層18，以及甚至在缺少本發(fā)明的遮光罩30A和 30B的情況下進(jìn)入到基板10中，沖擊驅(qū)動(dòng)電路26并劣化地影響電路性能。本發(fā)明提供了在存在環(huán)境光和發(fā)射光的情況下穩(wěn)定和一致的驅(qū)動(dòng)電路性能。參見(jiàn)圖5，環(huán)境光會(huì)通過(guò)基板10和小芯片20。在缺少第二遮光罩30B的情況下，環(huán)境光會(huì)入射到驅(qū)動(dòng)電路26上，使得驅(qū)動(dòng)電路26的功能取決于入射的環(huán)境光的水平。然而，根據(jù)本發(fā)明， 入射的環(huán)境光3A被第二遮光罩30B吸收或者反射。因?yàn)镺LED設(shè)備的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，入射的環(huán)境光3B還會(huì)通過(guò)來(lái)自反射電極16的反射照射驅(qū)動(dòng)電路26。第一遮光罩30A吸收反射的環(huán)境光3B。從LED設(shè)備發(fā)射的光也可以有害地照射驅(qū)動(dòng)電路26。根據(jù)本發(fā)明，從一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14發(fā)射的、會(huì)照射驅(qū)動(dòng)電路26的光2A反而由第一遮光罩30A吸收。從一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14射出的、但由于全內(nèi)反射而在基板10、透明電極12和一個(gè)或者更多個(gè)有機(jī)層14中被俘獲的、也會(huì)照射驅(qū)動(dòng)電路26的光轉(zhuǎn)而由第二遮光罩30B吸收。朝著反射電極16發(fā)出的光被反射并可以跟隨光路1、2A或者2B中的一條。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，第一遮光罩30A和第二遮光罩30B都是必要的。正如以下所述，小芯片可以采用厚度少于50、少于25微米、少于15微米、少于12微米以及甚至少于10微米的晶體硅基板。厚度約為8微米的小芯片已經(jīng)在有源_矩陣OLED顯示器中被構(gòu)造并采用。以這些厚度，晶體的厚度有相當(dāng)?shù)耐该鞫?。參?jiàn)圖6和圖7，分別針對(duì)10微米和 2微米的基板厚度圖示了晶體硅的透射光譜。取決于工藝、電路和電路22所需要的層數(shù)， 在小芯片20中形成的電路延伸進(jìn)基板達(dá)8微米或者甚至更多。因此，驅(qū)動(dòng)電路26可以物理上靠近與基板10相鄰的小芯片20側(cè)，并且入射的環(huán)境光(在缺少第二遮光罩30B的情況下)可以穿入晶體硅足夠的距離照射驅(qū)動(dòng)電路26并影響驅(qū)動(dòng)電路26的行為。同樣地， 平坦化層18是透明的，使得光1可以從該設(shè)備中射出。因?yàn)榘ㄐ⌒酒?0的晶體硅的光學(xué)指數(shù)比基板10或者平坦化層18的光學(xué)指數(shù)高，被俘獲在基板10中的、入射在小芯片20 上的光2B將進(jìn)入小芯片20，以在缺少第二遮光罩30B的情況下如虛箭頭所示照射驅(qū)動(dòng)電路 26。已經(jīng)構(gòu)造了具有小芯片像素控制的有源矩陣OLED顯示設(shè)備。小芯片具有晶體硅基板，并大約8微米厚。構(gòu)造了圖1中描述的OLED結(jié)構(gòu)，但沒(méi)有第一和第二遮光罩。發(fā)射層的光輸出已經(jīng)證明根據(jù)入射在顯示器上的環(huán)境光照射而變化。參見(jiàn)圖8，示出了由于從 OLED元件的發(fā)射而引起的OLED結(jié)構(gòu)的顯示電流(與亮度相對(duì)應(yīng))隨時(shí)間的變化。在圖8 的測(cè)試中不存在遮光罩。如圖8中所示，OLED設(shè)備電流隨時(shí)間減少了多于20%，直至它被刷新。在圖1的OLED設(shè)備中，以60Hz的刷新頻率、1. 3mA的最大顯示電流以及3. 2mA/cm2的電流密度來(lái)執(zhí)行該測(cè)試。通過(guò)更頻繁地刷新，為電容器放電提供更少的時(shí)間，對(duì)應(yīng)于隨時(shí)間更一致的光輸出而使用更大的電流。下面的表格示出了針對(duì)全幀而使用的整個(gè)設(shè)備電流。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管顯示設(shè)備，所述發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括a)透明基板；b)形成在所述基板上的多個(gè)像素，各像素包括形成在所述透明基板上方的透明電極，形成在所述透明電極上方的一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層，以及形成在所述一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層上方的電極；c)在所述透明電極和所述基板之間的位于所述基板上方的多個(gè)小芯片，各小芯片包括用于驅(qū)動(dòng)像素發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路包括用于存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)電容器，并且其中， 對(duì)所述驅(qū)動(dòng)電路的至少一部分的光照射使得所述電容器泄漏電荷；d)連接墊，所述連接墊形成置于所述驅(qū)動(dòng)電路上方的、與位于各小芯片表面上的所述驅(qū)動(dòng)電路分開(kāi)的第一遮光罩，并基本上遮擋所述驅(qū)動(dòng)電路的至少一部分免受照射，并且所述連接墊電連接到所述驅(qū)動(dòng)電路；以及e)第二遮光罩，所述第二遮光罩設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路和所述基板之間位于所述驅(qū)動(dòng)電路下方，以遮擋所述驅(qū)動(dòng)電路的至少一部分免受照射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述照射是外部發(fā)出的照向所述發(fā)光二極管顯示設(shè)備的環(huán)境光照射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述照射是由所述一個(gè)或更多個(gè)發(fā)光材料層發(fā)出的光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述第一遮光罩和所述第二遮光罩遮擋所述電容器免受照射。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述第二遮光罩包括在所述小芯片的區(qū)域中形成在所述基板上的圖案化的金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述第二遮光罩包括在所述小芯片的區(qū)域中形成在所述基板上的圖案化的黑色樹(shù)脂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述圖案化的黑色樹(shù)脂層包括粘合劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述第二遮光罩包括涂覆到所述小芯片的在所述驅(qū)動(dòng)電路和所述基板之間的面上的黑色材料層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述第二遮光罩包括在所述小芯片內(nèi)的金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述連接墊包括金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述小芯片包括硅并具有小于 50微米的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述小芯片包括硅并具有小于 25微米的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述小芯片包括硅并具有小于 15微米的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述第二遮光罩延伸出所述小芯片。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述發(fā)光二極管顯示設(shè)備是有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括控制晶體管，并且其中所述控制晶體管被所述第一遮光罩或第二遮光罩遮擋而免受照射。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還包括驅(qū)動(dòng)晶體管，并且其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管被所述第一遮光罩或第二遮光罩遮擋而免受照射。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述電極是反射性的，并且所述基板是透明的。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中，所述電極是透明的，并且所述基板是不透明的或者是透明的。
全文摘要
一種發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其包括透明基板(10)；在透明電極(12)和基板之間的位于基板上方的多個(gè)小芯片(20)，各小芯片包括用于驅(qū)動(dòng)像素(5)發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電路(26)，并包括用于存儲(chǔ)電荷的存儲(chǔ)電容器，其中對(duì)至少部分驅(qū)動(dòng)電路的光照射使得電容器泄漏電荷；連接墊(24)，該連接墊(24)形成置于驅(qū)動(dòng)電路上方的、與位于各小芯片表面上的驅(qū)動(dòng)電路分開(kāi)的第一遮光罩(30A)，并基本上遮擋至少部分驅(qū)動(dòng)電路免受照射，該連接墊電連接到驅(qū)動(dòng)電路；以及第二遮光罩，其被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路和基板之間位于驅(qū)動(dòng)電路下方，以遮擋至少部分驅(qū)動(dòng)電路免受照射。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102318070SQ201080007388
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2010年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月11日
發(fā)明者G·J·帕雷特, R·S·庫(kù)克 申請(qǐng)人:全球Oled科技有限責(zé)任公司