專利名稱：垂直式發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種垂直式發(fā)光二極管，特別是指一種可提升發(fā)光效率以及提升電流分布均勻性的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
在中國(guó)臺(tái)灣，發(fā)光二極管發(fā)展的非常迅速，不管是大至街道上的顯示廣告牌，或小至手機(jī)的指示燈，都已逐漸由LED取代傳統(tǒng)光源，原因很簡(jiǎn)單，因?yàn)檩^省電，使用壽命長(zhǎng)以及體積小...等優(yōu)點(diǎn)，然而，該發(fā)光二極管的成品與工藝雖然已趨向穩(wěn)定，但還是會(huì)有缺失，如圖4及圖5所示，為公知的發(fā)光二極管使用狀態(tài)圖，例如一 P型外延層61、一發(fā)光層 62、一 N型外延層63、一緩沖層64、一基板65、一 P型電極66以及一 N型電極67，其晶粒制作為在基板65上以有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法依序外延成長(zhǎng)該緩沖層64、N型外延層63、發(fā)光層62以及P型外延層61，最后再電性耦合P型電極66以及N型電極67，完成整個(gè)工藝， 其中，該P(yáng)型電極66呈米字型661，該P(yáng)型電極66的焊點(diǎn)662設(shè)置在米字型661的中心區(qū)域，接著要進(jìn)行封裝，將該發(fā)光二極管固定于一座體4內(nèi)，該座體4內(nèi)設(shè)有至少二導(dǎo)線架41， 且該至少二導(dǎo)線架41延伸至該座體4外，利用金線5的兩端分別與P型電極66及導(dǎo)線架 41焊接，由于金線5與P型電極66互相焊接的位置位于發(fā)光二極管的中心區(qū)域，當(dāng)發(fā)光二極管在發(fā)光時(shí)，會(huì)因?yàn)榻鹁€5遮蔽而產(chǎn)生陰影，導(dǎo)致發(fā)光效率減弱。因此，如何設(shè)計(jì)出一種發(fā)光二極管在發(fā)光時(shí)，可讓提升發(fā)光效率的本實(shí)用新型，為本實(shí)用新型創(chuàng)作人所亟欲解決的一大課題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種高功率垂直式發(fā)光二極管，以提高發(fā)光效率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的一種垂直式發(fā)光二極管，其包括一外延芯片；— P型電極，形成于該外延芯片上，該P(yáng)型電極與該外延芯片電性耦合，該P(yáng)型電極設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，各該焊點(diǎn)位在該外延芯片的周緣；以及一 N型電極，形成于該外延芯片上，該N型電極與該外延芯片電性耦合。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中該外延芯片由P型外延層、發(fā)光層以及N型外延層由上而下依序結(jié)合而成。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中該P(yáng)型電極設(shè)置于P型外延層表面。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中該P(yáng)型外延層為鋁砷化鎵層。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中N型電極設(shè)置于N型外延層的底面。所述的垂直式發(fā)光二極管，其中該N型外延層為鋁砷化鎵層。本實(shí)用新型的效果是1)由P型電極的特殊設(shè)計(jì)，使得金線與P型電極連結(jié)的位置在外延芯片的周緣，可減少遮光，亦可縮短金線的使用長(zhǎng)度，以達(dá)到提升發(fā)光效率及降低成本的功效。
3[0016]2)由P型電極呈網(wǎng)狀線路的特殊設(shè)計(jì)，以達(dá)到提升電流分布均勻性的功效。
圖1為本實(shí)用新型的高功率垂直式發(fā)光二極管的主視圖。圖2為本實(shí)用新型的高功率垂直式發(fā)光二極管的俯視圖。圖3為本實(shí)用新型的高功率垂直式發(fā)光二極管的使用狀態(tài)圖。圖4為公知的發(fā)光二極管的俯視圖。圖5為公知的發(fā)光二極管的使用狀態(tài)圖。附圖中主要組件符號(hào)說明1-外延芯片；Il-P型外延層；12-發(fā)光層；13-N型外延層；2_P型電極；21-網(wǎng)狀線路；22-焊點(diǎn)；3-N型電極；4-座體；41-導(dǎo)線架；5-金線；61-P型外延層；62-發(fā)光層；63-N 型外延層；6-緩沖層；65-基板；66-P型電極；661-米字型；662-焊點(diǎn)；67-N型電極。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供的高功率垂直式發(fā)光二極管，包括一外延芯片、一 P型電極以及一 N型電極，該P(yáng)型電極形成于該外延芯片上，該P(yáng)型電極與該外延芯片電性耦合，該P(yáng)型電極呈網(wǎng)狀線路，該P(yáng)型電極設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，各該焊點(diǎn)位在該外延芯片的周緣，該N型電極形成于該外延芯片上，該N型電極與該外延芯片電性耦合，在封裝時(shí)，因金線(或其它金屬導(dǎo)線)的一端與該P(yáng)型電極的焊點(diǎn)連結(jié)，該金線的另一端與導(dǎo)線架連結(jié)，該金線則座落在該外延芯片的周緣，于是當(dāng)本實(shí)用新型發(fā)光時(shí)，因無(wú)金線遮蔽，可減少遮光，提升發(fā)光效率， 同時(shí)也縮短金線的使用長(zhǎng)度，可降低成本，并且也因該P(yáng)型電極的網(wǎng)狀線路設(shè)計(jì)，以達(dá)到電流分布均勻的功效。為了能夠更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征、特點(diǎn)和技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，惟附圖僅提供參考與說明用，非用以限制本實(shí)用新型。請(qǐng)參閱圖1及圖2所示，為本實(shí)用新型高功率垂直式發(fā)光二極管的主視圖及俯視圖，該高功率垂直式發(fā)光二極管包括一外延芯片1、一 P型電極2 (P Electrode)以及一 N 型電極 3 (N Electrode)。該外延芯片1具有一 P型外延層11、一發(fā)光層12以及一 N型外延層13，是由上而下依序結(jié)合而成(亦可由不型態(tài)的外延層形成，不以此為限)，該P(yáng)型電極2形成于該外延芯片1上，該P(yáng)型電極2與該外延芯片1電性耦合，該P(yáng)型電極2呈網(wǎng)狀線路21，該P(yáng)型電極2設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊點(diǎn)22，各該焊點(diǎn)22是位于該外延芯片1的周緣，該N型電極3形成于該外延芯片1上，該N型電極3與該外延芯片1電性耦合。其中，該P(yáng)型電極2設(shè)置在P型外延層11表面，該P(yáng)型外延層11可為鋁砷化鎵層 (AlGaAs P Epi. Layer)，該N型電極3設(shè)置在N型外延層13的底面，該N型外延層13為鋁砷化鎵層(AlGaAs N Epi. Layer)。請(qǐng)參閱圖2及圖3所示，為本實(shí)用新型高功率垂直式發(fā)光二極管的使用狀態(tài)圖， 是于本實(shí)用新型高功率垂直式發(fā)光二極管制作完成后進(jìn)行封裝工藝，將該高功率垂直式發(fā)光二極管固定于一座體4內(nèi)，該座體4內(nèi)設(shè)有至少二導(dǎo)線架41，該至少二導(dǎo)線架41延伸至該座體4外，再將金線(或其它金屬導(dǎo)線)5的一端連結(jié)到本實(shí)用新型的P型電極2的焊點(diǎn)22，該金線5的另一端則與導(dǎo)線架41連結(jié)，最后模造是利用環(huán)氧樹脂(印oxy)、硅膠 (silicone)、陶瓷或其它等效的材料將該高功率垂直式發(fā)光二極管及導(dǎo)線架4封裝，由于金線5是與位于外延芯片1的周緣的焊點(diǎn)22連結(jié)，有別于公知技術(shù)，以致該發(fā)光二極管發(fā)光時(shí)，不會(huì)有該金線5的遮蔽而產(chǎn)生的陰影，減少遮光，以達(dá)提升發(fā)光效率的功效，同時(shí)也縮短金線的使用長(zhǎng)度，可降低成本。綜上所述，本實(shí)用新型的高功率垂直式發(fā)光二極管的特點(diǎn)在于由P型電極2的特殊設(shè)計(jì)，使得金線5與P型電極2連結(jié)的位置在外延芯片1的周緣，可減少遮光，亦可縮短金線的使用長(zhǎng)度，以達(dá)到提升發(fā)光效率及降低成本的功效，再由P 型電極2呈網(wǎng)狀線路21的特殊設(shè)計(jì)，以達(dá)到提升電流分布均勻性的功效。以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例而已，非因此即局限本實(shí)用新型的專利范圍，舉凡運(yùn)用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所為的等效結(jié)構(gòu)變化，均理同包含于本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種垂直式發(fā)光二極管，其特征在于，包括 一夕卜延芯片；一 P型電極，形成于該外延芯片上，該P(yáng)型電極與該外延芯片電性耦合，該P(yáng)型電極設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，各該焊點(diǎn)位在該外延芯片的周緣；以及一 N型電極，形成于該外延芯片上，該N型電極與該外延芯片電性耦合。
2.如根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其特征在于，其中該外延芯片由P型外延層、發(fā)光層以及N型外延層由上而下依序結(jié)合而成。
3.如根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直式發(fā)光二極管，其特征在于，其中該P(yáng)型電極設(shè)置于P 型外延層表面。
4.如根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其特征在于，其中該P(yáng)型外延層為鋁砷化鎵層。
5.如根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直式發(fā)光二極管，其特征在于，其中N型電極設(shè)置于N型外延層的底面。
6.如根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直式發(fā)光二極管，其特征在于，其中該N型外延層為鋁砷化鎵層。
專利摘要一種垂直式發(fā)光二極管，包括一外延芯片、一P型電極以及一N型電極，該P(yáng)型電極形成于該外延芯片上，該P(yáng)型電極與該外延芯片電性耦合，該P(yáng)型電極呈網(wǎng)狀線路，該P(yáng)型電極設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)焊點(diǎn)，各該焊點(diǎn)位在該外延芯片的周緣，該N型電極形成于該外延芯片上，該N型電極與該外延芯片電性耦合，在封裝時(shí)，因金線的一端與該P(yáng)型電極的焊點(diǎn)連結(jié)，該金線(或其它金屬導(dǎo)線)的另一端與導(dǎo)線架連結(jié)，該金線則座落在該外延芯片的周緣，于是當(dāng)本實(shí)用新型發(fā)光時(shí)，因無(wú)金線遮蔽，可減少遮光，亦可縮短金線的使用長(zhǎng)度，以達(dá)到提升發(fā)光效率及降低成本的功效，并且也因該P(yáng)型電極的網(wǎng)狀線路設(shè)計(jì)，以達(dá)到電流分布均勻的功效。
文檔編號(hào)H01L29/06GK201946600SQ20102069614
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者楊政達(dá), 溫祥一, 龔正 申請(qǐng)人:鼎元光電科技股份有限公司