一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，LED芯片封裝企業(yè)及LED芯片制造商在做成品失效分析時，一般采用化學(xué)溶液如濃硫酸、DY711及丙酮等對LED封裝膠體進行加熱腐蝕，解剖LED封裝成品，取出LED芯片進行后續(xù)失效分析，如圖1a至圖1f所示。所述加熱腐蝕法操作流程如下:以直插式LED單燈為例，如圖1a所示，先將插式LED單燈10固定；將固定后的直插式LED單燈10插入燒杯20，如圖1b所示；在燒杯20中加入化學(xué)溶液30，使得LED單燈10頂部膠體101接觸化學(xué)溶液，如圖1c所示；加熱化學(xué)溶液30，腐蝕LED單燈10頂部接觸化學(xué)溶液的封裝膠體101，如圖1d所示:漏出芯片102，如圖1e所示，取出芯片102，如圖1f所示。然而，所述加熱腐蝕解剖LED芯片方法存在以下缺陷:
[0003]—，采用化學(xué)溶液腐蝕，對封裝成品時間把握要求上比較精準(zhǔn)，把握不準(zhǔn)溶液將腐蝕LED芯片，導(dǎo)致解剖失敗，且僅適合直插式LED單燈封裝成品，而不適用于大功率LED、數(shù)碼管LED和點陣LED等。
[0004]二，化學(xué)溶液容易對操作人員造成傷害，要求操作人員解剖過程需做好防護，且化學(xué)溶液需妥善處理。
[0005]三，化學(xué)溶液容易腐蝕并損傷LED芯片外觀、表面PV保護層，芯片PN結(jié)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)漏電、Vf異常、亮度異常等現(xiàn)象，對后續(xù)進一步分析造成嚴(yán)重影響。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型的目的在于提供一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，以減少損傷LED芯片，提高失效異常分析的準(zhǔn)確性，同時提高LED芯片解剖效率。
[0007]為達(dá)成上述目的，本實用新型的解決方案為:
[0008]—種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，包括操作平臺、調(diào)溫加熱臺及體視顯微鏡；操作平臺設(shè)置加熱板，該加熱板與調(diào)溫加熱臺電連接，加熱板加熱發(fā)光二極管表面封裝膠體；操作平臺置于體視顯微鏡的視場范圍中。
[0009]進一步，還包括砂輪機，砂輪機用于將發(fā)光二極管表面封裝膠體打磨至接近封裝支架Imm處。
[0010]進一步，還包括鑷子，鑷子用于將加熱后發(fā)光二極管打磨后的LED芯片上方的封裝膠體撬出，在繼續(xù)加熱狀態(tài)下將封裝膠體下壓剝開LED芯片，鑷子取下LED芯片。
[0011]進一步，操作平臺包括底座和加熱臺，加熱臺安裝在底座上，加熱臺為隔熱材料，加熱板設(shè)置于加熱臺中間。
[0012]進一步，在加熱板上設(shè)置供發(fā)光二極管管腳插入的插孔。
[0013]—種發(fā)光二極管失效分析解剖方法，包括以下步驟:
[0014]步驟一，將發(fā)光二極管外部封裝膠體打磨至距封裝支架1_處；
[0015]步驟二，將打磨后發(fā)光二極管置于操作平臺加熱板加熱，將外部封裝膠體加熱；
[0016]步驟三，開啟調(diào)溫加熱臺進行加熱，溫度設(shè)置為250°C，加熱時間30S以上；
[0017]步驟四，封裝膠體受熱松軟后，將LED芯片上方打磨區(qū)域的封裝膠體撬出；
[0018]步驟五，LED芯片包裹在撬下取出的封裝膠體中，將撬下的封裝膠體放在操作平臺上繼續(xù)加熱，溫度設(shè)置為200°C，時間為15S，沿LED芯片四邊的封裝膠體向下壓，LED芯片從封裝膠體中彈出，將LED芯片取下。
[0019]進一步，解剖取出后的LED芯片置于高倍顯微鏡對進行外觀觀察，使用數(shù)字電源表和LED芯片點測機進行光電參數(shù)量測。
[0020]進一步，解剖直插式LED單燈時，操作平臺加熱板上設(shè)置插孔，直插式LED單燈的管腳插入插孔中。
[0021 ] 進一步，解剖大功率LED、數(shù)碼管LED和點陣LED時，使用砂輪機對其外部封裝膠體進行打磨處理后，再直接置于操作平臺加熱板上。
[0022]進一步，使用砂輪機將發(fā)光二極管外部封裝膠體打磨至距封裝支架1_處。
[0023]進一步，封裝膠體受熱松軟后，使用鑷子將LED芯片上方打磨區(qū)域的封裝膠體撬出；LED芯片包裹在鑷子撬下取出的封裝膠體中，將撬下的封裝膠體放在操作平臺上繼續(xù)加熱，溫度設(shè)置為200°C，時間為15S，鑷子沿LED芯片四邊的封裝膠體向下壓，LED芯片從封裝膠體中彈出，使用鑷子將LED芯片取下。
[0024]采用上述方案后，本實用新型在解剖LED芯片時，解剖操作速度快，全部解剖用時約5分鐘；解剖無需使用化學(xué)溶液，使用機械和物理解剖方法，解剖成功率較高，可達(dá)90%以上；可以適用于不同類型的發(fā)光二極管，如直插式LED單燈、大功率LED、數(shù)碼管LED和點陣LED 等。
【附圖說明】
[0025]圖1a至圖1f為現(xiàn)有技術(shù)LED芯片解剖流程圖；
[0026]圖2為本實用新型解剖裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3a至圖3f為本實用新型LED芯片解剖流程圖。
[0028]標(biāo)號說明
[0029]LED 單燈 10膠體 101
[0030]芯片102燒杯2O
[0031]化學(xué)溶液30
[0032]操作平臺I加熱板11
[0033]底座12加熱臺13
[0034]插孔14調(diào)溫加熱臺2
[0035]體視顯微鏡3發(fā)光二極管4
[0036]膠體41封裝支架42
[0037]LED 芯片 43。
【具體實施方式】
[0038]以下結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型做詳細(xì)描述。
[0039]參閱圖2及圖3所示，本實用新型揭示的一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，包括砂輪機(圖中未示出)、操作平臺1、調(diào)溫加熱臺2、體視顯微鏡3及鑷子。
[0040]砂輪機用于將發(fā)光二極管4表面封裝膠體41打磨至接近封裝支架(42)Imm處；操作平臺I設(shè)置加熱板11，該加熱板11與調(diào)溫加熱臺2通過導(dǎo)線電連接，打磨后發(fā)光二極管4置于加熱板11加熱；操作平臺I置于體視顯微鏡3的視場范圍中；鑷子用于將加熱后發(fā)光二極管4打磨后的LED芯片43上方的封裝膠體41撬出，在繼續(xù)加熱狀態(tài)下將封裝膠體41下壓剝開LED芯片43，鑷子用于取下LED芯片43。
[0041]如圖2所示，操作平臺I包括底座12和加熱臺13，加熱臺13安裝在底座12上，加熱臺13為隔熱材料，加熱板11設(shè)置于加熱臺12中間。
[0042]為適于解剖直插式LED單燈，在加熱板11上設(shè)置供發(fā)光二極管4管腳插入的插孔。
[0043]如圖3a至圖3f所示，本實用新型還公開一種發(fā)光二極管失效分析解剖方法，包括以下步驟:
[0044]步驟一，使用砂輪機將發(fā)光二極管4外部封裝膠體41打磨至距封裝支架(42) Imm處，如圖3a及圖3b所示。
[0045]步驟二，將打磨后發(fā)光二極管4置于操作平臺I加熱板11加熱，將外部封裝膠體42加熱，如圖3c所示。解剖直插式LED單燈時，操作平臺I加熱板11上設(shè)置插孔14，直插式LED單燈的管腳插入插孔14中。解剖大功率LED、數(shù)碼管LED和點陣LED時，直接置于操作平臺I加熱板11上。
[0046]步驟三，開啟調(diào)溫加熱臺2進行加熱，溫度設(shè)置為250°C，加熱時間30S以上。
[0047]步驟四，封裝膠體41受熱松軟后，使用鑷子將LED芯片43上方打磨區(qū)域的封裝膠體41撬出，如圖3d所示。
[0048]步驟五，LED芯片43包裹在鑷子撬下取出的封裝膠體41中，將撬下的封裝膠體41放在操作平臺上繼續(xù)加熱，溫度設(shè)置為200°C，時間為15S，鑷子沿LED芯片43四邊的封裝膠體41向下壓，LED芯片43從封裝膠體41中彈出，使用鑷子將LED芯片43取下，如圖3f所示。
[0049]解剖取出后的LED芯片置于高倍顯微鏡對進行外觀觀察，使用數(shù)字電源表和LED芯片點測機進行光電參數(shù)量測。
[0050]本實用新型在解剖LED芯片時，解剖操作速度快，全部解剖用時約5分鐘；解剖無需使用化學(xué)溶液，使用機械和物理解剖方法，解剖成功率較高，可達(dá)90%以上；可以適用于不同類型的發(fā)光二極管，如直插式LED單燈、大功率LED、數(shù)碼管LED和點陣LED等。
[0051]以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非對本案設(shè)計的限制，凡依本案的設(shè)計關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，其特征在于，包括操作平臺、調(diào)溫加熱臺及體視顯微鏡；操作平臺設(shè)置加熱板，該加熱板與調(diào)溫加熱臺電連接，加熱板加熱發(fā)光二極管表面封裝膠體；操作平臺置于體視顯微鏡的視場范圍中。2.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，其特征在于，還包括砂輪機，砂輪機用于將發(fā)光二極管表面封裝膠體打磨至接近封裝支架1_處。3.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，其特征在于，還包括鑷子，鑷子用于將加熱后發(fā)光二極管打磨后的LED芯片上方的封裝膠體撬出，在繼續(xù)加熱狀態(tài)下將封裝膠體下壓剝開LED芯片，鑷子取下LED芯片。4.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，其特征在于，操作平臺包括底座和加熱臺，加熱臺安裝在底座上，加熱臺為隔熱材料，加熱板設(shè)置于加熱臺中間。5.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，其特征在于，在加熱板上設(shè)置供LED芯片管腳插入的插孔。
【專利摘要】本實用新型公開一種發(fā)光二極管失效分析解剖裝置，包括操作平臺、調(diào)溫加熱臺及體視顯微鏡；操作平臺設(shè)置加熱板，該加熱板與調(diào)溫加熱臺電連接，加熱板加熱發(fā)光二極管表面封裝膠體；操作平臺置于體視顯微鏡的視場范圍中。本實用新型可以減少損傷LED芯片，提高失效異常分析的準(zhǔn)確性，同時提高LED芯片解剖效率。
【IPC分類】H01L33/00, H01L21/66, G01R31/26
【公開號】CN204882806
【申請?zhí)枴緾N201520562302
【發(fā)明人】趙東陽, 林榮鋒, 王新華
【申請人】廈門乾照光電股份有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月30日