專(zhuān)利名稱(chēng)：平板反置式陶瓷外殼的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種外殼，尤其是涉及一種適合GTO、IGBT、IGCT等高端器件封裝 用的平板反置式陶瓷外殼，屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
平板形陶瓷外殼的基本特點(diǎn)是外殼與散熱器平面接觸實(shí)現(xiàn)雙面散熱，因而適合于 大電流和特大電流器件。平板形陶瓷外殼一般由作為陰極端的上蓋和陽(yáng)極端的陶瓷底座組 成。上蓋由墊置管芯的陰極電極和法蘭組成，陶瓷底座由墊置管芯的陽(yáng)極電極、瓷環(huán)、陽(yáng)極 密封環(huán)、門(mén)極引線管和法蘭組成。對(duì)于三端器件來(lái)說(shuō)，陰極電極上帶有門(mén)極定位孔和門(mén)極引 線槽，裝配時(shí)定置于上蓋陰極電極門(mén)極定位孔內(nèi)的門(mén)極，通過(guò)門(mén)極引線與穿接于陶瓷底座 瓷環(huán)上的門(mén)極引線管相連接。對(duì)于普通晶閘管和整流管，門(mén)極組件比較單一，這種結(jié)構(gòu)還是可以滿足封裝要求 的。但近年來(lái)，GT0、IGBT、IGCT等全控型高端器件得到快速發(fā)展，這些高端器件的門(mén)極觸發(fā) 結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜。像GTO采用硬引線連接以承受較大電流，IGBT都采用多芯片組合封裝、多 門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)，IGCT采用集成門(mén)極觸發(fā)等。原來(lái)的門(mén)極置于上蓋電極上的結(jié)構(gòu)已很難保證 裝配的準(zhǔn)確性，需要有一種新的結(jié)構(gòu)來(lái)適應(yīng)高端器件的封裝要求。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種可滿足高端器件封裝要求的平板 反置式陶瓷外殼。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種平板反置式陶瓷外殼，包含有陶瓷底座和 上蓋，所述上蓋蓋置于陶瓷底座上，所述陶瓷底座包含有陰極法蘭、瓷環(huán)、陰極密封環(huán)、陰極 電極、門(mén)極引線管和陰極引出端，所述陰極密封環(huán)內(nèi)緣同心焊接在陰極電極的外緣中間，所 述陰極密封環(huán)外緣同心焊接在瓷環(huán)的下端面，所述陰極法蘭同心焊接在瓷環(huán)的上端面，陰 極法蘭、瓷環(huán)和陰極密封環(huán)自上至下疊合同心焊接，所述陰極電極上開(kāi)有門(mén)極定位孔和引 線槽，所述門(mén)極引線管穿接于瓷環(huán)的殼壁上，且與陰極電極的引線槽對(duì)齊，所述陰極引出端 水平焊接于陰極密封環(huán)的外壁上，且位于瓷環(huán)下方；所述上蓋包含有陽(yáng)極電極和陽(yáng)極法蘭，陽(yáng)極法蘭同心焊接在陽(yáng)極電極的外緣上。本實(shí)用新型平板反置式陶瓷外殼，所述瓷環(huán)上設(shè)置有裙筋。本實(shí)用新型的有益效果是上蓋作為陽(yáng)極端，陶瓷底座作為陰極端，與普通外殼相反。門(mén)極定位孔和引線槽設(shè) 置于陶瓷底座的陰極電極上，且引線槽與瓷環(huán)上的門(mén)極引線管對(duì)齊，這樣所有門(mén)極組件都 可以在陶瓷底座上完成裝配，大大降低了裝配的復(fù)雜程度，提高了裝配的準(zhǔn)確率，因此特別 適合復(fù)雜門(mén)極結(jié)構(gòu)的GTO、IGBT、IGCT等高端器件的封裝要求。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型陶瓷底座結(jié)構(gòu)示意圖。圖中陰極法蘭1、瓷環(huán)2、瓷環(huán)裙筋2-1、陰極密封環(huán)3、陰極電極4、門(mén)極定位孔 4-1、引線槽4-2、門(mén)極引線管5、陰極引出端6、陽(yáng)極電極7、陽(yáng)極法蘭8。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型涉及一種平板反置式陶瓷外殼，包含有陶瓷底座和上蓋，所 述上蓋蓋置于陶瓷底座上；參圖1和圖2，所述陶瓷底座包含有陰極法蘭1、瓷環(huán)2、陰極密封環(huán)3、陰極電極4、 門(mén)極引線管5和陰極引出端6，陰極密封環(huán)3內(nèi)緣同心焊接在陰極電極4的外緣中間，所述 陰極密封環(huán)3外緣同心焊接在瓷環(huán)2的下端面，陰極法蘭1同心焊接在瓷環(huán)2的上端面，陰 極法蘭1、瓷環(huán)2和陰極密封環(huán)3自上至下疊合同心焊接，所述陰極電極4上開(kāi)有門(mén)極定位 孔4-1和引線槽4-2，所述門(mén)極引線管5穿接于瓷環(huán)的殼壁上，且與陰極電極4的引線槽4-2 對(duì)齊，所述瓷環(huán)2上帶有增加爬電距離的裙筋2-1，所述陰極引出端6水平焊接于陰極密封 環(huán)3的外壁上，且位于瓷環(huán)2下方。所述上蓋包含有陽(yáng)極電極7和陽(yáng)極法蘭8，陽(yáng)極法蘭8同心焊接在陽(yáng)極電極7的外緣上。
權(quán)利要求一種平板反置式陶瓷外殼，包含有陶瓷底座和上蓋，所述上蓋蓋置于陶瓷底座上，其特征在于所述陶瓷底座包含有陰極法蘭(1)、瓷環(huán)(2)、陰極密封環(huán)(3)、陰極電極(4)、門(mén)極引線管(5)和陰極引出端(6)，所述陰極密封環(huán)(3)內(nèi)緣同心焊接在陰極電極(4)的外緣中間，所述陰極密封環(huán)(3)外緣同心焊接在瓷環(huán)(2)的下端面，所述陰極法蘭(1)同心焊接在瓷環(huán)(2)的上端面，陰極法蘭(1)、瓷環(huán)(2)和陰極密封環(huán)(3)自上至下疊合同心焊接，所述陰極電極(4)上開(kāi)有門(mén)極定位孔(4 1)和引線槽(4 2)，所述門(mén)極引線管(5)穿接于瓷環(huán)的殼壁上，且與陰極電極(4)的引線槽(4 2)對(duì)齊，所述陰極引出端(6)水平焊接于陰極密封環(huán)(3)的外壁上，且位于瓷環(huán)(2)下方；所述上蓋包含有陽(yáng)極電極(7)和陽(yáng)極法蘭(8)，陽(yáng)極法蘭(8)同心焊接在陽(yáng)極電極(7)的外緣上。
2.如權(quán)利要求1所述一種平板反置式陶瓷外殼，其特征在于所述瓷環(huán)(2)上設(shè)置有 裙筋(2-1)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種平板反置式陶瓷外殼，包含有陶瓷底座和上蓋，所述上蓋蓋置于陶瓷底座上，所述陶瓷底座包含有陰極法蘭(1)、瓷環(huán)(2)、陰極密封環(huán)(3)、陰極電極(4)、門(mén)極引線管(5)和陰極引出端(6)，所述陰極密封環(huán)(3)內(nèi)緣同心焊接在陰極電極(4)的外緣中間，所述陰極密封環(huán)(3)外緣同心焊接在瓷環(huán)(2)的下端面，所述陰極法蘭(1)同心焊接在瓷環(huán)(2)的上端面；所述上蓋包含有陽(yáng)極電極(7)和陽(yáng)極法蘭(8)，陽(yáng)極法蘭(8)同心焊接在陽(yáng)極電極(7)的外緣上。本實(shí)用新型平板反置式陶瓷外殼，可滿足高端器件封裝要求。
文檔編號(hào)H01L29/739GK201725786SQ20102024016
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月24日
發(fā)明者徐宏偉, 陳國(guó)賢, 陳蓓璐 申請(qǐng)人:江陰市賽英電子有限公司