專利名稱：結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電器元件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高 壓大電流膜箔式電容器。
背景技術(shù)：
目前，高頻高壓大電流膜箔式電容器一般為內(nèi)2串的結(jié)構(gòu)，其芯子由一單面雙 留邊金屬化膜層，一金屬箔層，至少一生膜層疊繞而成，如圖1、圖2和圖3所示。其 中，金屬箔層由兩個橫向并排放置的金屬箔組成，兩個金屬箔之間留有一空隙。這種膜箔式電容器結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)方便，但存在著如下缺點1、兩個金屬箔之間存在空隙比較大，使得芯子、成品的外型上正對內(nèi)部空隙位 置的表面上有一道明顯的凹痕，且當(dāng)電容器工作在高電壓或大電流的條件下時，在其內(nèi) 部空隙部位容易產(chǎn)生電離甚至飛弧閃火，導(dǎo)致產(chǎn)品絕緣介質(zhì)老化或燒蝕，可靠性和壽命 下降；2、電容器的內(nèi)串?dāng)?shù)少，只有兩串，芯子端頭引出金屬電極面積比較小，因此， 不能滿足大功率開關(guān)電源、可控硅換向、鎮(zhèn)流器逆變和節(jié)能燈諧振電路等超大dv/dt、di/ dt變化和高工作頻率的要求；3、電容器的額定交流工作電壓較低，一般最高為500Vac(50Hz)。目前，用于消除或減小這個芯子內(nèi)部空隙的主要辦法是將芯子放入專用設(shè) 備中抽真空后再浸漬液態(tài)環(huán)氧來填充空隙，由于這種芯子一般為扁型，中部區(qū)域內(nèi)空隙 大，兩側(cè)部位層間接觸比較緊密，用浸漬料來填充空隙的期望遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能達(dá)到要求。為解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本實用新型提供了一種新的解決方案。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的問題是如何提供一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜 箔式電容器，該膜箔式電容器不僅可以基本消除現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器中兩金屬箔 間存在的氣隙和電容器表面上的凹痕，而且可以提高膜箔式電容器交流工作電壓、載流 能力、抗電離能力和工作頻率，以滿足大功率電力電子線路發(fā)展對電容器承受dv/dt的能 力、承受di/dt的能力和工作頻率要求高的需求。為達(dá)到上述發(fā)明目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案為提供一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)的 4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、封裝在殼體或環(huán)氧包封層內(nèi)的 芯子、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的引出線組成；其特征在于所述芯子采用 無感式卷繞結(jié)構(gòu)；所述芯子的卷繞層的橫截面由自上而下至少三個結(jié)構(gòu)層組成；其中， 第一結(jié)構(gòu)層由橫向并排放置的兩個金屬箔和一個雙面雙留邊金屬化膜組成；第二結(jié)構(gòu)層 由生膜組成；第三結(jié)構(gòu)層由單面雙留邊中留邊金屬化膜組成；所述第一結(jié)構(gòu)層中兩個金 屬箔橫向并排對稱設(shè)置在雙面雙留邊金屬化膜的兩側(cè)，金屬箔一端與雙面雙留邊金屬化 膜緊靠在一起，另一端露在生膜外。[0011]在上述芯子結(jié)構(gòu)中，第一結(jié)構(gòu)層和第二結(jié)構(gòu)層相對位置不變時，把第三結(jié)構(gòu)層 移到第一結(jié)構(gòu)層上面后組成的產(chǎn)品，其特性更佳。按照本實用新型所提供的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特 征在于所述芯子中在第三結(jié)構(gòu)層下方還設(shè)置有一第四結(jié)構(gòu)層；所述第四結(jié)構(gòu)層為生膜層。按照本實用新型所提供的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特 征在于所述第二結(jié)構(gòu)層由兩個生膜層疊合而成。按照本實用新型所提供的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特 征在于所述引出線的橫截面呈圓形或矩形結(jié)構(gòu)。綜上所述，本實用新型所提供的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器 不僅可以基本消除現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器中兩金屬箔之間存在的氣隙和電容器上的 凹痕，而且可以提高膜箔式電容器交流工作電壓、載流能力、抗電離能力和工作頻率， 以滿足大功率電力電子線路發(fā)展對電容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能力和工作頻 率要求高的需求。

圖1為現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器的第一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器的第二種結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器的第三種結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的第三種結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖4、圖5和圖6中的電容器的電氣原理圖；圖8為結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的芯子引出方式示意圖。其中，1、金屬箔；2、雙面雙留邊金屬化膜；3、生膜；4、空隙；5、單面雙 留邊中留邊金屬化膜；6、引出線；7、芯子。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式
進(jìn)行詳細(xì)地描述如圖4、圖8所示，該結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器由殼體或環(huán) 氧包封層、封裝在殼體或環(huán)氧包封層內(nèi)的芯子7、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的 引出線6組成；其特征在于所述芯子7采用無感式卷繞結(jié)構(gòu)；所述芯子7的卷繞層的 橫截面由自上而下至少三個結(jié)構(gòu)層組成；其中，第一結(jié)構(gòu)層由橫向并排放置的兩個金屬 箔1和一個雙面雙留邊金屬化膜2組成；第二結(jié)構(gòu)層由生膜3組成；第三結(jié)構(gòu)層由單面雙 留邊中留邊金屬化膜5組成；所述第一結(jié)構(gòu)層中兩個金屬箔1橫向并排對稱設(shè)置在雙面雙 留邊金屬化膜2的兩側(cè)，金屬箔1一端與雙面雙留邊金屬化膜2緊靠在一起，另一端露在 生膜3外。如圖5和圖6所示，芯子中在第三結(jié)構(gòu)層下方還可以設(shè)置有一層生膜3。如圖6所示，芯子中的第二結(jié)構(gòu)層也可以是由兩層生膜3疊合而成的。如圖8所示，該結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的引出線6的橫截面呈圓形或矩形結(jié)構(gòu)。在第一結(jié)構(gòu)層和第二結(jié)構(gòu)層相對位置不變時，把第三結(jié)構(gòu)層移到第一結(jié)構(gòu)層上 面后組成的產(chǎn)品，其特性更佳。該結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器經(jīng)卷繞工序形成電容器芯子， 再經(jīng)熱壓或冷壓、熱處理、掩膜、噴金、解帶去毛刺、賦能焊接、涂硅、預(yù)烘浸漬固 化、涂覆修腳固化或裝殼灌注固化、打印、外檢、撕帶、分選等工藝形成成品。該結(jié)構(gòu) 改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器比國內(nèi)類似領(lǐng)先產(chǎn)品C14(CBB81)擴(kuò)大了產(chǎn)品容 量和額定工作電壓范圍，見表1和表2，比國際類似領(lǐng)先產(chǎn)品KP.R73擴(kuò)大了電壓范圍和 提高了 dv/dt指標(biāo)，見表3。表 權(quán)利要求1.一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、封裝在 殼體或環(huán)氧包封層內(nèi)的芯子、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的引出線組成；其特 征在于所述芯子采用無感式卷繞結(jié)構(gòu)；所述芯子的卷繞層的橫截面由自上而下至少三 個結(jié)構(gòu)層組成；其中，第一結(jié)構(gòu)層由橫向并排放置的兩個金屬箔和一個雙面雙留邊金屬 化膜組成；第二結(jié)構(gòu)層由生膜組成；第三結(jié)構(gòu)層由單面雙留邊中留邊金屬化膜組成；所 述第一結(jié)構(gòu)層中兩個金屬箔橫向并排對稱設(shè)置在雙面雙留邊金屬化膜的兩側(cè)，金屬箔一 端與雙面雙留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露在生膜外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在 于所述芯子中在第三結(jié)構(gòu)層下方還設(shè)置有一第四結(jié)構(gòu)層；所述第四結(jié)構(gòu)層為生膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征 在于所述第二結(jié)構(gòu)層由兩個生膜層疊合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在 于所述引出線的橫截面呈圓形或矩形結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型公開了一種結(jié)構(gòu)改進(jìn)的4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、芯子和引出線組成；芯子采用無感式卷繞結(jié)構(gòu)，芯子的卷繞層的橫截面由自上而下至少三個結(jié)構(gòu)層組成；第一結(jié)構(gòu)層由橫向并排放置的兩個金屬箔和一個雙面雙留邊金屬化膜組成；第二結(jié)構(gòu)層由生膜組成；第三結(jié)構(gòu)層由單面雙留邊中留邊金屬化膜組成；第一結(jié)構(gòu)層中兩個金屬箔橫向并排對稱設(shè)置在雙面雙留邊金屬化膜的兩側(cè)，金屬箔一端與雙面雙留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露在生膜外。把第三結(jié)構(gòu)層移到第一結(jié)構(gòu)層上面后電容器的特性更佳。該結(jié)構(gòu)可消除電容器上的凹痕，提高電容器交流工作電壓、載流能力、抗電離能力和工作頻率。
文檔編號H01G4/32GK201804712SQ20102023253
公開日2011年4月20日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者李學(xué)權(quán), 許中玉, 鄒華碧 申請人:四川中星電子有限責(zé)任公司