專利名稱：新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電器元件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種新型4串高頻高壓大電流 膜箔式電容器。
背景技術(shù)：
目前，高頻高壓大電流膜箔式電容器一般為內(nèi)2串的結(jié)構(gòu)，其芯子由一單面雙留 邊金屬化膜層，一金屬箔層，至少一生膜層疊繞而成，如圖1、圖2和圖3所示。其中，金屬箔 層由兩個橫向并排放置的金屬箔組成，兩個金屬箔之間存在一較大空隙。這種膜箔式電容器結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)方便，但存在著如下缺點1、兩個金屬箔之間存在空隙比較大，使得芯子、成品的外型上正對內(nèi)部空隙位置 的表面上有一道明顯的凹痕，且當(dāng)電容器工作在高電壓或大電流的條件下時，在其內(nèi)部空 隙部位容易產(chǎn)生電離甚至飛弧閃火，導(dǎo)致產(chǎn)品絕緣介質(zhì)老化或燒蝕，可靠性和壽命下降；2、電容器的內(nèi)串?dāng)?shù)少，只有兩串，芯子端頭引出金屬電極面積比較小，因此，不能 滿足大功率開關(guān)電源、可控硅換向、鎮(zhèn)流器逆變和節(jié)能燈諧振電路等超大dv/dt、di/dt變 化和高工作頻率的要求；3、電容器的額定交流工作電壓較低，一般最高為500Vac (50Hz)。目前，用于消除或減小這個芯子內(nèi)部空隙的主要辦法是將芯子放入專用設(shè)備中 抽真空后再浸漬液態(tài)環(huán)氧來填充空隙，由于這種芯子一般為扁型，中部區(qū)域內(nèi)空隙大，兩側(cè) 部位層間接觸比較緊密，用浸漬料來填充空隙的期望遠遠不能達到要求。為解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本實用新型提供了一種新的解決方案。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的問題是如何提供一種新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容 器，該膜箔式電容器不僅可以基本消除現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器中兩金屬箔存在的氣隙 和電容器表面上的凹痕，而且可以提高膜箔式電容器交流工作電壓、載流能力、抗電離能力 和工作頻率，以滿足大功率電力電子線路發(fā)展對電容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能 力和工作頻率要求高的需求。為達到上述發(fā)明目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案為提供一種新型4串高頻 高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、封裝在殼體或環(huán)氧包封層內(nèi)的芯子、穿過 殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的引出線組成；其特征在于所述芯子采用無感式卷繞結(jié) 構(gòu)；所述芯子的卷繞層的橫截面自下而上由四個結(jié)構(gòu)層組成；其中，第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié) 構(gòu)層由生膜組成；第二結(jié)構(gòu)層由雙面雙留邊中留邊金屬化膜組成；第四結(jié)構(gòu)層由兩個金屬 箔和一個雙面雙留邊金屬化膜組成；所述第四結(jié)構(gòu)層中兩個金屬箔橫向并排對稱設(shè)置在雙 面雙留邊金屬化膜的兩側(cè)，金屬箔一端與雙面雙留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露在生 膜外。所述第二結(jié)構(gòu)層與第四結(jié)構(gòu)層垂直移動交換層位后，其特性不變。[0012]按照本實用新型所提供的新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在于 所述第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié)構(gòu)層均由兩層生膜疊合而成。按照本實用新型所提供的新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在于 所述引出線的橫截面呈圓形或矩形結(jié)構(gòu)。綜上所述，本實用新型所提供的新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器不僅可以 基本消除現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器中兩金屬箔存在的氣隙和電容器上的凹痕，而且可以 提高膜箔式電容器交流工作電壓、載流能力、抗電離能力和工作頻率，以滿足大功率電力電 子線路發(fā)展對電容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能力和工作頻率要求高的需求。

圖1為現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器的第一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器的第二種結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有的內(nèi)2串膜箔式電容器的第三種結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖4和圖5中的電容器的電氣原理圖；圖7為新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的芯子引出方式示意圖。其中，1、金屬箔；2、金屬化膜；3、生膜；4、空隙；5、芯子；6、引出線。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的具體實施方式
進行詳細地描述如圖4所示，該新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器由殼體或環(huán)氧包封層、封裝 在殼體或環(huán)氧包封層內(nèi)的芯子5、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子5上引出的引出線6組成； 其特征在于所述芯子5采用無感式卷繞結(jié)構(gòu)，所述芯子5的卷繞層的橫截面自下而上由四 個結(jié)構(gòu)層組成；其中，第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié)構(gòu)層由生膜3組成；第二結(jié)構(gòu)層由雙面雙留邊中 留邊金屬化膜2組成；第四結(jié)構(gòu)層由兩個金屬箔1和一個雙面雙留邊金屬化膜2組成；所 述第四結(jié)構(gòu)層中兩個金屬箔1橫向并排對稱設(shè)置在雙面雙留邊金屬化膜2的兩側(cè)，金屬箔 1 一端與雙面雙留邊金屬化膜2緊靠在一起，另一端露在生膜3外。該新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的芯子中的第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié)構(gòu)層 也可以由兩層生膜3疊合而成，如圖5所示。該新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的 引出線6的橫截面呈圓形或矩形結(jié)構(gòu)。該新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器的芯子中利用雙面雙留邊金屬化膜的 留邊替代現(xiàn)有的芯子中兩箔間的空隙。表 權(quán)利要求1.一種新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、封裝在殼體或 環(huán)氧包封層內(nèi)的芯子、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的引出線組成；其特征在于 所述芯子采用無感式卷繞結(jié)構(gòu)，所述芯子的卷繞層的橫截面自下而上由四個結(jié)構(gòu)層組成； 其中，第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié)構(gòu)層由生膜組成；第二結(jié)構(gòu)層由雙面雙留邊中留邊金屬化膜組 成；第四結(jié)構(gòu)層由兩個金屬箔和一個雙面雙留邊金屬化膜組成，兩個金屬箔橫向并排對稱 設(shè)置在雙面雙留邊金屬化膜的兩側(cè)；所述金屬箔一端與雙面雙留邊金屬化膜緊靠在一起， 另一端露在生膜外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在于所述 第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié)構(gòu)層均由兩層生膜疊合而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在于所述 引出線的橫截面呈圓形或矩形結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型公開了一種新型4串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、芯子、引出線組成；芯子采用無感式卷繞結(jié)構(gòu)；芯子的卷繞層的橫截面自下而上由四個結(jié)構(gòu)層組成；第一結(jié)構(gòu)層和第三結(jié)構(gòu)層由生膜組成；第二結(jié)構(gòu)層由雙面雙留邊中留邊金屬化膜組成；第四結(jié)構(gòu)層由兩個金屬箔和一個雙面雙留邊金屬化膜組成，兩個金屬箔橫向并排對稱設(shè)置在雙面雙留邊金屬化膜的兩側(cè)；金屬箔一端與雙面雙留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露在生膜外。其中，第二結(jié)構(gòu)層與第四結(jié)構(gòu)層垂直移動交換層位后，其特性不變。該結(jié)構(gòu)利用雙面雙留邊金屬化膜的留邊替代現(xiàn)有芯子中的空隙，可消除電容器上的凹痕，提高電容器交流工作電壓、載流能力、抗電離能力和工作頻率。
文檔編號H01G4/005GK201868252SQ20102023252
公開日2011年6月15日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月22日
發(fā)明者李學(xué)權(quán), 許中玉, 鄒華碧 申請人:四川中星電子有限責(zé)任公司