專利名稱：新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電器元件制造技術領域， 具體涉及一種新型5串高頻高壓大電 流膜箔式電容器。
背景技術：
目前，高頻高壓大電流膜箔式電容器一般為內2串的結構，其芯子由一單面雙 留邊金屬化膜層，一金屬箔層，至少一生膜層疊繞而成，如圖1、圖2和圖3所示。其 中，金屬箔層由兩個橫向并排放置的金屬箔組成，兩個金屬箔之間存在一較大空隙。這種膜箔式電容器結構簡單，生產(chǎn)方便，但存在著如下缺點1、兩個金屬箔之間存在空隙比較大，使得芯子、成品的外型上正對內部空隙位 置的表面上有一道明顯的凹痕，且當電容器工作在高電壓或大電流的條件下時，在其內 部空隙部位容易產(chǎn)生電離甚至飛弧閃火，導致產(chǎn)品絕緣介質老化或燒蝕，可靠性和壽命 下降；2、電容器的內串數(shù)少，只有兩串，芯子端頭引出金屬電極面積比較小，因此， 不能滿足大功率開關電源、可控硅換向、鎮(zhèn)流器逆變和節(jié)能燈諧振電路等超大dv/dt、di/ dt變化和高工作頻率的要求；3、電容器的額定交流工作電壓較低，一般最高為500Vac(50Hz)。目前，用于消除或減小這個芯子內部空隙的主要辦法是將芯子放入專用設 備中抽真空后再浸漬液態(tài)環(huán)氧來填充空隙，由于這種芯子一般為扁型，中部區(qū)域內空隙 大，兩側部位層間接觸比較緊密，用浸漬料來填充空隙的期望遠遠不能達到要求。為解決現(xiàn)有技術中的上述不足，本實用新型提供了一種新的解決方案。

實用新型內容本實用新型要解決的問題是如何提供一種新型5串高頻高壓大電流膜箔式 電容器，該膜箔式電容器不僅可以基本消除現(xiàn)有的內2串膜箔式電容器中兩金屬箔之間 存在的氣隙和電容器表面上的凹痕，而且可以提高膜箔式電容器交流工作電壓、載流能 力、抗電離能力和工作頻率，以滿足大功率電力電子線路發(fā)展對電容器承受dv/dt的能 力、承受di/dt的能力和工作頻率要求高的需求。為達到上述發(fā)明目的，本實用新型所采用的技術方案為提供一種新型5串 高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、封裝在殼體或環(huán)氧包封層內的芯 子、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的引出線組成；其特征在于所述芯子采用無 感式卷繞結構；所述芯子的卷繞層的橫截面自下而上由四個結構層組成；其中，第一結 構層和第三結構層均由生膜組成；第二結構層和第四結構層均由雙面雙留邊中留邊金屬 化膜和金屬箔組成；所述第二結構層中金屬箔橫向并排設置在雙面雙留邊中留邊金屬化 膜的右側，第四結構層中金屬箔橫向并排設置在雙面雙留邊中留邊金屬化膜的左側；所 述金屬箔一端與雙面雙留邊中留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露在生膜外。[0011]按照本實用新型所提供的新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在 于所述第一結構層和第三結構層均由兩層生膜疊合而成。按照本實用新型所提供的新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在 于所述引出線的橫截面呈圓形或矩形結構。綜上所述，本實用新型所提供的新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器不僅可 以基本消除現(xiàn)有的內2串膜箔式電容器中兩金屬箔之間存在的氣隙和電容器上的凹痕， 而且可以提高膜箔式電容器交流工作電壓、載流能力、抗電離能力和工作頻率，以滿足 大功率電力電子線路發(fā)展對電容器承受dv/dt的能力、承受di/dt的能力和工作頻率要求 高的需求。

圖1為現(xiàn)有的內2串膜箔式電容器的第一種結構示意圖；圖2為現(xiàn)有的內2串膜箔式電容器的第二種結構示意圖； 圖3為現(xiàn)有的內2串膜箔式電容器的第三種結構示意圖；圖4為新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器的結構示意圖；圖5為新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器的另一種結構示意圖；圖6為圖4和圖5中的電容器的電氣原理圖；圖7為新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器的芯子引出方式示意圖。其中，1、金屬箔；2、雙面雙留邊中留邊金屬化膜；3、生膜；4、空隙；5、 芯子；6、引出線。
具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的具體實施方式
進行詳細地描述如圖4所示，該新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器由殼體或環(huán)氧包封層、封 裝在殼體或環(huán)氧包封層內的芯子5、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子5上引出的引出線6組 成；其特征在于所述芯子5采用無感式卷繞結構；所述芯子5的卷繞層的橫截面自下 而上由四個結構層組成；其中，第一結構層和第三結構層均由生膜3組成；第二結構層 和第四結構層均由雙面雙留邊中留邊金屬化膜2和金屬箔1組成；所述第二結構層中金屬 箔1橫向并排設置在雙面雙留邊中留邊金屬化膜2的右側，第四結構層中金屬箔1橫向并 排設置在雙面雙留邊中留邊金屬化膜2的左側；所述金屬箔1一端與雙面雙留邊中留邊金 屬化膜2緊靠在一起，另一端露在生膜3外。該新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器的芯子中的第一結構層和第三結構層 也可以由兩層生膜3疊合而成，如圖5所示。該新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器 的引出線6的橫截面呈圓形或矩形結構。表 1
電容器高端額定工作電壓對比5串膜箔式電容器額定工作
C14(CBB81)5串—箔式電壓提高幅度
交流(Vac) 直流(Vdc) 交流(Vac) |直流(Vdc) 交流(Vac) |直流(Vdc) 500250010002500 一 500—
無 丨無丨 125040007501500[0028]表權利要求1.一種新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、封裝在殼體 或環(huán)氧包封層內的芯子、穿過殼體或環(huán)氧包封層從芯子上引出的引出線組成；其特征在 于所述芯子采用無感式卷繞結構；所述芯子的卷繞層的橫截面自下而上由四個結構層 組成；其中，第一結構層和第三結構層均由生膜組成；第二結構層和第四結構層均由雙 面雙留邊中留邊金屬化膜和金屬箔組成；所述第二結構層中金屬箔橫向并排設置在雙面 雙留邊中留邊金屬化膜的右側，第四結構層中金屬箔橫向并排設置在雙面雙留邊中留邊 金屬化膜的左側；所述金屬箔一端與雙面雙留邊中留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露 在生膜外。
2.根據(jù)權利要求1所述的新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在于所述 第一結構層和第三結構層均由兩層生膜疊合而成。
3.根據(jù)權利要求1所述的新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器，其特征在于所述 引出線的橫截面呈圓形或矩形結構。
專利摘要本實用新型公開了一種新型5串高頻高壓大電流膜箔式電容器，由殼體或環(huán)氧包封層、芯子、引出線組成；芯子采用無感式卷繞結構，芯子的卷繞層的橫截面自下而上由四個結構層組成；第一結構層和第三結構層均由生膜組成；第二結構層和第四結構層均由橫向并排設置的雙面雙留邊中留邊金屬化膜和金屬箔組成；第二結構層中金屬箔設置在雙面雙留邊中留邊金屬化膜的右側，第四結構層中金屬箔設置在雙面雙留邊中留邊金屬化膜的左側；金屬箔一端與雙面雙留邊中留邊金屬化膜緊靠在一起，另一端露在生膜外。其中，第二層與第四層垂直移動交換層位后，其特性不變。該結構可消除芯子中的空隙和電容器上的凹痕，提高交流工作電壓、載流能力、抗電離能力和工作頻率。
文檔編號H01G4/38GK201796732SQ201020232510
公開日2011年4月13日 申請日期2010年6月22日 優(yōu)先權日2010年6月22日
發(fā)明者李學權, 許中玉, 鄒華碧 申請人:四川中星電子有限責任公司