專利名稱：一種斜瓦形的釹鐵硼磁體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是一種磁體，特別涉及一種用在電機(jī)、傳感器、吸力件或者吸盤上的斜 瓦形的釹鐵硼磁體。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的磁體的磁性不穩(wěn)定，而且磁體容易損壞，導(dǎo)致無(wú)法使用，影響工作效 率，同時(shí)磁體裝配性差，不能與所用的產(chǎn)品精配。
發(fā)明內(nèi)容實(shí)用新型主要是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種用在電機(jī)、傳感器、吸力件 或者吸盤上的斜瓦形的釹鐵硼磁體。本實(shí)用新型的上述技術(shù)問(wèn)題主要是通過(guò)下述技術(shù)方案得以解決的一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，包括磁體，所述的磁體為斜瓦弧形狀，所述的磁體包括 中間層，所述的中間層外覆有鍍鋅層。所述的磁體性能穩(wěn)定，使得使用壽命長(zhǎng)，磁體表面光 滑平整，有利于更加簡(jiǎn)單的裝配。作為優(yōu)選，所述的中間層為釹鐵硼體，所述的中間層的厚度為3.5士0.0511!11，所述 的鍍鋅層的厚度為7 15um。作為優(yōu)選，所述的磁體的弧度為19. 7士0. 02度。作為優(yōu)選，所述的磁體的對(duì)邊相互平行而設(shè)。作為優(yōu)選，所述的磁體的傾斜度為16度。因此，本實(shí)用新型提供的一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，磁性穩(wěn)定，裝配精度尚。

圖1是本實(shí)用新型的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面通過(guò)實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說(shuō)明。實(shí)施例如圖1和圖2所示，一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，包括磁體1，所述的磁體1 為斜瓦弧形狀，所述的磁體1包括中間層2，所述的中間層3外覆有鍍鋅層4，所述的中間層 2為釹鐵硼體，所述的中間層2的厚度為3. 5士0. 05um，所述的鍍鋅層3的厚度為7 15um， 所述的磁體1的弧度為19. 7士0. 02度，所述的磁體1的對(duì)邊相互平行而設(shè)，所述的磁體1 的傾斜度為16度。
權(quán)利要求一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，包括磁體(1)，其特征在于所述的磁體(1)為斜瓦弧形狀，所述的磁體(1)包括中間層(2)，所述的中間層(2)外覆有鍍鋅層(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，其特征在于所述的中間層(2) 為釹鐵硼體，所述的中間層(2)的厚度為3.5士0.05um，所述的鍍鋅層(3)的厚度為7 15um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，其特征在于所述的磁體(1) 的弧度為19.7士0. 02度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，其特征在于所述的磁體(1) 的對(duì)邊相互平行而設(shè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種斜瓦形的釹鐵硼磁體，其特征在于所述的磁體(1) 的傾斜度為16度。
專利摘要本實(shí)用新型是一種磁體，特別涉及一種用在電機(jī)、傳感器、吸力件或者吸盤上的斜瓦形的釹鐵硼磁體。包括磁體，所述的磁體為斜瓦弧形狀，所述的磁體包括中間層，所述的中間層外覆有鍍鋅層。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，磁性穩(wěn)定，裝配精度高。
文檔編號(hào)H01F41/02GK201681685SQ201020150679
公開(kāi)日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月6日
發(fā)明者王錫贊, 程慧華, 葛余輝, 趙建森 申請(qǐng)人:杭州永磁集團(tuán)有限公司