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漫反射式涂錫焊帶的制作方法

文檔序號(hào):6962908閱讀:332來源:國(guó)知局
專利名稱:漫反射式涂錫焊帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型及一種用于太陽能電池板連接導(dǎo)電的涂錫焊帶,具體說是一種漫反射 式涂錫焊帶。其具有對(duì)太陽光產(chǎn)生漫反射,有助于太陽能電池板接收更多的光能。
背景技術(shù)
目前,市場(chǎng)上銷售的太陽能電池板彼此連接的涂錫焊帶具有較好的導(dǎo)電能力、以 及比較好的可焊性能等基本條件被廣泛應(yīng)用。該涂錫焊帶是將銅帶表面浸鍍?cè)阱a爐內(nèi)的 99% Snl% Ag ;62% Sn/36% Pb2% Ag ;96. 5% Sn3. 55% Ag,60% Sn/40% Pb ;63% Sn/37% Pb的任一金屬合金鍍液中,將錫爐溫度控制在250°C左右,速度調(diào)在2m-3m/min至出爐后, 使其出爐部分的涂錫焊帶通過引風(fēng)機(jī)冷卻,即得到表面光滑涂層的涂錫焊帶。但是由于涂 錫焊帶表面涂層比較光滑,因此在實(shí)際應(yīng)用中,由于利用了大量的涂錫焊帶連接太陽能電 池板,當(dāng)接受光照時(shí),使得具有光滑涂層的涂錫輝帶表面會(huì)產(chǎn)生直射,將較多的太陽光反射 出去,降低了太陽能電池板大量接受太陽光的機(jī)率。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)狀,本實(shí)用新型提供了一種漫反射式涂錫焊帶,使其涂錫焊帶產(chǎn)生漫 反射,可大大提高太陽能電池板接受太陽光的能量,提供更多光能的轉(zhuǎn)換。本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種漫反射式涂錫焊帶,包括銅帶及 其表面具有的涂錫層;其中,在所述涂錫層表面具有分布的坑狀體。因此,可利用銅帶表面 分布的坑狀涂錫層,可以對(duì)太陽光產(chǎn)生漫反射,致使太陽光更多的反射到太陽能電池板上, 接受更多的太陽光提高用電量。上述中,所述涂錫層表面上的坑狀體的分布是均勻分布或是非均勻分布。進(jìn)一步的,涂錫層表面上的坑狀體是均勻的坑狀體或是非均勻的坑狀體。上述中所指的坑狀體是一個(gè)凹形體。根據(jù)應(yīng)用特點(diǎn),涂錫層表面上分布有凹麻點(diǎn)。同樣具有反射到太陽光的功能。綜上所述,本實(shí)用新型提供的漫反射式涂錫焊帶,關(guān)鍵是在涂錫銅帶表面的涂層 上具有坑狀體,利用這些坑狀體不僅保證了產(chǎn)品物理指標(biāo)穩(wěn)定,而且還可以對(duì)太陽光產(chǎn)生 漫反射,致使更多的太陽光反射到電池板上,提高了接受太陽光的能量及太陽能電池板的 用電量。

圖1是涂錫焊帶示意圖;圖2圖1另一實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。[0013]見圖1所述的漫反射式涂錫焊帶,包括銅帶1。在所述銅帶1表面具有通過浸鍍 方法形成的涂錫層2。該銅帶1具有的涂錫層2表面上分布有坑狀體3。因此,利用涂錫層 2表面上坑狀體3可以對(duì)太陽光產(chǎn)生漫反射,用以提高對(duì)所連接的太陽能電池板接受更多 光能量。在本實(shí)施例中,所涉及涂錫層2表面上的坑狀體3的分布是采用均勻分布的方式。 同樣,涂錫層2表面上的坑狀體3是均勻的坑狀體。本新型中,涂錫層2表面上的坑狀體3的分布除采用均勻分布方式之外,還可以是 非均勻分布。同理,所述坑狀體3除均勻分布的坑狀體方式之外,可以是非均勻的坑狀體。見圖2給出了與圖1不同的實(shí)施例。它與圖1所不同的是在所述涂錫層2表面上 分布有凹麻點(diǎn)13。均能滿足對(duì)太陽光產(chǎn)生漫反射功能。
權(quán)利要求一種漫反射式涂錫焊帶,包括銅帶及其表面具有的涂錫層;其特征在于,所述涂錫層(2)表面具有分布的坑狀體(3)。
2.按權(quán)利要求1所述的漫反射式涂錫焊帶,其特征在于,所述涂錫層(2)表面上的坑狀 體(3)的分布是均勻分布或是非均勻分布。
3.按權(quán)利要求1所述的漫反射式涂錫焊帶,其特征在于,涂錫層(2)表面上分布有凹麻 點(diǎn)(13)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種漫反射式涂錫焊帶,包括銅帶及其表面具有的涂錫層;其中,所述涂錫層表面具有分布的坑狀體。該涂錫焊帶表面的坑狀體,不僅保證了產(chǎn)品物理指標(biāo)穩(wěn)定,而且還可以對(duì)太陽光產(chǎn)生漫反射,致使太陽光更多的反射到電池板上,提高了接受太陽光的能量及太陽能電池板的用電量。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK201689895SQ20102011132
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月3日
發(fā)明者馮軍智 申請(qǐng)人:秦皇島東吳電子有限公司
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