專利名稱：一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制造的技術(shù)領(lǐng)域，提供一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面 的方法。
背景技術(shù)：
目前，半導(dǎo)體行業(yè)一般都采用懸掛鏈?zhǔn)角逑礄C(jī)清洗硅片，這樣清洗數(shù)量多，速度 快。硅片在清洗過(guò)程中因工藝的需要，要用到一些酸堿溶液作為藥液，由于不是整張硅片都 浸在藥液中，從而在清洗硅片時(shí)藥液和硅片會(huì)反應(yīng)產(chǎn)生一些氣體，此種氣體對(duì)裸露在藥液 外的硅片表面會(huì)產(chǎn)生腐蝕作用而影響到硅片的表面質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種添加硅片 表面保護(hù)液體、均衡硅片表面載液量的防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片 表面的方法，包括如下步驟第一步、硅片在進(jìn)入清洗槽前，對(duì)其表面噴射去離子水，用量為IOml 15ml ；第二步、將表面有去離子水的硅片從兩個(gè)滾輪中間的間隙通過(guò)，硅片表面的載液 量為6 8g ；第三步、用刮片刮去即將浸入藥液的那部分硅片表面的去離子水。進(jìn)一步地，所述的浸入藥液的那部分硅片長(zhǎng)度為整個(gè)硅片長(zhǎng)度的二分之一。進(jìn)一步地，清洗硅片的設(shè)備為懸掛鏈?zhǔn)角逑礄C(jī)。本發(fā)明的有益效果是硅片清洗時(shí)，裸露在藥液外的部分由于覆蓋有去離子水作 為保護(hù)膜，清洗用的酸堿溶液與硅片反應(yīng)產(chǎn)生的氣體不易對(duì)裸露部分的硅片表面進(jìn)行腐 蝕，有效地保護(hù)了硅片的表面質(zhì)量。用去離子水作為硅片表面的保護(hù)液體，成本低，效果好；將表面載有去離子水的硅 片從兩滾輪中間的間隙經(jīng)過(guò)，可以刮去多余去離子水，也使去離子水在硅片表面分布更均 勻，更好保護(hù)硅片表面不被腐蝕。由于去離子水在硅片浸入清洗槽前噴射，且浸入藥液的那 部分硅片的去離子水被刮干，所以不會(huì)使清洗用的藥液稀釋，也就減少了藥液用量。因此，采用本發(fā)明的方法，在清洗硅片時(shí)能更好保護(hù)硅片表面不被腐蝕，防止藥液 稀釋，減少了藥液用量。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，以下實(shí)施例旨在說(shuō)明本發(fā)明而不是 對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步限定。一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法，包括如下步驟第一步、硅片在進(jìn)入清洗槽前，對(duì)其表面噴射去離子水，用量為IOml 15ml ；
第二步、將表面有去離子水的硅片從兩個(gè)滾輪中間的間隙通過(guò)，硅片表面的載液 量為6 8g ；第三步、用刮片刮去即將浸入藥液的那部分硅片表面的去離子水。本發(fā)明采用懸掛鏈?zhǔn)角逑礄C(jī)對(duì)硅片進(jìn)行清洗，全自動(dòng)化設(shè)施，方便、安全、高效。硅片清洗時(shí)，裸露在藥液外的部分由于覆蓋有去離子水作為保護(hù)膜，清洗用的酸 堿溶液與硅片反應(yīng)產(chǎn)生的氣體不易對(duì)裸露部分的硅片表面進(jìn)行腐蝕，有效地保護(hù)了硅片的 表面質(zhì)量。

用去離子水作為硅片表面的保護(hù)液體，成本低，效果好；將表面載有去離子水的硅 片從兩滾輪中間的間隙經(jīng)過(guò)，可以刮去多余去離子水，也使去離子水在硅片表面分布更均 勻，更好保護(hù)硅片表面不被腐蝕。由于去離子水在硅片浸入清洗槽前噴射，且將要浸入藥液 的二分之一硅片的去離子水擦干，所以不會(huì)使藥液稀釋，也就減少了藥液用量。以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完 全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù) 性范圍并不局限于說(shuō)明書(shū)上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1.一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法，其特征在于包括如下步驟 第一步、硅片在進(jìn)入清洗槽前，對(duì)其表面噴射去離子水，用量為IOml 15ml ； 第二步、將表面有去離子水的硅片從兩個(gè)滾輪中間的間隙通過(guò)，硅片表面的載液量為6 8g ；第三步、用刮片刮去即將浸入藥液的那部分硅片表面的去離子水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法，其特征在于所 述的浸入藥液的那部分硅片長(zhǎng)度為整個(gè)硅片長(zhǎng)度的二分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法，其特征在于清 洗硅片的設(shè)備為懸掛鏈?zhǔn)角逑礄C(jī)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防止藥液稀釋和保護(hù)硅片表面的方法，包括如下步驟硅片在進(jìn)入清洗槽前，對(duì)其表面噴射去離子水，再將表面有去離子水的硅片從兩個(gè)滾輪中間的間隙通過(guò)，最后用刮片刮去即將浸入藥液的那部分硅片表面的去離子水。采用本發(fā)明的方法，在清洗硅片時(shí)能更好保護(hù)硅片表面不被腐蝕，防止藥液稀釋，減少了藥液用量。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102108556SQ201010620038
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者葉權(quán)華, 楊延德, 楊文侃 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司