專利名稱：一種減少槽式去psg設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法
一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池硅片加工領(lǐng)域，尤其是涉及一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬 的方法。背景技術(shù)：
公知的，太陽能電池的制作流程一般為清洗制絨——擴散制結(jié)——邊緣刻蝕——去磷 硅玻璃——PECVD鍍膜——絲網(wǎng)印刷——燒結(jié)——測試；在這些工序中，擴散制結(jié)工序?qū)μ?陽能電池的效率起有比較重要的作用，因此擴散制結(jié)屬于一道重要的工序；擴散過程中發(fā) 生的反應(yīng)如下4P0Cl3+5& — P205+6C12，即由POCl3分解產(chǎn)生的P2O5淀積在硅片表面，再使 其與Si反應(yīng)生成SW2和磷原子2P205+5Si — 5Si&+4P，這樣就在硅片表面形成一層含有 磷元素的SiO2，通稱為磷硅玻璃，簡稱PSG ；由于通過擴散在硅片表面形成的PSG嚴(yán)重阻礙 后續(xù)的工藝，影響電池片的效率，因此必須對擴散后形成的PSG進行去除；
目前，常規(guī)的去PSG設(shè)備采用槽式去PSG隧道烘干設(shè)備，一般的流程為HF酸浸泡—— 純水沖洗——熱水預(yù)脫水——烘干；在這個過程中，由于熱水預(yù)脫水不可能完全的將水脫 干，而未完全脫干的水在烘干后的硅片表面不能夠被發(fā)現(xiàn)，但這些水份會造成硅片在后道 工序PECVD鍍膜時形成的藍(lán)色Si3N4膜表面產(chǎn)生白色痕跡，這種白色的痕跡一般稱為水漬， 對電池片的外觀影響極大，因此需要對此類硅片進行返工；由于在返工時，需要將這些返工 硅片表面形成的Si3N4膜去掉，因此嚴(yán)重影響了生產(chǎn)線的正常生產(chǎn)，同時返工硅片的存在也 導(dǎo)致了成本的大量增加；
針對槽式去PSG設(shè)備采用熱水慢提拉產(chǎn)生水漬的問題，現(xiàn)有的解決辦法是放棄隧道烘 干，而采用甩干機進行甩干；甩干機是利用硅片高速旋轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的離心力將表面殘留的水 去掉，與此同時，再采用密閉腔體內(nèi)噴水、噴氮的方法來保證硅片的潔凈度；這種方法雖然 能較好的解決水漬問題，但是由于現(xiàn)在市場上槽式去PSG設(shè)備一般都采用烘干，如改用甩 干機的話就需要額外單獨購買相應(yīng)的甩干設(shè)備，這就相當(dāng)于進行了二次投資，增加了設(shè)備 成本。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服背景技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供了一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方 法，所述的方法在不增加設(shè)備投資的情況下，僅通過對現(xiàn)有工藝的改進，利用具有快速揮發(fā) 性的無水乙醇代替熱水進行脫水，從而有效的解決了去PSG產(chǎn)生水漬的問題。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，所述的方法采用如下步驟
a.將表面有PSG的硅片放到硅片承載盒；
b.將裝有硅片的承載盒放入D-I清洗液中清洗去除硅片表面的PSG；
c.將硅片放入18ΜΩ的純水中沖洗去除硅片表面粘附的D-I清洗液；
d.將硅片放入無水乙醇中脫水3-5分鐘；
e.將脫水后的硅片放入烘箱烘干；
f.對烘干后的硅片進行后道工序的生產(chǎn)。
所述的減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，所述的D-I清洗液由氫氟酸純水按 照1:10的體積比制成
所述的減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，將裝有硅片的承載盒放入D-I清洗液中 清洗去除表面的PSG，時間為3-7分鐘；
所述的減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，將硅片放入18ΜΩ的純水中沖洗去除硅 片表面粘附的D-I清洗液，時間為5-15分鐘；
所述的減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，將脫水后的硅片放入烘箱烘干，時間為 5-10分鐘，烘箱溫度為70-100度。由于采用如上所述的技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果
本發(fā)明所述的一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，所述的方法在不增加設(shè)備投 資的情況下，僅通過對現(xiàn)有工藝的改進，利用具有快速揮發(fā)性的無水乙醇代替熱水進行脫 水，保證了硅片表面在經(jīng)過脫水、烘干以及后道PECVD工序后，水漬比例由原來的0. 9%降低 到0 %，保證了生產(chǎn)線的正常連續(xù)生產(chǎn)；同時，由于無水乙醇的易揮發(fā)性，可以有效的將烘干 的工藝時間由原先的600s縮短到300s，因此也將去PSG設(shè)備的產(chǎn)能由1200pcs/h提高到 1450pcs/h，達到了有效提高生產(chǎn)效率的目的。
具體實施方式
通過下面的實施例可以更詳細(xì)的解釋本發(fā)明，公開本發(fā)明的目的旨在保護本發(fā)明范圍 內(nèi)的一切變化和改進，本發(fā)明并不局限于下面的實施例； 實施實例1
一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，步驟如下
a.將擴散后的表面有PSG的硅片放到相應(yīng)的硅片承載盒；
b.將裝有硅片的承載盒放入D-I清洗液中清洗5分鐘，以去除表面的PSG；
c.將去除PSG的硅片放入18ΜΩ的純水中沖洗15分鐘，以去除硅片表面粘附的D-I 清洗液；
d.將去除表面D-I清洗液的硅片放入無水乙醇中脫水4分鐘；
e.將脫水后的硅片放入烘箱烘干8分鐘，烘箱溫度為90度；
f.去PSG工藝完成，對烘干后的硅片進行后道工序的生產(chǎn)。實施實例2
一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，步驟如下
a.將表面有PSG的硅片放到相應(yīng)的硅片承載盒；
b.將裝有硅片的承載盒放入D-I清洗液中清洗7分鐘，以去除表面的PSG；
c.將去除PSG后的硅片放入18ΜΩ的純水中沖洗20分鐘，以去除硅片表面粘附的D-I 清洗液；
d.將去除表面D-I清洗液的硅片放入無水乙醇中脫水4分鐘；
e.將脫水后的硅片放入烘箱烘干10分鐘，烘箱溫度為75度；
f.去PSG工藝完成，對烘干后的硅片進行后道工序的生產(chǎn)。實施實例3
一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，步驟如下 a.將表面有PSG的硅片放到相應(yīng)的硅片承載盒；b.將裝有硅片的承載盒放入D-I清洗液中清洗3分鐘，以去除表面的PSG；
c.將去除PSG后的硅片放入18ΜΩ的純水中沖洗10分鐘，以去除硅片表面粘附的D-I 清洗液；
d.將去除表面D-I清洗液的硅片放入無水乙醇中脫水3分鐘；
e.將脫水后的硅片放入烘箱烘干5分鐘，烘箱溫度為95度；
f.去PSG工藝完成，對烘干后的硅片進行后道工序的生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，其特征是所述的方法采用如下步驟A、將表面有PSG的硅片放到硅片承載盒；B、將裝有硅片的承載盒放入D-I清洗液中清洗去除硅片表面的PSG；C、將硅片放入18ΜΩ的純水中沖洗去除硅片表面粘附的D-I清洗液；D、將硅片放入無水乙醇中脫水3-5分鐘；E、將脫水后的硅片放入烘箱烘干；F、去PSG工藝完成，對烘干后的硅片進行后道工序的生產(chǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，其特征是所述 的D-I清洗液由氫氟酸純水按照1 :10的體積比制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，其特征是將裝 有硅片的承載盒放入D-I清洗液中清洗去除表面的PSG，時間為3-7分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，其特征是將硅 片放入18ΜΩ的純水中沖洗去除硅片表面粘附的D-I清洗液，時間為5-15分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法，其特征是將脫 水后的硅片放入烘箱烘干，時間為5-10分鐘，烘箱溫度為70-100度。
全文摘要
一種涉及太陽能電池硅片加工領(lǐng)域的減少槽式去PSG設(shè)備產(chǎn)生水漬的方法；所述的方法在不增加設(shè)備投資的情況下，通過工藝上的改進，利用具有快速揮發(fā)性的無水乙醇代替熱水進行脫水，保證了硅片表面在經(jīng)過脫水、烘干以及后道PECVD工序后，水漬比例由原來的0.9%降低到0%，保證了生產(chǎn)線的正常連續(xù)生產(chǎn)，同時有效的提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號H01L31/18GK102082204SQ20101056938
公開日2011年6月1日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月2日
發(fā)明者張明坤, 張永偉, 張玉磊, 景彥嬌, 李向前, 韓帥君 申請人:上海超日(洛陽)太陽能有限公司