專利名稱：刻蝕殘留的檢測方法和系統(tǒng)、譜線模型的建立方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別是涉及一種刻蝕殘留的檢測方法和系統(tǒng)、譜線模型的建立方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體刻蝕工藝過程中，刻蝕均勻性不好常會(huì)導(dǎo)致出現(xiàn)刻蝕殘留問題，其中，所述刻蝕殘留是指在工藝結(jié)束后，需要全部去除的膜層在wafer (硅片)表面仍有部分殘留。通常加工半導(dǎo)體器件的工序可以包括前道工序、刻蝕工藝和后道工序。在刻蝕工藝完成后，如果帶有殘留膜層的wafer流入后道工序，將會(huì)改變半導(dǎo)體器件原有的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，最終導(dǎo)致出現(xiàn)低良率的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。針對上述低良率的情形，一種現(xiàn)有技術(shù)會(huì)在刻蝕工藝結(jié)束后，使用顯微鏡對wafer 進(jìn)行檢測。該檢測具有如下缺陷一、由于所述檢測為手動(dòng)工作模式，即首先由人工逐片傳入，然后用肉眼進(jìn)行檢查；故檢測效率無法滿足大批量生產(chǎn)的情況，在正常生產(chǎn)過程中無法采用該方法逐片檢測 wafer ；因此，目前在生產(chǎn)線上主要采用抽檢的方式，而抽檢導(dǎo)致出現(xiàn)較大的漏檢和錯(cuò)檢等問題。二、上述肉眼檢查屬于粗略主觀檢測，存在較大的誤檢問題?？傊?，上述漏檢和錯(cuò)檢不可避免地使得帶有殘留膜層的wafer流入后道工序，最終導(dǎo)致出現(xiàn)低良率的產(chǎn)品，而這種檢查出的不良產(chǎn)品已無法通過補(bǔ)刻蝕等工藝方法進(jìn)行補(bǔ)救，甚至將某些良率很低的wafer作為廢品處理?？傊枰绢I(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個(gè)技術(shù)問題就是如何能夠提高半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種刻蝕殘留的檢測方法和系統(tǒng)、譜線模型的建立方法和系統(tǒng)，能夠滿足大批量生產(chǎn)的情況，可在刻蝕工藝結(jié)束后自動(dòng)快速檢測到出現(xiàn)刻蝕殘留問題的wafer， 從而能夠避免出現(xiàn)刻蝕殘留問題的wafer流入后道工序，不但節(jié)省了生產(chǎn)成本，而且提高了半導(dǎo)體器件的良率。為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種刻蝕殘留的檢測方法，包括獲取待檢測硅片的譜線；根據(jù)與所述待檢測硅片相同刻蝕工藝的譜線模型，檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留；所述譜線模型為依據(jù)與所述刻蝕工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線建模得到， 其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片。優(yōu)選的，若所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于完整刻蝕工藝，則采用完整刻蝕工藝的譜線模型；否則，若所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于刻蝕工藝步驟，則采用刻蝕工藝步驟的譜線模型。
優(yōu)選的，所述檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留的步驟，包括根據(jù)所述譜線模型所包括的多個(gè)時(shí)間刻度，對應(yīng)劃分所述待檢測硅片的譜線的時(shí)間軸上的時(shí)間刻度，并獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的待檢測點(diǎn)；且所述譜線模型的每個(gè)時(shí)間刻度對應(yīng)一中心點(diǎn)；在對應(yīng)時(shí)間刻度下，逐一獲取待檢測點(diǎn)與中心點(diǎn)之間的距離；判斷是否有預(yù)置數(shù)目的連續(xù)多個(gè)所述距離均大于差異度距離，若是，則判定所述待檢測硅片出現(xiàn)刻蝕殘留。優(yōu)選的，依據(jù)如下步驟獲取差異度距離針對多個(gè)所述樣本譜線，分別計(jì)算每個(gè)時(shí)間刻度的Y坐標(biāo)容差，并以所有時(shí)間刻度Y坐標(biāo)容差的均值作為所述差異度距離，其中，所述Y坐標(biāo)容差為Y坐標(biāo)最大值與Y坐標(biāo)最小值之差。本發(fā)明還公開了一種譜線模型的建立方法，包括獲取與待建?？涛g工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片；依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型。優(yōu)選的，所述依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型的步驟，包括將多個(gè)所述樣本譜線的時(shí)間軸分別劃分為多個(gè)時(shí)間刻度；分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)；組合所有時(shí)間刻度的中心點(diǎn)形成譜線模型。優(yōu)選的，所述分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)的步驟，包括獲取對應(yīng)同一時(shí)間刻度的每個(gè)樣本譜線的樣本點(diǎn)；選取多個(gè)樣本點(diǎn)中，其一樣本點(diǎn)分別到其他樣本點(diǎn)的距離總和最小的樣本點(diǎn)。優(yōu)選的，所述譜線模型包括完整刻蝕工藝的譜線模型和刻蝕工藝步驟的譜線模型。優(yōu)選的，所述方法還包括從多個(gè)所述樣本譜線中，獲取工藝開始時(shí)間最早的第一樣本譜線及其相應(yīng)的最早工藝開始時(shí)間；以所述最早工藝開始時(shí)間為基準(zhǔn)點(diǎn)，對除所述第一樣本譜線之外的其他樣本譜線進(jìn)行時(shí)間平移。本發(fā)明還公開了一種刻蝕殘留的檢測系統(tǒng)，包括獲取模塊，用于獲取待檢測硅片的譜線；檢測模塊，用于根據(jù)與所述待檢測硅片相同刻蝕工藝的譜線模型，檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留；所述譜線模型為依據(jù)與所述刻蝕工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線建模得到，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片。優(yōu)選的，所述檢測模塊，具體用于在所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于完整刻蝕工藝時(shí)，采用完整刻蝕工藝的譜線模型，否則，在所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于刻蝕工藝步驟時(shí)，采用刻蝕工藝步驟的譜線模型。優(yōu)選的，所述檢測模塊包括待檢測點(diǎn)獲取子模塊，用于根據(jù)所述譜線模型所包括的多個(gè)時(shí)間刻度，對應(yīng)劃分所述待檢測硅片的譜線的時(shí)間軸上的時(shí)間刻度，并獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的待檢測點(diǎn)；且所述譜線模型的每個(gè)時(shí)間刻度對應(yīng)一中心點(diǎn)；距離獲取子模塊，用于在對應(yīng)時(shí)間刻度下，逐一獲取待檢測點(diǎn)與中心點(diǎn)之間的距離；及判斷子模塊，用于判斷是否有預(yù)置數(shù)目的連續(xù)多個(gè)所述距離均大于差異度距離， 若是，則判定所述待檢測硅片出現(xiàn)刻蝕殘留。優(yōu)選的，所述系統(tǒng)還包括差異度距離計(jì)算模塊，用于針對多個(gè)所述樣本譜線，分別計(jì)算每個(gè)時(shí)間刻度的Y 坐標(biāo)容差，并以所有時(shí)間刻度Y坐標(biāo)容差的均值作為所述差異度距離，其中，所述Y坐標(biāo)容差為Y坐標(biāo)最大值與Y坐標(biāo)最小值之差。本發(fā)明還公開了一種譜線模型的建立系統(tǒng)，包括樣本獲取模塊，用于獲取與待建?？涛g工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片；模型構(gòu)造模塊，用于依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型。優(yōu)選的，所述模型構(gòu)造模塊包括劃分子模塊，用于將多個(gè)所述樣本譜線的時(shí)間軸分別劃分為多個(gè)時(shí)間刻度；中心點(diǎn)獲取子模塊，用于分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)；組合子模塊，用于組合所有時(shí)間刻度的中心點(diǎn)形成譜線模型。優(yōu)選的，所述中心點(diǎn)獲取子模塊包括樣本點(diǎn)獲取單元，用于獲取對應(yīng)同一時(shí)間刻度的每個(gè)樣本譜線的樣本點(diǎn)；選取單元，用于選取多個(gè)樣本點(diǎn)中，其一樣本點(diǎn)分別到其他樣本點(diǎn)的距離總和最小的樣本點(diǎn)。優(yōu)選的，所述譜線模型包括完整刻蝕工藝的譜線模型和刻蝕工藝步驟的譜線模型。優(yōu)選的，所述系統(tǒng)還包括預(yù)處理模塊，包括基準(zhǔn)獲取子模塊，用于從多個(gè)所述樣本譜線中，獲取工藝開始時(shí)間最早的第一樣本譜線及其相應(yīng)的最早工藝開始時(shí)間；時(shí)間平移子模塊，用于以所述最早工藝開始時(shí)間為基準(zhǔn)點(diǎn)，對除所述第一樣本譜線之外的其他樣本譜線進(jìn)行時(shí)間平移。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明針對待檢測硅片的譜線，采用相同刻蝕工藝的譜線模型進(jìn)行刻蝕殘留檢測，由于所述譜線模型依據(jù)與所述刻蝕工藝相應(yīng)的完整刻蝕的多個(gè)樣本譜線建模得到，具有完整刻蝕硅片的特征描述能力；這樣，在待檢測硅片的譜線與所述譜線模型出現(xiàn)差異時(shí)， 即可判定出現(xiàn)刻蝕殘留；其次，由于所述譜線模型無需多的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量，且所述判定涉及的運(yùn)算少，故本發(fā)明具有運(yùn)算量小、運(yùn)算速度快的優(yōu)點(diǎn)，因此，在刻蝕工藝結(jié)束后自動(dòng)檢測wafer時(shí)，本發(fā)明的檢測效率能夠滿足大批量生產(chǎn)的情況，能夠在正常生產(chǎn)過程中實(shí)現(xiàn)，從而能夠避免現(xiàn)有技術(shù)的漏檢問題；
再者，由于應(yīng)用客觀規(guī)則執(zhí)行所述判定，因而，檢測結(jié)果不會(huì)受主觀影響，從而能夠避免現(xiàn)有技術(shù)的誤檢問題；綜上，本發(fā)明能夠在刻蝕工藝結(jié)束后自動(dòng)、快速地檢測刻蝕殘留問題，及時(shí)通知工程師進(jìn)行可能的補(bǔ)救處理，如補(bǔ)刻蝕等操作，對于無法補(bǔ)救的wafer也能及時(shí)從生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去除，避免問題wafer流入后道工序，不但節(jié)省了生產(chǎn)成本，而且提高了半導(dǎo)體器件的良率。


圖1是本發(fā)明一種譜線模型的建立方法實(shí)施例的流程圖；圖2是本發(fā)明一種刻蝕殘留的檢測方法實(shí)施例的流程圖；圖3是本發(fā)明一種譜線模型的建立系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明一種刻蝕殘留的檢測系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。光譜測量可用于檢測等離子體中的物質(zhì)含量，當(dāng)某一物質(zhì)含量由多到少變化時(shí)， 譜線的強(qiáng)度也隨之由強(qiáng)變?nèi)?。這樣，在使用譜線對工藝過程進(jìn)行終點(diǎn)控制的刻蝕系統(tǒng)中，譜線強(qiáng)度與刻蝕膜層的成分存在對應(yīng)關(guān)系；也即，對于一個(gè)刻蝕均勻性穩(wěn)定的系統(tǒng)，譜線的強(qiáng)度變化穩(wěn)定，如果刻蝕均勻性變差，譜線的強(qiáng)度變化將與正常狀態(tài)下的情況存在較大的差異。因此，本發(fā)明實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，以完整刻蝕的譜線作為標(biāo)準(zhǔn)譜線，當(dāng)實(shí)際譜線與標(biāo)準(zhǔn)譜線出現(xiàn)差異時(shí)，則說明出現(xiàn)了刻蝕殘留問題，這樣，能夠在刻蝕工藝結(jié)束后自動(dòng)檢測刻蝕殘留，避免出現(xiàn)刻蝕殘留問題的wafer流入后道工序，從而能夠節(jié)省生產(chǎn)成本，提高半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的良率。參照圖1，示出了本發(fā)明一種譜線模型的建立方法實(shí)施例的流程圖，具體可以包括步驟101、獲取與待建?？涛g工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片；本發(fā)明實(shí)施例通過建模得到作為標(biāo)準(zhǔn)譜線的譜線模型，其中，所述建模的第一步是獲取建模數(shù)據(jù)。在實(shí)際中，可首先確定待建?？涛g工藝(Recipe)，然后選擇光譜強(qiáng)度對完整刻蝕硅片的刻蝕膜層中所含物質(zhì)敏感的譜線作為建模數(shù)據(jù)；這里，所述完整刻蝕硅片是指半導(dǎo)體器件產(chǎn)品已通過良率檢測的wafer，也即不帶有刻蝕殘留的硅片；因此，依據(jù)完整刻蝕硅片的樣本譜線構(gòu)造的譜線模型能夠具有完整刻蝕硅片的特征描述能力。在刻蝕工藝中，進(jìn)出腔室的時(shí)間不同等各種工藝因素，導(dǎo)致與待建?？涛g工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的譜線的不同，故本發(fā)明實(shí)施例選取多個(gè)完整刻蝕硅片的譜線作為建模數(shù)據(jù)。為方便起見，下面以m個(gè)完整刻蝕硅片的譜線作為樣本譜線，可以理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)置所述m值，本發(fā)明對此不加以限制。
在半導(dǎo)體刻蝕工藝過程中，確定Recipe也即確定一組工藝控制變量(如時(shí)間、溫度、壓力、流量、電壓和電流等)的設(shè)定值。通常，一個(gè)Recipe包含若干步驟，其中，每個(gè)步驟對應(yīng)一組工藝控制變量，相同變量在每個(gè)步驟中的設(shè)定值不一定相同，各步驟是按順序執(zhí)行的。對于各步驟時(shí)間確定的Recipe，本發(fā)明可以選擇完整Recipe的譜線作為建模樣本數(shù)據(jù)，此時(shí)，建立的譜線模型也對應(yīng)于完整Recipe ；而在有些情況下，Recipe中的各步驟時(shí)間可能是不確定的，例如，刻蝕設(shè)備檢修就有可能導(dǎo)致出現(xiàn)不確定的各步驟時(shí)間；針對上述情形，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，可以選擇Recipe中步驟的譜線作為建模樣本數(shù)據(jù)，此時(shí)，建立的譜線模型也對應(yīng)于Recipe的步
馬聚ο需要說明的是，這里的步驟可以是一個(gè)步驟，也可以是多個(gè)連續(xù)的步驟。假設(shè) Recipe包括10個(gè)步驟步驟1、步驟2、...步驟10，如果每步驟結(jié)束后都可能有停頓，則可以針對每個(gè)步驟建立譜線模型；或者，如果只有在步驟5和步驟6之間發(fā)生停頓，則可以分別針對步驟1-步驟5、步驟6-步驟10建立譜線模型。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況選擇各步驟的譜線建立相應(yīng)的譜線模型，本發(fā)明對此不加以限制。另外，可以根據(jù)刻蝕工藝中所要監(jiān)控的物質(zhì)，來確定所述建模數(shù)據(jù)涉及的譜線，這里，所要監(jiān)控的物質(zhì)可以是反應(yīng)物，如Si (波長觀8. 2nm)、N(波長674. Onm)等，也可以是生成物，如SiCi (波長287. lnm)、SiF (波長440. lnm、777. Onm)等，本發(fā)明對具體的監(jiān)控物質(zhì)不加以限制。步驟102、依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型。通常情況下，可以直接依據(jù)所述m個(gè)譜線樣本的數(shù)據(jù)進(jìn)行譜線模型的構(gòu)造；但是， 在某些特殊情況下，由于工藝控制變量受實(shí)際工藝狀態(tài)影響，工藝的開始時(shí)間會(huì)有所不同， 此時(shí)，需要對所述樣本譜線進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理步驟具體可以包括子步驟Al、從多個(gè)所述樣本譜線中，獲取工藝開始時(shí)間最早的第一樣本譜線及其相應(yīng)的最早工藝開始時(shí)間；子步驟A2、以所述最早工藝開始時(shí)間為基準(zhǔn)點(diǎn)，對除所述第一樣本譜線之外的其他樣本譜線進(jìn)行時(shí)間平移。假設(shè)子步驟Al獲取的第一樣本譜線的最早工藝開始時(shí)間樣本譜線0，其工藝開始時(shí)間最小值為、，那么子步驟A2則針對除所述第一樣本譜線之外的樣本譜線ρ的時(shí)間刻度 tp做相應(yīng)的平移，時(shí)間平移量 計(jì)算如下ap = tp-t0, ρ = 1, . . . , m-1(1)在實(shí)際中，可以采用很多構(gòu)造方法為m條樣本譜線的曲線構(gòu)造所述譜線模型，例如，所述構(gòu)造方法可以包括曲線插值、曲線擬合方法等，或者，可以包括二維、三維空間構(gòu)造方法等。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，通過在二維空間搜索中心點(diǎn)來構(gòu)造所述譜線模型，其具有算法簡單、運(yùn)算速度快等優(yōu)點(diǎn)；相應(yīng)地，所述步驟102具體可以包括子步驟Bi、將多個(gè)所述樣本譜線的時(shí)間軸分別劃分為多個(gè)時(shí)間刻度；子步驟B2、分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)；所述分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)的步驟具體可以包括
首先，獲取對應(yīng)同一時(shí)間刻度的每個(gè)樣本譜線的樣本點(diǎn)；然后，選取多個(gè)樣本點(diǎn)中，其一樣本點(diǎn)分別到其他樣本點(diǎn)的距離總和最小的樣本
點(diǎn)ο假設(shè)子步驟ΒΓ將時(shí)間軸劃分為η個(gè)時(shí)間刻度，(\。，Α。)是第i個(gè)時(shí)間刻度對應(yīng)的樣本數(shù)據(jù)的中心點(diǎn)坐標(biāo)，( ，、)是第i個(gè)時(shí)間刻度對應(yīng)的第j個(gè)樣本數(shù)據(jù)的樣本點(diǎn)坐標(biāo)；則所述樣本譜線到第i個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)的距離總和最小可計(jì)算如下
權(quán)利要求
1.一種刻蝕殘留的檢測方法，其特征在于，包括獲取待檢測硅片的譜線；根據(jù)與所述待檢測硅片相同刻蝕工藝的譜線模型，檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留； 所述譜線模型為依據(jù)與所述刻蝕工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線建模得到，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于完整刻蝕工藝，則采用對應(yīng)于完整刻蝕工藝的譜線模型；否則，若所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于刻蝕工藝步驟，則采用對應(yīng)于刻蝕工藝步驟的譜線模型。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留的步驟，包括根據(jù)所述譜線模型所包括的多個(gè)時(shí)間刻度，對應(yīng)劃分所述待檢測硅片的譜線的時(shí)間軸上的時(shí)間刻度，并獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的待檢測點(diǎn)；且所述譜線模型的每個(gè)時(shí)間刻度對應(yīng)一中心點(diǎn)；在對應(yīng)時(shí)間刻度下，逐一獲取待檢測點(diǎn)與中心點(diǎn)之間的距離；判斷是否有預(yù)置數(shù)目的連續(xù)多個(gè)所述距離均大于差異度距離，若是，則判定所述待檢測硅片出現(xiàn)刻蝕殘留。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，依據(jù)如下步驟獲取差異度距離針對多個(gè)所述樣本譜線，分別計(jì)算每個(gè)時(shí)間刻度的Y坐標(biāo)容差，并以所有時(shí)間刻度Y坐標(biāo)容差的均值作為所述差異度距離，其中，所述Y坐標(biāo)容差為Y坐標(biāo)最大值與Y坐標(biāo)最小值之差。
5 一種譜線模型的建立方法，其特征在于，包括獲取與待建?？涛g工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片；依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型的步驟，包括將多個(gè)所述樣本譜線的時(shí)間軸分別劃分為多個(gè)時(shí)間刻度；分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)；組合所有時(shí)間刻度的中心點(diǎn)形成譜線模型。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)的步驟，包括獲取對應(yīng)同一時(shí)間刻度的每個(gè)樣本譜線的樣本點(diǎn)；選取多個(gè)樣本點(diǎn)中，其一樣本點(diǎn)分別到其他樣本點(diǎn)的距離總和最小的樣本點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述譜線模型包括對應(yīng)于完整刻蝕工藝的譜線模型和對應(yīng)于刻蝕工藝步驟的譜線模型。
9.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括從多個(gè)所述樣本譜線中，獲取工藝開始時(shí)間最早的第一樣本譜線及其相應(yīng)的最早工藝開始時(shí)間；以所述最早工藝開始時(shí)間為基準(zhǔn)點(diǎn)，對除所述第一樣本譜線之外的其他樣本譜線進(jìn)行時(shí)間平移。
10.一種刻蝕殘留的檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括 獲取模塊，用于獲取待檢測硅片的譜線；檢測模塊，用于根據(jù)與所述待檢測硅片相同刻蝕工藝的譜線模型，檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留；所述譜線模型為依據(jù)與所述刻蝕工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線建模得到，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測模塊，具體用于在所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于完整刻蝕工藝時(shí)，采用對應(yīng)于完整刻蝕工藝的譜線模型；否則，在所述待檢測硅片的譜線對應(yīng)于刻蝕工藝步驟時(shí)，采用對應(yīng)于刻蝕工藝步驟的譜線模型。
12.如權(quán)利要求10或11所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述檢測模塊包括待檢測點(diǎn)獲取子模塊，用于根據(jù)所述譜線模型所包括的多個(gè)時(shí)間刻度，對應(yīng)劃分所述待檢測硅片的譜線的時(shí)間軸上的時(shí)間刻度，并獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的待檢測點(diǎn)；且所述譜線模型的每個(gè)時(shí)間刻度對應(yīng)一中心點(diǎn)；距離獲取子模塊，用于在對應(yīng)時(shí)間刻度下，逐一獲取待檢測點(diǎn)與中心點(diǎn)之間的距離；及判斷子模塊，用于判斷是否有預(yù)置數(shù)目的連續(xù)多個(gè)所述距離均大于差異度距離，若是， 則判定所述待檢測硅片出現(xiàn)刻蝕殘留。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括差異度距離計(jì)算模塊，用于針對多個(gè)所述樣本譜線，分別計(jì)算每個(gè)時(shí)間刻度的Y坐標(biāo)容差，并以所有時(shí)間刻度Y坐標(biāo)容差的均值作為所述差異度距離，其中，所述Y坐標(biāo)容差為 Y坐標(biāo)最大值與Y坐標(biāo)最小值之差。
14.一種譜線模型的建立系統(tǒng)，其特征在于，包括樣本獲取模塊，用于獲取與待建?？涛g工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片；模型構(gòu)造模塊，用于依據(jù)多個(gè)所述樣本譜線構(gòu)造譜線模型。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述模型構(gòu)造模塊包括 劃分子模塊，用于將多個(gè)所述樣本譜線的時(shí)間軸分別劃分為多個(gè)時(shí)間刻度； 中心點(diǎn)獲取子模塊，用于分別獲取對應(yīng)每個(gè)時(shí)間刻度的中心點(diǎn)；組合子模塊，用于組合所有時(shí)間刻度的中心點(diǎn)形成譜線模型。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述中心點(diǎn)獲取子模塊包括 樣本點(diǎn)獲取單元，用于獲取對應(yīng)同一時(shí)間刻度的每個(gè)樣本譜線的樣本點(diǎn)；選取單元，用于選取多個(gè)樣本點(diǎn)中，其一樣本點(diǎn)分別到其他樣本點(diǎn)的距離總和最小的樣本點(diǎn)。
17.如權(quán)利要14至16中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述譜線模型包括對應(yīng)于完整刻蝕工藝的譜線模型和對應(yīng)于刻蝕工藝步驟的譜線模型。
18.如權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括 預(yù)處理模塊，包括基準(zhǔn)獲取子模塊，用于從多個(gè)所述樣本譜線中，獲取工藝開始時(shí)間最早的第一樣本譜線及其相應(yīng)的最早工藝開始時(shí)間；時(shí)間平移子模塊，用于以所述最早工藝開始時(shí)間為基準(zhǔn)點(diǎn)，對除所述第一樣本譜線之外的其他樣本譜線進(jìn)行時(shí)間平移。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種刻蝕殘留的檢測方法和系統(tǒng)、譜線模型的建立方法和系統(tǒng)，其中的刻蝕殘留的檢測方法包括獲取待檢測硅片的譜線；根據(jù)與所述待檢測硅片相同刻蝕工藝的譜線模型，檢測所述待檢測硅片的刻蝕殘留；所述譜線模型為依據(jù)與所述刻蝕工藝相應(yīng)的完整刻蝕硅片的多個(gè)樣本譜線建模得到，其中，所述完整刻蝕硅片為不帶有刻蝕殘留的硅片。本發(fā)明能夠滿足大批量生產(chǎn)的情況，可在刻蝕工藝結(jié)束后自動(dòng)快速檢測到出現(xiàn)刻蝕殘留問題的wafer，從而能夠避免出現(xiàn)刻蝕殘留問題的wafer流入后道工序，不但節(jié)省了生產(chǎn)成本，而且提高了半導(dǎo)體器件的良率。
文檔編號H01L21/66GK102468198SQ20101053266
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月1日
發(fā)明者謝凱 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司