專利名稱:大功率led封裝結構及封裝方法
技術領域:
本發(fā)明涉及LED封裝技術,尤其涉及一種大功率LED封裝結構及封裝方法。
背景技術:
傳統(tǒng)的大功率LED封裝方式是將LED芯片固定在基板上,再將配有熒光粉的膠水 點到芯片周圍,然后再注入一層透明膠經(jīng)烘烤后成型。發(fā)明人在實施本發(fā)明過程中,發(fā)現(xiàn)現(xiàn) 有技術的LED封裝結構至少存在如下技術問題1、由于配有熒光粉的膠水直接點到芯片周 圍,熒光膠的厚度不一致且熒光粉分布不均勻會導致整個光源的空間色溫不一致。2、由于 熒光粉沉淀到基板表面會降低膠體與基板之間的接著力,LED長時間點亮膠體與基板之間 會出現(xiàn)分層,降低產(chǎn)品的可靠性;3、熒光粉直接和發(fā)熱量高的芯片接觸,也會降低產(chǎn)品的可 靠性,光衰相對較大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例所要解決的技術問題在于,提供一種大功率LED封裝結構及封裝方 法,以實現(xiàn)光源空間色溫均勻一致,光衰較小,可靠性較高。為解決上述技術問題,本發(fā)明提供了一種大功率LED封裝結構,包括 基板;
固定在所述基板一側的LED芯片; 在所述LED芯片周圍壓注形成的圍墻結構; 由點入到所述圍墻結構中的熒光膠形成的熒光膠層; 在所述圍墻結構外壓注形成的第二透明膠層。進一步地,所述LED封裝結構還包括涂覆在所述LED芯片和熒光膠層之間的第一 透明膠層。進一步地,所述基板為金屬基板或陶瓷基板。進一步地,所述圍墻結構、所述第一透明膠層以及所述第二透明膠層的膠體均為 硅膠。一種大功率LED封裝方法,包括如下步驟 將LED芯片固定到基板一側;
在所述LED芯片周圍壓注圍墻結構; 在所述圍墻結構內(nèi)點入熒光膠以形成熒光膠層; 在所述圍墻結構外壓注形成第二透明膠層。進一步地,所述LED封裝方法還包括在所述LED芯片和熒光膠層之間涂覆第一透 明膠層。進一步地,所述基板為金屬基板或陶瓷基板。進一步地,所述圍墻結構、所述第一透明膠層以及所述第二透明膠層的膠體均為 硅膠。
上述技術方案至少具有如下有益效果
1、本發(fā)明實施例的封裝結構通過在LED芯片周圍壓注圍墻結構,并將熒光膠點入圍墻 結構內(nèi)形成厚度均勻的熒光膠層,其內(nèi)部的熒光粉分布均勻可較好的實現(xiàn)光源空間色溫均 勻一致性;
2、本發(fā)明實施例的LED封裝結構在熒光膠層與LED芯片和基板之間涂覆有第一透明膠 層,可以解決由于熒光粉直接和發(fā)熱量高的LED芯片以及基板相接觸而造成的產(chǎn)品可靠性 低、光衰較大的缺陷。
圖1是本發(fā)明的大功率LED封裝結構一實施例的示意圖; 圖2是本發(fā)明的大功率LED封裝方法的流程圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明實施例作進一步的詳細描述。如圖1所示本發(fā)明實施例所提供的大功率LED封裝結構,包括基板1、LED芯片 2、圍墻結構3、熒光膠層4以及第二透明膠層5。其中LED芯片2固定在基板1的一個側面上,圍墻結構3以LED芯片2為中心壓 注在LED芯片2的周圍,該圍墻結構3可以為以LED芯片2為中心的圓環(huán)形硅膠圍墻,也可 以采用方形的硅膠圍墻;在圍墻結構3內(nèi)部點入配有熒光粉的液體膠以形成厚度均勻的熒 光膠層4,第二透明膠層5為壓注在圍墻結構3外的透明硅膠層,呈半球狀。其中,基板1可 采用金屬基板或陶瓷基板。通過在圍墻結構3內(nèi)點入熒光膠,可形成形狀規(guī)則、厚度均勻的熒光膠層4,熒光 膠層4內(nèi)部的熒光粉的分布也較為均勻,可較好的實現(xiàn)光源空間色溫均勻一致性。本發(fā)明LED封裝結構還包括涂覆在所述LED芯片2和熒光膠層4之間的第一透明 膠層6。其中圍墻結構3和第一透明膠層6的膠體均為硅膠,第一透明膠層6可以防止熒光 粉直接和發(fā)熱量高的LED芯片2接觸,提高產(chǎn)品的可靠性,減小光衰;第一透明膠層6還可 防止熒光膠層4的熒光粉沉淀在膠體和基板1的接觸表面,從而提高膠體和基板1之間的 接著力。圖2所示為本發(fā)明一實施方式中大功率LED封裝方法的流程圖,在本實施例中采 用金屬基板或陶瓷基板,具體流程如下
步驟101 固定LED芯片2 ;
具體操作時,可用銀膠將LED芯片2固定到基板1的一側面上,也可通過合金焊接的方 式將LED芯片2固定到基板1上; 步驟102 壓注圍墻結構3;
具體操作時,可以采用模具,以LED芯片2為中心在基板1上壓注一圍墻結構3,該圍墻 結構3可以為以LED芯片2為中心的圓環(huán)形硅膠圍墻,也可以采用方形的硅膠圍墻; 步驟103 涂覆第一透明膠層6;
具體操作時,在LED芯片2的表面和圍墻結構3內(nèi)的基板1上涂覆一層硅膠以形成第 一透明膠層6,實現(xiàn)熒光膠層4與基板1和LED芯片2間的隔離;步驟104 在圍墻結構3內(nèi)點入熒光膠以形成厚度均勻的熒光膠層4 ; 步驟105 在圍墻結構3外壓注第二透明膠層5。本發(fā)明實施例的LED封裝方法通過將熒光膠點入圍墻結構3內(nèi)以形成厚度均勻的 熒光膠層4,熒光膠層4內(nèi)部的熒光粉分布較均勻可較好的實現(xiàn)光源空間色溫均勻一致性; 在LED芯片2與熒光膠層4之間涂覆第一透明膠層6,可以解決由于熒光粉直接和發(fā)熱量高 的LED芯片2以及基板1相接觸而造成的產(chǎn)品可靠性低、光衰較大的缺陷。以上所述是本發(fā)明的具體實施方式
,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員 來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也視為 本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
一種大功率LED封裝結構,其特征在于,包括基板;固定在所述基板一側的LED芯片;在所述LED芯片周圍壓注形成的圍墻結構;由點入到所述圍墻結構中的熒光膠形成的熒光膠層;在所述圍墻結構外壓注形成的第二透明膠層。
2.如權利要求1所述的大功率LED封裝結構,其特征在于,所述LED封裝結構還包括涂 覆在所述LED芯片和熒光膠層之間的第一透明膠層。
3.如權利要求1所述的大功率LED封裝結構,其特征在于,所述基板為金屬基板或陶瓷基板。
4.如權利要求1所述的大功率LED封裝結構,其特征在于,所述圍墻結構、所述第一透 明膠層以及所述第二透明膠層的膠體均為硅膠。
5.一種大功率LED封裝方法,其特征在于,包括如下步驟 將LED芯片固定到基板一側;在所述LED芯片周圍壓注圍墻結構; 在所述圍墻結構內(nèi)點入熒光膠以形成熒光膠層; 在所述圍墻結構外壓注形成第二透明膠層。
6.如權利要求5所述的大功率LED封裝方法,其特征在于,所述LED封裝方法還包括在 所述LED芯片和熒光膠層之間涂覆第一透明膠層。
7.如權利要求5所述的大功率LED封裝方法,其特征在于,所述基板為金屬基板或陶瓷基板。
8.如權利要求5所述的大功率LED封裝方法,其特征在于,所述圍墻結構、所述第一透 明膠層以及第二透明膠層的膠體均為硅膠。
全文摘要
本發(fā)明實施例涉及一種大功率LED封裝結構,包括基板、固定在基板上的LED芯片、在LED芯片周圍壓注形成的圍墻結構、由點入到圍墻結構中的熒光膠形成的熒光膠層、涂覆在LED芯片和熒光膠層之間的第一透明膠層以及在圍墻結構外壓注形成的第二透明膠層。本發(fā)明實施例還提供了一種大功率LED封裝方法,該封裝方法中通過將熒光膠點入圍墻結構內(nèi)所形成的熒光膠層厚度均勻,熒光粉分布均勻可較好的實現(xiàn)光源空間色溫均勻一致性;在LED芯片與熒光膠層之間涂覆第一透明膠層,可以解決由于熒光粉直接和發(fā)熱量高的LED芯片以及基板相接觸而造成的產(chǎn)品可靠性低、光衰較大的缺陷。
文檔編號H01L33/48GK101964390SQ201010523210
公開日2011年2月2日 申請日期2010年10月28日 優(yōu)先權日2010年10月28日
發(fā)明者萬喜紅, 易胤煒, 羅龍, 雷玉厚 申請人:深圳市天電光電科技有限公司