專利名稱：一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種溝槽型半導(dǎo)體器件及制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的溝槽型半導(dǎo)體器件制造過程中，通常采用形成自對準(zhǔn)金屬硅化物來改善在源區(qū)、漏區(qū)和柵區(qū)硅的薄膜電阻以及硅和金屬之間的接觸電阻，以達(dá)到器件更低的導(dǎo)通電阻和柵極電阻，提高器件的效率。美國專利文獻(xiàn)(US20030168695A1)公開了一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管溝槽硅化物柵極的制造方法，如圖18所示，該方法中，只在半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管溝槽的導(dǎo)電多晶硅柵極的表面沉積有一層硅化物(例如硅化鈦)，然后在其表面沉積局部的厚氧化層。美國專利文獻(xiàn)(US20070023^8A1)公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，如圖19 所示，該半導(dǎo)體器件首先把溝槽里的柵極在垂直方向分成兩半，中間以氧化物作為隔離，然后在其上部份沉積一層硅化物。采用公開號為US20030168695A1美國專利文獻(xiàn)制造的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其硅化物表面的局部厚氧化層會使表面不平坦，導(dǎo)致源金屬厚度的不均勻，影響了器件的導(dǎo)通電阻一致性，而采用公開號為US20070023^8A1美國專利文獻(xiàn)制造的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，對溝槽蝕刻的要求高、工序比較復(fù)雜，使得多晶硅寬度難以控制，影響了器件的一致性。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件及制造方法，用較少的工藝步驟和掩模，避免了有關(guān)工序造成的污染和一致性的控制，達(dá)到閾值電壓和導(dǎo)通電阻等電參數(shù)的一致性。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟
1)利用源區(qū)掩模形成基區(qū)；
2)利用溝槽掩模蝕刻出溝槽，并沉積多晶硅；
3)注入磷元素，形成源區(qū)；
4)在所述多晶硅和源區(qū)表面形成硅化物；
5)沉積鋁銅合金，形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線。其中，所述步驟1)進(jìn)一步包括以下步驟
a)在襯底的外延層上沉積厚度為8000 左右的第一氧化層；
b)蝕刻第一氧化層形成源區(qū)掩模，然后在暴露的外延層部分注入硼元素，並推進(jìn)擴(kuò)散到外延層中形成基區(qū)。其中，所述步驟2)進(jìn)一步包括以下步驟
a)生成屏敝氧化層，沉積光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻形成溝槽掩模；
b)利用溝槽掩模，在暴露的外延層部分蝕刻出溝槽；c)移除光刻涂層，并對暴露的外延層部分、溝槽側(cè)壁和底部表面進(jìn)行犧牲氧化，然后
再形成第二氧化層。其中，所述步驟3)進(jìn)一步包括以下步驟
a)在溝槽中沉積以摻雜的多晶硅，并對多晶硅進(jìn)行回蝕；
b)注入磷元素，并采用退火作業(yè)將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)中形成源區(qū)。其中，所述步驟3)和步驟4)之間還包括以下步驟沉積光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻形成第二基區(qū)掩模，注入硼元素的步驟。其中，所述步驟3)和步驟4)之間還包括以下步驟
a)沉積并蝕刻光刻涂層，形成第一接觸孔掩模；
b)通過第一接觸孔掩模蝕刻出接觸孔溝槽；向接觸孔溝槽中注入硼元素，并將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)。其中，所述步驟4)還包括
a)去掉源區(qū)表面上的氧化物后；
b)沉積過渡金屬，進(jìn)行退火作業(yè)使金屬和單晶硅反應(yīng)而形成硅化物；
c)選擇性蝕刻多餘的未反應(yīng)的過渡金屬。其中，所述步驟5)進(jìn)一步包括以下步驟
a)通過接觸孔掩模形成接觸孔溝槽；
b)對接觸孔溝槽進(jìn)行填充形成溝槽插塞；
c)沉積鋁銅合金，并進(jìn)行退火，然后通過金屬掩模進(jìn)行金屬浸蝕，形成源極金屬墊層， 柵極金屬墊層和金屬連線。其中，所述步驟5)進(jìn)一步包括以下步驟
a)在溝槽中沉積層間介質(zhì)并進(jìn)行回蝕；
b)沉積并蝕刻光刻涂層，形成第二接觸孔掩模；
c)利用第二接觸孔掩模，蝕刻接觸孔中的層間介質(zhì)；
d)對接觸孔溝槽進(jìn)行填充形成溝槽插塞；
e)沉積一層鋁銅合金，通過金屬掩模進(jìn)行金屬浸蝕，使形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線。其中，所述硅化物為WSi2、TiSi2、MoSi2 或 TaSi2。本發(fā)明具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和積極效果，采用本發(fā)明的制造方法由于采用了掩模板， 避免了有關(guān)工序造成的污染和一致性的控制，減少了自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造工序，保證了半導(dǎo)體器件的閾值電壓等電參數(shù)的一致性；由于本發(fā)明的制造方法簡單、容易，制造工藝容易實(shí)現(xiàn)，使器件的質(zhì)量以及可靠性得到了較大的提高。


附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起，用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中
圖1為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1流程
圖2位為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法中沉積第一氧化層并形成源區(qū)掩模，注入硼元素示意圖3為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法中形成的基區(qū)和溝槽掩模示意圖4為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法中蝕刻出溝槽及生成第二氧化層示意圖5為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法中注入磷元素、 形成源區(qū)和柵極(多晶硅)示意圖6為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1中源區(qū)和多晶硅表面生成的硅化物示意圖7為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1中沉積和化學(xué)機(jī)械拋光層間介質(zhì)示意圖8為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1中利用接觸孔掩模形成的接觸孔示意圖9為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1中擴(kuò)大接觸孔上部份和注入P+后的示意圖10為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1中形成的金屬墊層及金屬連線示意圖11為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例2流程
圖12為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例2中利用第二基區(qū)掩模，注入硼元素后的示意圖13為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例2中在第二基區(qū)和多晶硅表面生成硅化物后，沿圖12中B-B'橫切面示意圖14為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例2中在硅化物表面直接沉積鋁銅合金，形成的金屬墊層及金屬連線后，沿圖12中A-A'橫切面示意圖15為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例3流程
圖16為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例3中利用接觸孔掩模形成的接觸孔并注入硼元素示意圖17為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例3中通過金屬掩模形成的金屬墊層及金屬連線示意圖18為現(xiàn)有技術(shù)中美國專利文獻(xiàn)(US20030168695A1)公開的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管示意圖19為現(xiàn)有技術(shù)中美國專利文獻(xiàn)(US200700238^A1)公開的半導(dǎo)體器件示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
實(shí)施例1
圖1為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1流程圖，下面將參考圖1，對本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例1 進(jìn)行詳細(xì)闡述
首先，在步驟101，利用源區(qū)掩模注入硼元素形成基區(qū)。該步驟包括在襯底的外延層上采用積淀或熱生長方式生成第一氧化層(氧化物硬光罩)，第一氧化層的厚度約為 8000 ；蝕刻第一氧化層形成源區(qū)掩模，然后在暴露的外延層部分注入硼元素，如圖2所示；采用退火作業(yè)將硼元素推進(jìn)擴(kuò)散到外延層中形成基區(qū)，如圖3所示；
在步驟102，利用溝槽掩模蝕刻出溝槽，并生成第二氧化層。該步驟包括在暴露的外延層表面生成屏敝氧化層，沉積光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻形成溝槽掩模，如圖3所示；利用溝槽掩模，在暴露的外延層部分蝕刻出溝槽；移除光刻涂層，并對暴露的外延層部分、溝槽側(cè)壁和底部表面進(jìn)行犧牲氧化，然后再形成第二氧化層(柵極氧化層)，如圖4所示；
在步驟103，沉積多晶硅，并注入磷元素形成源區(qū)。在該步驟中，首先在溝槽中沉積以摻雜的多晶硅，并對多晶硅進(jìn)行回蝕；然后，注入磷元素，并采用退火作業(yè)將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)中形成源區(qū)，如圖5所示；
在步驟104，在源區(qū)和多晶硅表面生成硅化物。該步驟包括第一，移除源區(qū)表面的第二氧化層；第二，沉積過渡金屬，進(jìn)行退火作業(yè)使金屬和單晶硅反應(yīng)而形成硅化物；第三， 選擇性蝕刻多餘的未反應(yīng)的過渡金屬，在多晶硅和源區(qū)表面生成硅化物，如圖6所示，形成的硅化物可以是WSi2、TiSi2、MoSi2或TaSi2。在步驟105，通過接觸孔掩模形成接觸孔溝槽。首先，在器件的表面沉積一層層間介質(zhì)，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理，使層間介質(zhì)保持一定厚度，如圖7所示；其次，在層間介質(zhì)表面沉積一層光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻，形成接觸孔掩模；最后，通過接觸孔掩模，利用干法由層間介質(zhì)蝕刻到基區(qū)中形成接觸孔溝槽，如圖8所示；
在步驟106，向接觸孔溝槽中注入ρ+ (硼元素)，并將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)。在本步驟中， 首先通過接觸孔掩模利用濕法蝕刻層間介質(zhì)，然后移除光刻涂層，最后向接觸孔中注入P+， 采用快速高溫退火作業(yè)將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)中，如圖9所示；
在步驟107，對接觸孔溝槽進(jìn)行填充形成溝槽插塞。在該步驟中，先后使用鈦/氮化鈦層和鎢層對接觸孔溝槽進(jìn)行填充以形成溝槽插塞，并對表層進(jìn)行浸蝕，以去除頂層的鈦/ 氮化鈦和鎢；
在步驟108，利用金屬掩模形成金屬墊層和連線。首先該器件的上面沉積一層鋁銅合金，并進(jìn)行退火，然后通過金屬掩模進(jìn)行金屬浸蝕，形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線，如圖10所示。實(shí)施例2
圖11為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例2流程圖，下面將參考圖11進(jìn)行詳細(xì)闡述
在步驟1101-1103，與實(shí)施例1的制造方法相同，參考步驟101-103，這里不再贅述； 在步驟1104，在該步驟中，首先，沉積一層光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻形成基區(qū)掩模，然后注入硼元素，如圖12所示；
在步驟1105，然后采用快速高溫退火作業(yè)，移除光刻涂層以及源區(qū)表面的第二氧化層；沉積過渡金屬，進(jìn)行退火作業(yè)使金屬和單晶硅反應(yīng)而形成硅化物；選擇性蝕刻多餘的未反應(yīng)的過渡金屬，在第二基區(qū)、源區(qū)和多晶硅表面生成硅化物，如圖6和圖13所示，形成的硅化物可以是 WSi2、TiSi2、MoSi2 或 TaSi2 ；
在步驟1106，在溝槽中沉積層間介質(zhì)并進(jìn)行回蝕；
在步驟1107，在頂層沉積鋁銅合金，使其直接接觸硅化物，形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線，如圖14所示。實(shí)施例3
圖15為根據(jù)本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件制造方法實(shí)施例3流程圖，下面將參考圖15進(jìn)行詳細(xì)闡述
在步驟1501-1503，與實(shí)施例1的制造方法相同，參考步驟101-103，這里不再贅述； 在步驟1504，沉積并蝕刻光刻涂層，形成第一接觸孔掩模；通過第一接觸孔掩模形成接觸孔溝槽；向接觸孔溝槽中注入硼元素(P+)，并將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)，如圖16所示；
在步驟1505，移除光刻涂層以及源區(qū)表面的第二氧化層；沉積過渡金屬，進(jìn)行退火作業(yè)使金屬和單晶硅反應(yīng)而形成硅化物；選擇性蝕刻多餘的未反應(yīng)的過渡金屬，在源區(qū)和多晶硅表面生成硅化物，如圖6所示，硅化物為WSi2、TiSi2、MoSi2或TaSi2 ；
在步驟1506，第一步，在溝槽中沉積層間介質(zhì)并進(jìn)行回蝕；第二步，沉積并蝕刻光刻涂層，形成第二接觸孔掩模；第三步，利用第二接觸孔掩模，蝕刻接觸孔中的層間介質(zhì)；
在步驟1507 - 1508，與實(shí)施例1的制造方法相同，參考步驟107-108，這里不再贅述。實(shí)施例3中通過金屬掩模形成的金屬墊層及金屬連線后的結(jié)構(gòu)如圖17所示。上述實(shí)施例是以自對準(zhǔn)金屬硅化物的N型通道溝槽型半導(dǎo)體功率器件的制造過程進(jìn)行說明，對于自對準(zhǔn)金屬硅化物的P型通道半導(dǎo)體功率器件的制造，主要不同是摻雜物的類型，采用上述實(shí)施例的方法，改變摻雜物的類型，同樣可以用于制造自對準(zhǔn)金屬硅化物的P型通道半導(dǎo)體器件。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，本發(fā)明不排它地涉及用于制造半導(dǎo)體器件(例如，MOS器件或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)類型的器件或雙極結(jié)型晶體管(BJT)類型的器件或雙極二極管或肖特基二極管)的工藝及對應(yīng)的器件。盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說， 其依然可以對前述實(shí)施例記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括以下步驟1)利用源區(qū)掩模形成基區(qū)；2)利用溝槽掩模蝕刻出溝槽，并沉積多晶硅；3)注入磷元素，形成源區(qū)；4)在所述多晶硅和源區(qū)表面形成硅化物；5)沉積鋁銅合金，形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟1)進(jìn)一步包括以下步驟a)在襯底的外延層上沉積厚度為8000 左右的第一氧化層；b)蝕刻第一氧化層形成源區(qū)掩模，然后在暴露的外延層部分注入硼元素，並推進(jìn)擴(kuò)散到外延層中形成基區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟2)進(jìn)一步包括以下步驟a)生成屏敝氧化層，沉積光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻形成溝槽掩模；b)利用溝槽掩模，在暴露的外延層部分蝕刻出溝槽；c)移除光刻涂層，并對暴露的外延層部分、溝槽側(cè)壁和底部表面進(jìn)行犧牲氧化，然后再形成第二氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟3)進(jìn)一步包括以下步驟a)在溝槽中沉積以摻雜的多晶硅，并對多晶硅進(jìn)行回蝕；b)注入磷元素，并采用退火作業(yè)將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)中形成源區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟3)和步驟4)之間還包括以下步驟沉積光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻形成第二基區(qū)掩模，注入硼元素的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟3)和步驟4)之間還包括以下步驟a)沉積并蝕刻光刻涂層，形成第一接觸孔掩模；b)通過第一接觸孔掩模蝕刻出接觸孔溝槽；向接觸孔溝槽中注入硼元素，并將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟4)還包括a)去掉源區(qū)表面上的氧化物后；b)沉積過渡金屬，進(jìn)行退火作業(yè)使金屬和單晶硅反應(yīng)而形成硅化物；c)選擇性蝕刻多餘的未反應(yīng)的過渡金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述硅化物為WSi2、TiSi2、MoSi2或TaSi2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟5)進(jìn)一步包括以下步驟a)通過接觸孔掩模形成接觸孔溝槽；b)對接觸孔溝槽進(jìn)行填充形成溝槽插塞；c)沉積鋁銅合金，并進(jìn)行退火，然后通過金屬掩模進(jìn)行金屬浸蝕，形成源極金屬墊層， 柵極金屬墊層和金屬連線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟a)還包括a)沉積一層層間介質(zhì)，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理；b)在層間介質(zhì)表面沉積一層光刻涂層，并對其進(jìn)行蝕刻，形成接觸孔掩模；c)通過接觸孔掩模，利用干法由層間介質(zhì)蝕刻到基區(qū)中形成接觸孔溝槽；d)利用濕法，把層間介質(zhì)中的接觸孔擴(kuò)大。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟b)還包括a)向接觸孔溝槽中注入硼元素，并將其推進(jìn)擴(kuò)散到基區(qū)；b)先后使用鈦/氮化鈦層和鎢層對接觸孔溝槽進(jìn)行填充以形成溝槽插塞，并對表層進(jìn)行浸蝕，以去除頂層的鈦/氮化鈦和鎢。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟5)中是將所述鋁銅合金直接與硅化物接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟5)進(jìn)一步包括以下步驟a)在溝槽中沉積層間介質(zhì)并進(jìn)行回蝕；b)沉積并蝕刻光刻涂層，形成第二接觸孔掩模；c)利用第二接觸孔掩模，蝕刻接觸孔中的層間介質(zhì)；d)對接觸孔溝槽進(jìn)行填充形成溝槽插塞；e)沉積一層鋁銅合金，通過金屬掩模進(jìn)行金屬浸蝕，使形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線。
14.一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的方法制造而成的N通道溝槽型半導(dǎo)體器件。
15.一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的方法制造而成的P通道溝槽型半導(dǎo)體器件。
全文摘要
一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件及制造方法，該方法包括利用源區(qū)掩模形成基區(qū)；利用溝槽掩模蝕刻出溝槽，并沉積多晶硅；注入磷元素，形成源區(qū)；在所述多晶硅和源區(qū)表面形成硅化物；沉積鋁銅合金，形成源極金屬墊層，柵極金屬墊層和金屬連線。本發(fā)明的制造方法由于采用了較少的掩模板，減少了自對準(zhǔn)金屬硅化物的溝槽型半導(dǎo)體器件的制造工序和污染，保證了半導(dǎo)體器件的閾值電壓等電參數(shù)的一致性。由于本發(fā)明的制造方法簡單、容易，制造工藝容易實(shí)現(xiàn)，使器件的質(zhì)量以及可靠性得到了較大的提高。
文檔編號H01L29/78GK102456574SQ20101052300
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者張崇興, 梁安杰, 蘇冠創(chuàng) 申請人:香港商莫斯飛特半導(dǎo)體有限公司