專利名稱：一種高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法。
背景技術(shù)：
硅基薄膜太陽(yáng)能電池具有成本低、弱光性能突出、高溫性能好，年度發(fā)電量高(與 相同功率的晶體硅電池比較)等優(yōu)點(diǎn)，在離網(wǎng)式發(fā)電等領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣。離網(wǎng)式發(fā) 電系統(tǒng)依靠蓄電池儲(chǔ)存光伏組件所產(chǎn)生的電能，所用蓄電池的電壓較低(以6V，12V居多)， 所需的電池功率較高；因而需要設(shè)計(jì)高輸出功率低輸出電壓的硅基薄膜太陽(yáng)能電池。就單塊非晶硅芯板而言，一般是通過(guò)激光刻劃將整塊芯板分割成多個(gè)具有一定寬 度的電池單元節(jié)(該寬度有一個(gè)最佳范圍值，過(guò)大或過(guò)小都不利于功率輸出)，然后進(jìn)行內(nèi) 部串聯(lián)將各電池單元節(jié)連接起來(lái)獲得所需的電壓和功率。專利號(hào)為ZL200720172723. 5的中國(guó)專利公開(kāi)了一種疊層太陽(yáng)能電池，將傳統(tǒng)的 疊層的兩層子電池內(nèi)部串聯(lián)改成兩層子電池內(nèi)部并聯(lián)。該技術(shù)一方面解決了現(xiàn)有疊層電池 中兩層子電池的電流不匹配問(wèn)題；另一方面使原本比單層電池電壓高很多的疊層電池的電 壓降低到和單層電池一樣。然而，相比所需要的低電壓，該技術(shù)所提供的太陽(yáng)能電池的電壓 仍然過(guò)高。申請(qǐng)?zhí)枮閆L200910105067. 0的中國(guó)專利公開(kāi)了一種“異形太陽(yáng)能光伏幕墻玻璃 及其制造方法”。該方法將有效面積相同的子電池串聯(lián)，和/或?qū)⒐?jié)數(shù)相同、電壓一致的子 電池并聯(lián)，以充分利用各子電池的發(fā)電功率，減少各子電池因不合理的串并聯(lián)導(dǎo)致的功率 損耗。然而，該發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是子電池的形狀和大小不一樣，導(dǎo)致電流不一致， 因而造成串聯(lián)功率損失。該發(fā)明仍然無(wú)法實(shí)現(xiàn)光伏組件的低電壓輸出。為實(shí)現(xiàn)光伏組件的低電壓輸出，通?？上氲降姆椒ㄊ遣捎脠D1所示的設(shè)計(jì)。如圖1 所示，在未做特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的通用電池芯板中間，采用激光二次加工工藝，直接在芯板的相 應(yīng)位置有效電池單元節(jié)上刻劃出絕緣溝道13，將整塊電池分為左右兩個(gè)子電池，最后用焊 帶將左右兩個(gè)子電池在外部并聯(lián)起來(lái)。然而，如圖1所示，這種設(shè)計(jì)人為地把芯板中的一個(gè) 子電池成了兩個(gè)部分，刻槽13左邊部分是左邊子電池的負(fù)極，右邊是右邊子電池的正極； 這增加了一個(gè)正極，而電池正極屬于太陽(yáng)能電池中的無(wú)效面積，激光刻槽后，相當(dāng)于把刻槽 位置的單元節(jié)的一部分作成了無(wú)效面積，影響左邊子電池的輸出電流，造成左邊子電池輸 出功率下降。此外，刻槽造成的電池內(nèi)無(wú)效面積的增加，也將導(dǎo)致電池輸出功率下降。更嚴(yán) 重的是，若激光絕緣溝道13失效而出現(xiàn)短路現(xiàn)象，將導(dǎo)致太陽(yáng)能電池?zé)o功率輸出。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池 的制造方法，包括激光刻劃前電極層Pl;激光刻劃硅基薄膜層P2 ；
激光刻劃 背電極層P3，其特征在于所述激光刻劃前電極層P1、硅基薄膜層P2和背電極層P3分別形成第一溝道、第二 溝道和第三溝道；所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有數(shù)個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子 電池區(qū)域之間具有共用區(qū)域電極。本發(fā)明所批露的方法可以制造高功率、低電壓的太陽(yáng)能電池。該電池包括在基板 上依次沉積的前電極層、硅基薄膜層以及背電極層，其特征在于所述前電極層、硅基薄膜 層和背電極層分別具有第一溝道、第二溝道和第三溝道；所述前電極層、硅基薄膜層和背電 極層具有數(shù)個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子電池區(qū)域之間是一個(gè)共用區(qū)域電極。


圖1是在太陽(yáng)能芯板上直接刻劃絕緣溝道所制造的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意2是本發(fā)明實(shí)施例1的制造方法的各步驟的示意3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1所述方法制造的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意4是圖3所示太陽(yáng)能電池的俯視5是圖3所示太陽(yáng)能電池的截面示意6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2所述方法制造的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意7是圖6所示太陽(yáng)能電池的俯視8是圖6所示太陽(yáng)能電池的截面示意9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3所述方法制造的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意10是圖9所示太陽(yáng)能電池的俯視11是圖9所示太陽(yáng)能電池的截面示意12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4所述方法制造的太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意13是圖12所示太陽(yáng)能電池的截面示意圖
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。實(shí)施例1 本發(fā)明實(shí)施例1提供一種高功率低電壓的硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，包括 步驟步驟1 如圖2a所示，選擇高透光率的基板1，并在基板1上鍍上透明的前電極層 2。步驟2 如圖2b所示，激光刻劃前電極層2 (簡(jiǎn)稱Pl)，形成第一溝道，將前電極層 2分為兩個(gè)前電極層端部電極21，兩個(gè)子電池區(qū)域，以及位于兩個(gè)子電池區(qū)域之間的前電 極層共用區(qū)域電極23，其中每個(gè)子電池區(qū)域都包括多個(gè)前電極層單元節(jié)22。第一溝道相對(duì) 于前電極層共用區(qū)域電極的中心垂直面呈鏡像分布。本步驟具體程序可包括將透明導(dǎo)電 玻璃置于激光光刻機(jī)平臺(tái)上，采用CCD定位并固定，調(diào)整激光光刻功率為7-11W，保證溝道 寬度小于0. 15mm ；激光刻劃前電極層2，前電極層端部電極21寬度為7mm，前電極層單元節(jié) 22寬度為12mm，前電極層共用區(qū)域電極23寬度為26mm。前電極層端部電極21所發(fā)的電并不在輸出回路中，只是作為電極弓丨出端，因此寬度盡可能減少；左右兩相鄰子電池的電流匯 入前電極層共用區(qū)域電極23，其電流為左邊子電池與右邊子電池電流之和，并考慮后續(xù)步 驟中的焊線損傷問(wèn)題，故其寬度應(yīng)為普通電極22寬度的2倍以上，一般為2倍普通電池寬 度加上2-5mm。步驟3 在前電極層2上沉積硅基薄膜層3。具體程序可包括將已刻劃前電極層 的玻璃放入沉積室，采用13. 56MHz的輝光放電裝置，在前電極層2上沉積P_I_N光電轉(zhuǎn)換 層，單結(jié)的每層薄膜厚度分別約100埃、4000埃、200埃。為防止不同層的交叉污染，在每層 沉積后，用氮?dú)獬浞智逑聪到y(tǒng)，即可獲得電池的光電轉(zhuǎn)換層。 步驟4 如圖2c所示，激光刻劃硅基薄膜層膜3 (簡(jiǎn)稱P2)，形成第二溝道9，將硅 基薄膜層3刻劃成與前電極層2相對(duì)應(yīng)的形狀，硅基薄膜層3也分為兩個(gè)硅基薄膜層端部 電極31，兩個(gè)子電池區(qū)域以及位于兩個(gè)子電池區(qū)域的一個(gè)硅基薄膜層共用區(qū)域電極33，其 中兩個(gè)子電池區(qū)域各包括的多個(gè)硅基薄膜層單元節(jié)32。每條第二溝道9都與一條第一溝道 10對(duì)應(yīng)，且二者平行相距0. 07-0. 30mm。第二溝道9相對(duì)于硅基薄膜層共用區(qū)域電極的中心 垂直面呈鏡像分布；如圖2所示的實(shí)施例中，在硅基薄膜層共用區(qū)域電極的左邊，第二溝道 9位于第一溝道10的右邊；在硅基薄膜層共用區(qū)域電極的右邊，第二溝道9位于第一溝道 10的左邊。本步驟的具體程序可包括待玻璃溫度降至50°C以下后取出，置于激光光刻機(jī) 平臺(tái)上，采用CXD定位并固定，調(diào)整激光光刻功率為0. 1-0. 7W，保證溝道寬度小于0. 15mm。 在共用硅基膜層33的左邊，將硅基膜層刻劃成與前電極層相對(duì)應(yīng)的形狀，并保證此溝道9 與第一溝道10平行相距0. 07-0. 30mm,且第二溝道9在第一溝道10的右邊；在共用硅基膜 層33的右邊，也將硅基膜層刻劃成與前電極層相對(duì)應(yīng)的形狀，并保證此溝道9與第一溝道 10平行相距0. 07-0. 30mm,且第二溝道9在第一溝道10的左邊；取出后用氮?dú)獯祪舯砻娴?粉塵，保證硅基層3與鋁層4的良好接觸；步驟5 在該硅基薄膜層3上真空鍍背電極層4。具體程序可包括將刻好硅基薄 膜層的玻璃放入真空鍍膜機(jī)內(nèi)，抽真空，采用PVD工藝濺射鍍背電極層4。步驟6 如圖2d所示，激光刻劃背電極層4 (簡(jiǎn)稱P3)，形成貫穿前電極層2和硅基 薄膜層3的第三溝道8，將背電極層4刻劃成與該前電極層2相對(duì)應(yīng)的形狀，背電極層4分 為兩個(gè)背電極層端部電極41，兩個(gè)子電池區(qū)域以及位于該兩個(gè)子電池區(qū)域之間的背電極 層共用區(qū)域電極43，其中每個(gè)子電池區(qū)域都包括多個(gè)背電極層單元節(jié)42。每條第三溝道8 都與一條第二溝道9對(duì)應(yīng)，且二者平行相距0. 07-0. 30mm。第三溝道8相對(duì)于背電極層共用 區(qū)域電極的中心垂直面呈鏡像分布；如圖2所示的實(shí)施例中，在背電極層共用區(qū)域電極43 的左邊，第三溝道位8于第二溝道9的右邊；在背電極層共用區(qū)域電極43的右邊，第三溝 道位8于第二溝道9的左邊。本步驟的具體程序可包括將鍍好背電極層4的玻璃置于激 光光刻機(jī)平臺(tái)上，采用CCD定位并固定，調(diào)整激光光刻功率為0. 1-0. 7W，保證溝道寬度少于 0. 15mm。在背電極層共用區(qū)域電極43的左邊，將硅基刻劃成與導(dǎo)電膜相對(duì)應(yīng)的形狀，并保 證第三溝道8與第二溝道9平行相距0. 07mm,且第三溝道8在第二溝道9的右邊；在背電 極層共用區(qū)域電極43的右邊，也將背電極層刻劃成與硅基相對(duì)應(yīng)的形狀，并保證第三溝道 8與第二溝道9平行相距0. 07mm,且第三溝道8在第二溝道9的左邊。步驟7 激光除膜及絕緣。具體程序可包括使用激光將電池四邊緣除去8_15mm 的導(dǎo)電膜層，并在距除膜邊緣內(nèi)側(cè)l_3mm處刻上絕緣線，防止邊緣短路；清洗干燥刻好絕緣線的玻璃。步驟8:焊線。具體程序可包括如圖2e和圖2f所示，在端部電極電極41和共用 區(qū)域電極43上，焊接焊帶7，由于共用區(qū)域電極43上的電流為并聯(lián)支路電流之和，故共用區(qū) 域電極43上的焊帶為端部電極電極41上的焊帶寬度的2倍左右；在玻璃上鋪好膠膜5，再 蓋好背板材料6，將焊帶7從背板材料6上引出，然后將疊放好的組件先放入真空袋內(nèi)進(jìn)行 預(yù)抽氣，將空氣先抽出，抽好后將裝有組件的真空袋一起放入層壓機(jī)或高壓釜中，邊抽氣邊 進(jìn)行加熱壓合，完成組件加工，經(jīng)壓合后，電池芯板與背板材料6具有緊密接觸，最后裝框， 粘結(jié)接線盒，測(cè)試，清洗，包裝，入庫(kù)。使用本實(shí)施列的方法所制造的硅基薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)如圖3至圖5所示。該 電池由兩個(gè)子電池組成，其兩端的子電池上的電池單元節(jié)31具有同一極性的電極，33為共 用的電極，由導(dǎo)電帶72、73將電池的電流引出至負(fù)載。如圖5所示，本實(shí)施例的方法實(shí)現(xiàn)了 兩個(gè)子電池共用同一負(fù)極(公共負(fù)電極)，而兩端均為正極的設(shè)計(jì)；這主要依靠第三溝道8、 第二溝道9以及第一溝道10在電池左右兩個(gè)子電池的相對(duì)位置不同而實(shí)現(xiàn)，如在左邊子電 池的每個(gè)電池單元節(jié)中，從左至右依次是第一溝道10，第二溝道9，第三溝道8 ；而在右邊子 電池的每個(gè)電池單元節(jié)中，前電極層、硅基薄膜層和背電極層的溝道分布位置與左邊子電 池相反，右邊子電池中，從左至右依次是第三溝道8，第二溝道9，第一溝道10，即相鄰子電 池內(nèi)的第一、第二和第三溝道的分布呈鏡像對(duì)稱。在電池兩端正極和共用負(fù)極上分別焊有 導(dǎo)電帶71、72，其中引出電池正極的導(dǎo)電帶71通過(guò)匯流導(dǎo)電帶73匯集輸出，匯流導(dǎo)電帶73 下粘貼有防止子電池區(qū)域之間短路的絕緣帶，絕緣帶可以采用PET或其他起絕緣作用的材 料制成。匯流導(dǎo)電帶73和共用負(fù)極上的導(dǎo)電帶72分別作為太陽(yáng)能電池的正負(fù)極引出線。采用外形尺寸為707mmX1640mm的硅基太陽(yáng)能電池，給12V的蓄電池充電，要 求電池的工作電壓是16-19V，若是將電池采用傳統(tǒng)的內(nèi)部串聯(lián)方式，電池單元節(jié)的寬度 為10mm，該電池的工作電壓為38-40V。而本實(shí)施例制造的相同尺寸的電池的工作電壓為 18-19V，組件功率與傳統(tǒng)內(nèi)部串聯(lián)方式的組件功率基本一致，滿足給低電壓蓄電池充電要 求。實(shí)施例2 本發(fā)明實(shí)施例2的方法與實(shí)施例1的類似，下面僅簡(jiǎn)述其不同之處。步驟4 在激光刻劃硅基薄膜層的時(shí)候，在硅基薄膜層共用區(qū)域電極的左邊，第二 溝道9位于第一溝道10的左邊，并保證第二溝道9與第一溝道10平行相距0. 15mm,而在實(shí) 施例1中，前者位于后者的右邊；在硅基薄膜層共用區(qū)域電極的右邊，第二溝道9位于第一 溝道10的右邊，并保證第二溝道9與第一溝道10平行相距0. 15mm，而在實(shí)施例1中，前者 位于后者的左邊。步驟6 在激光刻劃該背電極層的時(shí)候，在該背電極層共用區(qū)域電極的左邊，該第 三溝道8位于該第二溝道9的左邊，并保證第三溝道8與第二溝道9平行相距0. 15mm,而在 實(shí)施例1中，前者位于后者的右邊；在該背電極層共用區(qū)域電極的右邊，第三溝道8位于第 二溝道9的右邊，并保證第三溝道8與第二溝道9平行相距0. 15mm,而在實(shí)施例1中，前者 位于后者的左邊。圖6 8示出根據(jù)本實(shí)施例所制造的電池。根據(jù)本實(shí)施例的方法所制造的兩個(gè)子 電池共用同一正極(公共正電極)。這種設(shè)計(jì)主要依靠背電極層4的第三溝道8、硅基薄膜層3的第二溝道9以及前電極層2的第一溝道10在兩個(gè)子電池的相對(duì)位置不同而實(shí)現(xiàn)，如 在左邊子電池的每個(gè)電池單元節(jié)中，從左至右依次是第三溝道8，第二溝道9，第一溝道10 ； 而在右邊子電池的每個(gè)電池單元節(jié)中，從左至右依次是第一溝道10，第二溝道9，第三溝道 8，即相鄰子電池內(nèi)的第一、第二和第三溝道分布位置呈鏡像對(duì)稱。采用外形尺寸為707mmX 1640mm的電池，給12V的蓄電池充電，要求電池的工作電 壓是16-19V，若是將電池采用傳統(tǒng)的內(nèi)部串聯(lián)方式，電池單元節(jié)的最優(yōu)寬度為10mm，則該 電池的工作電壓為38-40V。而采用了本發(fā)明設(shè)計(jì)的共用正極的電池結(jié)構(gòu)，相同組件尺寸，相 同電池單元節(jié)寬度的電池工作電壓為18-19V，組件功率與傳統(tǒng)內(nèi)部串聯(lián)方式及共用負(fù)極的 組件功率基本一致，滿足給低電壓蓄電池充電要求。實(shí)施例3本發(fā)明實(shí)施例3的方法與實(shí)施例1的類似，下面僅簡(jiǎn)述其不同之處。步驟2 激光刻劃該前電極層，形成第一溝道，將該前電極層分為兩個(gè)前電極層 端部電極(即左前電極層端部電極和右前電極層端部電極)，三個(gè)子電池區(qū)域，以及位于相 鄰子電池區(qū)域之間的前電極層共用區(qū)域電極(共兩個(gè)左前電極層共用區(qū)域電極和右前電 極層共用區(qū)域電極)，其中每個(gè)子電池區(qū)域都包括多個(gè)前電極層單元節(jié)。步驟4 激光刻劃硅基薄膜層，形成第二溝道，將硅基薄膜層刻劃成與該前電極層 相對(duì)應(yīng)的形狀，硅基薄膜層也分為兩個(gè)硅基薄膜層端部電極(即左硅基薄膜層端部電極 和右硅基薄膜層端部電極)，三個(gè)子電池區(qū)域，以及相鄰子電池區(qū)域之間的硅基薄膜層共用 區(qū)域電極(共兩個(gè)左硅基薄膜層共用區(qū)域電極和右硅基薄膜層共用區(qū)域電極)，其中每個(gè) 子電池區(qū)域都包括多個(gè)硅基薄膜層單元節(jié)。第二溝道與第一溝道平行相距0. 30mm。在該 左硅基薄膜層端部電極和該左硅基薄膜層共用區(qū)域電極之間，第二溝道位于第一溝道的右 邊；在左硅基薄膜層共用區(qū)域電極和右硅基薄膜層共用區(qū)域電極之間，第二溝道位于第一 溝道的左邊；在該右硅基薄膜層共用區(qū)域電極和該右硅基薄膜層端部電極之間，第二溝道 位于第一溝道的右邊。步驟6 激光刻劃該背電極層，形成第三溝道，將該背電極層刻劃成與該前電極層 相對(duì)應(yīng)的形狀，也分為兩個(gè)背電極層端部電極(即左背電極層端部電極和右背電極層端 部電極)，三個(gè)子電池單元，以及相鄰子電池區(qū)域之間的背電極層共用區(qū)域電極(共兩個(gè) 即左背電極層共用區(qū)域電極和右背電極層共用區(qū)域電極)，其中每個(gè)子電池區(qū)域都包括的 多個(gè)背電極層單元節(jié)。第三溝道與第二溝道平行相距0. 30mm。在該左背電極層端部電極和 該左背電極層共用區(qū)域電極之間，第三溝道位于第二溝道的右邊；在左背電極層共用區(qū)域 電極和右背電極層共用區(qū)域電極之間，第三溝道位于第二溝道的左邊；在右背電極層共用 區(qū)域電極和右背電極層端部電極之間，第三溝道位于第二溝道的右邊。本實(shí)施例的方法所制造的電池組合實(shí)現(xiàn)了三個(gè)子電池并聯(lián)，見(jiàn)圖9 11。采用 外形尺寸為707mmX 1640mm的電池，給6V的蓄電池充電，要求電池的工作電壓是9-10V， 若是將電池采用傳統(tǒng)的內(nèi)部串聯(lián)方式，電池單元節(jié)的最優(yōu)寬度為10mm，則該電池的工作電 壓為38-40V ；使用本實(shí)施例的方法制造的相同尺寸的電池組件，電池單元節(jié)寬度設(shè)計(jì)為 12. 6mm，其工作電壓為9-10V，組件功率與傳統(tǒng)內(nèi)部串聯(lián)方式、共用負(fù)極和共用正極的組件 功率基本一致，滿足給低電壓蓄電池充電要求。實(shí)施例4
上述實(shí)施例可以推廣至實(shí)現(xiàn)任意個(gè)子電池并聯(lián)的制造方法。圖12和圖13示出了 14個(gè)子電池(圖中顯示7個(gè)+-+單元，每單元含2子電池)并列的情形。采用外形尺寸為350mmX406mm的電池，給0. 7-1. OV的微型蓄電池充電，要求電池 的工作電壓是1. 1-1. 3V，若是將電池采用傳統(tǒng)的內(nèi)部串聯(lián)方式，電池單元節(jié)的最優(yōu)寬度為 10mm，則該電池的工作電壓為38-40V ；而如圖12和圖13所示的14個(gè)子電池并列的電池的 工作電壓為1. 1-1. 2V，組件功率由于正極數(shù)目增加，無(wú)效面積增多，故比傳統(tǒng)內(nèi)部串聯(lián)方式 組件功率略低，但仍能滿足給超低電壓的微型電池充電要求。從上述實(shí)施例可見(jiàn)，本發(fā)明所批露的方法可以制造高功率、低電壓的太陽(yáng)能電池。 所制造的太陽(yáng)能電池包括在絕緣基板上依次沉積的前電極層、硅基薄膜層和背電極層；太 陽(yáng)能電池由至少兩個(gè)子電池并聯(lián)組成，每個(gè)子電池由多個(gè)內(nèi)部串聯(lián)的電池單元節(jié)構(gòu)成，相 鄰子電池內(nèi)的前電極層、硅基薄膜層、背電極層的溝道分布位置相反，且相鄰子電池具有一 個(gè)共用區(qū)域電極。以上結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施 例，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作 出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，包括 激光刻劃前電極層Pi ；激光刻劃硅基薄膜層P2 ； 激光刻劃背電極層P3， 其特征在于所述激光刻劃前電極層Pl、硅基薄膜層P2和背電極層P3分別形成第一溝道、第二溝道 和第三溝道；所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有數(shù)個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子電池 區(qū)域之間具有共用區(qū)域電極。
2.權(quán)利要求1所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于相鄰的子電池區(qū)域的第一溝道、第二溝道和第三溝道相對(duì)于其間的共用區(qū)域電極呈鏡 像對(duì)稱分布。
3.權(quán)利要求1所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于所 述的共用區(qū)域電極是公共電極，該公共電極的左、右邊兩邊的子電池區(qū)域形成具有第一溝 道、第二溝道和第三溝道的內(nèi)聯(lián)或外聯(lián)式連接子電池區(qū)域。
4.權(quán)利要求1或2所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于所述的共用區(qū)域電極由匯流導(dǎo)電帶引出電極的正極或負(fù)極。
5.權(quán)利要求1至3中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的 制造方法，其特征在于每條第二溝道與其所對(duì)應(yīng)的第一溝道平行相距0. 07-0. 30mm,每條第三溝道與其所對(duì) 應(yīng)的第二溝道平行相距0. 07-0. 30mm。
6.權(quán)利要求2所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于 所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有兩個(gè)子電池區(qū)域；兩個(gè)子電池區(qū)域之間具有共用區(qū)域電極。
7.權(quán)利要求2所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于 所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有三個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子電池區(qū)域之間具有共用區(qū)域電極。
8.權(quán)利要求2所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于 所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有十四個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子電池區(qū)域之間具有共用區(qū)域電極。
9.一種高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池，包括在基板上依次沉積的前電極層、硅基 薄膜層以及背電極層，其特征在于激光刻劃得前電極層、硅基薄膜層和背電極層分別具有第一溝道、第二溝道和第三溝 道；所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有數(shù)個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子電池區(qū)域之間 是一個(gè)共用區(qū)域電極。
10.權(quán)利要求9所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于相鄰的子電池區(qū)域的第一溝道、第二溝道和第三溝道相對(duì)于其間的共用區(qū)域電極呈鏡 像對(duì)稱分布。
11.權(quán)利要求9或10所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于所述的共用區(qū)域電極是公共電極，該公共電極的左、右邊兩邊的子電池區(qū)域形成具有 第一溝道、第二溝道和第三溝道的內(nèi)聯(lián)或外聯(lián)式連接子電池區(qū)域。
12.權(quán)利要求9或10所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于 所述的共用區(qū)域電極由匯流導(dǎo)電帶引出電池的正極或負(fù)極。
13.權(quán)利要求9至11中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高功率低電壓硅基薄膜太陽(yáng)能電 池，其特征在于每條第二溝道與其所對(duì)應(yīng)的第一溝道平行相距0. 07-0. 30mm,每條第三溝道與其所對(duì) 應(yīng)的第二溝道平行相距0. 07-0. 30mm。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種高功率低電壓非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法。該方法包括步驟激光刻劃前電極層P1；激光刻劃硅基薄膜層P2；激光刻劃背電極層P3，其特征在于所述激光刻劃前電極層P1、硅基薄膜層P2和背電極層P3分別形成第一溝道、第二溝道和第三溝道；所述前電極層、硅基薄膜層和背電極層具有數(shù)個(gè)子電池區(qū)域；相鄰的子電池區(qū)域之間具有共用區(qū)域電極。本發(fā)明所批露的方法可以制造高功率、低電壓的太陽(yáng)能電池。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK102082198SQ20101050203
公開(kāi)日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者李全相, 李毅, 郭權(quán)發(fā) 申請(qǐng)人:深圳市創(chuàng)益科技發(fā)展有限公司