專利名稱：電泳顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電泳顯示裝置。
背景技術(shù)：
以往，作為電泳顯示裝置，已知有使用了微隔壁結(jié)構(gòu)的電泳方式的電泳顯示裝置。 這種電泳顯示裝置100例如圖10所示，設(shè)有構(gòu)成顯示面的對(duì)置基板101以及與對(duì)置基板 101對(duì)置配置的薄膜晶體管基板102。在薄膜晶體管基板102中的與對(duì)置基板101對(duì)置的 內(nèi)面設(shè)有以矩陣狀排列的多個(gè)像素電極103 ；以及信號(hào)線(掃描線、數(shù)據(jù)線)104，包圍像 素電極103的周圍并經(jīng)由未圖示的薄膜晶體管與該像素電極103電連接。各信號(hào)線104形 成有朝向?qū)χ没?01立設(shè)的、截面大致為梯形狀的隔壁105，通過該隔壁105，各像素電極 103的上側(cè)區(qū)域從相鄰的像素電極103的上側(cè)區(qū)域隔開。另一方面，在對(duì)置基板101的與薄膜晶體管基板102對(duì)置的內(nèi)面，設(shè)有與多個(gè)像素 電極103對(duì)置排列的對(duì)置電極106。在由這些對(duì)置基板101、薄膜晶體管基板102以及隔壁105形成的空間內(nèi)填充有溶 媒107。在溶媒107中分散有多個(gè)帶正電的黑粒子108以及帶負(fù)電的白粒子109。并且，若將對(duì)置電極106的電壓設(shè)為比像素電極103高，則白粒子109向?qū)χ秒姌O 106側(cè)移動(dòng)，并且黑粒子108向像素電極103側(cè)移動(dòng)，從而在顯示面上顯示白色(例如，圖 10所示的狀態(tài))。相反，若將對(duì)置電極106的電壓設(shè)為比像素電極103小，則白粒子109向 像素電極103側(cè)移動(dòng)，并且黑粒子108向?qū)χ秒姌O106側(cè)移動(dòng)，從而在顯示面上顯示黑色。 通過對(duì)每一個(gè)像素進(jìn)行這些，在顯示面上描繪規(guī)定的圖形或文字。這里，在制造電泳顯示裝置100時(shí)，在薄膜晶體管基板102的內(nèi)面，形成像素電極 103、信號(hào)線104以及薄膜晶體管之后形成隔壁105。然后，在薄膜晶體管基板102的內(nèi)面，流 入分散了粒子108、109的溶媒107，并在其上疊加了形成有對(duì)置電極106的對(duì)置基板101。 由于是這樣的制造工序，因此制造上必然存在在隔壁103的上面殘留粒子108、109的問題。 若在隔壁103的上面殘留著粒子108、109，則在像素間存在與想要顯示的顏色相反的顏色 的粒子(在圖10中為黑粒子108a)，因此成為使對(duì)比率下降的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種抑制了對(duì)比率的下降的電泳顯示裝置。本發(fā)明的電泳顯示裝置的一個(gè)方式是具備第一基板及第二基板，以預(yù)先設(shè)定的間隔對(duì)置配置；
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多個(gè)像素電極，排列于上述第一基板；布線，配置在相鄰的上述像素電極之間；對(duì)置電極，設(shè)置于上述第二基板；隔壁，朝向上述第二基板而設(shè)置在上述第一基板的上述布線上，以包圍上述多個(gè) 像素電極；以及溶媒，填充在由上述隔壁包圍的區(qū)域，并且分散有多個(gè)粒子。并且，在上述第一基板上，與上述隔壁對(duì)應(yīng)地形成有防反射膜。此外，在上述隔壁與上述防反射膜之間的層有形成有上述布線。本發(fā)明的電泳顯示裝置的其他方式是，具備第一基板及第二基板，以預(yù)先設(shè)定的間隔對(duì)置配置；第一電極，設(shè)置于上述第一基板；第二電極，設(shè)置于上述第二基板；隔壁，配置在上述第一基板及上述第二基板之間，以包圍第一電極的方式立設(shè)；以 及溶媒，填充在被上述隔壁包圍的區(qū)域，分散有多個(gè)粒子。并且，在上述第一基板上形成的上述隔壁的與上述第二基板對(duì)置的上述隔壁的面 形成為凸?fàn)畹那妗８鶕?jù)本發(fā)明，能夠提供抑制了對(duì)比率的下降的電泳顯示裝置。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明中進(jìn)行闡述，一部分可以通過說明書而 明了，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而體驗(yàn)到。通過說明書、權(quán)利要求書和附圖中具體指出的 結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)或獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)。


本發(fā)明所包括的附圖也構(gòu)成本說明書的一部分，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行闡明，并 且和上面給出的總體描述及下面給出的對(duì)實(shí)施方案的詳細(xì)說明一起，解釋本發(fā)明的原理。圖1是示意地表示第一實(shí)施方式的電泳顯示裝置的要部結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示圖1的電泳顯示裝置所具備的薄膜晶體管基板的要部結(jié)構(gòu)的截面圖， 是從圖3的II-II切斷線看的截面圖。圖3是表示圖1的電泳顯示裝置所具備的薄膜晶體管基板的要部結(jié)構(gòu)的透射平面 圖。圖4A是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是在薄膜晶體 管基板上形成了防反射膜的狀態(tài)。圖4B是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是形成了柵 極、掃描線以及柵極布線的狀態(tài)。圖4C是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是形成了輔助 容量線的狀態(tài)。圖4D是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是形成了柵極 絕緣膜、本征非晶形硅及溝道保護(hù)膜的狀態(tài)。圖5A是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是形成了半導(dǎo)體薄膜、歐姆接觸層、源極電極、漏極電極以及漏極膜，并形成了薄膜晶體管及數(shù)據(jù)線的狀 態(tài)。圖5B是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是形成了外敷 膜及接觸孔的狀態(tài)。圖5C是在圖1的薄膜晶體管基板形成的各層的形成方法的說明圖，是形成了像素 電極24的狀態(tài)。圖6是表示用于形成圖1的電泳顯示裝置所具有的隔壁的隔壁用膜的概略結(jié)構(gòu)的 分解斜視圖。圖7是示意地表示第二實(shí)施方式的電泳顯示裝置的要部結(jié)構(gòu)的截面圖。圖8是表示圖7的電泳顯示裝置所具備的薄膜晶體管基板的要部結(jié)構(gòu)的截面圖， 是從圖3的II-II切斷線看的截面圖。圖9是示意地表示第二實(shí)施方式的電泳顯示裝置的變形例的截面圖。圖10是示意地表示以往的電泳顯示裝置的要部結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下，利用

用于實(shí)施本發(fā)明的最優(yōu)方式。其中，在以下所述的實(shí)施方式中 雖然進(jìn)行了用于實(shí)施本發(fā)明而在技術(shù)上優(yōu)選的各種限定，但發(fā)明的范圍不限定于以下的實(shí) 施方式及圖示例。[第一實(shí)施方式]首先，參照

本發(fā)明的第一實(shí)施方式。圖1是示意地表示第一實(shí)施方式的電泳顯示裝置的要部結(jié)構(gòu)的截面圖。如該圖1 所示，在電泳顯示裝置ι中設(shè)有對(duì)置基板10、通過隔壁60以與對(duì)置電極10之間的規(guī)定的間 隔對(duì)置配置的薄膜晶體管基板20。該對(duì)置基板10為第二基板，薄膜晶體管基板20為第一 基板。在薄膜晶體管基板20，以矩陣狀形成有像素電極24，在像素電極之間形成有作為布 線的掃描線22及數(shù)據(jù)線23。在掃描線22及數(shù)據(jù)線23上以格子狀形成有隔壁60，在掃描 線22及數(shù)據(jù)線23與薄膜晶體管基板20之間形成有防反射膜80。在對(duì)置基板10與薄膜晶 體管基板20之間形成有未圖示的框狀的密封材料，并以隔壁60為間隔件，在一對(duì)基板之間 形成了空間，在該空間內(nèi)封入有分散了黑色粒子71與白色粒子72的溶媒70。對(duì)置基板10例如由玻璃形成。在對(duì)置基板10的與薄膜晶體管基板20對(duì)置的內(nèi) 面層疊有對(duì)置電極11。對(duì)置電極11例如由ITO (Indium Tin Oxide 氧化銦錫)形成。在溶媒70中分散有表面的極性和顏色不同的多個(gè)兩種粒子。兩種粒子中的一種 是例如由碳構(gòu)成的帶正電的黑粒子71，另一種是例如由TiO2(氧化鈦)構(gòu)成的帶負(fù)電的白 粒子72。這里，黑粒子71的直徑是5. 0 μ m以下，白粒子72的直徑是0. 3 μ m以下。并且， 作為溶媒70，使用介電常數(shù)比黑粒子71、白粒子72低的分散煤。下面，參照?qǐng)D2及圖3對(duì)薄膜晶體管基板20進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖3是表示薄膜晶 體管基板20的要部結(jié)構(gòu)的透射平面圖。另外，圖2是圖3中的II-II截面圖。首先，參照?qǐng)D3對(duì)薄膜晶體管基板20的平面結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。薄膜晶體管基板20 由玻璃等形成，在其上面，多個(gè)掃描線22及多個(gè)數(shù)據(jù)線23相互交叉地形成。在該情況下， 多個(gè)掃描線22在行方向上延伸而設(shè)置，多個(gè)數(shù)據(jù)線23在列方向上延伸而配置。
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在薄膜晶體管基板20上由掃描線22與數(shù)據(jù)線23包圍的各區(qū)域內(nèi)，設(shè)有一部分被 切斷的大致方形狀的像素電極24。由此，在薄膜晶體管基板20上，以矩陣狀排列多個(gè)像素 電極24。在各像素電極24的切口部241配置有作為開關(guān)元件的薄膜晶體管25。經(jīng)由該薄 膜晶體管25，像素電極24與掃描線22及數(shù)據(jù)線23電連接。并且，在掃描線22及數(shù)據(jù)線23上形成有朝向?qū)χ没?0而立設(shè)的隔壁60。通過 該隔壁60，由像素電極24構(gòu)成的多個(gè)像素被單獨(dú)地分離。此外，在薄膜晶體管基板20上設(shè)有多個(gè)輔助容量線26。輔助容量線26形成為與 像素電極24的除了圖中的下邊以外的3個(gè)邊重疊。下面，對(duì)薄膜晶體管基板20的截面結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖2所示，在與對(duì)置基板10對(duì)置的薄膜晶體管基板20的內(nèi)面，由CrO2 (氧化鉻) 構(gòu)成的防反射膜80分別與掃描線22及數(shù)據(jù)線23對(duì)置地形成。該防反射膜80形成為比形 成掃描線22及數(shù)據(jù)線23的區(qū)域?qū)?。另外，防反射?0除了 CrO2以外，例如也可以由感光 (光敏)黑色聚酰亞胺等的感光樹脂形成。此外，在薄膜晶體管基板20的內(nèi)面?zhèn)?，在其?guī)定的地方形成有由Cr (鉻)等構(gòu)成 的柵極電極29、以及與該柵極電極29連接的掃描線22。柵極電極29以及掃描線22形成 在防反射膜80上。柵極電極29配置在構(gòu)成薄膜晶體管29的地方。此外，在薄膜晶體管基 板20的內(nèi)面?zhèn)鹊钠渌?guī)定的地方，形成有由Cr等構(gòu)成的柵極布線29a、覆蓋柵極布線29a 的由ITO(氧化錫銦)等構(gòu)成的輔助容量線26。柵極布線29a形成在防反射膜80上，輔助 容量線26形成為覆蓋這些柵極布線29a以及防反射膜80兩者。并且，在薄膜晶體管基板20形成有例如由氧化硅或氮化硅等構(gòu)成的柵極絕緣膜 30，以覆蓋柵極電極29、掃描線22及輔助容量線26。由此，柵極電極29配置在柵極絕緣膜 30的下層側(cè)。在柵極絕緣膜30的上面的柵極電極29上方，形成有例如由本征非晶形硅等的半 導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜31。在該半導(dǎo)體薄膜31的上面的大致中央部設(shè)有由氮化硅等構(gòu)成 的溝道保護(hù)膜32。在溝道保護(hù)膜32的上面兩側(cè)及其兩側(cè)的半導(dǎo)體薄膜31的上面，設(shè)有由 η型非晶形硅等構(gòu)成的歐姆接觸層33、34。在歐姆接觸層33、34的上面，設(shè)有例如由Cr構(gòu)成的源極電極35及漏極電極36。 由此，在柵極絕緣膜30的上層側(cè)配置源極電極35及漏極電極36。這里，薄膜晶體管25為 反交錯(cuò)型，由柵極電極29、柵極絕緣膜30、半導(dǎo)體薄膜31、溝道保護(hù)膜32、歐姆接觸層33、 34、源極電極35以及漏極電極36構(gòu)成。此外，在柵極絕緣膜30的上面的數(shù)據(jù)線23的形成區(qū)域，也形成有例如由本征非晶 形硅等的半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體薄膜37。在半導(dǎo)體薄膜37的上面，設(shè)有由η型非晶形硅等構(gòu) 成的歐姆接觸層38。并且，在歐姆接觸層38的上面形成有由鉻等構(gòu)成的漏極膜39。該漏 極膜39構(gòu)成數(shù)據(jù)線23。并且，在薄膜晶體管25及數(shù)據(jù)線23的上層側(cè)，形成有由氧化硅等構(gòu)成的作為層間 絕緣膜的外敷膜50，以覆蓋這些薄膜晶體管25及數(shù)據(jù)線23。在該外敷膜50的源極電極35 的上面形成有接觸孔40。具體而言，接觸孔40相對(duì)于源極電極35的從溝道保護(hù)膜32離開 的部分的上面而形成。在外敷膜50的上面的規(guī)定的地方，如圖2及圖3所示，由ITO等構(gòu)成的透明性的像素電極24以經(jīng)由接觸孔40而與源極電極35及輔助容量線26電連接的方式形成。并且，在薄膜晶體管基板20，例如由感光丙烯等的感光樹脂形成了從掃描線22及 數(shù)據(jù)線23上朝向?qū)χ妹姘?0而立設(shè)的隔壁60。隔壁60的截面大致形成為梯形狀，其底邊 部60a形成為比掃描線22及數(shù)據(jù)線23的寬度寬，以覆蓋這些線22、23。下面，參照?qǐng)D4 圖6說明電泳顯示裝置1的制造方法。首先，如圖4A所示，對(duì)于薄膜晶體管基板20的內(nèi)面，在規(guī)定地方使氧化鉻成膜，形 成防反射膜80。并且，如圖4B所示，在防反射膜80的規(guī)定地方，使Cr成膜，并形成柵極電極29、掃 描線22及柵極布線29a。然后，如圖4C所示，使ITO成膜以覆蓋柵極布線29a，而形成輔助容量線26。接著，如圖4D所示，例如使氧化硅或氮化硅等成膜以覆蓋柵極電極29、掃描線22 及輔助容量線26，從而形成柵極絕緣膜30。在形成柵極絕緣膜30之后，在其上面使本征非 晶形硅31a成膜。進(jìn)而，在形成本征非晶形硅31a之后，在其上面的規(guī)定地方使氮化硅等成 膜而形成溝道保護(hù)膜32。此外，如圖5A所示，利用周知的蝕刻法等去除本征非晶形硅31a的不需要的部分， 形成半導(dǎo)體薄膜31、37。在去除之后，在規(guī)定地方使η形非晶形硅等成膜而形成歐姆接觸層 33、34、38，并在該歐姆接觸層33、34、38上使Cr成膜而形成源極電極35、漏極電極36以及 漏極膜39。由此，形成薄膜晶體管25及數(shù)據(jù)線23。如圖5Β所示，在薄膜晶體管25及數(shù)據(jù)線23的上層側(cè)，使氧化硅等成膜而形成外 敷膜50。然后，通過周知的蝕刻法去除外敷膜50的規(guī)定地方，形成接觸孔40。并且，如圖5C所示，在外敷膜50的上面的規(guī)定的地方，使ITO成膜而形成像素電 極24。若完成薄膜晶體管基板20，則在薄膜晶體管基板20上形成隔壁60。具體而言，利 用圖6所示的隔壁用膜61形成隔壁60。在圖6中示出了各層被剝離的狀態(tài)，但實(shí)際上，隔 壁用膜61是支承膜62、抗蝕膜63以及蓋膜64層疊而形成的。例如，支承膜62由PET等樹 脂膜形成，蓋膜64由OPP等樹脂膜形成。并且，抗蝕膜63由構(gòu)成隔壁60的感光丙烯等感 光樹脂形成，在一個(gè)面上粘貼了支承膜62，在另一個(gè)面上粘貼了蓋膜64。為了利用該隔壁用膜61來形成隔壁60，首先將蓋膜64剝掉，而在薄膜晶體管基板 20上貼合抗蝕膜63。在該狀態(tài)下將抗蝕膜63曝光，將感光丙烯復(fù)制到薄膜晶體管基板20 的規(guī)定位置。在復(fù)制之后，將支承膜62剝掉，然后將抗蝕膜63進(jìn)行顯影而去除復(fù)制到薄膜 晶體管基板20上的部分以外的部分。并且，對(duì)復(fù)制到薄膜晶體管基板20上的感光丙烯施 加后烘烤，提高密合性，從而如圖2所示形成隔壁60。在形成隔壁60之后，將分散有多個(gè)黑粒子71、白粒子72的溶媒70注入至由隔壁 60包圍的多個(gè)區(qū)域。注入后，將對(duì)置基板10配置在薄膜晶體管基板20上以使對(duì)置電極11 和像素電極24對(duì)置，并通過在對(duì)置的基板10、20之間形成的未圖示的框狀的密封材料進(jìn)行 貼合和密封。或者，也可以在對(duì)置基板10的整個(gè)面上預(yù)先利用樹脂膜等來形成粘接層，并 貼合和密封(參照?qǐng)D1)。下面，對(duì)第一實(shí)施方式的電泳顯示裝置1的作用進(jìn)行說明。另外，在電泳顯示裝置 1中，顯示面為薄膜晶體管基板20的外面20a，進(jìn)行視覺辨認(rèn)的方向?yàn)閳D1的箭頭方向。
并且，若將對(duì)置電極11的電壓設(shè)為比像素電極24高，則帶負(fù)電的由氧化鈦構(gòu)成的 白粒子72向?qū)χ秒姌O11側(cè)移動(dòng)，并且?guī)д姷挠商亢跇?gòu)成的黑粒子71向像素電極24側(cè) 移動(dòng)，從而在顯示面上顯示黑色(例如，圖1所示的狀態(tài))。反之，若將對(duì)置電極11的電壓 設(shè)為比像素電極24小，則白粒子72向像素電極24側(cè)移動(dòng)，并且黑粒子71向?qū)χ秒姌O11 側(cè)移動(dòng)，從而在顯示面上顯示白色。對(duì)配置在矩陣上的每一個(gè)像素進(jìn)行這些，由此在顯示面 上描繪規(guī)定的圖形或文字。如圖1所示，在制造之后，隔壁60與對(duì)置基板10之間殘存黑粒子71、白粒子72， 是被夾持在對(duì)置基板10的狀態(tài)。若將對(duì)置基板10側(cè)設(shè)為顯示面，則由于在像素間存在與 想要顯示的顏色相反的顏色的粒子(圖1中為白粒子72)，因此引起對(duì)比度的下降，但在該 電泳顯示裝置1中，薄膜晶體管基板20的外面20a為顯示面，因此即使在像素間存在與想 要顯示的顏色相反的顏色的粒子(圖1中為白粒子72)，也能夠防止該粒子顯示在顯示面 上，并且防止對(duì)比率的下降。并且，在以薄膜晶體管基板20的外面20a為顯示面的情況下，由于掃描線22及數(shù) 據(jù)線23由金屬模形成，因此會(huì)產(chǎn)生鏡面反射，反光變得強(qiáng)烈。因此，在第一實(shí)施方式的電泳 顯示裝置1中，在掃描線22及數(shù)據(jù)線23與薄膜晶體管基板20之間夾入了防反射膜80，以 使其與掃描線線22及數(shù)據(jù)線23重疊，因此即使從顯示面?zhèn)冗M(jìn)行視覺辨認(rèn)，也能夠防止上述 的反光，且防止顯示品質(zhì)的下降。如上所述，根據(jù)第一實(shí)施方式，能夠提供可抑制反光并且防止對(duì)比率的下降的電 泳顯示裝置1。此外，由于防反射膜80形成為比形成掃描線22及數(shù)據(jù)線23的區(qū)域更寬，因此即 使掃描線22及數(shù)據(jù)線23存在位置偏移，也能夠由防反射膜80可靠地覆蓋顯示面?zhèn)?。[第二實(shí)施方式]下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。這里，在第二實(shí)施方式的說明 中，對(duì)與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)于與第一實(shí)施方式相同的部分賦予相同的符 號(hào)，并省略其說明。圖7是示意地表示第二實(shí)施方式的電泳顯示裝置的要部結(jié)構(gòu)的截面圖。如該圖7 所示，在電泳顯示裝置1中，設(shè)有對(duì)置基板10 ；以及薄膜晶體管基板20，通過將上面60b形 成為凸?fàn)畹那娴母舯?0，以規(guī)定的間隔與對(duì)置基板10對(duì)置配置。圖8是圖3的II-II截面圖，與第一實(shí)施方式的圖2的不同點(diǎn)是上面60b形成為 凸?fàn)畹那娴母舯?0。為了使隔壁60的上面60b成為凸的曲面，而在形成隔壁60時(shí)，通過實(shí)施過曝光或 過蝕刻，來去除隔壁60的上部的角，從而上面60b成為凸的曲面。在形成隔壁60后，將分散有多個(gè)黑粒子71、白粒子72的溶媒70注入至由隔壁60 包圍的多個(gè)區(qū)域。這里，在注入溶媒70時(shí)，將要放置在隔壁60上的黑粒子71、白粒子72沿 著隔壁60的上面60b的曲面向下方流下。由此，降低在隔壁60的上部殘存的粒子量。在注入后，以對(duì)置電極11與像素電極24對(duì)置的方式將對(duì)置基板10配置在薄膜晶 體管基板20上，并通過未圖示的框狀的密封材料粘貼并密封。這里也在注入溶媒70時(shí)，放 置在隔壁60上的黑粒子71、白粒子72在將隔壁60與對(duì)置基板10的內(nèi)面抵接的過程中沿 著曲面60b被排除，只不過是直徑比黑粒子71小的白粒子72被夾持在隔壁60的上面60b的曲面的前端部分與對(duì)置基板10之間而殘留一點(diǎn)。由此，隔壁60與對(duì)置基板10抵接(參 照?qǐng)D7)。在如上所述的制造后，在隔壁60的上面60b上幾乎沒有殘存黑粒子71及白粒子 72，但如圖7所示，雖然是一點(diǎn)點(diǎn)，但在隔壁60的上面60b上殘存黑粒子71及白粒子72，成 為被對(duì)置基板10夾持的狀態(tài)。在該電泳顯示裝置1中，由于薄膜晶體管基板20的外面20a 成為顯示面，因此即使在像素間存在與想要顯示的顏色相反的顏色的粒子(在圖7中為白 粒子72)，也能夠防止從顯示面觀察到該粒子，而能夠防止對(duì)比率的下降。另外，一般在將薄膜晶體管基板20的外面20a作為了顯示面的情況下，掃描線22 及數(shù)據(jù)線23會(huì)引起鏡面反射，導(dǎo)致反光強(qiáng)烈。因此，在本實(shí)施方式的電泳顯示裝置1中，在 掃描線22及數(shù)據(jù)線23與薄膜晶體管基板20之間，夾入防反射膜80，以使其與掃描線22及 數(shù)據(jù)線23重疊，因此，即使從顯示面?zhèn)冗M(jìn)行視覺辨認(rèn)，也能夠方式上述的反光。如上所述，根據(jù)第二實(shí)施方式，能夠提供可抑制反光并且防止對(duì)比度的下降的電 泳顯示裝置1。此外，由于防反射膜80形成為比形成掃描線22及數(shù)據(jù)線23的區(qū)域?qū)?，因此，即?在掃描線22及數(shù)據(jù)線23存在位置偏移，也能夠由防反射膜80可靠地覆蓋顯示面?zhèn)?。此外，由于隔?0的上面60b與對(duì)置基板10抵接，因此在隔壁60的上面60b上 難以殘存粒子71、72，對(duì)置基板10與薄膜晶體管基板20的間隔保持一定，因此能夠抑制像 素之間的對(duì)比度不均勻。另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，而可進(jìn)行適當(dāng)變更。例如，在第二實(shí)施方式中，以隔壁60的上面60b與對(duì)置基板10抵接的情況為例進(jìn) 行了說明，但隔壁60的上面60b與對(duì)置基板10可以隔開規(guī)定的間隔。在該情況下，優(yōu)選的 是，將隔壁60的上面60b與對(duì)置基板10的間隔設(shè)定為比兩種粒子71、72中小的粒子(在第 二實(shí)施方式中為白粒子72)的直徑還小。由此，在隔壁60的上面60b上難以殘存粒子71、 72，能夠進(jìn)一步抑制對(duì)比率的下降。為了隔開規(guī)定的間隔，只要將比隔壁60的高度大的規(guī) 定的粒子直徑的間隔件(珠子等)混合到密封劑中即可。另外，在第二實(shí)施方式中，以對(duì)置基板10及薄膜晶體管基板20由玻璃基板形成的 情況為例進(jìn)行了說明，但這些基板10、20中的至少一方可以由PET基板等撓性基板形成。例 如，若考慮對(duì)置基板10為撓性基板的情況，則由于對(duì)置基板10的撓度而會(huì)在隔壁60與對(duì) 置基板10之間開出流路。這是將電泳顯示裝置立起來時(shí)明顯產(chǎn)生的現(xiàn)象。在出現(xiàn)該現(xiàn)象 時(shí)，如圖10所示，在以往的電泳顯示裝置100中，在隔壁105的上部會(huì)大量殘存粒子直徑比 作為流路的間隙大的黑粒子108a，有發(fā)生黑顯示斑點(diǎn)或條紋的問題。但是，如果是第二實(shí)施 方式的電泳顯示裝置1，則如圖7所示，由于隔壁60的上面60b為凸的曲面，因此，粒子71、 71本身難以在隔壁60的上部的像素間殘存。由此，在一對(duì)基板10、20的至少一方由撓性基 板形成的情況下，也能夠抑制黑顯示斑點(diǎn)或條紋的產(chǎn)生。并且，如果對(duì)置基板10及薄膜晶體管基板20兩者均由撓性基板形成，則對(duì)于顯示 部分整體為撓性的電泳顯示裝置，也能夠抑制黑顯示斑點(diǎn)或黑條紋的產(chǎn)生。并且，在第二實(shí)施方式的電泳顯示裝置1中，例示了顯示面為薄膜晶體管基板20 的外面20a的情況，但也可以為如圖9所示的電泳顯示裝置IA那樣，將顯示面作為對(duì)置基 板10的外面10a。在這樣的情況下，也在隔壁60與對(duì)置基板10之間幾乎沒有殘存粒子71、
1072，因此在像素間難以存在與想要顯示的顏色相反的顏色的粒子(在圖9中為黑粒子71)。 因此，即使將對(duì)置基板10的外面IOa作為顯示面，也能夠抑制對(duì)比率的下降。進(jìn)而，在將對(duì) 置基板10的外面IOa作為顯示面的情況下，掃描線22及數(shù)據(jù)線23成為背面?zhèn)龋虼艘膊?需要考慮這些線22、23的鏡面反射。即，能夠省略防反射膜80，并能夠減少制造成本。
權(quán)利要求
一種電泳顯示裝置，具備第一基板及第二基板，以預(yù)先設(shè)定的間隔對(duì)置配置；多個(gè)像素電極，排列在上述第一基板；布線，配置在相鄰的上述像素電極之間；對(duì)置電極，設(shè)置于上述第二基板；隔壁，朝向上述第二基板而立設(shè)在上述第一基板的上述布線上，以包圍上述多個(gè)像素電極；以及溶媒，填充在被上述隔壁包圍的區(qū)域，分散有多個(gè)粒子，在上述第一基板上，與上述隔壁對(duì)應(yīng)地形成有防反射膜，在上述隔壁與上述防反射膜之間的層上形成有上述布線。
2.如權(quán)利要求1所述的電泳顯示裝置，其中， 具備多個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置于上述第一基板，分別與在上述第一基板上以矩陣狀排列而設(shè) 置的上述多個(gè)像素電極的每一個(gè)像素電極電連接；作為上述布線的掃描線，向上述多個(gè)薄膜晶體管的行方向延伸地設(shè)置于上述第一基 板；以及作為上述布線的數(shù)據(jù)線，向上述多個(gè)薄膜晶體管的列方向延伸地設(shè)置于上述第一基 板，與上述掃描線一起分別包圍上述像素電極，并與上述多個(gè)薄膜晶體管連接，上述隔壁為了分別隔離由上述多個(gè)像素電極構(gòu)成的多個(gè)像素，從上述掃描線及上述數(shù) 據(jù)線的上方朝向上述第二基板立設(shè)，以包圍上述像素電極，在上述第一基板上與上述隔壁對(duì)應(yīng)地形成有防反射膜，在上述隔壁與上述防反射膜之 間形成有上述掃描線及上述數(shù)據(jù)線。
3.如權(quán)利要求2所述的電泳顯示裝置，其中，上述多個(gè)粒子是表面的極性和顏色不同的兩種粒子。
4.如權(quán)利要求3所述的電泳顯示裝置，其中， 上述兩種粒子是黑色粒子和白色粒子。
5.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示裝置，其中， 上述黑色粒子的直徑比上述白色粒子的直徑大。
6.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示裝置，其中， 上述黑色粒子帶正電，上述白色粒子帶負(fù)電。
7.如權(quán)利要求4所述的電泳顯示裝置，其中， 上述溶媒是介電常數(shù)比上述兩種粒子低的分散媒。
8.如權(quán)利要求5所述的電泳顯示裝置，其中，上述兩種粒子通過在上述像素電極與上述對(duì)置電極之間施加電壓而形成的電場(chǎng)，在上 述一對(duì)基板之間泳動(dòng)。
9.如權(quán)利要求2所述的電泳顯示裝置，其中， 上述防反射膜由氧化鉻、感光樹脂中的任一方形成。
10.如權(quán)利要求2所述的電泳顯示裝置，其中， 上述第一基板是薄膜晶體管基板。
11.一種電泳顯示裝置，具備第一基板及第二基板，以預(yù)先設(shè)定的間隔對(duì)置配置； 第一電極，設(shè)置于上述第一基板； 第二電極，設(shè)置于上述第二基板；隔壁，配置在上述第一基板及上述第二基板之間，以包圍第一電極的方式立設(shè)；以及 溶媒，填充在由上述隔壁包圍的區(qū)域，分散有多個(gè)粒子，形成在上述第一基板的上述隔壁的、與上述第二基板對(duì)置的面形成為凸?fàn)畹那妗?br> 12.如權(quán)利要求11所述的電泳顯示裝置，其中， 上述隔壁的凸?fàn)畹那媾c對(duì)置的上述一方的基板抵接。
13.如權(quán)利要求11所述的電泳顯示裝置，其中，上述隔壁的凸?fàn)畹那嫘纬蔀榕c對(duì)置的上述一方的基板隔開規(guī)定的間隔。
14.如權(quán)利要求13所述的電泳顯示裝置，其中，上述隔壁的凸?fàn)畹那媾c對(duì)置的上述一方的基板的間隔被設(shè)定為比上述兩種粒子中 小的粒子的直徑小。
15.如權(quán)利要求14所述的電泳顯示裝置，其中， 上述多個(gè)粒子是表面的極性和顏色不同的兩種粒子。
16.如權(quán)利要求15所述的電泳顯示裝置，其中， 上述兩種粒子是黑色粒子和白色粒子。
17.如權(quán)利要求16所述的電泳顯示裝置，其中， 上述黑色粒子帶正電，上述白色粒子帶負(fù)電。
18.如權(quán)利要求16所述的電泳顯示裝置，其中， 上述溶媒是電介常數(shù)比上述兩種粒子低的分散媒。
19.如權(quán)利要求11所述的電泳顯示裝置，其中，具備作為上述第一電極的多個(gè)像素電極，在上述第一基板上以矩陣狀排列而設(shè)置； 多個(gè)薄膜晶體管，以與上述多個(gè)像素電極的每一個(gè)分別電連接的方式設(shè)置于上述第一 基板，掃描線，向上述多個(gè)薄膜晶體管的行方向延伸地設(shè)置于上述第一基板； 數(shù)據(jù)線，向上述多個(gè)薄膜晶體管的列方向延伸地設(shè)置于上述第一基板，與上述掃描線 一起分別包圍上述像素電極，并與上述多個(gè)薄膜晶體管連接；以及作為上述第二電極的對(duì)置電極，與上述像素電極對(duì)置地設(shè)置于上述第二基板， 上述隔壁為了將由上述像素電極構(gòu)成的多個(gè)像素分別分離，而立設(shè)在上述掃描線及上 述數(shù)據(jù)線上。
20.如權(quán)利要求19所述的電泳顯示裝置，其中，在上述第一基板上，與上述隔壁對(duì)應(yīng)地形成有防反射膜，在上述隔壁與上述防反射膜 之間的層上形成有上述布線。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制了對(duì)比率的下降的電泳顯示裝置，具備第一基板及第二基板，以預(yù)先設(shè)定的間隔對(duì)置配置；多個(gè)像素電極，排列在上述第一基板；布線，配置在相鄰的上述像素電極之間；對(duì)置電極，設(shè)置于上述第二基板；以及隔壁，朝向上述第二基板而設(shè)置在上述第一基板的上述布線上，以包圍上述多個(gè)像素電極，分散有多個(gè)粒子的溶媒填充在被上述隔壁包圍的區(qū)域。在上述第一基板上，與上述隔壁對(duì)應(yīng)地形成有防反射膜，在上述隔壁與上述防反射膜之間的層形成有上述布線。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101930147SQ20101021638
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2010年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月24日
發(fā)明者佐佐木誠, 宮下崇 申請(qǐng)人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社