專利名稱：基板處理裝置、基板處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有用于從載體向處理塊搬送基板的搬送機(jī)構(gòu)的基板處理裝置、基板 處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備或LCD基板的制造工藝中，利用稱為光刻的技術(shù)，對(duì)基板形成抗蝕 劑圖案。該技術(shù)通過(guò)如下一系列的工序來(lái)進(jìn)行例如在半導(dǎo)體晶片(下面稱為晶片)等基 板上涂敷抗蝕劑，從而在該晶片的表面形成抗蝕劑膜，使用光掩模使該抗蝕劑膜曝光后，進(jìn) 行顯影處理，從而得到所希望的圖案。這樣的處理一般使用在進(jìn)行抗蝕劑的涂敷和顯影的涂敷、顯影裝置上連接有曝光 裝置的系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行。上述涂敷、顯影裝置具備將收納有多片晶片的稱為F0UP的載體搬入 的載體塊；和包括分別進(jìn)行涂敷處理、顯影處理的機(jī)構(gòu)的處理塊，上述載體塊具有裝載港 (load port)，該裝載港具有用于載置上述載體的載體載置部。當(dāng)載體被搬送到上述裝載港時(shí)，載體內(nèi)的晶片通過(guò)設(shè)置于載體塊的例如搬送臂等 搬送機(jī)構(gòu)被搬送到用于向處理塊搬入晶片的搬入用模塊。并且，被搬送到上述搬入用模塊 的晶片被設(shè)置于處理塊的搬送機(jī)構(gòu)在處理塊內(nèi)搬送，在涂敷抗蝕劑后，被搬送到曝光裝置 接受曝光處理。然后，上述晶片返回到處理塊，利用設(shè)置于處理塊的搬送機(jī)構(gòu)，在處理塊內(nèi) 搬送并接受顯影處理。其后，晶片被上述搬送機(jī)構(gòu)搬送到用于從處理塊向載體塊搬出的搬 出用模塊，從該搬出用模塊例如通過(guò)上述搬送臂返回到上述載體。在此，將交接晶片的場(chǎng)所 記為模塊。如上所述，在晶片從載體搬出、返回該載體為止的過(guò)程中，當(dāng)該載體在裝載港的載 體載置部待機(jī)時(shí)，不能將下一個(gè)載體搬送到該載體載置部，因此在處理塊和曝光裝置中，晶 片不向本來(lái)能夠進(jìn)行處理的狀態(tài)的模塊交接，結(jié)果可能導(dǎo)致處理能力下降。因此，對(duì)于設(shè)置有具備使載體從上述裝載港暫時(shí)退避的退避區(qū)域的貯存器 (stocker)的方案展開(kāi)研究。在這種情況下，在從被搬送到裝載港的載體載置部的第一載體 (先發(fā)載體)取出晶片后，使該第一載體退避到上述退避區(qū)域，將第二載體(后發(fā)載體)載 置在上述載體載置部，進(jìn)行晶片的取出。然后，在從第二載體取出晶片后，使該第二載體退 避到上述退避區(qū)域，并且將第一載體再次載置到上述載體載置部。然后，將從該第一載體搬 送、在處理塊中接受處理后的晶片送回到該第一載體。這樣，通過(guò)將載體在載體載置部與退 避區(qū)域之間搬送，使從載體向處理塊取出的晶片的總數(shù)增多，可以期待提高處理塊和曝光 裝置的模塊的運(yùn)轉(zhuǎn)率、抑制處理能力下降的效果。當(dāng)從載體取出的晶片滯留在向上述處理塊搬入用的模塊中時(shí)，上述搬送臂不能將 后續(xù)的晶片搬入該搬入用模塊，因此正在研究如上述那樣在向退避區(qū)域搬送載體時(shí)，為了 快速?gòu)妮d體取出晶片，設(shè)置搬送用緩沖模塊，該搬入用緩沖模塊用于收納多片搬入到搬入 用模塊之前的晶片并使其滯留。但是，在處理塊中，例如有時(shí)每批次在模塊中的晶片的處理時(shí)間、處理溫度等處理?xiàng)l件都會(huì)變更，因此晶片在處理塊中，按照向該處理塊的搬入順序向后段的模塊交接，依次 接受處理。即，對(duì)搬送進(jìn)行控制，使得在處理模塊中，后搬送到該處理塊的晶片不會(huì)追上先 搬送到處理塊的晶片而接受處理。如上所述，可以認(rèn)為為了在處理模塊中按照搬入順序?qū)M(jìn)行處理，即使在載 體塊中，對(duì)于利用上述搬送臂從載體中取出的全部的晶片，按照其取出順序搬送到緩沖模 塊，然后搬送到上述搬入用模塊。但是，像這樣使搬送臂動(dòng)作，與從載體直接向上述搬入用 模塊搬入的情況相比，上述搬送臂的動(dòng)作工序數(shù)增多。并且，經(jīng)由搬入用緩沖模塊的情況與 從載體直接向搬入用模塊搬送的情況相比，從載體向搬入用模塊的搬送時(shí)間增長(zhǎng)，因此如 上所述搬送工序數(shù)增加，從而可能導(dǎo)致從載體取出晶片結(jié)束的時(shí)間延遲，不能充分地實(shí)現(xiàn) 處理能力的提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供一種基板處理裝置、基板處 理方法和具有實(shí)施該方法的計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。該基板處理裝置具有從載體向處理塊 搬送基板的搬送機(jī)構(gòu)，能夠抑制上述搬送機(jī)構(gòu)的搬送工序的上升，并提高處理能力。本發(fā)明的基板處理裝置包括具有載體載置部的載體塊和具有至少一個(gè)處理模塊 的處理塊，該載體載置部載置收納有多片基板的載體，該處理模塊對(duì)上述基板逐片地進(jìn)行 處理，該基板處理裝置的特征在于，包括第一交接模塊，用于以預(yù)先設(shè)定的搬送順序搬送 從上述載體搬出的基板、并將該基板搬入上述處理塊而暫時(shí)載置該基板，第二交接模塊，用于將在上述處理塊中完成了處理的基板送回到載體而暫時(shí)載置 該基板，緩沖模塊，用于使從上述載體搬出、搬入上述第一交接模塊之前的基板待機(jī)而收 納多片基板，第一搬送機(jī)構(gòu)，用于在載置于上述載體載置部的載體、上述第一交接模塊、上述緩 沖模塊和上述第二交接模塊之間搬送基板，第二搬送機(jī)構(gòu)，用于以先搬入到第一交接模塊的基板不會(huì)越過(guò)后搬入到第一交接 模塊的基板的方式，在上述第一交接模塊、上述第二交接模塊和設(shè)置于上述處理塊的模塊 之間搬送基板，和控制機(jī)構(gòu)，向上述基板處理裝置的各部輸出控制信號(hào)，從而對(duì)其動(dòng)作進(jìn)行控制，其 中，在能夠向上述第一交接模塊搬送基板時(shí)，不經(jīng)由緩沖模塊地以上述搬送順序從載 體向第一交接模塊搬送基板，在不能從上述載體向該第一交接模塊搬送基板時(shí)，以與上述搬送順序相反的順序 從載體向緩沖模塊搬送基板，輸出控制信號(hào)，使得在以先于已搬送到上述緩沖模塊的基板搬送到上述第一交接 模塊的方式設(shè)定的基板全部被搬送到該第一交接模塊后，以上述搬送順序?qū)⒃撘寻崴偷缴?述緩沖模塊的基板搬送到第一交接模塊。例如，可以在上述載體內(nèi)設(shè)定多個(gè)由多片同種基板構(gòu)成的批次，上述搬送順序設(shè) 定為相同批次內(nèi)的基板連續(xù)地搬入上述第一交接模塊，
在不能將基板從上述載體搬送到第一交接模塊、并且在緩沖模塊中不存在與該基 板的批次不同的批次時(shí)，包括該基板的批次內(nèi)的基板以相反順序搬送到緩沖模塊。以在一個(gè)載體的基板被搬出后、另一個(gè)載體的基板被搬出的方式設(shè)定，在緩沖模 塊中不存在一個(gè)載體的基板時(shí)，另一個(gè)載體的基板可以被搬送到上述緩沖模塊?？梢苑謩e 設(shè)置有多個(gè)上述第一交接模塊、第二交接模塊、處理模塊和第二搬送機(jī)構(gòu)，各第二搬送機(jī)構(gòu) 在相互不同的第一交接模塊、第二交接模塊和處理模塊之間平行地搬送基板。此時(shí)，用于使 搬入各第一交接模塊之前的基板待機(jī)的緩沖模塊可以共用。上述處理模塊由抗蝕劑涂敷模塊和顯影模塊構(gòu)成，上述抗蝕劑涂敷模塊用于向基 板供給抗蝕劑，上述顯影模塊用于在上述抗蝕劑涂敷后、向由曝光裝置曝光后的基板供給 顯影液而進(jìn)行顯影，基板處理裝置構(gòu)成可以為涂敷、顯影裝置。并且，也可以設(shè)置有載體退 避區(qū)域和載體搬送機(jī)構(gòu)，上述載體退避區(qū)域用于使搬出上述基板后的載體從上述載體載置 部退避，上述載體搬送機(jī)構(gòu)用于在上述載體載置部與上述載體退避區(qū)域之間搬送載體。本發(fā)明的基板處理方法的特征在于，包括將收納有多片基板的載體載置在載體 載置部的工序；利用設(shè)置于處理塊的處理模塊，對(duì)基板逐片地進(jìn)行處理的工序；利用第一搬送機(jī)構(gòu)在載置于上述載體載置部的載體、第一交接模塊、第二交接模 塊和緩沖模塊之間交接基板的工序，其中，上述第一交接模塊用于將從載置于上述載體載 置部的載體搬送來(lái)的基板搬入上述處理塊、以預(yù)先設(shè)定的搬送順序搬送該基板并暫時(shí)載置 該基板，上述第二交接模塊用于將在處理塊中完成了處理的基板向上述載體搬出而暫時(shí)載 置該基板，緩沖模塊用于使從上述載體搬出、搬入上述第一交接模塊前的基板待機(jī)而能夠 收納多片基板；以先搬入第一交接模塊的基板不會(huì)越過(guò)后搬入第一交接模塊的基板的方式，利用 第二搬送機(jī)構(gòu)在上述第一交接模塊、上述第二交接模塊和設(shè)置于上述處理塊的模塊之間搬 送基板的工序；在能夠向上述第一交接模塊搬送基板時(shí)，不經(jīng)由緩沖模塊地以上述搬送順序從載 體向第一交接模塊搬送基板，在不能從上述載體向該第一交接模塊搬送基板時(shí)，以與上述 搬送順序相反的順序從載體向緩沖模塊搬送基板的工序；和在以先于搬送到上述緩沖模塊的基板搬送到上述第一交接模塊的方式設(shè)定的基 板全部被搬送到該第一交接模塊后，以上述搬送順序?qū)崴偷缴鲜鼍彌_模塊的基板搬送到 第一交接模塊的工序。例如，可以在上述載體內(nèi)設(shè)定多個(gè)由多片同種基板構(gòu)成的批次，上述搬送順序設(shè) 定為相同批次內(nèi)的基板連續(xù)地搬入上述第一交接模塊， 在向上述緩沖模塊搬送基板的工序中，在不能將基板從上述載體搬送到第一交接模塊、并且在緩沖模塊中不存在與該基 板的批次不同的批次時(shí)，包括該基板的批次內(nèi)的基板以相反順序搬送。并且，可以以在一個(gè) 載體的基板被搬出后、另一個(gè)載體的基板被搬出的方式設(shè)定，在緩沖模塊中不存在一個(gè)載 體的基板時(shí)，另一個(gè)載體的基板被搬送到上述緩沖模塊。并且，例如，可以分別設(shè)置多個(gè)上述第一交接模塊、第二交接模塊、處理模塊和第 二搬送機(jī)構(gòu)，包括利用各第二搬送機(jī)構(gòu)在相互不同的第一交接模塊、第二交接模塊和處理模塊之間平行地搬送基板的工序。此時(shí)，用于使搬入各第一交接模塊之前的基板待機(jī)的緩 沖模塊可以共用。對(duì)上述基板逐片地進(jìn)行處理的工序例如包括向基板供給抗蝕劑的工序；和在上 述抗蝕劑供給后，向由曝光裝置曝光后的基板供給顯影液而進(jìn)行顯影的工序。還可以包括 將搬出上述基板后的載體在用于使該載體退避的載體退避區(qū)域和上述載體載置部之間搬 送的工序。本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有具備處理塊和搬送機(jī)構(gòu)的基板處理裝置所使用的計(jì)算 機(jī)程序，該處理模至少具有一個(gè)對(duì)上述基板逐片地進(jìn)行處理的處理模塊，該搬送機(jī)構(gòu)用于 將基板從載體搬送到該處理塊，該存儲(chǔ)介質(zhì)的特征在于上述計(jì)算機(jī)程序用于實(shí)施上述的 基板處理方法。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在能夠向用于將來(lái)自載體的基板搬入處理塊的第一交接模塊搬送基 板時(shí)，不經(jīng)由緩沖模塊地以上述搬送順序從載體向第一交接模塊搬送基板，在不能從上述 載體向該第一交接模塊搬送基板時(shí)，以與上述搬送順序相反的順序從載體向緩沖模塊搬送 基板。通過(guò)這樣進(jìn)行搬送，不需要將全部的基板搬送到上述緩沖模塊，因此能夠抑制搬送機(jī) 構(gòu)的動(dòng)作工序數(shù)的上升，并且，能夠使載體內(nèi)的基板的搬出盡快完成。并且，利用將位于緩 沖模塊中的基板搬送到第一交接模塊的時(shí)間，使取出基板后的載體從載體載置部退避，能 夠?qū)⑹占{有基板的后續(xù)的載體向該載體載置部搬送。因此，能夠抑制處理能力的下降。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的涂敷、顯影裝置的平面圖。圖2是上述涂敷、顯影裝置的立體圖。圖3是上述涂敷、顯影裝置的縱截側(cè)面圖。圖4是從載體搬送機(jī)構(gòu)一側(cè)觀察上述涂敷、顯影裝置的正面圖。圖5是表示載體的正面圖。圖6是上述涂敷、顯影裝置的搬送路徑圖。圖7是上述涂敷、顯影裝置的搬送路徑圖。圖8是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送工序的工序圖。圖9是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖10是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖11是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖12是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖13是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖14是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖15是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖16是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖17是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖18是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。圖19是表示上述涂敷、顯影裝置的載體塊中的基板的搬送路徑的說(shuō)明圖。
符號(hào)說(shuō)明W 晶片；TRS 交接模塊；C 載體；E1 載體塊；E2 處理塊；1 涂敷、顯影裝置；1A 交接臂；10 載體站；14 搬入用緩沖模塊；16 載體載置部；CPL 交接模塊；21 裝載港；3 載體搬送機(jī)構(gòu)；51 抗蝕劑膜形成部；52 抗蝕劑涂敷模塊；100 控制部。
具體實(shí)施例方式對(duì)作為本發(fā)明的基板處理裝置的一個(gè)例子的涂敷、顯影裝置1進(jìn)行說(shuō)明。圖1是 表示在涂敷、顯影裝置1上連接有曝光裝置C4的抗蝕劑圖案形成系統(tǒng)的平面圖，圖2是該 系統(tǒng)的立體圖。此外，圖3是涂敷、顯影裝置1的縱截面圖。圖中E1是用于將密閉收納有 多片晶片W的載體C搬入搬出的載體塊，E2是對(duì)上述晶片W進(jìn)行涂敷、顯影處理的處理塊， E3是接口塊。載體塊E1包括載體C被搬入的載體站10和主體部11，該主體部11構(gòu)成與載體 站10連接的晶片W的搬送區(qū)域。圖中12是開(kāi)閉部，具有如下作用開(kāi)閉在設(shè)置于載體站10 的載體載置部16上載置的載體C的蓋，連接并劃分載體C內(nèi)和主體部11內(nèi)。對(duì)主體部11進(jìn)行說(shuō)明，在主體部11內(nèi)，例如層疊設(shè)置有搬入用緩沖模塊14、搬出 用緩沖模塊15，各緩沖模塊14、15分別能夠收納6片晶片W。搬入用緩沖模塊14具有如下 作用使從載體C取出并向處理塊E2搬入的晶片W待機(jī)，使晶片W從載體C的取出盡快結(jié) 束。搬出用緩沖模塊15具有如下作用使在處理塊E2中結(jié)束處理并向載體C搬出的晶片 W待機(jī)，防止在處理塊E2中晶片W的搬送停止。此外，在載體塊E1中設(shè)置有作為第一搬送機(jī)構(gòu)的搬送臂1A，該搬送臂1A用于在載 體C、搬入用緩沖模塊14、15和設(shè)置于后述的擱板單元TO的各模塊之間交接晶片W。為了 如上所述進(jìn)行晶片W的交接，搬送臂1A以在與各塊E1 E3的配列方向(X方向)正交的 Y方向上自由移動(dòng)、自由升降、繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)和自由進(jìn)退的方式構(gòu)成。載體站10包括裝載港21和貯存器(stocker) 22，該裝載港21具有例如4個(gè)用于 與搬送臂1A之間交接晶片W而載置有載體C的載體載置部16，該貯存器22設(shè)置在該裝載 港21的上方側(cè)，由用于使載體C暫時(shí)退避的上段側(cè)的擱板部23和下段側(cè)的擱板部24構(gòu)成。 在擱板部23、24上分別設(shè)置有例如8個(gè)構(gòu)成用于使載體C暫時(shí)退避的退避區(qū)域的退避用載 置部17。如圖4所示，在擱板部23的上方側(cè)，配設(shè)有如圖4所示沿著圖中Y方向延伸的軌 道R。在軌道R上設(shè)置有在該涂敷、顯影裝置1與外部的其他處理裝置之間交接載體C的外 部載體搬送機(jī)構(gòu)25，以沿著該軌道R自由移動(dòng)的方式構(gòu)成。在外部載體搬送機(jī)構(gòu)25上，設(shè) 置有從左右方向夾持載體C的側(cè)方進(jìn)行把持的把持部26。把持部26以自由升降的方式構(gòu) 成，能夠與擱板部23的退避用載置部17之間交接載體C。并且，如圖1 圖3所示，載體塊E1具有用于向載體站10的各載置部16、17進(jìn)行 載體C的交接的載體搬送機(jī)構(gòu)3。該載體搬送機(jī)構(gòu)3具有沿著升降軸31自由升降的基部 32和多關(guān)節(jié)的搬送臂33，該搬送臂33與該基部32連接，相對(duì)于該基部32繞鉛直軸自由旋 轉(zhuǎn)。該升降軸31以沿著導(dǎo)軌36自由移動(dòng)的方式構(gòu)成，導(dǎo)軌36例如在載體塊E1的天井部 以沿圖1中Y方向延伸的方式設(shè)置。在此，對(duì)載體C的形狀進(jìn)行說(shuō)明，如圖2 圖4所示，在該載體C的上部隔著支撐部41設(shè)置有板狀的保持板42。并且，例如圖5所示，上述臂33將上述載體C的保持板42 的周圍包圍，以懸掛的狀態(tài)支撐載體C，分別向載體載置部16和退避用載置部17進(jìn)行載體 C的轉(zhuǎn)移載置。接著，對(duì)處理塊E2進(jìn)行說(shuō)明。如圖3所示，處理塊E2在該例子中從下開(kāi)始依次層 疊有用于進(jìn)行顯影處理的第一塊(DEV層)F1、和用于涂敷抗蝕劑從而進(jìn)行抗蝕劑膜形成的 第二塊(COT層)F2。由于處理塊E2的各層的結(jié)構(gòu)俯視時(shí)相同，因此以第二塊(COT層)F2為例進(jìn)行說(shuō) 明，COT層F2具有抗蝕劑膜形成部51。在此例子中，抗蝕劑膜形成部51具有向晶片供給抗 蝕劑作為藥液并進(jìn)行涂敷的抗蝕劑涂敷模塊C0T52A 52C。此外，COT層F2具備構(gòu)成用 于進(jìn)行在抗蝕劑涂敷模塊52中所進(jìn)行的處理的前處理和后處理的處理模塊群的擱板單元 U1 U4、和搬送臂G2，該搬送臂G2設(shè)置于上述抗蝕劑膜形成部51與加熱、冷卻系的處理模 塊群之間，在它們之間進(jìn)行晶片W的交接。擱板單元U1 U4沿著搬送臂G2進(jìn)行移動(dòng)的搬送區(qū)域R1配列，這些擱板單元 U1 U4通過(guò)模塊層疊而構(gòu)成。包括加熱模塊，該加熱模塊具有用于對(duì)載置在擱板單元U1 U4上的晶片W進(jìn)行加熱的加熱板，作為該加熱模塊，具有疏水化模塊ADH61A、61B和涂敷后 加熱模塊62A 62C，該疏水化模塊ADH61A、61B用于向抗蝕劑涂敷前的晶片W供給進(jìn)行疏 水化處理的氣體、并且對(duì)晶片W進(jìn)行加熱，該涂敷后加熱模塊62A 62C用于在抗蝕劑涂敷 后對(duì)晶片W進(jìn)行加熱。對(duì)于第一塊(DEV層)F1，在1個(gè)DEV層F1內(nèi)分2段層疊設(shè)置與抗蝕劑膜形成部51 對(duì)應(yīng)的顯影處理部。關(guān)于顯影處理部，除了向晶片W供給顯影液作為藥液之外，結(jié)構(gòu)與抗蝕 劑膜形成部相同，包括顯影模塊DEV64A 64F。并且，在該DEV層F1內(nèi)，設(shè)置有用于向2段 的顯影處理部和上述加熱、冷卻系的處理模塊搬送晶片W的搬送臂G1。因此，搬送臂G1對(duì) 于2段的顯影處理部而言被共用。此外，DEV層F1與COT層F2同樣地具有擱板單元U1 U4,這些擱板單元U1 U4具有加熱模塊63A 63F。 處理塊E2的各加熱模塊、抗蝕劑涂敷模塊C0T52A 52C、顯影模塊DEV64A 64F， 對(duì)搬入的晶片W—片片地進(jìn)行處理。此外，構(gòu)成處理塊E2的第二搬送機(jī)構(gòu)的各搬送臂G具 有2個(gè)晶片W的支撐體，用一個(gè)支撐體將先搬送到處理塊E2的晶片W從規(guī)定的模塊中搬出， 用另一個(gè)支撐體將后搬送到處理塊E2的晶片W搬入該模塊。然后，對(duì)每個(gè)塊Fl、F2，基于 預(yù)先設(shè)定的搬送時(shí)間表(schedule)，各搬送臂G將放置于上游側(cè)模塊的晶片W —片片地依 次向下游側(cè)的模塊搬送，繞各搬送路徑一周。由此，形成先從載體C搬入處理塊E2的晶片 W位于后從載體C搬入處理塊E2的晶片W的下游側(cè)的模塊的狀態(tài)，這樣通過(guò)各搬送臂G轉(zhuǎn) 圈，晶片W在各模塊之間移動(dòng)。 進(jìn)一步，如圖1和圖3所示，在處理塊E2中，在載體塊E1—側(cè)設(shè)置有擱板單元TO。 該擱板單元U5具備交接模塊TRS1 TRS3、交接模塊CPL1 CPL4和緩沖模塊50，這些各 模塊彼此層疊。此外，擱板單元TO具有用于向后述的梭(shuttle) 54交接晶片W的搬入部 55。交接模塊TRS和CPL具有載置晶片W的臺(tái)，CPL進(jìn)一步具有對(duì)載置的晶片W進(jìn)行溫度 調(diào)節(jié)的功能。交接模塊TRS1 TRS3和CPL1 CPL2設(shè)置于搬送臂1A能夠接近的位置，此 外，CPL1 CPL2設(shè)置于搬送臂G1能夠接近的位置。交接模塊CPL3 CPL4和緩沖模塊50 設(shè)置于搬送臂G2能夠接近的位置。
在擱板單元TO的附近設(shè)置有交接臂D1，該交接臂D1用于在構(gòu)成這些擱板單元TO 的各模塊之間交接晶片W，以自由升降、自由進(jìn)退的方式構(gòu)成。此外，進(jìn)一步如圖3所示，在處理塊E2中，在接口塊E3 —側(cè)設(shè)置擱板單元TO。該 擱板單元U6具有交接模塊TRS4 TRS5，這些各模塊彼此層疊。此外，擱板單元U6具有用 于從梭54取出晶片W的搬出部56。在DEV層F1內(nèi)的上部，設(shè)置有用于將晶片W從上述擱 板單元U5的搬入部55直接向擱板單元U6的搬出部56搬送的梭54。接口塊E3具有用于在擱板單元U6的模塊與曝光裝置C4之間搬送晶片W的接口 臂57。該涂敷、顯影裝置1中設(shè)置有例如由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部100?？刂撇?00具有由 程序、存儲(chǔ)器、CPU構(gòu)成的數(shù)據(jù)處理部，在上述程序中組入有命令(各步驟)，使得從控制部 100向涂敷、顯影裝置1的各部發(fā)送控制信號(hào)，進(jìn)行后述的各處理工序。此外，例如，存儲(chǔ)器 中具有寫入處理溫度、處理時(shí)間、各藥液的供給量或電力值等處理參數(shù)的值的區(qū)域，CPU在 執(zhí)行程序的各命令之際讀出這些處理參數(shù)，并向該涂敷、顯影裝置1的各部發(fā)送與該參數(shù) 值對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)。該程序(也包括關(guān)于處理參數(shù)的輸入操作和顯示的程序)存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì) 中，例如存儲(chǔ)在軟盤、光盤、硬盤、M0(光磁盤)或存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)中，從而安裝到控制部 100中。此外，如后所述，晶片W和載體C的搬送路徑因執(zhí)行的模式1 模式4而有所不同， 但用戶通過(guò)由控制部100所具有的輸入畫(huà)面和鍵盤等構(gòu)成的選擇機(jī)構(gòu)，能夠選擇執(zhí)行的模式。此外，在各載體C中，以上下層疊的方式排列收納有多片晶片W，以按照該排列順 序向處理塊E2搬送，并且按照該排列順序在處理塊E2內(nèi)搬送的方式構(gòu)成上述程序。存在 各載體C僅包含在處理塊E2中以相同的處理?xiàng)l件接受處理的同一批次的晶片W的情況、和 包含以互不相同的處理?xiàng)l件接受處理的多個(gè)批次的晶片W的情況。在載體C中包含不同批 次的晶片W的情況下，在該載體C內(nèi)，相同批次的晶片W彼此連續(xù)地排列，一個(gè)批次的晶片W 全部被搬送到處理塊E2后，另一個(gè)批次的晶片W向處理塊E2搬送，接受處理。此外，控制 部100對(duì)于一個(gè)載體C內(nèi)的晶片W，對(duì)于每一批次而言，按照向處理塊E2的搬入順序從一號(hào) 依次設(shè)定編號(hào)，以上述方式進(jìn)行搬送，因此在處理塊E2內(nèi)編號(hào)大的晶片W不會(huì)追上編號(hào)小 的晶片W。在載體塊E1中，有時(shí)也以后述方式不按照該編號(hào)順序進(jìn)行搬送。作為上述處理?xiàng)l件，包括向晶片W供給的藥液的溫度和供給時(shí)間、晶片W的加熱溫 度、冷卻溫度和它們的處理時(shí)間等。此外，例如在各載體C被搬入到涂敷、顯影裝置1之前， 從控制工廠內(nèi)的包括涂敷、顯影裝置1在內(nèi)的裝置之間載體的搬送的上位計(jì)算機(jī)，向控制 部100發(fā)送關(guān)于各載體C所包含的批次的數(shù)量、每批次的晶片W的數(shù)量的信息，控制部100 根據(jù)該信息進(jìn)行后述的搬送控制。對(duì)于由涂敷、顯影裝置1實(shí)施的各模式的載體C和晶片W的搬送路徑進(jìn)行說(shuō)明。首 先說(shuō)明各模式的概況，在模式1中，在從載體C取出晶片W后、直至晶片W返回為止，利用載 體搬送機(jī)構(gòu)3在載置部16、17之間進(jìn)行載體C的搬送，并且被取出的批次全部以相同的路 徑搬送并接受處理。 在模式2中，在與載體1同樣地取出晶片W后，在載置部16、17之間進(jìn)行載體C的 搬送，但從載體C取出的2個(gè)各批次以彼此不同的路徑搬送。在模式3中，與模式1同樣，全部以相同的路徑搬送晶片W，但不進(jìn)行上述的晶片取出后、直至晶片W返回為止的載體C 的搬送。在模式4中，與模式2相同，各批次以2個(gè)路徑搬送，但與模式3相同，不進(jìn)行晶片 W取出后、直至晶片W返回為止的載體C的搬送。在選擇了模式1的情況下，利用外部載體搬送機(jī)構(gòu)25被搬送到擱板部23的退避 用載置部17的一個(gè)載體C(為了說(shuō)明方便記為先發(fā)載體)，通過(guò)載體搬送機(jī)構(gòu)3載置到載 體載置部16，在將全部的晶片W從先發(fā)載體C取出后，利用載體搬送機(jī)構(gòu)3將該先發(fā)載體C 搬送到擱板部23或擱板部24的退避用載置部17。然后，另一個(gè)載體C(為了說(shuō)明方便記為 后發(fā)載體)，以與先發(fā)載體C相同的路徑從外部載體搬送機(jī)構(gòu)25交接到載體載置部16，將 晶片W從后發(fā)載體C中取出。晶片W的取出結(jié)束后的后發(fā)載體C以與先發(fā)載體C相同的路徑搬送到退避用載置 部17。然后，先發(fā)載體C被載體搬送機(jī)構(gòu)3再次搬送到載體載置部16，將從該先發(fā)載體C搬 出的處理完成的晶片W搬入該載置于載體載置部16的先發(fā)載體C。然后，將先發(fā)載體C載 置于擱板部23的退避用載置部17，利用外部載體搬送機(jī)構(gòu)25從涂敷、顯影裝置1中搬出。 其后，后發(fā)載體C與先發(fā)載體C同樣地被再次搬送到載體載置部16，將從該后發(fā)載體C搬出 的處理完成的晶片W搬入該載置于載體載置部16的后發(fā)載體C。其后，將后發(fā)載體C以與 先發(fā)載體C相同的路徑從涂敷、顯影裝置1搬出。其中，載體載置部16有4個(gè)，因此不限定 于各載體返回到與進(jìn)行了晶片W取出的載體載置部16相同的載體載置部16。接著，參照?qǐng)D6說(shuō)明在選擇了模式1時(shí)的晶片W的搬送路徑。首先，如果載體C如 上所述被載置于載體載置部16，利用開(kāi)閉部12將載體C的蓋取下，利用搬送臂1A將晶片W 從載體C直接向交接模塊TRS1、2、3中的任一個(gè)搬送，或者暫時(shí)搬送到搬入用緩沖模塊14， 在那里滯留后，向交接模塊TRS1 TRS3中的任一個(gè)搬送。至于在什么樣的情況下搬送到 搬入用緩沖模塊14，在什么樣的情況下直接搬送到交接模塊TRS1 TRS3，后面闡述。利用交接臂D1將晶片W從交接模塊TRS1 TRS3搬送到交接模塊CPL3或CPL4， 利用COT層F2的搬送臂G2按照擱板單元U1 U4的疏水化模塊ADH61A或61B —抗蝕劑 涂敷模塊C0T52A 52C任意的順序搬送，在涂敷抗蝕劑后利用搬送臂G2搬送到擱板單元 U1 U4的加熱模塊62A 62C，接受加熱處理從而形成抗蝕劑膜。接著，在利用搬送臂G2將晶片W搬送到緩沖模塊50后，利用交接臂D1搬送到搬 入部55，交接到梭54，向搬出部56搬送。其后，將晶片W交接到接口臂57，并搬送到曝光裝 置C4，接受曝光處理。然后，將晶片W搬送到交接模塊TRS4或TRS5，利用搬送臂G1搬送到擱板單元U1 U4的加熱模塊63A 63C中的任一個(gè)，接受加熱處理(PEB處理)。其后，利用搬送臂G1將 晶片W搬送到顯影模塊DEV，接受顯影處理后，搬送到擱板單元U1 U4的加熱模塊63D 63F中的任一個(gè)，接受加熱處理。加熱處理后，利用搬送臂G1搬送到擱板單元U5的交接模 塊 CPL1 或 CPL2。然后，利用搬送臂1A將晶片W暫時(shí)搬入到搬出用緩沖模塊15并滯留。并且，利用 載體搬送機(jī)構(gòu)3將該取出晶片W后的載體C送回到載體載置部16時(shí)，利用搬送臂1A將晶 片W送回到該載體C。對(duì)于選擇模式1時(shí)從載體塊E1的載體C1取出的晶片W的搬送控制進(jìn)行說(shuō)明。在 模式1中，交接模塊TRS1 TRS3被設(shè)定為，為了將從載體C取出的晶片W搬入處理塊E2而暫時(shí)載置的搬入用模塊(第一交接模塊)。此外，交接模塊CPL1 CPL2被設(shè)定為，為了 將處理完成的晶片W從處理塊E2搬出并將其送回載體C而暫時(shí)載置該晶片W的搬出用模 塊(第二交接模塊)。 并且，在這些交接模塊TRS1 TRS3空閑時(shí)，從載體C搬出的晶片W不被搬送到搬 入用緩沖模塊14，而是被直接搬送到這些交接模塊TRS1 TRS3。并且，在晶片W在這些交 接模塊TRS1 TRS3中滯留、不能從載體C搬送晶片W的情況下，從預(yù)定的最終晶片W開(kāi)始 以相反順序搬送到搬入用緩沖模塊14。但是，能夠這樣搬送到搬入用緩沖模塊14的晶片W 需要同時(shí)滿足2個(gè)條件，其一是該晶片W是與現(xiàn)在正在從載體C中取出的批次相同批次的 晶片(作為條件1)，另一個(gè)是存在于現(xiàn)在正在取出晶片W的載體C中(作為條件2)。
并且，搬送到搬入用緩沖模塊14的晶片W，與從收納有該晶片W的載體C搬入到該 搬入用緩沖模塊14的晶片W為相同的批次，在晶片W全部從上述載體C取出、并且該交接 模塊TRS1 TRS3空閑時(shí)，按照向處理塊E2的搬送順序，搬送到該空閑的交接模塊TRS。接著，對(duì)選擇模式2時(shí)的搬送進(jìn)行說(shuō)明。在選擇了模式2時(shí)，與模式1同樣地將載 體C搬入涂敷、顯影裝置1，在將晶片W取出后在載體載置部16和退避用載置部17之間進(jìn) 行交接。并且，當(dāng)收納有處理完成的晶片W時(shí)，與模式1同樣地被從涂敷、顯影裝置1搬出。參照?qǐng)D7，以與模式1的不同點(diǎn)為中心，說(shuō)明選擇模式2時(shí)的晶片W的搬送路徑。 將一個(gè)批次的晶片W從上述載體C直接搬送到交接模塊TRS2或TRS3，或者搬送到搬入用緩 沖模塊14，在那里暫時(shí)滯留后搬送到交接模塊TRS2或TRS3。其后，與模式1同樣地在搬入 交接模塊CPL3 CPL4后，按照COT層F2的各模塊ADH61A 61C — C0T52A 52C —加熱 模塊62A 62C的順序搬送并接受處理，在搬送到緩沖模塊50后，搬入交接模塊TRS1，并利 用交接臂A1將其送回到上述一個(gè)載體C。稱該搬送路徑為COT流路71。此外，另一方面，另一個(gè)批次晶片W被搬送臂1A直接搬送到交接模塊CPL1，或者搬 送到搬入用緩沖模塊14，在那里暫時(shí)滯留后搬送到交接模塊CPL1。利用搬送臂A1按照加 熱模塊63A 63C — DEV64A 64F —加熱模塊63D 63F的順序搬送后，搬送到交接模塊 CPL2，并利用交接臂A1送回到另一個(gè)載體C2。稱該搬送路徑為DEV流路72。如上所述，在執(zhí)行模式2時(shí)，在處理塊E2中，將一個(gè)批次、另一個(gè)批次搬入到相互 不同的交接模塊TRS2 TRS3、CPL1。然后，被搬入交接模塊TRS2 TRS3、CPL1的各批次 在相互不同的模塊之間依次搬送，經(jīng)由交接模塊TRS1、CPL2返回到載體C。因此，在該模 式2中，交接模塊TRS2、TRS3和CPL1被設(shè)定為向處理塊E2的搬入用模塊，交接模塊TRS1、 CPL2被設(shè)定為來(lái)自處理塊E2的搬出用模塊。此外，這些一個(gè)批次和另一批次的搬送平行地 進(jìn)行。在圖7中，為了圖示方便，以各批次分別從各自的載體C搬出的方式描繪，但也可以 從相同的載體C搬出。接著，對(duì)于選擇模式2時(shí)從載體塊E1的載體C取出的晶片W的搬送控制進(jìn)行說(shuō) 明。上述載體c的各批次的晶片W，在各晶片W的搬送目的的交接模塊TRS2、TRS3、CPL1分 別空閑時(shí)，被直接搬送到那些交接模塊TRS2、TRS3、CPL1。并且，在各晶片W滯留在交接模 塊TRS2、TRS3、CPL1、不能從載體C搬送晶片W的情況下，與模式1同樣地從取出預(yù)定的最 后晶片W開(kāi)始按照相反順序搬送到搬入用緩沖模塊14。但是，上述那樣分別在COT流路71、DEV流路72中搬送的晶片W之間不適用條件 1和條件2。具體而言，正在從載體C取出的批次是在COT流路71中搬送的批次時(shí)，有時(shí)在DEV流路72中搬送的批次的晶片W被搬送到搬入用緩沖模塊14 ；相反，正在從載體C取出 的批次是在DEV流路72中搬送的批次時(shí)，有時(shí)在COT流路71中搬送的批次的晶片W被搬 送到搬入用緩沖模塊14。并且，有時(shí)在COT流路71中搬送的一個(gè)批次、和在DEV流路72中 搬送的另一批次被收納在各自的載體C中，一個(gè)批次、另一批次分別從各載體被搬送到搬 入用緩沖模塊14。因此，如后述的具體的搬送狀況所示，在模式2中與模式1不同，存在緩 沖模塊14中混合存在有來(lái)自不同載體的晶片W的情況、以及混合存在有不同批次的晶片W 的情況。此外，為了在相同的COT流路71彼此之間、DEV流路72彼此之間搬送的晶片W間， 避免搬送到處理塊E2的晶片W的超越，可以適用條件1和條件2。并且，模式2中也與模式1相同，搬送到搬入用緩沖模塊14的晶片W，在與從收納 該晶片w的載體C搬入到該搬入用緩沖模塊14的晶片W相同批次的晶片W全部取出、并且 該交接模塊TRS1 TRS3空閑時(shí)，按照順序搬送到該空閑的TRS。如上所述，在各模式中，在將晶片W從載體C向處理塊E2 —側(cè)搬送時(shí)，控制部100 對(duì)各模塊中有無(wú)晶片、各模塊和載體C中所含的批次的種別進(jìn)行判斷，控制部100根據(jù)該判 斷結(jié)果對(duì)搬送臂1A的動(dòng)作進(jìn)行控制。每個(gè)處理塊E2的搬送臂G1、G2繞該搬送路徑1周的 周期，進(jìn)行該控制部100的判斷和基于該判斷的晶片W從載體向處理塊E2 —側(cè)的搬送。接著，參照?qǐng)D8 圖15，具體說(shuō)明選擇上述模式1時(shí)每種晶片的搬送狀況下，從載 體C取出的晶片的搬送路徑。在這些圖中，將載體塊E1的各模塊和擱板單元TO的各模塊 展開(kāi)在同一平面表示，并且表示搬入用緩沖模塊14中的晶片W的滯留狀態(tài)。在以后的說(shuō)明中為了方便，對(duì)于各晶片W，對(duì)搬送到處理塊E2的批次的順序依次 標(biāo)注A、B…等字母，并且在該字母后，按照在該批次內(nèi)搬送到處理塊E2的順序標(biāo)注數(shù)字的 編號(hào)。即，例如在某批次內(nèi)的晶片W中，將在該批次中第三個(gè)被搬送到處理塊E2的晶片W 表示為晶片A3。并且，在上述批次的下一個(gè)搬送到處理塊E2的后續(xù)批次中，將后續(xù)批次內(nèi) 第五個(gè)搬送到該處理塊E2的晶片W表示為晶片B5。在圖8中，依次將晶片從收納有25片晶片A的載體C取出，晶片Al、A2分別滯留 在交接模塊TRS1、TRS2，但在交接模塊TRS3中沒(méi)有搬入晶片。在這種情況下，搬送臂1A不 將后續(xù)的晶片A3從載體C搬入到搬入用緩沖模塊14，而直接搬入上述交接模塊TRS3。在圖9中，從圖8的狀態(tài)變?yōu)槿缦聽(tīng)顟B(tài)晶片A3被搬送到交接模塊TRS3、晶片 A1 A3存在于全部交接模塊TRS1 TRS3中。并且，在搬入用緩沖模塊14中沒(méi)有搬入 晶片。在這樣的狀態(tài)下，不能接著將從載體C向處理塊E2搬送的晶片A4搬送到交接模塊 TRS1 TRS3，因此如上所述，對(duì)于位于正在取出晶片的載體C中、與正在取出的晶片同一批 次的晶片，以與搬送到處理塊E2的順序相反的順序搬送到搬入用緩沖模塊14。因此，在該 圖9的狀態(tài)下，晶片A25被搬送到搬入用緩沖模塊14。在圖10中，從圖9的狀態(tài)變?yōu)槿缦聽(tīng)顟B(tài)晶片A25、A24、A23、A22、A21、A20按照 該順序被搬送到搬入用緩沖模塊14，搬入用緩沖模塊14被占滿。并且，交接模塊TRS1 TRS3中也繼續(xù)滯留有晶片A1 A3。這樣一來(lái)，由于不存在將晶片從載體C取出的場(chǎng)所，因 此此時(shí)不從載體C取出晶片。在圖11中，從圖10的狀態(tài)變?yōu)槿缦聽(tīng)顟B(tài)交接模塊TRS1的晶片A1被搬送到后段 的模塊，從而交接模塊TRS1空閑。這樣一來(lái)，在交接模塊TRS1 TRS3空閑時(shí)，晶片被從載 體C直接搬送到該空閑的交接模塊TRS，因此此時(shí)晶片A4被從載體C搬送到空閑的交接模塊 TRS1。在圖12中，從圖11的狀態(tài)變?yōu)槿缦聽(tīng)顟B(tài)載體C內(nèi)的晶片A按照編號(hào)順序經(jīng)由交 接模塊TRS1 TRS3向處理塊E2搬送，晶片A19、晶片A18分別滯留在交接模塊TRS2、TRS3 中。此時(shí)交接模塊TRS1空閑。在此，如上所述，搬入用緩沖模塊14的晶片在與搬入該搬 入用緩沖模塊14的批次相同的批次、并且在收納于相同的載體的晶片全部取出結(jié)束后進(jìn) 行搬送。因此，在該圖12的情況下，從搬入用緩沖模塊14取出晶片，將包含于搬入用緩沖 模塊14中最小編號(hào)的晶片A20搬送到交接模塊TRS1。在該晶片A20搬送后，當(dāng)交接模塊 TRS1 TRS3空閑時(shí)立刻按照編號(hào)順序搬送晶片A21 A25。接著，對(duì)圖13所示的搬送例進(jìn)行說(shuō)明。該圖13表示如下?tīng)顟B(tài)收納有5片一組的 接受相互不同處理的5個(gè)批次晶片的搬送載體C被搬送，先發(fā)的批次A的晶片A1 A3被 從該載體C搬送到交接模塊TRS1 TRS3，晶片A5、A4已經(jīng)按照該順序搬送到了搬入用緩 沖模塊14。如上所述，作為從載體C搬送到搬入用緩沖模塊14的晶片需要滿足條件1和條 件2。因此，與存在于搬入用緩沖模塊14中的晶片W不同批次的晶片W，即使取出源是相同 的載體C，也不能向搬入用緩沖模塊14搬送，因此，此時(shí)雖然搬入用緩沖模塊14中存在空 位，但批次A的后續(xù)批次B的晶片，在批次A的晶片A1 A5全部被搬送到交接模塊TRS1 TRS3之前不被搬送，在載體C內(nèi)待機(jī)。然后，從圖13的狀態(tài)，在搬入用緩沖模塊14的晶片A被搬送到交接模塊TRS1 TRS3時(shí)，如果交接模塊TRS1 TRS3中存在空位，則從晶片B1起按照編號(hào)順序向該空閑的 模塊搬送。圖14表示如下?tīng)顟B(tài)晶片從圖13所示的狀態(tài)移動(dòng)，緩沖模塊14空閑，先行批次 的晶片A3 A5滯留在交接模塊TRS1 TRS3中，后續(xù)批次B的晶片B1 B5在載體C中 待機(jī)。此時(shí)，從晶片B5起按照相反的順序?qū)⒕珺搬送到搬入用緩沖模塊14。如上所述， 作為向搬入用緩沖模塊14搬入的晶片W的條件，必須是與正在取出的批次相同的批次，在 此，正在取出的批次意味著，從某批次(為了方便將該批次稱為基準(zhǔn)批次)來(lái)看，先行批次 全部從載體取出，且該基準(zhǔn)批次處于被取出的狀態(tài)。因此，如該圖14的例子所示，有時(shí)即使 基準(zhǔn)批次前頭的晶片不從載體搬出，也進(jìn)行該基準(zhǔn)批次向緩沖模塊14的搬送。接著，對(duì)圖15所示的例子進(jìn)行說(shuō)明。在該例中表示如下?tīng)顟B(tài)批次A的晶片A1 A25從載體C(為了方便稱為載體C1)取出后，該載體C1退避到退避用載置部17，接著，收 納有批次A的晶片A26 A50的載體C(為了方便稱為載體C2)載置于載體載置部16。并 且，如圖15所示，晶片A21 A23滯留在交接模塊TRS1 TRS3中，晶片A24、A25滯留在搬 入用緩沖模塊14中。在該圖15的搬送狀況下，雖然搬入用緩沖模塊14中存在空位，但如上所述，作為 從載體C搬送到搬入用緩沖模塊14的晶片W，需要滿足上述的條件1和條件2。因此，取出 源載體與位于搬入用緩沖模塊14中的晶片W不同的晶片W，即使是彼此接受同樣處理的批 次，也不能進(jìn)行搬送，因此載體C2的晶片A26 A50，在載體C1的晶片A全部被搬送到交接 模塊TRS1 TRS3之前，在載體C2中待機(jī)。接著，參照?qǐng)D16 圖18，具體說(shuō)明選擇上述模式2時(shí)每種晶片的搬送狀況下，從載 體C取出的晶片的搬送路徑。作為圖16的搬送狀況，包含在COT流路71中搬送的批次A的 晶片A1 A5的載體C1、包含在DEV流路72中搬送的批次B的晶片B1 B4的載體C2分 別載置在載體載置部16中，分別從載體C1將晶片A1和A2搬送到交接模塊TRS1和TRS2，從載體C2將晶片B1搬送到交接模塊CPL1。此時(shí)，搬入用緩沖模塊14空閑。由于載體C1、 C2的晶片A、B如上所述以不同的路徑平行搬送，因此條件1和條件2不適用于這些批次A 和批次B，批次A的晶片A、批次B的晶片B以相反順序分別被搬送到搬入用緩沖模塊14。 因此，如圖所示，例如分別按照該順序?qū)⒕珹5從載體C1搬入到搬入用緩沖模塊14，將晶 片B4從載體C2搬入到搬入用緩沖模塊14。其中，晶片從各載體CI、C2交替搬送。并且，在晶片A5、B4搬送后，如果晶片Al、A2和B1還分別滯留在交接模塊TRS2、 TRS3和CPL1中，晶片A4、B3和晶片A3、晶片A2按照該順序被搬送到搬入用緩沖模塊14。接著，對(duì)圖17的例子進(jìn)行說(shuō)明。在該圖17的例子中，晶片與圖16同樣地被搬送 到各模塊中，但與圖16的例子不同，在載體C2中包含在批次B后取出的5片一組的批次C 的晶片C1 C5。批次C與批次B相同地由DEV流路72搬送。由于批次C在與批次B相同的DEV流路72中搬送，因此在批次B和批次C之間適 用上述的條件1和條件2。因此，此時(shí)也與圖16的例子同樣，從批次A的最后的晶片晶片 A5、批次B的最后的晶片晶片B4開(kāi)始，按照相反順序分別搬入到搬入用緩沖模塊14。并且， 在批次B的晶片W全部搬送到交接模塊CPL1后，批次C的晶片從載體C2搬送。這樣一來(lái)， 通過(guò)搬送路徑相同的批次B、批次C之間適用條件1和條件2，能夠防止批次C超過(guò)批次B 而先進(jìn)入處理塊E2。接下來(lái)，對(duì)圖18的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖18從圖17的狀態(tài)變?yōu)槿缦聽(tīng)顟B(tài)晶片從載體 C2取出結(jié)束，其后，將包含由晶片D1 D5構(gòu)成的批次D的載體C3搬送到載體載置部16。 晶片A5、C5在搬入用緩沖模塊14中滯留，晶片C4在交接模塊CPL1中滯留。批次D在與批 次C相同的DEV流路72中搬送。此時(shí)，由于批次C和批次D在相同的DEV流路72中搬送， 因此該批次C與批次D之間適用上述的條件1和條件2。因此，在搬入用緩沖模塊14的晶 片C5被搬送到交接模塊CPL1之前，不從載體C3搬送批次D。接下來(lái)，參照?qǐng)D19說(shuō)明選擇模式3時(shí)的搬送例。作為該圖19的搬送狀況，包含晶 片A1 A25的載體C載置于載體載置部16上，晶片A1 A3從該載體C被搬送到交接模 塊TRS1 TRS3。此時(shí)，搬入用緩沖模塊14中存在空位，但后續(xù)的各晶片A沒(méi)有被搬送到 該搬入用緩沖模塊14，而是在交接模塊TRS1 TRS3空閑后，將后續(xù)的晶片A4搬送到該空 閑的模塊。另外，如上所述即使在選擇模式4的情況下，晶片沒(méi)有被搬送到緩沖模塊14，載 體C內(nèi)的晶片W在搬送目的的模塊空閑之前在載體C內(nèi)待機(jī)。這樣在模式3和模式4中， 晶片W不被搬送到緩沖模塊14是因?yàn)椋缟纤?，在這些模式中，在晶片W取出后直至晶片 W返回為止，載體C不從載置部16移動(dòng)，因此不需要利用緩沖模塊14使晶片W的取出盡快 結(jié)束。在上述實(shí)施方式的模式1中，在交接模塊TRS1 TRS3空閑的情況下，將晶片W按 照載體C內(nèi)的排列順序直接搬送到這些交接模塊中；在這些模塊中滯留有晶片W不能搬送 的情況下，以與向這些交接模塊TRS1 TRS3的搬送順序相反的順序?qū)⒕琖從載體C搬 入到搬入用緩沖模塊14。通過(guò)這樣進(jìn)行搬送，不需要將所有晶片W搬送到搬入用緩沖模塊 14，因此能夠抑制搬送臂A1的動(dòng)作工序數(shù)的上升，并且能夠使載體C內(nèi)的晶片W的搬出盡 快結(jié)束。并且，利用將位于搬入用緩沖模塊14內(nèi)的晶片W搬送到交接模塊TRS1 TRS3的 時(shí)間，使取出晶片W后的載體C從載體載置部16退避，能夠?qū)⑹占{有晶片W的后續(xù)的載體 C向該載體載置部16搬送。因此，能夠抑制處理能力的下降。
此外，在執(zhí)行模式1時(shí)，通過(guò)使向搬入用緩沖模塊14搬送的晶片W為與正在取出 的批次相同的批次、并且位于正在取出的載體中的晶片W，在搬入用緩沖模塊14內(nèi)，不會(huì)混 合存在不同批次的晶片W以及從不同的載體取出的晶片W。這是因?yàn)椋词拱崴捅跘1將搬 入用緩沖模塊14內(nèi)的晶片W誤取，也能夠在處理塊E2中對(duì)晶片W進(jìn)行正常的處理。此外，在模式2中，在交接模塊TRS2、TRS3、CPL1空閑的情況下，將晶片W按照載體 C內(nèi)的排列順序直接搬送到這些交接模塊，在這些模塊中滯留有晶片W不能搬送的情況下， 以與向各交接模塊的搬送順序相反的順序?qū)⒕琖搬送到搬入用緩沖模塊14，因此能夠與 選擇模式1時(shí)同樣地防止處理能力的下降。在該模式2中，通過(guò)將分別在COT流路71、DEV 流路72中搬送的晶片W搬入共用的搬入用緩沖模塊14，能夠抑制緩沖模塊的設(shè)置數(shù)，從而 節(jié)省空間。在上述的實(shí)施方式中，使用一個(gè)搬入用緩沖模塊14使晶片W退避，但這樣使用的 緩沖模塊的數(shù)量、收納片數(shù)不限定于上述的例子。例如，即使在執(zhí)行上述的模式1，先搬送 到載體載置部16的載體C1的晶片W的收納片數(shù)為25片、搬入用緩沖模塊14能夠收納25 片晶片W的情況下，也可以例如將晶片W從載體C1全部向搬入用緩沖模塊14取出，在將晶 片W從搬入用緩沖模塊14搬入交接模塊TRS1 TRS3的途中，使后續(xù)的載體C2載置于載 體載置部16而使其待機(jī)，因此能夠與上述的例子同樣地提高處理能力。此外，在模式2和模式4中，作為交接到搬入用模塊(交接模塊TRS2 TRS3和 CPL1)后的晶片W的搬送路徑，不限定于上述的例子，例如也可以是交接到交接模塊TRS1 TRS2的晶片W在接受疏水化處理后，不接受抗蝕劑涂敷而返回到載體C。此外，在這些模式 2中，返回到交接模塊TRS1和CPL2的晶片W也可以在暫時(shí)搬送到搬出用緩沖模塊15后返 回載體C。此外，作為在各模式下使用的用于向處理塊E2搬入的搬入用模塊(第一交接模 塊)、用于將來(lái)自處理塊E2的處理完成的晶片W搬出的搬出用模塊(第二交接模塊)的數(shù) 量，不限定于上述的例子。
1權(quán)利要求
一種基板處理裝置，其包括具有載體載置部的載體塊和具有至少一個(gè)處理模塊的處理塊，該載體載置部載置收納有多片基板的載體，該處理模塊對(duì)所述基板逐片地進(jìn)行處理，該基板處理裝置的特征在于，包括第一交接模塊，用于以預(yù)先設(shè)定的搬送順序搬送從所述載體搬出的基板、并將該基板搬入所述處理塊并暫時(shí)載置該基板，第二交接模塊，用于將在所述處理塊中完成了處理的基板送回到載體并暫時(shí)載置該基板，緩沖模塊，用于使從所述載體搬出的、搬入所述第一交接模塊之前的基板待機(jī)并構(gòu)成為能夠收納多片基板，第一搬送機(jī)構(gòu)，在載置于所述載體載置部的載體、所述第一交接模塊、所述緩沖模塊和所述第二交接模塊之間搬送基板，第二搬送機(jī)構(gòu)，以先搬入到第一交接模塊的基板不會(huì)越過(guò)后搬入到第一交接模塊的基板的方式，在所述第一交接模塊、所述第二交接模塊和設(shè)置于所述處理塊的模塊之間搬送基板，和控制機(jī)構(gòu)，向所述基板處理裝置的各部輸出控制信號(hào)，從而對(duì)其動(dòng)作進(jìn)行控制，其中，在能夠向所述第一交接模塊搬送基板時(shí)，不經(jīng)由緩沖模塊地以所述搬送順序從載體向第一交接模塊搬送基板，在不能從所述載體向該第一交接模塊搬送基板時(shí)，以與所述搬送順序相反的順序從載體向緩沖模塊搬送基板，控制信號(hào)按照如下方式輸出以先于已搬送到所述緩沖模塊的基板而被搬送到所述第一交接模塊的方式設(shè)定的基板全部被搬送到該第一交接模塊后，以所述搬送順序?qū)⒃撘寻崴偷剿鼍彌_模塊的基板搬送到第一交接模塊。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于在所述載體內(nèi)設(shè)定有由多片同種基板構(gòu)成的多個(gè)批次，所述搬送順序設(shè)定為相同批次 內(nèi)的基板連續(xù)地搬入所述第一交接模塊，在不能將基板從所述載體搬送到第一交接模塊、并且在緩沖模塊中不存在與該基板的 批次不同的批次時(shí)，包含有該基板的批次內(nèi)的基板以相反順序搬送到緩沖模塊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于設(shè)定成一個(gè)載體的基板被搬出后、另一個(gè)載體的基板被搬出的方式， 在緩沖模塊中不存在一個(gè)載體的基板時(shí)，另一個(gè)載體的基板被搬送到所述緩沖模塊。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于所述第一交接模塊、第二交接模塊、處理模塊和第二搬送機(jī)構(gòu)分別設(shè)置有多個(gè)，各第二 搬送機(jī)構(gòu)在相互不同的第一交接模塊、第二交接模塊和處理模塊之間平行地搬送基板。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于用于使搬入各第一交接模塊之前的基板待機(jī)的緩沖模塊被共用。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于 所述處理模塊由抗蝕劑涂敷模塊和顯影模塊構(gòu)成，所述抗蝕劑涂敷模塊用于向基板供給抗蝕劑，所述顯影模塊用于在所述抗蝕劑涂敷后、向由曝光裝置曝光后的基板供給顯影液而進(jìn)行顯影，基板處理裝置構(gòu)成為涂敷、顯影裝置。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于 設(shè)置有載體退避區(qū)域和載體搬送機(jī)構(gòu)，所述載體退避區(qū)域用于使搬出所述基板后的載體從所述載體載置部退避， 所述載體搬送機(jī)構(gòu)用于在所述載體載置部與所述載體退避區(qū)域之間搬送載體。
8.一種基板處理方法，其特征在于，包括將收納有多片基板的載體載置在載體載置部的工序； 利用設(shè)置于處理塊的處理模塊，對(duì)基板逐片地進(jìn)行處理的工序； 利用第一搬送機(jī)構(gòu)在載置于所述載體載置部的載體、第一交接模塊、第二交接模塊和 緩沖模塊之間交接基板的工序，其中，所述第一交接模塊用于將從載置于所述載體載置部 的載體搬送來(lái)的基板搬入所述處理塊、并以預(yù)先設(shè)定的搬送順序搬送該基板且暫時(shí)載置該 基板，所述第二交接模塊用于將在處理塊中完成了處理的基板向所述載體搬出并暫時(shí)載置 該基板，緩沖模塊用于使從所述載體搬出的、搬入所述第一交接模塊前的基板待機(jī)并構(gòu)成 為能夠收納多片基板；以先搬入第一交接模塊的基板不會(huì)越過(guò)后搬入第一交接模塊的基板的方式，利用第二 搬送機(jī)構(gòu)在所述第一交接模塊、所述第二交接模塊和設(shè)置于所述處理塊的模塊之間搬送基 板的工序；在能夠向所述第一交接模塊搬送基板時(shí)，不經(jīng)由緩沖模塊地以所述搬送順序從載體向 第一交接模塊搬送基板，在不能從所述載體向該第一交接模塊搬送基板時(shí)，以與所述搬送 順序相反的順序從載體向緩沖模塊搬送基板的工序；和以先于已搬送到所述緩沖模塊的基板而被搬送到所述第一交接模塊的方式設(shè)定的基 板全部被搬送到該第一交接模塊后，以所述搬送順序?qū)⒃撘寻崴偷剿鼍彌_模塊的基板搬 送到第一交接模塊的工序。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于在所述載體內(nèi)設(shè)定有由多片同種基板構(gòu)成的多個(gè)批次，所述搬送順序設(shè)定為相同批次 內(nèi)的基板連續(xù)地搬入所述第一交接模塊， 在向所述緩沖模塊搬送基板的工序中，在不能將基板從所述載體搬送到第一交接模塊、并且在緩沖模塊中不存在與該基板的 批次不同的批次時(shí)，包含有該基板的批次內(nèi)的基板以相反順序搬送。
10.如權(quán)利要求8或9所述的基板處理方法，其特征在于 設(shè)定成一個(gè)載體的基板被搬出后、另一個(gè)載體的基板被搬出的方式，在緩沖模塊中不存在一個(gè)載體的基板時(shí)，另一個(gè)載體的基板被搬送到所述緩沖模塊。
11.如權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其特征在于所述第一交接模塊、第二交接模塊、處理模塊和第二搬送機(jī)構(gòu)分別設(shè)置有多個(gè)， 包括利用各第二搬送機(jī)構(gòu)在相互不同的第一交接模塊、第二交接模塊和處理模塊之間 平行地搬送基板的工序。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其特征在于用于使搬入各第一交接模塊之前的基板待機(jī)的緩沖模塊被共用。
13.如權(quán)利要求8 12中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于對(duì)所述基板逐片地進(jìn)行處理的工序包括向基板供給抗蝕劑的工序；和在所述抗蝕劑 供給后，向由曝光裝置曝光后的基板供給顯影液而進(jìn)行顯影的工序。
14.如權(quán)利要求8 13中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，包括將搬出所述基板后的載體在用于使該載體退避的載體退避區(qū)域和所述載體載置部之 間搬送的工序。
15.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有基板處理裝置所使用的計(jì)算機(jī)程序，該基板處理裝置具備 處理塊和搬送機(jī)構(gòu)的，該處理塊至少具有一個(gè)對(duì)所述基板逐片地進(jìn)行處理的處理模塊，該 搬送機(jī)構(gòu)用于將基板從載體搬送到該處理塊，該存儲(chǔ)介質(zhì)的特征在于所述計(jì)算機(jī)程序用于實(shí)施權(quán)利要求8 14中任一項(xiàng)所述的基板處理方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置、基板處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。該基板處理裝置具有將基板從載體搬送到處理塊的搬送機(jī)構(gòu)，能夠抑制上述搬送機(jī)構(gòu)的搬送工序數(shù)的上升并且提高處理能力。在能夠向用于將基板搬入到處理塊中的第一交接模塊搬送基板時(shí)，不經(jīng)由緩沖模塊地以上述搬送順序從載體向第一交接模塊搬送基板，在不能從上述載體向該第一交接模塊搬送基板時(shí)，以與上述搬送順序相反的順序從載體向緩沖模塊搬送基板，對(duì)搬送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行控制，使得在以先于已搬送到上述緩沖模塊的基板搬送到上述第一交接模塊的方式設(shè)定的基板全部被搬送到該第一交接模塊后，以上述搬送順序?qū)⒃撘寻崴偷缴鲜鼍彌_模塊的基板搬送到第一交接模塊。
文檔編號(hào)H01L21/677GK101901748SQ20101019310
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月28日
發(fā)明者松山健一郎, 金子知廣 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社