專利名稱：顯示單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括有機(jī)EL(電發(fā)光)裝置的顯示單元。
背景技術(shù)：
最近幾年，在顯示圖像的顯示單元領(lǐng)域中，已經(jīng)研制出包括發(fā)射光可以根據(jù) 流動(dòng)電流值改變的電流驅(qū)動(dòng)型光學(xué)裝置(諸如有機(jī)EL裝置)作為像素的光發(fā)射裝 置的顯示單元，并且這種顯示單元被商業(yè)化制造(例如，見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi) No. 2008-083272)。有機(jī)EL裝置是與液晶裝置等不同的自發(fā)光裝置。因此，包括有機(jī)EL裝置的顯示 單元(有機(jī)EL顯示單元)不需要光源(背光)。因此，在有機(jī)EL顯示單元中，與需要光源 的液晶顯示單元相比，圖像可見(jiàn)度較高，電耗較低并且裝置響應(yīng)速度較高。有機(jī)EL顯示單元中的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)同液晶顯示單元一樣包括簡(jiǎn)單(無(wú)源)矩陣系統(tǒng) 和有源矩陣系統(tǒng)。前一個(gè)系統(tǒng)具有難于實(shí)現(xiàn)較大和較高清晰度的顯示單元，雖然其結(jié)構(gòu)比 較簡(jiǎn)單。因此，目前已經(jīng)積極研發(fā)有源矩陣系統(tǒng)。在這樣的系統(tǒng)中，流經(jīng)每個(gè)像素的發(fā)光裝 置的電流由為每個(gè)發(fā)光裝置(一般為TFT(薄膜晶體管))所設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電路中的有源裝置 控制。圖14圖示一般有機(jī)EL顯示單元的示意性構(gòu)造。圖14中所示的顯示單元100包 括其中以矩陣狀態(tài)布置的多個(gè)像素的顯示部分110以及用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素120的驅(qū)動(dòng)部分 (水平驅(qū)動(dòng)電路130、寫(xiě)入掃描電路140以及功率源掃描電路150)。每個(gè)像素120由紅色用像素120R、綠色用像素120G以及藍(lán)色用像素120B組成。 如圖15和16所示，像素120R、120G和120B由有機(jī)EL裝置121(有機(jī)EL裝置121R、121G 和121B)以及連接到其的像素電路122組成。圖15圖示像素120R、120G和120B的電路構(gòu) 造。圖16圖示像素120R、120G和120B的布局。像素電路122由取樣用晶體管Tws、保持電容Cs以及驅(qū)動(dòng)用晶體管組成，并且 具有2TrlC的電路構(gòu)造。從寫(xiě)入掃描電路140引出的柵極線WSL沿行方向延伸，并且通過(guò) 觸點(diǎn)126A連接到晶體管Tws的柵極123A。從功率源掃描電路150引出的漏極線DSL也沿行 方向延伸，并且通過(guò)引出配線128A連接到晶體管Td,的漏極124C。此外，從水平驅(qū)動(dòng)電路 130引出的信號(hào)線DTL沿列方向延伸，并且通過(guò)觸點(diǎn)126B和引出配線128B連接到晶體管Tws 的漏極123C。晶體管Tws的源極123B通過(guò)觸點(diǎn)126C連接到驅(qū)動(dòng)用晶體管TD,的柵極124A 以及保持電容Cs (端子125A)的一個(gè)端部。晶體管的源極124B以及保持電容Cs (端子 125B)的另一個(gè)端部通過(guò)觸點(diǎn)126D連接到有機(jī)EL裝置121R、121G和121B(下面稱為有機(jī) EL裝置121R等)的陽(yáng)極127A。有機(jī)EL裝置121R等的陰極127B連接到接地線GND。

發(fā)明內(nèi)容
圖17圖示沿圖16的線A-A所取得剖面構(gòu)造。在與圖16的線A_A所對(duì)應(yīng)的部分 中，每個(gè)像素120在襯底111上具有柵極124A(端子125A)、柵極絕緣膜112、源極124B(端子125B)、絕緣保護(hù)膜113、絕緣平坦膜114、孔徑限定絕緣膜115、有機(jī)EL裝置121以及絕 緣保護(hù)膜116。例如在有機(jī)EL裝置121R等的陽(yáng)極127A的正下方，存在膜厚為約1 μ m的 源極124B(端子125B)。為了防止在陽(yáng)極127中由于源極124B(端子125B)產(chǎn)生凹槽和凸 起，形成絕緣平坦膜114。但是，在實(shí)踐中，如圖17所示，例如，由于源極124B(端子125B)的原因，在陽(yáng)極 127A中產(chǎn)生尺寸約為0. 3μπι到0.4μπι的凹凸127D。凹凸127D反映了源極124Β(端子 125Β)的形狀，并且沿列方向延伸較長(zhǎng)。因此，在外部光L進(jìn)入陽(yáng)極127Α的情況下，光由凹 凸127D繞射反射。因此，存在反射光被觀察者(未圖示)看到并且圖像質(zhì)量降低的缺點(diǎn)。鑒于此，在本發(fā)明中，期望提供能夠降低繞射反射的顯示單元。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供一種包括顯示部分的第一顯示單元，顯示部分具有用于每個(gè)像素的有機(jī)EL裝置和像素電路。像素電路具有用于寫(xiě)入視頻信號(hào)的寫(xiě)入用第一晶體 管以及用于基于第一晶體管所寫(xiě)入的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL裝置的驅(qū)動(dòng)用第二晶體管。第 二晶體管包括柵極、源極和漏極。有機(jī)EL裝置具有陽(yáng)極、有機(jī)層以及陰極。源極或漏極的 上表面至少形成于和陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。在本發(fā)明實(shí)施例的第一顯示單元中，第二晶體管的源極或漏極的上表面至少形成 于和有機(jī)EL裝置的陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。因此，與源極或漏極的端部相對(duì)應(yīng)的臺(tái)階不 是存在于陽(yáng)極或陰極的正下方，并且陽(yáng)極或陰極形成在平面上。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供一種包括顯示部分的第二顯示單元，所述顯示部分具有 用于每個(gè)像素的有機(jī)EL裝置和像素電路。像素電路具有用于寫(xiě)入視頻信號(hào)的寫(xiě)入用第 一晶體管以及用于基于第一晶體管所寫(xiě)入的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL裝置的驅(qū)動(dòng)用第二晶體 管。第二晶體管包括柵極、源極和漏極。有機(jī)EL裝置具有陽(yáng)極、有機(jī)層以及陰極。源極或 漏極具有包括連續(xù)彎曲面的長(zhǎng)邊部分。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二顯示單元，第二晶體管的源極或漏極具有包括連續(xù)彎曲 面的長(zhǎng)邊部分。因此，在有機(jī)EL裝置的陽(yáng)極或陰極中，形成與源極或漏極的長(zhǎng)邊部分中形 成的連續(xù)彎曲面對(duì)應(yīng)的凹凸。在本發(fā)明實(shí)施例的第一和第二顯示單元中，顯示部分可以在每個(gè)像素中具有連接 在柵極和源極或漏極之間的保持電容。在此情況下，保持電容能夠由源極和漏極中的一者 形成，其中，源極或漏極的上表面至少形成于和陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一顯示單元，第二晶體管的源極或漏極的上表面至少形成 于和有機(jī)EL裝置的陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。因此，當(dāng)外部光進(jìn)入陽(yáng)極或陰極時(shí)，繞射反 射能夠降低。結(jié)果，能夠抑制由于繞射反射引起圖像質(zhì)量的降低。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二顯示單元，在第二晶體管的源極或漏極中設(shè)置包括連續(xù) 彎曲面的長(zhǎng)邊部分。因此，當(dāng)外部光進(jìn)入陽(yáng)極或陰極時(shí)，能夠降低某個(gè)方向的繞射反射的產(chǎn) 生。結(jié)果，能夠抑制由于繞射反射引起圖像質(zhì)量的降低。本發(fā)明的其他或進(jìn)一步目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)從下面說(shuō)明書(shū)中將更進(jìn)一步清晰。


圖1是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示單元的示意構(gòu)造圖。圖2是圖1的像素的電路構(gòu)造圖。
圖3是圖1的像素的布局圖。圖4是圖3的像素的截面圖。圖5是圖1的像素的修改示例的布局圖。圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的包括在顯示單元中的像素的布局圖。圖7是圖6的像素的截面圖。圖8是圖示包括根據(jù)上述實(shí)施例的顯示單元的模組的示意構(gòu)造的平面圖。圖9是圖示包括根據(jù)上述實(shí)施例的顯示單元的第一應(yīng)用示例的外觀的立體圖。圖IOA是圖示第二應(yīng)用示例的前側(cè)的外觀的立體圖，而圖IOB是圖示第二應(yīng)用示 例的后側(cè)的外觀的立體圖。
圖11是圖示第三應(yīng)用示例的外觀的立體圖。圖12是圖示第四應(yīng)用示例的外觀的立體圖。圖13A是第四應(yīng)用示例閉合的正面圖，圖13B是其側(cè)視圖，圖13C是第五應(yīng)用示例 閉合的正面圖，圖13D是其左視圖，圖13E是其右視圖，圖13F是其俯視圖，而圖13G是其仰 視圖。圖14現(xiàn)有顯示單元的示意性構(gòu)造圖。圖15是圖14的像素的電路構(gòu)造圖。圖16是圖14的像素的布局圖。圖17是圖16的像素的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。以下面次序進(jìn)行描述1.第一實(shí)施例(源極區(qū)域較大)2.修改示例3.第二實(shí)施例(在陰極的端部中包括連續(xù)彎曲面)4.修改示例5.模組和應(yīng)用示例1.第一實(shí)施例圖1圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示單元1的整體構(gòu)造示例。顯示單元1在例 如由玻璃、硅(Si)晶片樹(shù)脂等制成的襯底40 (下述)中包括顯示部分10和形成于顯示部 分10周邊的周邊電路部分20 (驅(qū)動(dòng)部分)。顯示部分10在顯示部分10中，多個(gè)像素11以矩陣狀態(tài)布置在顯示部分10的整個(gè)區(qū)域上。顯 示部分10通過(guò)有源矩陣驅(qū)動(dòng)基于外部輸入的視頻信號(hào)20a顯示圖像。每個(gè)像素11包括紅 色用像素11R、綠色用像素IlG以及藍(lán)色用像素11B。圖2圖示像素IlRUlG和IlB的電路構(gòu)造的示例。圖3圖示像素11R、IlG和IlB 的布局。在像素IlRUlG和IlB中，如圖2中所示，設(shè)置有機(jī)EL裝置12R、12G和12B (發(fā)光 裝置)以及像素電路13。像素電路13由晶體管Tws (第一晶體管)、晶體管Tte以及連接在晶體管Tte的柵極 和源極之間的保持電容Cs組成，并且具有2TrlC的電路構(gòu)造。晶體管Tws是用于寫(xiě)入視頻信號(hào)的寫(xiě)入用晶體管。晶體管Tte是用于基于由晶體管Tws所寫(xiě)入的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL 裝置12R、12G和12B (下面一般稱為有機(jī)EL裝置12)的驅(qū)動(dòng)用晶體管。晶體管Tws和Tte例 如由η溝道MOS型薄膜晶體管(TFT)形成。周邊電路部分20周邊電路部分20具有定時(shí)控制電路21、水平驅(qū)動(dòng)電路22、寫(xiě)入掃描電路23以及 功率源掃描電路24。定時(shí)控制電路21包括顯示信號(hào)生成電路21Α和顯示信號(hào)保持控制電路 21Β。此外，在周邊電路部分20中，設(shè)置柵極線WSL、 漏極線DSL、信號(hào)線DTL和接地線GND。 接地線意欲連接到接地，并且當(dāng)接地線連接到接地時(shí)獲得接地電壓(基準(zhǔn)電壓)。顯示信號(hào)生成電路21Α意欲基于從外部輸入的視頻信號(hào)20a例如為每1屏(每1 場(chǎng)顯示)生成用于在顯示部分10上進(jìn)行顯示的顯示信號(hào)21a。顯示信號(hào)保持控制電路21B意欲存儲(chǔ)和保持從顯示信號(hào)生成電路21A為每1屏 (每1場(chǎng)顯示)輸出到例如由SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)組成的場(chǎng)存儲(chǔ)器的顯示信號(hào) 21a。顯示信號(hào)保持控制電路21B還充當(dāng)控制以使得用于驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素11的水平驅(qū)動(dòng)電路 22、寫(xiě)入掃描電路23以及功率源掃描電路24彼此同時(shí)操作的角色。具體而言，顯示信號(hào)保 持控制電路21B分別將控制信號(hào)21b輸出到寫(xiě)入掃描電路23、將控制信號(hào)21c輸出到功率 源掃描電路24以及將控制信號(hào)21d輸出到顯示信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路21C。水平驅(qū)動(dòng)電路22能夠根據(jù)從顯示信號(hào)保持控制電路21B輸出的控制信號(hào)21d輸 出電壓。具體而言，水平驅(qū)動(dòng)電路22意欲通過(guò)連接到顯示部分10的每個(gè)像素11的信號(hào)線 DTL將給定電壓供應(yīng)到由寫(xiě)入掃描電路23選定的像素11。寫(xiě)入掃描電路23能夠根據(jù)從顯示信號(hào)保持控制電路21B輸出的控制信號(hào)21b輸 出電壓。具體而言，寫(xiě)入掃描電路23意欲通過(guò)連接到顯示部分10的每個(gè)像素11的柵極線 WSL將給定電壓供應(yīng)到作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的像素11，以控制取樣用晶體管Tws。功率源掃描電路24能夠根據(jù)從顯示信號(hào)保持控制電路21B輸出的控制信號(hào)21c 輸出電壓。具體而言，功率源掃描電路24意欲通過(guò)連接到顯示部分10的每個(gè)像素11的漏 極線DSL將給定電壓供應(yīng)作為驅(qū)動(dòng)目標(biāo)的像素11，以控制有機(jī)EL裝置12R等的發(fā)光和滅 光。布局接著，參考圖2和圖3給出每個(gè)元件的連接關(guān)系的描述。從寫(xiě)入掃描電路23引出 的柵極線WSL沿行方向延伸，并且通過(guò)觸點(diǎn)34A連接到晶體管Tws的柵極31A。從功率源掃 描電路24引出的漏極線DSL也沿行方向延伸，并且通過(guò)引出配線36A連接到晶體管Tte的 漏極32C。此外，從水平驅(qū)動(dòng)電路22引出的信號(hào)線DTL沿列方向延伸，并且通過(guò)觸點(diǎn)34B和 引出配線36B連接到晶體管Tws的漏極31C。晶體管Tws的源極31B連接到驅(qū)動(dòng)用晶體管Tte 的柵極32A以及保持電容Cs (端子33A)的一個(gè)端部。晶體管Tte的源極32B以及保持電容 Cs (端子33B)的另一個(gè)端部通過(guò)觸點(diǎn)34D連接到有機(jī)EL裝置12的陽(yáng)極35A。有機(jī)EL裝 置12的陰極35B連接到接地線GND。剖面構(gòu)造圖4圖示沿圖3的線A-A所取得的剖面構(gòu)造。在與圖3的線A-A所對(duì)應(yīng)的部分中， 每個(gè)像素11在襯底40上具有柵極32A (端子33A)、柵極絕緣膜41、源極32B (端子33B)、絕 緣保護(hù)膜42、絕緣平坦膜43、有機(jī)EL裝置12、孔徑限定絕緣膜44以及絕緣保護(hù)膜45。
柵極32A (端子33A)形成在襯底40的表面上，并且一般形成在包括與下述的EL 孔徑44A相對(duì)的區(qū)域的區(qū)域中。圖3以柵極32A(端子33A)形成于包括與除了 EL孔徑44A 的上部的區(qū)域相對(duì)于的區(qū)域的區(qū)域作為示例。柵極絕緣膜41覆蓋包括柵極32A (端子33A) 的襯底40的整個(gè)表面。因?yàn)闁艠O32A極薄，所以由于柵極32A引起的凹凸實(shí)際上并不存在 與柵極絕緣膜41中。也就是說(shuō)，柵極絕緣膜41的上表面從光學(xué)上講等于平面。源極32B (端子33B)形成于柵極絕緣膜41和絕緣保護(hù)膜42之間。源極32B的上 表面32B-1 (端子33B的上表面33B-1)是平面，并至少形成于和陽(yáng)極35A相對(duì)的區(qū)域中。如 下面所述，陽(yáng)極35A的部分上表面對(duì)應(yīng)于EL孔徑44A。因此，上表面32B-1 (33B-1)形成在 包括與EL孔徑44A相對(duì)的區(qū)域的區(qū)域中。絕緣保護(hù)膜42覆蓋柵極絕緣膜41和源極32B (端子33B)的整個(gè)表面。因?yàn)榻^緣保護(hù)膜42沿柵極絕緣膜41和源極32B (端子33B)的表面形成，所以絕緣保護(hù)膜42具有與 源極32B (端子33B)的端部對(duì)應(yīng)的臺(tái)階42A。臺(tái)階42A形成于和陽(yáng)極35A不相對(duì)的區(qū)域中。 在絕緣保護(hù)膜42的上表面，至少與陽(yáng)極35A相對(duì)的區(qū)域是平面。絕緣平坦膜43被設(shè)置為平坦源極32B (端子33B)的基體，并且覆蓋絕緣保護(hù)膜42 的整個(gè)表面。絕緣平坦膜43在對(duì)應(yīng)于臺(tái)階42A的區(qū)域中例如具有臺(tái)階43A，臺(tái)階43A的高 度約為臺(tái)階42A的高度的一半或更少。臺(tái)階43A形成于和陽(yáng)極35A不相對(duì)的區(qū)域中。在絕 緣平坦膜43的上表面，至少與陽(yáng)極35A相對(duì)的區(qū)域是平面。有機(jī)EL裝置12具有這樣的結(jié)構(gòu)，例如其中陽(yáng)極35A、有機(jī)層35C和陰極35B按次 序從襯底40側(cè)疊層。有機(jī)層35C具有這樣的堆疊結(jié)構(gòu)，其中，用于提高孔注射效率的孔注 射層、用于提高孔傳輸?shù)桨l(fā)光層的效率的孔傳輸層、用于通過(guò)電子_孔再結(jié)合而生成光發(fā) 射的發(fā)光層以及用于提高電子傳輸?shù)桨l(fā)光層的效率的電子傳輸層按次序從陽(yáng)極35A側(cè)疊 層。陽(yáng)極35A在絕緣平坦膜43中形成于由臺(tái)階43A所包圍的部分的表面(平面)上。因 此，在陽(yáng)極35A中，不存在與臺(tái)階42A和43A對(duì)應(yīng)的凹凸，并且陽(yáng)極35A沿著絕緣平坦膜43 的平面是平坦膜。陰極35B至少形成于有機(jī)層35C的上表面。例如，陰極35B覆蓋有機(jī)膜 35C和限定絕緣膜44的孔徑的整個(gè)表面。限定絕緣膜44的孔徑形成于和有機(jī)EL裝置12的陽(yáng)極35A相同的平面上，并且具 有與陽(yáng)極35A對(duì)應(yīng)的孔徑(EL孔徑44A)。EL孔徑44A形成于和陽(yáng)極35A的上表面相對(duì)的 區(qū)域的部分中，并限定絕緣膜44的孔徑覆蓋陽(yáng)極35A的外邊緣(周圍邊緣)。也就是說(shuō)，在 EL孔徑44A的底面，僅部分暴露陽(yáng)極35A的上表面。有機(jī)層35C與陽(yáng)極35A的上表面中的 EL孔徑44A的底面上的暴露部分接觸。絕緣保護(hù)膜45覆蓋陰極35B的整個(gè)表面。絕緣保護(hù)膜45由對(duì)有機(jī)EL裝置12中 發(fā)射的光透明的材料形成。因此，絕緣保護(hù)膜45不僅能夠通過(guò)有機(jī)EL裝置12的發(fā)射光而 且能夠通過(guò)與有機(jī)EL裝置12的發(fā)射光相同波段的外部光。操作和效果在此實(shí)施例的顯示單元1中，像素電路13在每個(gè)像素中被打開(kāi)/關(guān)閉控制，并且 驅(qū)動(dòng)電流被置入每個(gè)像素11的有機(jī)EL裝置12。因此，發(fā)生電子-孔再結(jié)合以開(kāi)始光發(fā)射。 光以多種模式在陽(yáng)極35A和陰極35B之間反射，并且透射過(guò)陰極35B，然后被提取到外部。 結(jié)果，在顯示部分10中顯示圖像。在現(xiàn)有顯示單元中，例如，如圖17所示，膜厚為約Iym的源極124B (端子125B)存在于有機(jī)EL裝置121R等的陽(yáng)極127A的正下方。這導(dǎo)致在陽(yáng)極127A中生成尺寸約從0. 3μm到0.4μm的凹凸127D。凹凸127D反映了源極124Β(端子125Β)的形狀，并且沿列 方向延伸較長(zhǎng)。因此，在外部光L進(jìn)入陽(yáng)極127Α的情況下，光由凹凸127D繞射反射。結(jié)果， 存在例如反射光被觀察者(未圖示)看到并且圖像質(zhì)量降低的缺點(diǎn)。同時(shí)，在此實(shí)施例中，如同現(xiàn)有示例一樣，膜厚為約Iym的源極32Β (端子33Β) 存在于有機(jī)EL裝置12的陽(yáng)極35Α的正下方。但是，在此實(shí)施例中，源極32Β的上表面 32Β-1 (端子33Β的上表面33Β-1)至少形成于和陽(yáng)極35Α相對(duì)的區(qū)域中。因此，對(duì)應(yīng)于源 極32Β (端子33Β)形成于絕緣保護(hù)膜42和絕緣平坦膜43中的臺(tái)階42Α和43Α不是存在于 陽(yáng)極35Α的正下方，陽(yáng)極35Α形成于絕緣平坦膜43的平面上。也即是說(shuō)，在陽(yáng)極35Α中，不 存在與臺(tái)階42Α和43Α對(duì)應(yīng)的凹凸，并且陽(yáng)極35Α沿著絕緣平坦膜43的平面是平坦膜。因 此，在外部光L進(jìn)入陽(yáng)極35Α的情況下，不產(chǎn)生與現(xiàn)有情況下的繞射反射。因此，不存在由 于繞射反射而降低圖像質(zhì)量的可能性。修改示例在上述實(shí)施例中，已經(jīng)以上表面32Β-1(33Β-1)至少形成于和陽(yáng)極35Α相對(duì)的區(qū)域 中作為示例。但是，上表面32Β-1(33Β-1)的形成位置可以從與陽(yáng)極35Α相對(duì)的區(qū)域在能夠 與現(xiàn)有示例相比降低繞射反射的范圍中偏移。例如，如圖5所示，上表面32Β-1(33Β-1)的 形成位置在圖中可以相對(duì)于陽(yáng)極35Α向上偏移，并且僅與陽(yáng)極35Α的短邊部分35Α-1 (短邊 以及其附近的部分)不相對(duì)。在圖5的情況下，陽(yáng)極35Α的縱向的一側(cè)以及其附近的部分 與上表面32Β-1 (33Β-1)相對(duì)，并且至少不生成繞射反射。因此，與現(xiàn)有示例相比，可以降低 繞射反射。結(jié)果，能夠抑制由于繞射反射引起圖像質(zhì)量的降低。此外，雖然沒(méi)有圖示，但是 僅當(dāng)陽(yáng)極35Α中生成的凹凸極小(諸如約0. Ιμπι)時(shí)，上表面32Β-1(33Β-1)的端部可以稍 微位于陽(yáng)極35Α的端部的內(nèi)側(cè)。第二實(shí)施例圖6圖示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示單元的像素11(11R、11G和11B)的布局。 此實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造與上述實(shí)施例和修改示例的顯示單元1的構(gòu)造不同之處在于 包括取代晶體管Tte的柵極32A的柵極52A以及包括取代晶體管Tte的源極32B的源極52B。 此外，此實(shí)施例的顯示單元的構(gòu)造與上述實(shí)施例和修改示例的顯示單元1的構(gòu)造不同之處 在于分別地包括取代保持電容Cs的端子33A的端子53A以及包括取代保持電容Cs的端 子33B的端子53B。因此，下面主要給出與上述實(shí)施例和修改示例的不同點(diǎn)的描述，并且與 上述實(shí)施例和修改示例的相同點(diǎn)的描述適當(dāng)省略。布局在此實(shí)施例中，柵極52A (端子53A)的面積小于上述實(shí)施例的柵極32A (端子33A) 的面積。除了主要用作晶體管Tte的柵極32A的部分之外，柵極52A(端子53A)位于和陽(yáng)極 35A相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。也即是說(shuō)，柵極52A(端子53A)的結(jié)構(gòu)與圖16中所示的現(xiàn)有示例的柵 極124A (端子125A)的相似。同時(shí)，類似地，源極52B(端子53B)的面積小于上述實(shí)施例的源極32B(端子33B) 的面積。除了主要用作晶體管Tte的源極52B的部分之外，源極52B (端子53B)位于和陽(yáng)極 35A相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。也即是說(shuō)，在此點(diǎn)上，源極52B(端子53B)的結(jié)構(gòu)與圖16中所示的現(xiàn)有 示例的源極124B(端子125B)的相似。
但是，與現(xiàn)有示例的源極124B(端子125B)不同，源極52B(端子53B)不是直的，而是在源極52B(端子53B)的至少長(zhǎng)邊部分54(長(zhǎng)邊以及其附近的部分)中沿紙內(nèi)方向呈 波浪形。也即是說(shuō)，源極52B (端子53B)至少在源極52B (端子53B)的長(zhǎng)邊部分54中包括 連續(xù)彎曲面。圖6以源極52B (端子53B)不僅在長(zhǎng)邊部分54而且在短邊部分55 (短邊以 及其附近部分)中包括連續(xù)彎曲面的情況下作為示例。此外，圖6以和源極52B(端子53B) 形成于相同層中的晶體管Tws的源極31B也在長(zhǎng)邊以及其附近部分包括連續(xù)彎曲面。剖面構(gòu)造圖7圖示沿圖6的線A-A所取得的剖面構(gòu)造。在與圖6的線A-A所對(duì)應(yīng)的部分中， 每個(gè)像素11在襯底40上具有柵極52A (端子53A)、柵極絕緣膜41、源極52B (端子53B)、絕 緣保護(hù)膜42、絕緣平坦膜43、有機(jī)EL裝置12、孔徑限定絕緣膜44以及絕緣保護(hù)膜45。柵極52A(端子53A)形成在襯底40的表面上，并且如上所述形成在陽(yáng)極35A中除 了主要充當(dāng)晶體管Tte的柵極32A的部分之外相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。柵極絕緣膜41覆蓋包括柵極 52A(端子53A)的襯底40的整個(gè)表面。因?yàn)闁艠O52A(端子53A)極薄，所以實(shí)際上并不存 在由于柵極52A(端子53A)引起的凹凸。也就是說(shuō)，柵極絕緣膜41的上表面從光學(xué)上講等 于平面。源極52B(端子53B)形成于柵極絕緣膜41和絕緣保護(hù)膜42之間。源極52B的上 表面52B-1 (端子53B的上表面53B-1)是平面，并且如上所述形成在陽(yáng)極35A中除了主要 充當(dāng)晶體管Tte的柵極52B的部分之外相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。此外，上表面52B-1(53B-1)形成于 和EL孔徑44A中除了主要充當(dāng)晶體管Tte的源極52B的部分之外相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。絕緣保護(hù)膜42覆蓋柵極絕緣膜41和源極52B (端子53B)的整個(gè)表面。因?yàn)榻^緣 保護(hù)膜42沿柵極絕緣膜41和源極52B (端子53B)的表面形成，所以絕緣保護(hù)膜42在與源 極52B (端子53B)對(duì)應(yīng)區(qū)域中具有臺(tái)階42A。臺(tái)階42A同源極52B (端子53B)的端部一樣 沿面內(nèi)方向成波浪形(包括連續(xù)彎曲面)。臺(tái)階42A形成于與陽(yáng)極35A和EL孔徑44A相對(duì) 的區(qū)域內(nèi)。在絕緣保護(hù)膜42的上表面，與陽(yáng)極35A和EL孔徑44A相對(duì)的區(qū)域是沿面內(nèi)方 向成波浪形的凹凸面。絕緣平坦膜43被設(shè)置為平坦源極52B (端子53B)的基體，并且覆蓋絕緣保護(hù)膜42 的整個(gè)表面。絕緣平坦膜43對(duì)應(yīng)于臺(tái)階42A的區(qū)域中例如具有臺(tái)階43A，臺(tái)階43A的高度 約為的臺(tái)階42A的高度的一半或更少。臺(tái)階43A同臺(tái)階42A—樣沿面內(nèi)方向成波浪形(包 括連續(xù)彎曲面)。臺(tái)階43A形成于與陽(yáng)極35A和EL孔徑44A相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。在絕緣平坦膜 43的上表面，至少與陽(yáng)極35A和EL孔徑44A相對(duì)的區(qū)域是沿面內(nèi)方向成波浪形的凹凸面。在有機(jī)EL裝置12中，陽(yáng)極35A形成于包括絕緣平坦膜43的臺(tái)階43A(凹凸面)的 表面上。因此，在陽(yáng)極35A中，形成與臺(tái)階43A對(duì)應(yīng)的凹凸，并且沿著絕緣平坦膜43的凹凸 面具有臺(tái)階35D。臺(tái)階35D同臺(tái)階43A—樣沿面內(nèi)方向成波浪形(包括連續(xù)彎曲面)。臺(tái) 階35D暴露于EL孔徑44A的底面。在有機(jī)層35C和陰極35B中也形成與臺(tái)階35D對(duì)應(yīng)的 凹凸。效果在此實(shí)施例的顯示單元中，如同現(xiàn)有示例一樣，膜厚為約Iym的源極52B (端子 53B)存在于有機(jī)EL裝置12的陽(yáng)極35A的正下方。此外，如現(xiàn)有示例中一樣，源極52B (端 子53B)的上表面52B-1(53B-1)形成于和EL孔徑44A中除了主要充當(dāng)晶體管Tte的源極52B的部分之外相對(duì)的區(qū)域內(nèi)。但是，在此實(shí)施例中，源極52B(端子53B)在源極52B(端子53B)的長(zhǎng)邊部分54中包括連續(xù)彎曲面。因此，在陽(yáng)極35A中，形成與源極52B(端子53B) 的長(zhǎng)邊部分54中形成的連續(xù)彎曲面對(duì)應(yīng)的凹凸。此外，在此實(shí)施例中，源極52B (端子53B) 在源極52B (端子53B)的短邊部分55中也包括連續(xù)彎曲面。因此，在陽(yáng)極35A中，形成與 源極52B(端子53B)的短邊部分55中形成的連續(xù)彎曲面對(duì)應(yīng)的凹凸。因此，在外部光L進(jìn) 入陽(yáng)極35A的情況下，在某個(gè)方向中不產(chǎn)生繞射反射。因此，不存在由于繞射反射而降低圖 像質(zhì)量的可能性。修改示例在上述實(shí)施例中，以源極52B(端子53B)在長(zhǎng)邊部分54和短邊部分55中包括連 續(xù)彎曲面的情況作為示例。但是，可以在與現(xiàn)有示例相比能夠降低繞射反射的范圍內(nèi)減小 連接彎曲面的形成區(qū)域。例如，雖然未示出，連續(xù)彎曲面可以僅設(shè)置在源極52B(端子53B) 的長(zhǎng)邊部分54中，在短邊部分55中沒(méi)有設(shè)置這樣的連續(xù)彎曲面，而是在短邊部分55中設(shè) 置線性端面。由此，能夠降低某個(gè)方向中繞射反射的生成。結(jié)果，能夠抑制由于繞射反射引 起圖像質(zhì)量的降低。模組和應(yīng)用示例將給出在上述實(shí)施例及其修改示例中所描述的顯示單元的應(yīng)用示例的描述。上述 實(shí)施例等的顯示單元可以應(yīng)用于將從外部輸入的視頻信號(hào)或內(nèi)部生成的視頻信號(hào)顯示為 圖像或視頻的任何領(lǐng)域的電子裝置(諸如，電視機(jī)裝置、數(shù)碼相機(jī)、筆記本個(gè)人電腦、諸如 移動(dòng)電話的移動(dòng)終端以及錄像機(jī))的顯示單元。模組上述實(shí)施例等的顯示單元包含在各種電子裝置中作為例如圖8中所述的模組，諸 如下述的第一到第五應(yīng)用示例。在模組中，例如，從密封顯示部分10的構(gòu)件(未示出)暴 露的區(qū)域設(shè)置在襯底2—側(cè)，并且外部連接端子(未示出)通過(guò)定時(shí)控制電路21、水平驅(qū)動(dòng) 電路22、寫(xiě)入掃描電路23以及功率源掃描電路24的延伸配線形成于暴露區(qū)域210中。外 部連接端子可以設(shè)置有用于輸入和輸出信號(hào)的柔性印刷電路(FPC) 220。第一應(yīng)用示例圖9圖示上述實(shí)施例等的顯示單元的應(yīng)用的電視機(jī)裝置的外觀。電視機(jī)裝置例如 具有包括前面板310和過(guò)濾玻璃320的視頻顯示屏部分300。視頻顯示屏部分300由上述 實(shí)施例等的顯示單元組成。第二應(yīng)用示例圖10A-10B圖示上述實(shí)施例等的顯示單元的應(yīng)用的數(shù)碼相機(jī)的外觀。數(shù)碼相機(jī)例 如具有用于閃光燈410的發(fā)光部分、顯示屏部分420、菜單開(kāi)關(guān)430以及快門按鈕440。顯 示屏部分420由上述實(shí)施例等的顯示單元組成。第三應(yīng)用示例圖11圖示上述實(shí)施例等的顯示單元的應(yīng)用的筆記本個(gè)人電腦的外觀。筆記本個(gè) 人電腦例如具有主體510、用于輸入字符等操作的鍵盤(pán)520以及用于顯示圖像的顯示屏部 分530。顯示屏部分530由上述實(shí)施例等的顯示單元組成。第四應(yīng)用示例圖12圖示上述實(shí)施例等的顯示單元的應(yīng)用的錄像機(jī)的外觀。錄像機(jī)例如具有主體610、設(shè)置在主體610的前側(cè)面上用于捕獲目標(biāo)620的透鏡、捕獲啟動(dòng)/停止開(kāi)關(guān)630以 及顯示屏部分640。顯示屏部分640由上述實(shí)施例等的顯示單元組成。第五應(yīng)用示例圖13A-13G圖示上述實(shí)施例等的顯示單元的應(yīng)用的移動(dòng)電話的外觀。在移動(dòng)電話 中，例如，上封裝件710和下封裝件720通過(guò)連接部分(鉸鏈部分)730連接。移動(dòng)電話具 有顯示屏740、子顯示屏750、圖片燈760和相機(jī)770。顯示屏740或子顯示屏750由上述實(shí) 施例等的顯示單元組成。雖然參考實(shí)施例、修改示例以及應(yīng)用示例已經(jīng)描述本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于上 述實(shí)施例等，并且可以作出各種修改。例如，在上述實(shí)施例等中，已經(jīng)給出顯示單元是有源矩陣型的描述。但是，用于驅(qū) 動(dòng)有源矩陣的像素電路13的構(gòu)造不限于在上述實(shí)施例等中描述的情況，電容裝置或晶體 管可以根據(jù)需要加到像素電路13中。在此情況下，根據(jù)像素電路13的變化，除了上述的水 平驅(qū)動(dòng)電路22、寫(xiě)入掃描電路23以及功率源掃描電路24之外，可以添加必要的驅(qū)動(dòng)電路。此外，在上述實(shí)施例等中，水平驅(qū)動(dòng)電路22、寫(xiě)入掃描電路23以及功率源掃描電 路24的驅(qū)動(dòng)可以由信號(hào)保持控制電路21B控制。但是，其他電路可以控制水平驅(qū)動(dòng)電路 22、寫(xiě)入掃描電路23以及功率源掃描電路24的驅(qū)動(dòng)。此外，水平驅(qū)動(dòng)電路22、寫(xiě)入掃描電 路23以及功率源掃描電路24可以由固件(電路)控制或者由軟件(程序)控制。此外，在上述實(shí)施例等中，已經(jīng)給出晶體管Tws的源極和漏極以及晶體管Tte的漏極 固定的情況的描述。但是，無(wú)需多言，根據(jù)電流的流向，源極和漏極之間的相對(duì)關(guān)系可以與 上述解釋的相反。此外，在上述實(shí)施例等中，已經(jīng)給出晶體管Tws和Tte由η溝道MOS型TFT形成的情 況的描述。但是，至少一個(gè)晶體管Tws和Tte可以由ρ溝道MOS型TFT形成。在晶體管Tte由 P溝道MOS型TFT形成的情況下，有機(jī)EL裝置12的陽(yáng)極35Α變?yōu)樯鲜鰧?shí)施例等中的陰極， 而有機(jī)EL裝置12的陰極35Β變?yōu)殛?yáng)極。此外，在上述實(shí)施例等中，晶體管Tws和Tte可以是 無(wú)定形硅型TFT或者低溫多晶硅型TFT。本申請(qǐng)包含在2009年3月6日在日本專利局遞交的日本在先專利申請(qǐng) JP2009-053159所公開(kāi)的主題有關(guān)的主題，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用方式結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解到可以根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素進(jìn)行各種修改、組 合、子組合和替換，只要它們?cè)跈?quán)利要求的范圍或者其等同范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種顯示單元，包括顯示部分，所述顯示部分具有用于每個(gè)像素的有機(jī)EL裝置和像素電路；其中，所述像素電路具有用于寫(xiě)入視頻信號(hào)的第一晶體管以及用于基于所述第一晶體管所寫(xiě)入的所述視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)EL裝置的第二晶體管；所述第二晶體管包括柵極、源極和漏極；所述有機(jī)EL裝置具有陽(yáng)極、有機(jī)層以及陰極；并且所述源極或所述漏極的上表面至少形成于和所述陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示單元，其中，所述顯示部分在所述每個(gè)像素中具有連接 在所述柵極和所述源極或所述漏極之間的保持電容；并且所述保持電容由所述源極和所述漏極中的一者以及所述柵極形成，其中，所述源極或 所述漏極的所述上表面至少形成于和所述陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。
3.—種顯示單元，包括顯示部分，所述顯示部分具有用于每個(gè)像素的有機(jī)EL裝置和像 素電路；其中，所述像素電路具有用于寫(xiě)入視頻信號(hào)的第一晶體管以及用于基于所述第一晶體 管所寫(xiě)入的所述視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)EL裝置的第二晶體管；所述第二晶體管包括柵極、源極和漏極；所述有機(jī)EL裝置具有陽(yáng)極、有機(jī)層以及陰極；并且所述源極或所述漏極具有包括連續(xù)彎曲面的長(zhǎng)邊部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示單元，其中，所述源極或所述漏極還具有包括連續(xù)彎曲 面的短邊部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示單元，其能夠降低繞射反射。該顯示單元包括顯示部分，所述顯示部分具有用于每個(gè)像素的有機(jī)EL裝置和像素電路。像素電路具有用于寫(xiě)入視頻信號(hào)的第一晶體管以及用于基于第一晶體管所寫(xiě)入的視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL裝置的第二晶體管。第二晶體管包括柵極、源極和漏極。有機(jī)EL裝置具有陽(yáng)極、有機(jī)層以及陰極。源極或漏極的上表面至少形成于和陽(yáng)極或陰極相對(duì)的區(qū)域中。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101826299SQ20101012495
公開(kāi)日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2010年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月6日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 妹尾佑樹(shù), 山本哲郎, 種田貴之 申請(qǐng)人:索尼公司