專利名稱：制造有源矩陣基底和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
下面的描述涉及制造有源矩陣基底和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
技術(shù)背景
近來(lái)，平面顯示裝置由有源矩陣方法來(lái)驅(qū)動(dòng)，其中，發(fā)光裝置形成在包括多個(gè)薄膜 晶體管的有源矩陣基底上。具體而言，有機(jī)發(fā)光顯示裝置使用由多晶硅材料形成的薄膜晶 體管。當(dāng)使用低溫晶化方法來(lái)形成多晶硅膜時(shí)，平板顯示裝置的制造工藝非常復(fù)雜，因此產(chǎn) 率降低。也就是說(shuō)，為了形成有源矩陣基底，使用采用光刻工藝的多道圖案化工藝。在這種 情況下，在每道圖案化工藝中使用與期望的圖案對(duì)應(yīng)的光掩模。因此，由于使用大量的設(shè)備來(lái)執(zhí)行光刻工藝，所以制造成本增加，并且由于光刻工 藝，總工藝時(shí)間增加，從而降低了產(chǎn)率。另外，在各道工藝期間產(chǎn)生的顆粒導(dǎo)致低成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例的多個(gè)方面涉及一種通過減少圖案化工藝的道數(shù)并減小低成品 率的概率來(lái)制造有源矩陣基底的方法和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造有源矩陣基底的方法包括在基底上以第一圖案 形成第一電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一電極；通過將半導(dǎo)體晶片 放置在所述第一絕緣膜上，將所述半導(dǎo)體晶片的表面上的第一層附著到所述第一絕緣膜； 將所述第一層轉(zhuǎn)印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；利用摻雜 劑摻雜所述半導(dǎo)體層的一部分并將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成有源層；在所述第一絕緣 膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述有源層；在所述第二絕緣膜上形成結(jié)合到所述有源層的 摻雜區(qū)域的第二電極。在一些實(shí)施例中，利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的一部分并將所述半導(dǎo)體層圖案 化以形成有源層的步驟包括在所述半導(dǎo)體層上形成第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導(dǎo) 體層的第一部分，并通過所述第一光致抗蝕劑層中的開口暴露所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域； 通過所述第一光致抗蝕劑層中的開口利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域；將所述半 導(dǎo)體層圖案化成第二圖案，以形成所述有源層。在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成所述第一層的步驟可包括將包含氫離子的氣體 離子注入到所述半導(dǎo)體晶片的表面中。所述半導(dǎo)體晶片可以由單晶硅形成。所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案可以與除了所述第一光致抗蝕劑層的與所述第一電極的第一圖案對(duì)應(yīng)的部分之外的部分被蝕刻的圖案基本相同。形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟可包括根據(jù)所述第一電極的圖案，使所述第 一光致抗蝕劑層暴露于來(lái)自所述基底的下側(cè)的光；蝕刻所述第一光致抗蝕劑層，以保持所 述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第一電極的第一圖案基本對(duì)應(yīng)。可以在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執(zhí)行將所述半導(dǎo)體層圖案化成所 述第二圖案的步驟。在一個(gè)實(shí)施例中，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括在基底形成第一柵電 極和第二柵電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一柵電極和所述第二柵電 極；通過將半導(dǎo)體晶片放置在所述第一絕緣膜上，將所述半導(dǎo)體晶片的表面上的第一層附 著到所述第一絕緣膜；將所述第一層轉(zhuǎn)印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形 成半導(dǎo)體層；摻雜所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和第二區(qū)域，并將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成 具有所述第一區(qū)域的第一有源層和具有所述第二區(qū)域的第二有源層，其中，至少所述第一 區(qū)域和所述第二區(qū)域摻雜有相同類型的摻雜劑；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以 覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層；在所述第二絕緣膜中形成孔，以暴露所述半導(dǎo)體 層的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域；在所述第二絕緣膜上形成結(jié)合到(例如，電結(jié)合到)所 述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的第二電極 ，并形成結(jié)合到(例如，電結(jié)合到)所述第二區(qū)域 的像素電極；在所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜，以覆蓋所述第二電極和所述像素電極； 在所述第三絕緣膜中形成開口，以暴露所述像素電極的至少一部分；在通過所述第三絕緣 膜中的開口暴露的所述像素電極的所述至少一部分上形成包括發(fā)光層的有機(jī)膜；形成相對(duì) 電極，以覆蓋所述有機(jī)膜。形成所述第一有源層和所述第二有源層的步驟可包括在所述半導(dǎo)體層上形成 第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導(dǎo)體層，并使開口暴露所述半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域和 所述第二區(qū)域；通過所述第一光致抗蝕劑層的開口，利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的所述 第一區(qū)域和所述第二區(qū)域；去除所述第一光致抗蝕劑層；將所述半導(dǎo)體層圖案化成第二圖 案，以形成所述第一有源層和所述第二有源層。形成所述第一層的步驟可包括將包含氫離子的氣體離子注入到所述半導(dǎo)體晶片 的表面中。所述半導(dǎo)體晶片可以由單晶硅形成。所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案可以與除了所述第一光致抗蝕劑層 的與所述第一電極的第一圖案對(duì)應(yīng)的部分之外的部分被蝕刻的圖案基本相同。形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟可包括根據(jù)所述第一柵電極和所述第二柵電 極的圖案，使所述第一光致抗蝕劑層暴露于來(lái)自所述基底的下側(cè)的光；蝕刻所述第一光致 抗蝕劑層，以保持所述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第一柵電極和所述第二柵 電極的圖案基本對(duì)應(yīng)?？梢栽谛纬伤龅谝还庵驴刮g劑層的步驟之前，執(zhí)行將所述半導(dǎo)體層圖案化成所 述第二圖案的步驟。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的方面，在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程中，使用少量 的光掩模簡(jiǎn)單地將有源矩陣基底(即，基體基底)圖案化，從而降低了制造成本，并提高了良率。
另外，因?yàn)楸∧ぞw管的半導(dǎo)體層可由單晶半導(dǎo)體材料形成，所以能夠?qū)崿F(xiàn)具有 進(jìn)一步改善的電路。


附圖與說(shuō)明一起示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是根據(jù)本發(fā) 明實(shí)施例的在基底上形成的第一導(dǎo)電膜的示意性剖視圖；圖2是圖1的第一導(dǎo)電膜的第一圖案的示意性剖視圖；圖3是在圖2的基底上形成的第一絕緣膜的示意性剖視圖；圖4是示出對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行離子注入的示意性剖視圖；圖5是示出圖4的半導(dǎo)體晶片附著到圖3的第一絕緣膜的示意性剖視圖；圖6是通過將圖5的半導(dǎo)體晶片從半導(dǎo)體層剝離而在第一絕緣膜上形成的半導(dǎo)體 層的示意性剖視圖；圖7是示出在半導(dǎo)體層上形成第二光致抗蝕劑膜之后利用摻雜劑摻雜半導(dǎo)體層 的狀態(tài)的示意性剖視圖；圖8是圖案化半導(dǎo)體層的示意性剖視圖；圖9是第二絕緣膜覆蓋圖8的圖案化的半導(dǎo)體層的示意性剖視圖；圖10是在圖9的第二絕緣膜上形成圖案化的第二絕緣膜的示意性剖視圖；圖11是在圖10的第二絕緣膜上順序地形成第三絕緣膜、有機(jī)膜和相對(duì)電極 (facing electrode)的示意性剖視圖。
具體實(shí)施例方式在以下詳細(xì)描述中，僅通過示例方式示出并描述了本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例。 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限 于在此闡述的實(shí)施例。另外，在本申請(qǐng)的上下文中，當(dāng)元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)， 該元件可以直接在另一元件上，或者可以在一個(gè)或多個(gè)中間元件設(shè)置在它們之間的情況下 間接在另一元件上。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。圖1至圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有源矩陣基底和有機(jī)發(fā)光顯示裝置 的方法的示意性剖視圖。參照?qǐng)D1，在基底1上形成第一導(dǎo)電膜2。基底1可以由透明玻璃材料形成，并通 常包含堿土離子。在基底1上也可以形成主要由SiO2形成的緩沖層。第一導(dǎo)電膜2可以由用于形成電極的高導(dǎo)電金屬(例如，包含Al、Ti、Mo、Ag和/ 或Cr的合金)形成。通過使用第一光掩模的光刻工藝將第一導(dǎo)電膜2圖案化為如圖2所示的第一圖 案。光刻工藝可以是任何合適的光刻工藝。也就是說(shuō)，在第一導(dǎo)電膜2上形成第一光致抗 蝕劑膜之后，通過第一光掩模暴露第一光致抗蝕劑膜，并通過顯影工藝和蝕刻工藝將第一 導(dǎo)電膜2圖案化為如圖2所示的第一圖案，然后，去除留在第一導(dǎo)電膜2上的第一光致抗蝕 劑膜。第一圖案包括作為數(shù)據(jù)布線的第一柵電極21、第二柵電極22和電容器下電極23。
接下來(lái)，參照?qǐng)D3，在基底1上形成第一絕緣膜3，第一絕緣膜3覆蓋包括第一柵電 極21、第二柵電極22和電容器下電極23的第一圖案。第一絕緣膜3可以被形成為透光絕 緣膜，并可以由包含堿離子和/或堿土離子(例如，硅基)的氧化物材料形成。在第一絕緣膜3上形成半導(dǎo)體膜。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，使用在美國(guó)專利公布號(hào)US2004/0229444中公開的半導(dǎo)體層 轉(zhuǎn)印法來(lái)形成半導(dǎo)體膜，通過引用將該專利的全部?jī)?nèi)容包含于此。S卩，參照?qǐng)D4，在制備了半導(dǎo)體晶片45之后，使用離子注入半導(dǎo)體晶片45的表面。 半導(dǎo)體晶片45可以是單晶硅晶片，但不限于此，并可以是由諸如SiGe、SiC、Ge、GaAs, GaP 或InP等的半導(dǎo)體材料形成的單晶晶片。離子注入可以使用氫離子來(lái)執(zhí)行，但不限于此，并可以使用硼離子和氫離子的混合物或者氦離子和氫離子的混合物來(lái)執(zhí)行。由于離子注入，在半導(dǎo)體晶片45的表面上形成作為弱化區(qū)域(weakenedregion) 的半導(dǎo)體層4。在清洗工藝之后，將以這種方式形成的半導(dǎo)體層4氧化。氧化處理可以是氧等離 子體處理、過氧化氫處理、過氧化氫和氨處理或者過氧化氫和酸處理。由于氧化處理，羥基 形成在半導(dǎo)體層4的表面上，并且半導(dǎo)體層4的表面變得親水。接下來(lái)，參照?qǐng)D5，將半導(dǎo)體晶片45放置在第一絕緣膜3上，使得半導(dǎo)體層4接觸 第一絕緣膜3，并位于半導(dǎo)體晶片45和第一絕緣膜3之間。這里，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在將半 導(dǎo)體晶片45放置在第一絕緣膜3上之前，清洗第一絕緣膜3的表面，并使其平坦化。接下來(lái)，如下面更詳細(xì)描述的，使用電解方法將半導(dǎo)體層4和第一絕緣膜3彼此附著。 首先，在將半導(dǎo)體層4和第一絕緣膜3附著之前，將半導(dǎo)體層4和第一絕緣膜3加 熱至彼此不同的溫度。保持溫度差，以使半導(dǎo)體層4和第一絕緣膜3的熱膨脹系數(shù)匹配，從 而在隨后的工藝中，由于半導(dǎo)體層4和半導(dǎo)體晶片45之間的熱應(yīng)力，使得半導(dǎo)體層4與半 導(dǎo)體晶片45分離開(剝離開)。在一些實(shí)施例中，溫度差為100°C至150°C之間(或者在大 約100°C和大約150°C之間)。接下來(lái)，在相對(duì)第一絕緣膜3按壓半導(dǎo)體層4的同時(shí)分別以均勻的溫度保持半導(dǎo) 體層4和第一絕緣膜3。然后，比如，使用半導(dǎo)體層4作為陽(yáng)極，并使用第一絕緣膜3作為陰 極，將電壓施加到半導(dǎo)體層4和第一絕緣膜3。由于施加了電壓，在第一絕緣膜3和半導(dǎo)體層4之間的界面處存在的堿離子和/ 或堿土離子運(yùn)動(dòng)到第一絕緣膜3。因此，在第一絕緣膜3和半導(dǎo)體層4之間的界面處存在 沒有堿離子的區(qū)域和/或沒有堿土離子的區(qū)域，因此，第一絕緣膜3和半導(dǎo)體層4更強(qiáng)地附著。在將按壓和施加電壓的工藝保持了一段時(shí)間(例如，預(yù)定的一段時(shí)間)之后，以室 溫冷卻組裝的結(jié)構(gòu)。然后，由于半導(dǎo)體層4和半導(dǎo)體晶片45之間的熱應(yīng)力，半導(dǎo)體晶片45 與半導(dǎo)體層4分離開。參照?qǐng)D6，使用剝離工藝將半導(dǎo)體晶片45與半導(dǎo)體層4分離開。這里，半導(dǎo)體層4 保持附著到第一絕緣膜3。在如上所述形成半導(dǎo)體層4之后，可以通過表面清洗工藝和蝕刻工藝以基本均勻的厚度保持半導(dǎo)體層4。根據(jù)本發(fā)明的形成半導(dǎo)體層4的方法不限于所公開的實(shí)施例，例如，半導(dǎo)體層可 以通過在第一絕緣膜3上沉積非晶硅來(lái)形成。參照?qǐng)D7，在半導(dǎo)體層4上涂覆了第二光致抗蝕劑膜46之后，將第二光致抗蝕劑膜 46圖案化為第二圖案。這里，不使用另外的光掩模，而是使用第一圖案(S卩，第一柵電極21和第二柵電極 22和電容器下電極23的圖案)，通過將光從基底1的下側(cè)朝第二光致抗蝕劑膜46照射，執(zhí) 行將第二光致抗蝕劑膜46圖案化成第二圖案的步驟。即，當(dāng)從基底1的下側(cè)照射光時(shí)，第二 光致抗蝕劑膜46的被第一圖案的第一導(dǎo)電膜2基本上阻擋住光(即，被第一柵電極21、第 二柵電極22和電容器下電極23阻擋住光)的區(qū)域與第二光致抗蝕劑膜46的穿過光的區(qū) 域具有不同的硬化度，因此，當(dāng)蝕刻第二光致抗蝕劑膜46時(shí)，獲得如圖7所示的第二圖案。 在圖7的第二圖案中，第二光致抗蝕劑膜46在與第一圖案的第一導(dǎo)電膜2(8卩，第一柵電極 21、第二柵電極22和電容器下電極23)的上部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中保留在半導(dǎo)體層4上，并暴露 半導(dǎo)體層4的其他區(qū)域。在這種情形下，用p+離子摻雜半導(dǎo)體層4的暴露區(qū)域。p+離子可以是能夠在p型 金屬氧化物半導(dǎo)體(PM0S)薄膜晶體管中形成有源層的任意摻雜劑，例如B2H6離子。接下來(lái)，參照?qǐng)D8，在去除第二光致抗蝕劑膜46之后，將半導(dǎo)體層4圖案化。這里， 光刻工藝可以是任何合適的光刻工藝。即，在去除第二光致抗蝕劑膜46之后，在半導(dǎo)體層4上涂覆第三光致抗蝕劑膜。接 下來(lái)，通過第二光掩模在第三光致抗蝕劑膜上照射光并使第三光致抗蝕劑膜顯影來(lái)暴露半 導(dǎo)體層4的設(shè)定在或預(yù)定區(qū)域。在蝕刻了被暴露的半導(dǎo)體層4之后，去除第三光致抗蝕劑 膜的剩余部分。因此，獲得如圖8所示的具有第三圖案的半導(dǎo)體層4。第三圖案包括電容器上電極43、第一有源層41和第二有源層42。電容器上電極43形成在電容器下電極23的上方，并被圖案化為與電容器下電極 23對(duì)應(yīng)，以形成存儲(chǔ)電容器Cst。第一有源層41和第二有源層42分別是薄膜晶體管中的 有源層。接下來(lái)，參照?qǐng)D9，覆蓋電容器上電極43、第一有源層41和第二有源層42的第二 絕緣膜5形成在第一絕緣膜3上。使用光刻工藝將第二絕緣膜5圖案化，以形成接觸孔，通過接觸孔暴露第一有源 層41和第二有源層42的源/漏區(qū)域。在這點(diǎn)上，光刻工藝可以是任何合適的光刻工藝。S卩，在第二絕緣膜5上涂覆第四光致抗蝕劑膜之后，通過第三光掩模在第四光致 抗蝕劑膜上照射光并使第四光致抗蝕劑膜顯影來(lái)暴露第二絕緣膜5的區(qū)域(例如，預(yù)定區(qū) 域)。在蝕刻了被暴露的第二絕緣膜5之后，將第四光致抗蝕劑膜的剩余部分去除。因此， 獲得如圖9所示的具有第四圖案的第二絕緣膜5。接下來(lái)，如圖10所示，在第二絕緣膜5上涂覆第二導(dǎo)電膜6之后，通過使第二導(dǎo)電 膜6圖案化來(lái)形成第五圖案?？梢允褂萌魏魏线m的光刻工藝來(lái)形成第二導(dǎo)電膜6的第五圖案。S卩，首先，在第二絕緣膜5上涂覆第二導(dǎo)電膜6之后，在第二導(dǎo)電膜上涂覆第五光 致抗蝕劑膜。通過第四光掩模在第五光致抗蝕劑膜上照射光并使第五光致抗蝕劑膜顯影來(lái)暴露第二導(dǎo)電膜6的區(qū)域(例如，預(yù)定區(qū)域)。在蝕刻了第二導(dǎo)電膜6之后，將第五光致抗 蝕劑膜的剩余部分去除，因此，獲得如圖10所示的第二導(dǎo)電膜6。第二導(dǎo)電膜6的第五圖案包括結(jié)合到(例如，電結(jié)合到)第一有源層41的第一源 電極61和第一漏電極62以及結(jié)合到(例如，電結(jié)合到)第二有源層42的第二源電極63 和第二漏電極64。根據(jù)另一實(shí)施例，第一源電極61和第二源電極63是漏電極，第一漏電極 62和第二漏電極64是源電極。在以上結(jié)構(gòu)中，第一柵電極21、第一有源層41、第一源電極61和第一漏電極62構(gòu) 成第一薄膜晶體管T1，第二柵電極22、第二有源層42、第二源電極63和第二漏電極64構(gòu)成
第二薄膜晶體管T2。在示例性實(shí)施例中，第一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2是PM0S晶體管。另外，第二薄膜晶體管T2是像素驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，第二漏電極64用作像素電極。 在下文中，標(biāo)號(hào)64用于指示第二漏電極和像素電極。如上所述，形成第一源電極61、第一漏電極62、第二源電極63和第二漏電極64的 第二導(dǎo)電膜6可以由用于形成像素電極的任何材料形成。當(dāng)像素電極64用作有機(jī)發(fā)光顯示裝置的陽(yáng)極時(shí)，像素電極64可以包括由具有高 逸出功(絕對(duì)值)的金屬氧化物(例如，氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)和/或氧化鋅 (ZnO))形成的層。另外，在一些實(shí)施例中，如果有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有沿朝向有機(jī)發(fā)光顯示 裝置的上側(cè)的方向(即，與基底1相對(duì)(或反面遠(yuǎn)離基底1)的方向)投射圖像的結(jié)構(gòu)，則 有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括由例如A1和Ag的合金形成的反射膜。另外，在一些實(shí)施例中，像 素電極64用作有機(jī)發(fā)光顯示裝置的陰極，像素電極66由具有低逸出功(絕對(duì)值)的高導(dǎo) 電金屬(例如，Al、Ag和/或Mg)形成。在這種情況下，上述的反射膜不是必需的。使用上述工藝形成根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有源矩陣基底。如上所述，在有源 矩陣基底的制造過程中，僅使用用于圖案化的四個(gè)光掩模。因此，可以減少工藝的道數(shù)，從 而提高產(chǎn)率，并因此降低制造成本。參照?qǐng)D11，根據(jù)其他實(shí)施例，在制造出具有第二導(dǎo)電膜6的圖案的有源矩陣基底 之后，在具有第五圖案的第二導(dǎo)電膜6上形成第三絕緣膜7。使用任何合適的光刻工藝將第 三導(dǎo)電膜7圖案化，以形成至少暴露像素電極64的一部分的開口 71。即，在第二導(dǎo)電膜6上涂覆第三絕緣膜7之后，在第三絕緣膜7上涂覆第六光致抗 蝕劑膜。接下來(lái)，通過第五光掩模在第六光致抗蝕劑膜上照射光并使第六光致抗蝕劑膜顯 影來(lái)暴露第三絕緣膜7的區(qū)域(例如，與開口 71對(duì)應(yīng)的預(yù)定區(qū)域)。在蝕刻了被暴露的第 三絕緣膜7之后，去除剩余的第六光致抗蝕劑膜，因此獲得如圖11所示的具有第六圖案的 第三絕緣膜7。接下來(lái)，在第三絕緣膜7上沉積有機(jī)膜8。有機(jī)膜8可以包括能夠在每個(gè)像素中發(fā) 射不同顏色的發(fā)光層，發(fā)光層僅形成在通過開口 71暴露的像素電極64上。在一些實(shí)施例中，包括發(fā)光層的有機(jī)膜8由通常用于形成任何適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)發(fā)光顯 示裝置的材料形成，并包括選自功能層(例如，空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子 傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL))的至少一個(gè)公共層。這里，所述至少一個(gè)公共層是 指形成在整個(gè)像素上的層。在形成有機(jī)膜8之后，在有機(jī)膜8上形成相對(duì)電極9。在操作過程中，將極性與施加到像素電極64的電壓極性相反的電壓施加到相對(duì)電極9。即，如果像素電極64是陽(yáng)極， 則相對(duì)電極9是陰極，反之亦然。如果有機(jī)發(fā)光顯示裝置是沿朝向相對(duì)電極9的方向投射從有機(jī)膜8發(fā)出的圖像的 頂部發(fā)射型，則將相對(duì)電極9形成為具有高透光率，如果有機(jī)發(fā)光顯示裝置是沿朝向基底1 的方向投射圖像的底部反射型，則將相對(duì)電極9形成為具有高反光率。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程中，使用數(shù)量減少 的光掩模簡(jiǎn)單地將有源矩陣基底(即，基體基底)圖案化，從而降低了制造成本，并提高了 產(chǎn)率。另外，薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由單晶半導(dǎo)體材料形成，因此能夠?qū)崿F(xiàn)具有進(jìn)一步 改善特性的電路。雖然已經(jīng)結(jié)合特定的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所 公開的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意在覆蓋包括在權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi)的 各種修改和等同布置。
權(quán)利要求
一種制造有源矩陣基底的方法，所述方法包括以下步驟在基底上形成具有第一圖案的第一電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一電極；通過將半導(dǎo)體晶片放置在所述第一絕緣膜上，將所述半導(dǎo)體晶片的表面上的第一層附著到所述第一絕緣膜；將所述第一層轉(zhuǎn)印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的一部分并將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成有源層；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述有源層；在所述第二絕緣膜上形成結(jié)合到所述有源層的摻雜區(qū)域的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述半導(dǎo)體晶片的表面上的第一層附著到所 述第一絕緣膜的步驟包括在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成所述第一層；利用第一溫度加熱所述半導(dǎo)體晶片，并利用與所述第一溫度不同的第二溫度加熱所述第一絕緣膜；使所述半導(dǎo)體晶片的表面上的所述第一層與所述第一絕緣膜接觸； 在所述半導(dǎo)體晶片和所述第一絕緣膜之間施加電壓；將所述半導(dǎo)體晶片的一部分與所述第一絕緣膜剝離開，以使所述第一層保持附著到所 述第一絕緣膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成所述第一層的 步驟包括將包含氫離子的氣體離子注入到所述半導(dǎo)體晶片的表面中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體晶片包括單晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的一部分并將所 述半導(dǎo)體層圖案化以形成有源層的步驟包括在所述半導(dǎo)體層上形成第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導(dǎo)體層的第一部分，并通過 所述第一光致抗蝕劑層中的開口暴露所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域；通過所述第一光致抗蝕劑層中的開口利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域； 將所述半導(dǎo)體層圖案化成第二圖案，以形成所述有源層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案與 除了所述第一光致抗蝕劑層的與所述第一電極的第一圖案對(duì)應(yīng)的部分之外的部分被蝕刻 的圖案相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟包括 根據(jù)所述第一電極的圖案，使所述第一光致抗蝕劑層暴露于來(lái)自所述基底的下側(cè)的光；蝕刻所述第一光致抗蝕劑層，以保持所述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第 一電極的第一圖案對(duì)應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執(zhí)行 將所述半導(dǎo)體層圖案化成所述第二圖案的步驟。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟 在基底形成第一柵電極和第二柵電極；在所述基底上形成第一絕緣膜，以覆蓋所述第一柵電極和所述第二柵電極； 通過將半導(dǎo)體晶片放置在所述第一絕緣膜上，將半導(dǎo)體層的表面上的第一層附著到所 述第一絕緣膜；將所述第一層轉(zhuǎn)印到所述第一絕緣膜上，以在所述第一絕緣膜上形成半導(dǎo)體層； 摻雜所述半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和第二區(qū)域，并將所述半導(dǎo)體層圖案化，以形成具有所 述第一區(qū)域的第一有源層和具有所述第二區(qū)域的第二有源層，其中，至少所述第一區(qū)域和 所述第二區(qū)域摻雜有相同類型的摻雜劑；在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層； 在所述第二絕緣膜中形成孔，以暴露所述半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域； 在所述第二絕緣膜上形成結(jié)合到所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的第二電極，并形成結(jié) 合到所述第二區(qū)域的像素電極；在所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜，以覆蓋所述第二電極和所述像素電極； 在所述第三絕緣膜中形成開口，以暴露所述像素電極的至少一部分； 在通過所述第三絕緣膜中的開口暴露的所述像素電極的所述至少一部分上形成包括 發(fā)光層的有機(jī)膜；形成相對(duì)電極，以覆蓋所述有機(jī)膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，將所述半導(dǎo)體晶片的表面上的第一層附著到所 述第一絕緣膜的步驟包括在所述半導(dǎo)體晶片的表面上形成所述第一層；以第一溫度加熱所述半導(dǎo)體晶片，并以與所述第一溫度不同的第二溫度加熱所述第一 絕緣膜；使所述半導(dǎo)體晶片的表面上的所述第一層與所述第一絕緣膜接觸； 在所述半導(dǎo)體晶片和所述第一絕緣膜之間施加電壓；將所述半導(dǎo)體晶片的一部分與所述第一絕緣膜剝離開，以使所述第一層保持附著到所 述第一絕緣膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第一層的步驟包括將包含氫離子的 氣體離子注入到所述半導(dǎo)體晶片的表面中。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體晶片包括單晶硅。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述第一有源層和所述第二有源層的步驟 包括在所述半導(dǎo)體層上形成第一光致抗蝕劑層，以覆蓋所述半導(dǎo)體層，所述第一光致抗蝕 劑層具有開口以暴露所述半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域；通過所述第一光致抗蝕劑層的開口，利用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域和 所述第二區(qū)域；去除所述第一光致抗蝕劑層；將所述半導(dǎo)體層圖案化成第二圖案，以形成所述第一有源層和所述第二有源層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一光致抗蝕劑層中的所述開口的圖案 與除了所述第一光致抗蝕劑層的與所述第一電極的第一圖案對(duì)應(yīng)的部分之外的部分被蝕 刻的圖案相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟包括根據(jù)所述第一柵電極和所述第二柵電極的圖案，使所述第一光致抗蝕劑層暴露于來(lái)自 所述基底的下側(cè)的光；蝕刻所述第一光致抗蝕劑層，以保持所述第一光致抗蝕劑層的部分在位置上與所述第 一柵電極和所述第二柵電極的圖案對(duì)應(yīng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在形成所述第一光致抗蝕劑層的步驟之前，執(zhí) 行將所述半導(dǎo)體層圖案化成所述第二圖案的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種制造有源矩陣基底和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。由于在圖案化工藝期間圖案化工藝的道數(shù)減少和顆粒產(chǎn)生減少，所以制造有源矩陣基底的方法能夠提高產(chǎn)率。該方法包括在基底上形成圖案化的電極，并利用絕緣膜覆蓋第一電極。然后，通過將形成在半導(dǎo)體晶片的表面上的第一層附著到第一絕緣膜，在絕緣膜上形成單晶半導(dǎo)體層；然后，通過利用圖案化的電極作為光掩模而從基底的下側(cè)照射光，以將半導(dǎo)體層圖案化，并部分地進(jìn)行摻雜。這樣部分地得到形成用于薄膜晶體管的單晶有源層，然后將其構(gòu)造為形成用于有源矩陣基底的像素。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101859732SQ201010001459
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2010年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月6日
發(fā)明者崔雄植 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社