專利名稱：處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過對硅基板等的半導(dǎo)體基板照射微波和高頻波等電磁波從而加熱半導(dǎo)體基板，進行規(guī)定的處理的批量式處理裝置。
背景技術(shù)：
一般，在半導(dǎo)體裝置的制造中，對半導(dǎo)體基板反復(fù)進行成膜處理、圖案蝕刻處理、 氧化擴散處理、改質(zhì)處理、退火處理等的各種熱處理，以制造所需要的裝置。隨著半導(dǎo)體裝置的高密度化、多層化和高集成化，裝置的樣式逐年變得嚴(yán)格，所以特別期待提高上述熱處理的半導(dǎo)體基板面內(nèi)的均勻性和提高處理品質(zhì)。例如，在作為半導(dǎo)體裝置的晶體管的溝道層(channel layer)的處理中，在向溝道層注入雜質(zhì)原子的離子之后，為了使雜質(zhì)原子活性化，一般進行退火處理。該情況下，若進行長時間的退火處理，雖然原子結(jié)構(gòu)變得穩(wěn)定，但由于雜質(zhì)原子向膜厚方向內(nèi)部深處擴散，穿透溝道層的下方，所以退火處理需要盡可能在短時間內(nèi)完成。 艮口，為了使薄的溝道層不產(chǎn)生穿透，使原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定化，所以需要使半導(dǎo)體基板高速升溫至高溫，并在退火處理之后高速降溫至不產(chǎn)生擴散的低溫。特別是在最近的晶體管元件中，有提案在溝道層設(shè)置源/漏擴展區(qū)(source-drain extension)等的非常微小的區(qū)域的結(jié)構(gòu)。 為了也保持這些微小區(qū)域的電子特性，期望通過高速的升降溫而不使雜質(zhì)原子擴散并使其活性化。為了進行這樣的退火處理，現(xiàn)有技術(shù)中提案使用加熱燈的燈加熱退火(Lamp Anneal)裝置(例如參照美國專利第5689614號)或、使用了 LED元件或激光元件的熱處理裝置(例如參照日本特開2004-296245號公報、日本特開2004-134674號公報、美國專利第 6818864號公報)。然而，眾所周知，在半導(dǎo)體集成電路的制造過程中，在半導(dǎo)體基板表面配置有各種不同的材料。例如，以晶體管制造的中間過程為例，作為絕緣膜的SiO2等的硅氧化膜、多晶硅膜、作為配線層的Cu膜或Al膜、作為保護膜的TiN膜等的光學(xué)特性彼此不同的各種材料分布在半導(dǎo)體基板表面。在該情況下，與上述退火中所使用的光即可見光或紫外線相對應(yīng)的上述各種材料的光學(xué)特性例如反射率、吸收率、透過率等，由于材料而不同。因此，基于材料的種類，吸收的能量的量不同。由于上述的光學(xué)特性的不同，所以有時幾乎不能進行退火處理，或者有時不能進行均勻的退火處理。于是，也有提案采用與可見光和紫外線相比波長較長的微波或高頻波等的電磁波，通過電介質(zhì)加熱或感應(yīng)加熱，對半導(dǎo)體基板進行加熱的加熱裝置(例如參照日本特開平5-21420號公報、日本特開2002-280380號公報、日本特開 2005-268624號公報、日本特開2007-258286號公報)。但是，上述的各處理裝置，是以每次處理一枚半導(dǎo)體基板的單晶片式(single wafer processing)為主的處理裝置，因此，存在不能充分提高產(chǎn)量的問題。另外，當(dāng)施加波長為幾毫米 十幾毫米的毫米波的電磁波時，當(dāng)處理容器內(nèi)被加熱部件所能夠吸收的電磁波量即負(fù)荷吸收容量較小，來自處理容器的反射波變得過大而導(dǎo)致電磁波源受到損傷。為了防止這些問題，需要在裝置中設(shè)置當(dāng)產(chǎn)生了過大的反射波時將電磁波源的動作停止的聯(lián)鎖(interlock)功能，但是存在裝置成本增加的問題。
發(fā)明概要本發(fā)明提供一種處理裝置，其能夠一次對多塊被處理體進行處理，因此能夠提高產(chǎn)量，并使處理容器內(nèi)的負(fù)荷吸收容量增大且能夠抑制產(chǎn)生過大的反射波。采用本發(fā)明，提供一種采用電磁波對被處理體進行熱處理的處理裝置，其特征在于，包括具有規(guī)定長度的金屬制的處理容器；設(shè)置在上述處理容器的一端的搬出搬入口 ； 能夠?qū)ι鲜霭岢霭崛肟谶M行關(guān)閉和打開的關(guān)閉體；將從上述搬出搬入口被搬出和搬入上述處理容器內(nèi)的多塊被處理體隔著規(guī)定的間隔進行保持且由透過上述電磁波的材料構(gòu)成的保持單元；向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入電磁波的電磁波供給單元；向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入需要的氣體的氣體導(dǎo)入單元；和對上述處理容器內(nèi)的氣氛進行排氣的排氣單元。采用本發(fā)明，能夠一次對多塊被處理體進行處理，由此能夠提高產(chǎn)量，并且使處理容器內(nèi)的負(fù)荷吸收容量增大，能夠抑制產(chǎn)生過大的反射波。另外，可以不需要設(shè)置聯(lián)鎖功能。上述處理容器的內(nèi)表面可以進行鏡面精加工。在優(yōu)選的一個實施方式中，在形成上述處理容器的分隔壁形成有用于向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入上述電磁波的電磁波導(dǎo)入口、并且在上述電磁波導(dǎo)入口設(shè)置有由透過上述電磁波的材料形成的透過板。上述電磁波供給單元的構(gòu)成包括產(chǎn)生上述電磁波的電磁波發(fā)生源；設(shè)置在上述透過板的入射天線部；和將上述電磁波發(fā)生源與上述入射天線部進行連接的波導(dǎo)通道。該情況下，上述電磁波發(fā)生源產(chǎn)生的電磁波的頻率能夠設(shè)定在IOMHz IOTHz的范圍內(nèi)。上述處理容器能夠以其縱向沿著重力方向的方式設(shè)置。上述處理容器也能夠以其縱向沿著水平方向的方式設(shè)置。在上述處理容器的搬出搬入口側(cè)，可以連接具有將上述保持單元對上述處理容器內(nèi)進行搬入或搬出的搬入搬出單元的裝載室。上述裝載室可以是大氣壓氣氛。另外，上述裝載室可以構(gòu)成為能夠選擇地實現(xiàn)真空氣氛和大氣壓氣氛。在上述金屬制的處理容器內(nèi)設(shè)置有由透過上述電磁波的材料形成的、在內(nèi)部收容上述保持單元并且一端開口的內(nèi)側(cè)處理容器。這樣，通過在電磁波透過性的內(nèi)側(cè)處理容器內(nèi)收容保持單元并且對整體進行覆蓋，特別是不僅僅能夠各自抑制來自對流和輻射的放熱，也能夠抑制來自外部的金屬污染。處理裝置還能夠具備內(nèi)側(cè)關(guān)閉體，其對用于向上述內(nèi)側(cè)處理容器搬出搬入上述保持單元而設(shè)置在上述內(nèi)側(cè)處理容器的開口進行關(guān)閉和開放，該內(nèi)側(cè)關(guān)閉體能夠與對上述金屬制的處理容器的搬出搬入口進行關(guān)閉和打開的關(guān)閉體設(shè)置為一體。上述被處理體例如是半導(dǎo)體基板。


圖1是表示本發(fā)明涉及的處理裝置的第一實施方式的截面結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示作為保持單元的基板盤的截面圖。圖3是表示電磁波加熱的吸收能量密度指數(shù)的頻率特性的圖表。
圖4是表示本發(fā)明涉及的處理裝置的第二實施方式的一部分的截面結(jié)構(gòu)圖。圖5是表示半導(dǎo)體基板的面內(nèi)溫度的均勻性的圖表。 圖6是表示半導(dǎo)體基板的面間溫度的均勻性的圖表。圖7是表示本發(fā)明涉及的處理裝置的第三實施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖8是表示保持單元的截面圖。圖9是表示本發(fā)明涉及的處理裝置的第四實施方式的一部分的結(jié)構(gòu)圖。圖10是表示第四實施方式的內(nèi)側(cè)開閉蓋的部分的放大截面圖。
具體實施例方式以下，基于附圖，針對本發(fā)明涉及的處理裝置的適合的實施方式進行詳細(xì)說明。<第一實施方式>圖1是表示本發(fā)明涉及的處理裝置的第一實施方式的截面結(jié)構(gòu)圖，圖2是表示作為保持單元的基板盤的截面圖。如圖1所示的方式，該第一實施方式的處理裝置2包括具有規(guī)定長度的金屬制的處理容器4。處理容器4形成為圓筒狀或截面為四角形的筒體狀。在本實施方式中，處理容器4以其縱向沿著重力方向的方式配置，即構(gòu)成縱長的處理容器4。作為構(gòu)成處理容器4 的金屬例如能夠使用不銹鋼、鋁、鋁合金等。處理容器4的內(nèi)表面進行鏡面精加工，能夠?qū)?dǎo)入的電磁波進行多次反射，有效地加熱被處理體。分隔處理容器4的分隔壁的一端即下端被開口，成為搬出搬入口 6。另外，分隔處理容器4的分隔壁的另一端即上端(頂部)也被開口，成為電磁波導(dǎo)入口 8。在電磁波導(dǎo)入口 8，隔著0形環(huán)等的密封部件10設(shè)置有透過板12。透過板12能夠由透過電磁波的材料例如石英或氮化鋁等的陶瓷材料形成。透過板12的厚度設(shè)定為能夠承受住熱處理時的處理容器4內(nèi)的壓力的厚度，當(dāng)處理容器4內(nèi)的氣氛被抽真空時，透過板12的厚度例如設(shè)定為10mm。在透過板12的外側(cè)設(shè)置有用于向處理容器4內(nèi)導(dǎo)入電磁波的電磁波供給單元14。 具體來講，電磁波供給單元14包括產(chǎn)生電磁波的電磁波發(fā)生源16 ；設(shè)置在透過板12的外側(cè)即上面一側(cè)的入射天線部18 ；連接電磁波發(fā)生源16和入射天線部18并向入射天線部18 導(dǎo)入電磁波的波導(dǎo)通道20。電磁波發(fā)生源16產(chǎn)生的電磁波的頻率例如能夠在IOMHz IOTHz的范圍內(nèi)。為了有效地對被處理體進行感應(yīng)加熱，優(yōu)選使用IOOMHz以上的頻率，更加優(yōu)選使用IGHz以上的頻率的電磁波。電磁波發(fā)生源16能夠使用磁控管、速調(diào)管、行波管、回旋管等。在此，電磁波發(fā)生源16設(shè)置有回旋管，該回旋管產(chǎn)生的電磁波的頻率是28GHz。另外，在該回旋管中，除此之外，還能夠產(chǎn)生82. 9GHz、1 IOGHz、168GHz、874GHz等的頻率的電磁波。波導(dǎo)通道20例如由圓筒或矩形波導(dǎo)管和波紋波導(dǎo)管等形成。在入射天線部18設(shè)置有未圖示的多個鏡面反射透鏡或反射鏡，用于向處理容器4內(nèi)導(dǎo)入電磁波。在處理容器 4設(shè)置有向其中導(dǎo)入需要的氣體的氣體導(dǎo)入單元22。具體來講，在處理容器4的上部側(cè)壁和下部側(cè)壁分別設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 24，氣體通道26的分支的端部分別與該氣體導(dǎo)入口 24 連接。
在氣體通道沈的途中設(shè)置有截流閥觀和質(zhì)量流控制器那樣的流量控制器30，對熱處理需要的氣體進行流量控制并進行供給。熱處理需要的氣體有時使用一種或多種氣體。另外，作為吹掃氣體，可以導(dǎo)入惰性氣體例如N2氣體或Ar等稀有氣體。氣體導(dǎo)入口 M 的個數(shù)并不限定于兩個。另外，可以使用由石英等形成的氣體噴嘴替代圖示的那樣形式的氣體導(dǎo)入口 M。在處理容器4設(shè)置有對其內(nèi)部的氣氛進行排氣的排氣單元32。具體來講，在與氣體導(dǎo)入口 M相對的容器側(cè)壁的高度方向的中央部設(shè)置有排氣口 34，該排氣口 34與構(gòu)成上述排氣單元32的一部分的排氣通道36連接。在排氣通道36的途中例如朝向下游一側(cè)依次設(shè)置有由蝶形閥構(gòu)成的壓力控制閥38和排氣泵40，能夠?qū)μ幚砣萜?內(nèi)的氣氛進行排氣。處理容器4內(nèi)的處理有時在真空氣氛下進行，或者有時也在大氣壓氣氛(也包括接近大氣壓的壓力)下進行。當(dāng)在真空氣氛下進行處理時，上述排氣泵40也可以使用能夠得到高真空度的渦輪分子泵和無油真空泵(dry pump)的組合。在處理容器4內(nèi)可插拔地設(shè)置有對隔著規(guī)定的間隔的多塊被處理體即半導(dǎo)體基板進行保持的被處理體保持件即保持單元42。該保持單元42的整體由使向該處理容器4 內(nèi)導(dǎo)入的電磁波透過的材料例如石英形成。具體來講，該保持單元42，如圖1和圖2所示的方式，包括上下設(shè)置的石英制的頂板44和底板46 ；和對這些頂板44和底板46進行連接的4根石英制的支柱48A、48B、48C、48D。在各支柱48A 48D以規(guī)定的間距形成有卡合槽50。通過將各半導(dǎo)體基板W的周邊部插入卡合槽50，由保持單元42以規(guī)定的間距對多個半導(dǎo)體基板進行支撐。以使用未圖示的搬送臂能夠相對于保持單元42從水平方向取出和放入半導(dǎo)體基板W的方式，上述4根各支柱48A 48D以規(guī)定的間距配置在半導(dǎo)體基板W的大致半圓弧的區(qū)域。在此，半導(dǎo)體基板W例如是直徑300mm左右的薄圓板形，并且，保持單元42能夠以規(guī)定的間距對10 150枚左右的半導(dǎo)體基板W進行支撐。另外，半導(dǎo)體基板W的直徑并不限定于300mm，也可以是其他的直徑例如200mm、450mm。在處理容器4的下端的搬出搬入口 6隔著0形環(huán)等的密封部件M可裝卸地安裝有由與處理容器4的結(jié)構(gòu)材料相同的金屬形成的蓋體52即關(guān)閉體。為了使導(dǎo)入處理容器 4內(nèi)的電磁波進行反射，蓋體52的內(nèi)表面(朝向處理容器4的內(nèi)部空間的面)被實施鏡面精加工。旋轉(zhuǎn)軸58隔著磁流體密封56氣密地貫通蓋體52的中心部。在旋轉(zhuǎn)軸58的上端部設(shè)置有載置臺60，該載置臺60的上表面載置有保持單元42并對其進行支撐。在處理容器4的下方設(shè)置有用于相對于處理容器4搬入或搬出保持單元42的搬入搬出單元62。在此，搬入搬出單元62設(shè)置有使用有滾珠螺桿64A的升降機64。在設(shè)置在該滾珠螺桿64A的升降螺母64B的升降臂64C的頂端，旋轉(zhuǎn)軸58的下端部以自由旋轉(zhuǎn)的方式被支撐并且安裝有旋轉(zhuǎn)電機66，在處理中通過由旋轉(zhuǎn)電機66使旋轉(zhuǎn)軸58轉(zhuǎn)動，而使支撐在載置臺60上的保持單元42以規(guī)定的速度旋轉(zhuǎn)。因此，通過驅(qū)動該升降機64并使升降臂64C進行升降，可以使蓋體52和保持單元42 —體地在上下方向移動，能夠相對處理容器4裝載和卸載半導(dǎo)體基板W。另外，也能夠不使保持單元42旋轉(zhuǎn)而對半導(dǎo)體基板W實施處理，在該情況下沒必要設(shè)置上述的旋轉(zhuǎn)電機66和磁流體密封56。在處理容器4的搬出搬入口 6 —側(cè)即在此是處理容器4的下側(cè)，連接有使搬入處理容器4內(nèi)的半導(dǎo)體基板W或從處理容器4搬出的半導(dǎo)體基板W暫時待機的裝載室68。裝載室68例如由不銹鋼或鋁或鋁合金形成的分隔壁70形成箱狀。在裝載室68內(nèi)設(shè)置有上述的升降機64。由將裝載室68分隔的頂板70A對處理容器4的整體進行支撐。滾珠螺桿 64A的螺絲軸的上下端分別支撐在對裝載室68進行分隔的頂板70A和底板70B。在對裝 載室68進行分隔的側(cè)板70C形成有與保持單元42的長度大致相等的長度的移載口 72。在該移載口 72可開關(guān)地設(shè)置有隔著0形環(huán)等的密封部件76用于氣密地進行堵閉塞的門74。于是，在打開門74的狀態(tài)下，通過設(shè)置在裝載室68的外側(cè)的未圖示的搬送臂，能夠?qū)Ρ３謫卧?2移載半導(dǎo)體基板W。在分隔壁70設(shè)置有氣體入口 78，該氣體入口 78與有設(shè)置有截流閥80的氣體通道82連接，根據(jù)需要能夠向該裝載室68內(nèi)導(dǎo)入惰性氣體或潔凈空氣。所述惰性氣體能夠使用Ar等的稀有氣體或N2氣體。在分隔壁70還設(shè)置有氣體出口 84，該氣體出口 84與排氣通道86連接。在該排氣通道86的途中依次設(shè)置有截流閥88和排氣單元90，能夠?qū)ρb載室68內(nèi)的氣氛進行排氣。 當(dāng)使裝載室68內(nèi)總是大氣壓氣氛的程度而使用時，作為排氣單元90可以使用排氣扇。另夕卜，為了使裝載室68作為負(fù)載鎖定室而使用，在能夠?qū)崿F(xiàn)選擇大氣壓氣氛和真空氣氛的情況下，排氣單元90可以使用無油泵等的真空泵。如以上的方式構(gòu)成的處理裝置2的整體的動作，例如通過由計算機等構(gòu)成的裝置控制部92進行控制。進行控制動作的計算機的程序存儲在軟盤、⑶(Compact Disc)、硬盤、 閃存器或DVD等的存儲介質(zhì)94。具體來講，通過來自該裝置控制部92的指令，進行氣體供給的開始、停止和流量控制、電磁波的功率控制、工藝溫度和工藝壓力的控制。其次，針對以上方式構(gòu)成的處理裝置2的動作進行說明。首先，通過對設(shè)置在裝載室68內(nèi)部的搬入搬出單元62即升降機64進行驅(qū)動，使升降臂64C下降，對處理容器4內(nèi)的保持單元42進行卸載，以如圖1中的點劃線所示的方式，使該保持單元42位于裝載室68 內(nèi)。在該裝載室68內(nèi)通過Ar氣體等的稀有氣體或N2氣體的惰性氣體或潔凈空氣變成預(yù)先規(guī)定的氣氛，例如大氣壓氣氛。當(dāng)如上述的方式對保持單元42進行卸載時，使關(guān)閉裝載室68的移載口 72的門 74成為打開狀態(tài)。于是，通過使用設(shè)置在移載口 72的外側(cè)的未圖示的搬送臂，使該搬送臂屈伸和在上下方向移動，使未處理的半導(dǎo)體基板W支撐在卸載完的保持單元42的各支柱 48A 48D的卡合槽50并進行移動(參照圖2)，使保持單元42對規(guī)定的枚數(shù)的半導(dǎo)體基板W進行支撐。該半導(dǎo)體基板W能夠使用例如圓板狀的硅基板。這樣，當(dāng)半導(dǎo)體基板W的移載完成時，關(guān)閉門74并且對裝載室68內(nèi)部進行密封。其次，通過驅(qū)動升降機64而使升降臂64C逐漸上升，通過由從處理容器4的下端的搬出搬入口 6向處理容器4內(nèi)導(dǎo)入對半導(dǎo)體基板W進行保持的保持單元42，裝載半導(dǎo)體基板W。當(dāng)保持單元42被完全搬入處理容器4內(nèi)時，處理容器4的下端的搬出搬入口 6由蓋體52氣密地封閉。這樣，當(dāng)完成向處理容器4內(nèi)裝載半導(dǎo)體基板W時，接著，對半導(dǎo)體基板W實施規(guī)定的處理。在此，例如以在真空氣氛下進行作為規(guī)定的處理的退火處理的情況為例進行說明。首先，通過設(shè)置在處理容器4的排氣單元32對處理容器4內(nèi)進行抽真空使之成為減壓氣氛，并且通過氣體導(dǎo)入單元22 —邊進行流量控制一邊向處理容器4內(nèi)導(dǎo)入Ar氣體等的稀有氣體或N2氣體的惰性氣體，通過壓力控制閥38將處理容器4內(nèi)維持在規(guī)定的工藝壓力。然后，使保持半導(dǎo)體基板W的保持單元42進行旋轉(zhuǎn)。另外，也可以使保持單元42不進行 旋轉(zhuǎn)，而是將其固定進行處理。這樣，在將處理容器4內(nèi)維持在真空氣氛的規(guī)定的工藝壓力的狀態(tài)下，通過使電磁波供給單元14進行動作，從電磁波發(fā)生源16產(chǎn)生例如28GHz的電磁波。該產(chǎn)生的電磁波在波導(dǎo)通道20內(nèi)傳導(dǎo)，到達設(shè)置在處理容器4的上端部的入射天線部18，由此，放射的電磁波透過石英制的透過板12從該天井一側(cè)導(dǎo)入處理容器4內(nèi)。該電磁波在由保持單元42 多層保持的半導(dǎo)體基板W之間進行多次反射，同時其一部分被半導(dǎo)體基板W吸收，通過電磁波加熱，對各半導(dǎo)體基板W的表面的溫度急速地進行加熱。另外，由金屬形成的處理容器4的內(nèi)表面和蓋體52的內(nèi)表面由于進行鏡面精加工，所以能夠有效地對導(dǎo)入的電磁波進行反射，其結(jié)果，盡管從處理容器4的頂部導(dǎo)入了電磁波，通過與半導(dǎo)體基板W之間的多次反射互相作用，能夠在處理容器4內(nèi)的全范圍均勻地傳播電磁波。因此，能夠使各半導(dǎo)體基板W的表面在面內(nèi)和面之間一起均勻地高速升溫，進行半導(dǎo)體基板的退火處理。因此，能夠大幅度地提高半導(dǎo)體基板W的處理產(chǎn)量。該情況下，在例如收容有十二枚半導(dǎo)體基板W的直徑是300mm的半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)中，上述半導(dǎo)體基板W的升溫速度例如是100°C /sec左右。在此，電磁波發(fā)生源16的輸出例如雖然是IOOkW左右，但是該輸出并不限定于此。另外，由于在處理容器4內(nèi)收容有多塊上述半導(dǎo)體基板W，所以處理容器4內(nèi)的負(fù)荷吸收容量相應(yīng)地變大，能夠抑制發(fā)生電磁波的過大的反射波。其結(jié)果，沒必要在電磁波供給單元14設(shè)置對過大的反射波的聯(lián)鎖功能， 相應(yīng)地能夠降低裝置成本。另外，如上所述，由于電磁波在處理容器4的內(nèi)表面反射，處理容器4自身的溫度幾乎不上升，能夠僅僅向半導(dǎo)體基板W投入電磁波的能量，因此，相應(yīng)地能夠提高能量效率。另外，由于支撐半導(dǎo)體基板W的保持單元42由透過電磁波的材料例如石英形成，所以該部分不吸收能量，因此，能夠進一步提高能量效率。這樣，當(dāng)規(guī)定時間的退火處理結(jié)束時，通過停止電磁波供給單元14的驅(qū)動，切斷電磁波的產(chǎn)生，向處理容器4內(nèi)導(dǎo)入惰性氣體，從而使處理容器4內(nèi)的氣氛恢復(fù)至大氣壓。 然后，當(dāng)處理容器4內(nèi)的壓力恢復(fù)至大氣壓程度時，通過驅(qū)動裝載室68內(nèi)的搬入搬出單元 62并使升降機64的升降臂64C向下方移動，從而使保持單元42從處理容器4內(nèi)開始下降， 向維持在大氣壓氣氛的裝載室68內(nèi)卸載該處理完畢的半導(dǎo)體基板W。然后，當(dāng)半導(dǎo)體基板 W的卸載結(jié)束時，打開門74，使用未圖示的搬送臂從保持單元42搬出多塊處理完畢的半導(dǎo)體基板W并進行移載。然后，接著向空的保持單元42移載多塊未處理的半導(dǎo)體基板W，再次重復(fù)進行上述的一系列的動作。這樣，采用本發(fā)明，能夠一次對多塊被處理體即半導(dǎo)體基板W進行處理，由此能夠提高產(chǎn)量，并且由于使處理容器4內(nèi)可吸收的負(fù)荷容量增大，能夠抑制產(chǎn)生過大的反射波， 因此可以不需要設(shè)置針對反射波的聯(lián)鎖功能。另外，如上述的方式在真空氣氛中進行退火處理的情況下，可以具有使裝載室68 內(nèi)的氣氛在真空氣氛和大氣壓氣氛之間進行切換的負(fù)載鎖定功能。在該情況下，在處理容器4的下端開口設(shè)置門閥，使該開口能夠氣密地關(guān)閉和開放，并且可以使蓋體52相對開放狀態(tài)的門閥的下面一側(cè)氣密地閉合和脫離。
該情況下，為了在裝載室68內(nèi)打開門74并相對保持單元42移動裝載半導(dǎo)體基板 W而使裝載室68內(nèi)是大氣壓時，使上述門閥是關(guān)閉狀態(tài)，維持處理容器4內(nèi)的真空氣氛，當(dāng)向處理容器4內(nèi)裝載半導(dǎo)體基板W時，在打開上述門閥之前對裝載室68內(nèi)的氣氛進行抽真空成為真空氣氛，在打開上述門閥并使載置有半導(dǎo)體基板W的保持單元42上升且進行裝載之后，通過蓋體52將處理容器4的下端的搬出搬入口 6氣密地關(guān)閉。然后，保持上述門閥維持為打開的狀態(tài)，進行退火處理。此后，在對處理完畢的半導(dǎo)體基板W進行卸載時，預(yù)先使裝載室68內(nèi)為真空氣氛， 在該狀態(tài)下使載置有半導(dǎo)體基板W的保持單元42下降，從處理容器4內(nèi)開始卸載，當(dāng)卸載結(jié)束時，關(guān)閉上述門閥并維持處理容器4內(nèi)的真空狀態(tài)。然后，在使裝載室68內(nèi)恢復(fù)至大氣壓之后，打開門74如上述的方式對保持單元42移載半導(dǎo)體基板W。該情況下，如上述的方式，使用真空泵作為對裝載室68內(nèi)的氣氛進行排氣的排氣單元90。另外，在上述實施方式中，雖然在真空氣氛中進行退火處理，但是并不限定于此， 也可以在大氣壓氣氛中(也包括接近大氣壓的氣氛)進行。在該情況下，裝載室68內(nèi)一直維持為大氣壓氣氛，并且，上述排氣單元90使用排氣扇。<電磁波加熱的吸收能量密度指數(shù)的頻率特性>其次，關(guān)于用于對相對半導(dǎo)體基板有效的電磁波頻率進行確認(rèn)的實驗結(jié)果進行說明。圖3是表示電磁波加熱的吸收能量密度指數(shù)的頻率特性的圖表，橫軸是頻率，縱軸是吸收能量密度指數(shù)(f · ε · tan δ )。在此，「f」是電磁波頻率，「ε」是半導(dǎo)體基板的相對介電常數(shù)，「tanS」是半導(dǎo)體基板的介電損耗因子。實驗中，使用硅基板作為半導(dǎo)體基板，改變雜質(zhì)的摻雜量，針對兩種電阻率的硅基板進行調(diào)查。圖表中的「Si+」表示0. 1 IOOQcm 的電阻率，「Si_」表示IXlO4 6X IO4 Ω cm的電阻率。根據(jù)圖3，在Si+的情況下，若頻率超過大約IOMHz并繼續(xù)變大，則吸收能量密度指數(shù)開始急劇上升，當(dāng)大約IGHz時變?yōu)榇笾嘛柡偷臓顟B(tài)。因此，在Si+的情況下，電磁波的頻率設(shè)置為IOMHz以上為佳，優(yōu)選是IOOMHz以上，更加優(yōu)選是成為飽和狀態(tài)的IGHz以上。 另外，該情況的頻率的上限大約是ΙΟΤΗζ，更加優(yōu)選是大約100GHz。若電磁波的頻率超過 IOTHz并繼續(xù)變大，則與基板的厚度相比，電磁波的浸透深度變得非常淺，并且在基板表面開始反射電磁波，由于加熱效率降低，故不佳。另外，在Si—的情況下，與Si+的情況相比，雖然吸收能量密度指數(shù)未見急劇變化， 頻率為IOMHz左右時吸收能量密度指數(shù)高至一定程度(100M)暫時為大致飽和，接著，當(dāng)頻率超過IOGHz后吸收能量密度指數(shù)開始急劇上升。因此，在Si_的情況下，電磁波的頻率設(shè)置為IOMHz以上為佳，優(yōu)選為IOGHz以上。另外，在Si—的情況下，頻率的上限與Si+的情況相同，為IOTHz左右，優(yōu)選為IOOGHz左右。在Si—的情況下，當(dāng)電磁波的頻率超過IOTHz并繼續(xù)變大時，則與基板的厚度相比，電磁波的浸透深度變得非常淺，并且在基板表面開始反射電磁波，由于加熱效率降低，故不佳。<第二實施方式>在圖1所示的第一實施方式的情況下，雖然在立式的處理容器4的上端部(頂部) 設(shè)置有電磁波導(dǎo)入口 8和透過板12，但是并不限定于此，也可以是圖4所示的結(jié)構(gòu)。圖4是表示本發(fā)明涉及的處理裝置的第二實施方式的一部分的截面結(jié)構(gòu)圖。另外，針對與圖1和圖2所示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分附加相同的參照標(biāo)記，省略重復(fù)說明。
在此，如圖4所示的方式，在處理容器4的側(cè)壁的高度方向的大致中央部分別設(shè)置有電磁波導(dǎo)入口 8和透過板12。而且，在該透過板12的外側(cè)設(shè)置具有入射天線部18等的電磁波供給單元14。即使在第二實施方式中，也可達到與前面說明過的第一實施方式相同的作用效果。<面內(nèi)溫度的均勻性和面間溫度的均勻性的評價>在此，針對為了調(diào)查上述第一和第二實施方式的半導(dǎo)體基板的熱處理的面內(nèi)溫度的均勻性和面之間溫度的均勻性而進行的實驗的結(jié)果進行說明。圖5是表示半導(dǎo)體基板的面內(nèi)溫度的均勻性的圖表，圖6是表示半導(dǎo)體基板的面之間溫度的均勻性的圖表。測定半導(dǎo)體基板的溫度是使用熱電偶(TC)，關(guān)于測定位置均在各圖中分別示意地表示。在圖5的情況中，在半導(dǎo)體基板的周邊部的四個點和中心的一個點分別設(shè)置熱電偶。在圖6的情況中，沿上下方向隔著間隔并列五枚半導(dǎo)體基板(晶片)，在其中內(nèi)側(cè)的三枚晶片的各自的中心部分別設(shè)置熱電偶。各熱電偶的測定溫度作為TC電路(ch)被記載。在此，半導(dǎo)體基板W使用直徑是200mm的硅基板，投入有^GHz的電磁波。另夕卜， 電磁波的投入功率在圖5的情況下是2kW，圖6的情況下是2kW。在圖5的情況中對一體的兩枚半導(dǎo)體基板進行加熱，在圖6的情況中對一體的五枚半導(dǎo)體基板進行加熱。在圖5的情況中，將處理容器4內(nèi)的工藝壓力設(shè)置定為大氣壓。在圖6的情況中，也將處理容器4內(nèi)的工藝壓力設(shè)置定為大氣壓。首先，關(guān)于面內(nèi)溫度的均勻性，如圖5所示，施加大約700seC的時間的上述電磁波并對該時刻的半導(dǎo)體基板的各部的溫度進行測定。該結(jié)果，在從施加電磁波開始經(jīng)過 200sec左右的時間時，各部分的溫度大致達到大約500度左右，之后，在經(jīng)過400sec左右的時間即使繼續(xù)施加電磁波，但各部分的溫度并未那樣上升，而是在525 550°C左右的范圍內(nèi)。即，由于半導(dǎo)體基板的面內(nèi)溫度在525 550°C左右的狹小的范圍內(nèi)，所有可以確認(rèn)能夠較高地維持面內(nèi)溫度的均勻性。其次，關(guān)于面間溫度的均勻性，如圖6所示，大致施加上述電磁波600seC的時間并對該時刻的三枚各半導(dǎo)體基板的各個中心部的溫度進行測定。其結(jié)果，半導(dǎo)體基板的溫度并未產(chǎn)生那樣的溫度差，而是被加熱至大致相同的溫度650°C前后，即使溫度高于600°C， 但半導(dǎo)體基板之間的溫度差最大也僅僅是20°C左右。因此，可以確認(rèn)能夠較高地維持面內(nèi)溫度的均勻性。<第三實施方式>以下，針對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。在前面的第一和第二實施方式中，雖然將處理容器4的長度方向沿著重力方向的方式設(shè)置，但是并不限定于此，也可以將處理容器4的長度方向沿著水平方向的方式設(shè)置的橫置的處理裝置。圖7是表示構(gòu)成這樣的本發(fā)明涉及的處理裝置的第三實施方式的結(jié)構(gòu)圖，圖8是表示保持單元的截面圖。另外，針對與圖1至圖4所示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分，附加相同的參照標(biāo)記，省略重復(fù)說明。在此，如圖7所示，金屬制的處理容器4是其長度方向沿著水平方向設(shè)置的橫置型。在處理容器4的壁的上部(周壁的上側(cè))的長度方向的大致中央部設(shè)置有電磁波導(dǎo)入口 8，該電磁波導(dǎo)入口 8通過透過板12氣密地閉塞。還有，在透過板12的外側(cè)設(shè)置有具備入射天線部18等的電磁波供給單元14。另外，在該處理容器4的壁的上部，在處理容器4的縱向的兩端側(cè)分別設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 24，該氣體導(dǎo)入口 24與氣體導(dǎo)入單元22的氣體通道26連接，能夠向處理容器4內(nèi)供給需要的氣體。另外，在處理容器4的縱向的一端設(shè)置有排氣口 34，該排氣口 34與排氣單元32的排氣通道36連接。即使在本實施方式中，也能夠根據(jù)處理時的工藝壓力將處理容器4內(nèi)設(shè)置為真空氣氛或大氣壓氣氛。 另外，對被處理體即半導(dǎo)體基板W進行保持的石英制的保持單元42沿著水平方向收容在處理容器4內(nèi)，圖1中的頂板44和底板46分別成為端面板44A、46A，在兩端面板 44A、46A之間也如圖8所示的方式架設(shè)有四根支柱48A 48D。而且，保持單元42通過在各支柱48A 48D上以規(guī)定的間距形成的卡合槽50，以使半導(dǎo)體基板W立起的狀態(tài)對各半導(dǎo)體基板W的周邊部進行支撐。該保持單元42的結(jié)構(gòu)并不僅是展示的一個例子，當(dāng)然也并不限定于此結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，保持單元42 —體設(shè)置在基臺100上。在基臺100設(shè)置有作為搬入搬出單元62的滑動件106，如后述的方式例如能夠使基臺100沿著處理容器4的底部滑行移動。另外，在處理容器4的縱向的另外一段設(shè)置有搬出搬入口 6。在該搬出搬入口 6安裝有作為起到與上述的第一實施方式的蓋體52相同的作用的閉鎖體的門閥102，由此，能夠氣密地堵塞或打開搬出搬入口 6。門閥102與對裝載室68進行分隔的筒體狀的分隔壁70連結(jié)。在門閥102的裝載室68的相對側(cè)的端部設(shè)置有作為門的外側(cè)門閥104，若打開門閥104，則能夠?qū)⒀b載室68 開放至大氣。具有上述滑行件106的基臺100，通過未圖示的驅(qū)動機構(gòu)能夠在上述處理容器 4和裝載室68內(nèi)往返移動，并且，在打開上述外側(cè)門閥104的狀態(tài)下，也能夠向裝載室68的外側(cè)滑行移動。在對裝載室68進行分隔的分隔壁70的上部(頂部)設(shè)置有氣體入口 78。該氣體入口 78與途中設(shè)置有的截流閥80氣體通道82連接，能夠向裝載室68內(nèi)供給惰性氣體等。在分隔壁70的底部設(shè)置有氣體出口 84。氣體出口 84與途中設(shè)置有截流閥88和排氣單元90的排氣通道86連接，能夠?qū)ρb載室68內(nèi)進行排氣。即使在本實施方式中，在將裝載室68內(nèi)總是維持在大氣壓程度的情況下，上述排氣單元90可以使用送風(fēng)扇，另外，在裝載室68具有能夠?qū)⒀b載室68內(nèi)選擇地設(shè)定在真空氣氛和大氣壓氣氛的負(fù)載鎖定功能的情況下，上述排氣單元90可以使用真空泵。這樣構(gòu)成的第三實施方式的動作基本與前面的第一和第二實施方式相同，能夠發(fā)揮與第一和第二實施方式相同的作用效果。具體來講，在相對保持單元42移載未處理的半導(dǎo)體基板W的情況和從保持單元42移載處理完畢的半導(dǎo)體基板W的情況下，使對裝載室68 進行密封的外側(cè)門閥104為打開狀態(tài)，以使載置有保持單元42的基臺100通過該打開狀態(tài)的門閥104并向載置室68的外側(cè)(圖7中的右側(cè)方向)滑行移動的狀態(tài)，使用未圖示的搬送臂相對保持單元42進行移載作業(yè)。然后，在對未處理的半導(dǎo)體基板W進行處理的情況下，通過使載置支撐有該未處理的半導(dǎo)體基板W的保持單元42的基臺100，先向載置室68內(nèi)滑行移動并關(guān)閉外側(cè)門閥 104，對載置室68內(nèi)進行密封。在此，當(dāng)在處理容器4內(nèi)進行處理時的工藝壓力大致是大氣壓氣氛時，并不進行壓力調(diào)整，使隔斷載置室68和處理容器4之間的門閥102是打開狀態(tài)， 并使基臺100進一步向處理容器4內(nèi)滑行移動。然后，在關(guān)閉該門閥102并使處理容器4 內(nèi)是密封狀態(tài)之后，以前面說明過的方式，在大氣壓氣氛中進行采用電磁波的退火處理。
對此，當(dāng)在處理容器4內(nèi)進行處理時的工藝壓力大致是真空氣氛時，將載置室68 內(nèi)的壓力設(shè)定為與從大氣壓氣氛減壓至真空氣氛、預(yù)先成為真空氣氛的處理容器4內(nèi)大致相同的壓力。然后，當(dāng)載置室68內(nèi)和處理容器4內(nèi)的壓力大致相同時，使隔斷兩者的門閥 102為打開狀態(tài)，并使裝載室68內(nèi)的上述基臺100進一步向處理容器4內(nèi)滑行移動。然后， 在關(guān)閉該門閥102并使處理容器4內(nèi)是密封狀態(tài)之后，以前面說明過的方式，在真空氣氛中進行采用電磁波的退火處理。而且，當(dāng)處理結(jié)束時，經(jīng)過與上述的情況相反的順序，在打開門閥102之后，使保持有處理完畢的半導(dǎo)體基板W的基臺100向維持在真空狀態(tài)的裝載室68 —側(cè)滑行移動并關(guān)閉門閥102。然后，在使該裝載室68內(nèi)的大氣壓恢復(fù)之后，如上述的方式打開外側(cè)門閥 104，為了進行移載，使基臺100向裝載室68的外側(cè)滑行移動。如上，即使在該第三實施方式的情況下，也能夠達到與前面的第一和第二實施方式相同的作用效果。另外，在該第三實施方式中，當(dāng)工藝壓力是真空氣氛時，雖然以維持處理容器4內(nèi)的壓力總是在真空氣氛并且裝載室68具有負(fù)載鎖定功能的情況為例進行了說明，但是并不限制于此，也可以將裝載室68內(nèi)總是維持在大氣壓，當(dāng)相對處理容器4進行裝載和卸載半導(dǎo)體基板W時，使處理容器4內(nèi)恢復(fù)至大氣壓氣氛，在工藝中對處理容器4內(nèi)進行抽真空，在真空氣氛中進行處理?！吹谒膶嵤┓绞健灯浯危槍Ρ景l(fā)明的第四實施方式進行說明。在前面的第一 第三實施方式中， 雖然半導(dǎo)體基板以直接暴露的狀態(tài)收容在處理容器4內(nèi)，但是并不限定于此，為了防止來自處理容器4的金屬污染等，可以在處理容器4內(nèi)設(shè)置將半導(dǎo)體基板包圍的內(nèi)側(cè)處理容器 (套管結(jié)構(gòu))。圖9是表示這樣的本發(fā)明涉及的處理裝置的第四實施方式的一部分的結(jié)構(gòu)圖，圖 10是對第四實施方式的內(nèi)側(cè)開閉蓋的部分進行表示的部分放大截面圖。另外，在圖9中， 針對與圖1、圖4和圖7所示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分附加相同的參照標(biāo)記，省略重復(fù)說明。如上所述，在該第四實施方式中的處理容器4內(nèi)設(shè)置有內(nèi)側(cè)處理容器110。若在水平方向截面觀看，處理容器4的側(cè)周壁和內(nèi)側(cè)處理容器110的側(cè)周壁配置為同心圓狀。具體來講，該內(nèi)側(cè)處理容器110形成為具有天井的圓筒狀，其一端(圖示例的下端)被開口。該內(nèi)側(cè)處理容器Iio的一體由透過電磁波的材料例如石英等的與透過板12 相同的材料形成。在處理容器4的下部側(cè)壁例如固定有形成為圓環(huán)狀的支撐臺112，在該支撐臺112上抵接圓筒體狀的內(nèi)側(cè)處理容器110的下端部，對內(nèi)側(cè)處理容器110的一體進行支撐。該支撐臺112由與處理容器4相同的金屬形成，通過焊接等固定在處理容器4的內(nèi)壁。在圓環(huán)狀的支撐臺112形成有沿上下方向貫通支撐臺112的多個通氣孔114，使該撐臺112的下方一側(cè)的空間與處理容器4和內(nèi)側(cè)處理容器110之間的空間連通。若保持單元42上升，則保持單元42收容到內(nèi)側(cè)處理容器110，變成由內(nèi)側(cè)處理容器110包圍。即使在本實施方式中，也與其他的實施方式相同，在處理容器4的縱向的兩端側(cè)分別設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 M并且這些氣體導(dǎo)入口 M與氣體通道沈連接，能夠向處理容器4 內(nèi)供給需要的氣體。該情況下，為了迅速地對內(nèi)側(cè)處理容器110內(nèi)供給氣體，優(yōu)選使兩個位于氣體導(dǎo)入口 M的內(nèi)部的下側(cè)的氣體導(dǎo)入口 M的安裝位置，位于上述支撐臺112的下方。在本 實施方式中，用于關(guān)閉內(nèi)側(cè)處理容器110的下端的開口的關(guān)閉體即內(nèi)側(cè)蓋 116與蓋體52設(shè)置為一體。具體來講，在蓋體52的上面中心部固定有中空圓筒狀的連結(jié)軸 118，在該連結(jié)軸118的上端部固定有圓板狀的內(nèi)側(cè)蓋116。當(dāng)保持單元42上升時，圓板狀的內(nèi)側(cè)蓋116的周邊部的上表面與上述環(huán)狀的支撐臺112的內(nèi)側(cè)的下表面接觸，對內(nèi)側(cè)處理容器110進行密封。而且，向上述中空圓筒狀的連結(jié)軸118內(nèi)插通有上述旋轉(zhuǎn)軸58，并且該旋轉(zhuǎn)軸58 通過磁流體密封56可旋轉(zhuǎn)地支撐在上述連結(jié)軸118，一邊維持上述處理容器4內(nèi)的氣密性， 一邊容許上述旋轉(zhuǎn)軸58的旋轉(zhuǎn)。在這樣構(gòu)成的第四實施方式中，若使保持單元42上升，向內(nèi)側(cè)處理容器110內(nèi)裝載由硅基板形成的半導(dǎo)體基板W，則該內(nèi)側(cè)處理容器110的下端的開口通過上述內(nèi)側(cè)蓋116 成為關(guān)閉的狀態(tài)。即，半導(dǎo)體基板W的一體，通過內(nèi)側(cè)處理容器110成為以密封狀態(tài)被覆蓋的狀態(tài)。而且，若在該狀態(tài)下施加電磁波，則該電磁波透過透過板12和內(nèi)側(cè)處理容器110 到達內(nèi)部的半導(dǎo)體基板W，與上述方式同樣地對該半導(dǎo)體基板W進行加熱，進行熱處理，產(chǎn)生與第一 第三實施方式相同的作用效果。還有，在該第四實施方式中，因為半導(dǎo)體基板W被由石英等形成的內(nèi)側(cè)處理容器 110覆蓋，所以即使產(chǎn)生具有來自位于其外側(cè)的金屬制的處理容器的金屬污染的問題，但能夠可靠地防止產(chǎn)生該金屬污染。另外，由于通過上述內(nèi)側(cè)處理容器110，能夠阻礙上述內(nèi)側(cè)處理容器110的內(nèi)側(cè)和外側(cè)之間的氣體的對流，對由于對流導(dǎo)致的傳熱進行抑制，所以能夠大幅度地提高加熱效率。特別是，當(dāng)在大氣壓或接近大氣壓的壓力下進行上述熱處理時，能夠使對來自對流的傳熱的抑制效果變得很大。另外，在此，雖然以適用于前面的第一實施方式的情況為例，針對第四實施方式的內(nèi)側(cè)處理容器110進行了說明，但是該第四實施方式的內(nèi)側(cè)處理容器110 也能夠適用于第二和第三實施方式。在上述的各實施方式中，半導(dǎo)體基板雖然是硅基板，但是并不限定于此，也能夠使用化合物半導(dǎo)體基板。該化合物半導(dǎo)體基板能夠使用從GaAS、InGaAS、Al203、SiC、GaN、AlN、 ZnO形成的組中選擇出的一個基板。另外，在此，對半導(dǎo)體基板的處理雖然是退火處理，但是并不限定于此，也能夠進行成膜處理、熱擴散處理、改質(zhì)處理等的各種熱處理。
權(quán)利要求
1.一種采用電磁波對被處理體實施熱處理的處理裝置，其特征在于，包括 具有規(guī)定長度的金屬制的處理容器；設(shè)置在所述處理容器的一端的搬出搬入口； 能夠關(guān)閉和打開所述搬出搬入口的關(guān)閉體；保持單元，其從所述搬出搬入口被搬出和搬入所述處理容器內(nèi)，對多塊所述被處理體隔著規(guī)定的間隔進行保持，并包括透過電磁波的材料； 向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入電磁波的電磁波供給單元； 向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入所需氣體的氣體導(dǎo)入單元；和對所述處理容器內(nèi)的氣氛進行排氣的排氣單元。
2.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于在形成所述處理容器的分隔壁形成有用于向所述處理容器內(nèi)導(dǎo)入所述電磁波的電磁波導(dǎo)入口，并且在所述電磁波導(dǎo)入口設(shè)置有包括透過所述電磁波的材料的透過板。
3.如權(quán)利要求2所述的處理裝置，其特征在于所述電磁波供給單元包括產(chǎn)生所述電磁波的電磁波發(fā)生源；設(shè)置在所述透過板的入射天線部；和將所述電磁波發(fā)生源與所述入射天線部連接的波導(dǎo)通道。
4.如權(quán)利要求3所述的處理裝置，其特征在于所述電磁波發(fā)生源產(chǎn)生的電磁波的頻率在IOMHz IOTHz的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的處理裝置，其特征在于 所述處理容器的內(nèi)表面被實施鏡面精加工。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的處理裝置，其特征在于 所述處理容器以其縱向沿著重力方向的方式設(shè)置。
7.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的處理裝置，其特征在于 所述處理容器以其縱向沿著水平方向的方式設(shè)置。
8.如權(quán)利要求1至7的任一項所述的處理裝置，其特征在于在所述處理容器的搬出搬入口一側(cè)連結(jié)有具有使所述保持單元相對于所述處理容器內(nèi)被搬入或搬出的搬入搬出單元的裝載室。
9.如權(quán)利要求8所述的處理裝置，其特征在于 所述裝載室是大氣壓氣氛。
10.如權(quán)利要求8所述的處理裝置，其特征在于所述裝載室構(gòu)成為能夠?qū)崿F(xiàn)選擇真空氣氛和大氣壓氣氛。
11.如權(quán)利要求1至10的任一項所述的處理裝置，其特征在于在所述金屬制的處理容器內(nèi)設(shè)置有由透過所述電磁波的材料形成的、將所述保持單元收容在內(nèi)部并且一端開口的內(nèi)側(cè)處理容器。
12.如權(quán)利要求11所述的處理裝置，其特征在于還具備內(nèi)側(cè)關(guān)閉體，其關(guān)閉和打開為了相對于所述內(nèi)側(cè)處理容器搬出搬入所述保持單元而設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)處理容器的開口，所述內(nèi)側(cè)關(guān)閉體與關(guān)閉和打開所述金屬制的處理容器的搬出搬入口的關(guān)閉體一體設(shè)置。
13.如權(quán)利要求1至12的任一項所述的處理裝置，其特征在于所述被處理體包括半導(dǎo)體基板。
全文摘要
本發(fā)明是一種采用電磁波對被處理體(W)進行熱處理的處理裝置(2)，包括具有規(guī)定長度的金屬制的處理容器(4)；設(shè)置在處理容器的一端的搬出搬入口(6)，能夠?qū)Π岢霭崛肟谶M行關(guān)閉和打開的關(guān)閉體(52，102)；從搬出搬入口被搬出和搬入處理容器內(nèi)，對多塊被處理體隔著規(guī)定的間隔進行保持，并且包括透過電磁波的材料的保持單元(42)；向處理容器內(nèi)導(dǎo)入電磁波的電磁波供給單元(14)，向處理容器內(nèi)導(dǎo)入所需氣體的氣體導(dǎo)入單元(22)和對處理容器內(nèi)的氣氛進行排氣的排氣單元(32)。
文檔編號H01L21/324GK102217049SQ20098014591
公開日2011年10月12日 申請日期2009年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月17日
發(fā)明者清水正裕 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社