專(zhuān)利名稱(chēng)：粘結(jié)膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝(7 U 7 f ” 実裝flip-chip mount)具有凸起的半導(dǎo)體芯片時(shí)使用的粘結(jié)膜。
背景技術(shù)：
在布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝具有凸起的半導(dǎo)體芯片時(shí)，需廣泛使用將導(dǎo)電性顆 粒分散于絕緣性的粘結(jié)劑組合物中而成的各向異性導(dǎo)電膜。作為這樣的導(dǎo)電性顆粒，使 用在樹(shù)脂核的表面形成有無(wú)電鍍層的物質(zhì)以使其在布線(xiàn)基板的連接墊片(接続〃7 K connection pad)和半導(dǎo)體芯片的凸起之間壓碎。不過(guò)，隨著安裝布線(xiàn)基板中布線(xiàn)的狹間距化，凸起也向窄面積化發(fā)展，故需要減小 各向異性導(dǎo)電粘結(jié)膜中使用的導(dǎo)電性顆粒的粒徑，出現(xiàn)了非常難于制造均一的小粒徑樹(shù)脂 顆粒的問(wèn)題。因此，如下進(jìn)行在布線(xiàn)基板和半導(dǎo)體芯片之間夾持非導(dǎo)電性粘結(jié)膜(NCF)， 使其壓碎而將半導(dǎo)體芯片的凸起與布線(xiàn)基板的連接墊片或凸起搭接，通過(guò)使非導(dǎo)電性粘結(jié) 膜固化而使兩者連接固定(NCF連接)。在NCF連接的情況下，為了提升非導(dǎo)電性粘結(jié)膜的連接可靠性，有提議為了調(diào)整 非導(dǎo)電性粘結(jié)膜的儲(chǔ)藏彈性率、線(xiàn)膨脹系數(shù)、熔融粘度等，在非導(dǎo)電性粘結(jié)膜中，相對(duì)于每 100體積份的樹(shù)脂固體成分摻混1 50體積份的粒徑0. 005 0. 1 μ m的硅微粒等的非導(dǎo) 電性填料(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1、0043-0044段)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2002-275444號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題但是，由于使用了摻混了硅微粒等填料的非導(dǎo)電性粘結(jié)膜，在布線(xiàn)基板上倒裝芯 片封裝具有凸起的半導(dǎo)體芯片時(shí)，會(huì)出現(xiàn)不能完全排除布線(xiàn)基板的連接墊片或凸起和半導(dǎo) 體芯片的凸起之間的硅微粒和粘結(jié)劑組合物的情況，在這樣的情況下，會(huì)發(fā)生布線(xiàn)基板和 半導(dǎo)體芯片之間不能取得導(dǎo)通的問(wèn)題。本發(fā)明的目的在于，通過(guò)使用摻混了硅微粒等填料的絕緣性粘結(jié)膜的NCF連接， 在布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝具有凸起的半導(dǎo)體芯片時(shí)，即使在不能完全排除布線(xiàn)基板的連 接墊片或凸起和半導(dǎo)體芯片的凸起之間的非導(dǎo)電性填料和絕緣性粘結(jié)劑組合物的情況下， 也能確保確實(shí)的導(dǎo)通。解決課題的手段本發(fā)明者們?yōu)榱烁牧糔CF連接用的非導(dǎo)電性粘結(jié)膜，不僅特別規(guī)定在粘結(jié)劑組合 物中應(yīng)摻混的填料的量，也使用粒徑比以往使用的粒徑(即，0. 005 ο. μπι)大得多的填 料，但是通過(guò)對(duì)這種填料的一部分進(jìn)行無(wú)電鍍處理，形成粒徑(1.5μπι以下)比使用以往的 樹(shù)脂核的各向異性導(dǎo)電連接用的導(dǎo)電性顆粒的粒徑(約5μπι)還要小得多的導(dǎo)電性顆粒， 將其在特定的比例下使用，從而發(fā)現(xiàn)能達(dá)成上述目的，完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明提供粘結(jié)膜，其為包含含有環(huán)氧化合物、固化劑和填料的粘結(jié)劑組合 物，用于在布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝具有凸起的半導(dǎo)體芯片的粘結(jié)膜，其特征在于，相對(duì)于環(huán)氧化物、固化劑和填料的總量，填料的含量為10 70質(zhì)量％，該填料含有平均粒徑為0. 5 1. 0 μ m的第1非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒和對(duì)平均粒徑為 0. 5 1. 0 μ m的第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒進(jìn)行無(wú)電鍍處理以使平均粒徑不超過(guò)1. 5 μ m而獲 得的導(dǎo)電性顆粒，填料的10 60質(zhì)量％為該導(dǎo)電性顆粒。此外，本發(fā)明提供經(jīng)由上述粘結(jié)膜而將具有凸起的半導(dǎo)體芯片連接固定在布線(xiàn)基 板上的連接結(jié)構(gòu)。發(fā)明效果本發(fā)明的粘結(jié)膜特別規(guī)定了摻混于粘結(jié)劑組合物中的填料量，但將作為填料的特 定粒徑的非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒和導(dǎo)電性顆粒以特定比例使用時(shí)，即使在不能完全排除在布線(xiàn) 基板的連接墊片或凸起和半導(dǎo)體芯片的凸起之間的填料和粘結(jié)劑樹(shù)脂的情況下，也能確保 確實(shí)的導(dǎo)通。附圖簡(jiǎn)述[

圖1]圖1為顯示了實(shí)施例1的粘結(jié)膜及比較例4的各向異性導(dǎo)電膜的相對(duì)介電 常數(shù)的測(cè)定結(jié)果的圖。[圖2]圖2為顯示了實(shí)施例1的使用粘結(jié)膜的情況下的短路的發(fā)生和相鄰端子間 距離之間的關(guān)系的圖。[圖3]圖3為顯示了比較例4的使用各向異性導(dǎo)電膜的情況下的短路的發(fā)生和相 鄰端子間距離之間的關(guān)系的圖。發(fā)明的最佳實(shí)施方式本發(fā)明是用于布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝具有凸起的半導(dǎo)體芯片的粘結(jié)膜，是使填 料分散于粘結(jié)劑組合物中膜化而獲得的物質(zhì)。此處，作為布線(xiàn)基板可以使用環(huán)氧玻璃鋼布 線(xiàn)基板、玻璃布線(xiàn)基板、柔性布線(xiàn)基板等的在半導(dǎo)體裝置中廣泛適用的布線(xiàn)基板，作為半導(dǎo) 體芯片可以使用集成電路芯片、發(fā)光二級(jí)管芯片等的在半導(dǎo)體裝置中廣泛適用的半導(dǎo)體芯 片。此外，粘結(jié)劑組合物含有加入作為成膜成分的環(huán)氧化合物及固化劑中的填料，顯示出熱 固化性。填料主要是為了降低粘結(jié)膜的線(xiàn)膨脹系數(shù)和吸水性而使用的，其含有第1非導(dǎo)電 性無(wú)機(jī)顆粒和對(duì)第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒進(jìn)行無(wú)電鍍處理而得到的導(dǎo)電性顆粒。作為第1非 導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒和第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒，可以使用NCF連接時(shí)使用的公知的用于非導(dǎo)電 性粘結(jié)膜中的填料，可舉例優(yōu)選硅微粒、氧化鋁顆粒、二氧化鈦顆粒等。其中，從比較廉價(jià)地 得到硬質(zhì)的固化物的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，使用硅微粒。需要說(shuō)明的是，第1非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒和第2 非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒可以相同，也可以不同。需說(shuō)明的是，本發(fā)明中的填料中，不含有通過(guò)對(duì) 有機(jī)樹(shù)脂核的表面進(jìn)行無(wú)電鍍處理來(lái)設(shè)置金屬層而得到的導(dǎo)電性顆粒。第1及第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒的平均粒徑分別為0.5 Ι.Ομπι，優(yōu)選0.5 0. 8 μ m。若不足0. 5 μ m，則進(jìn)行半導(dǎo)體的封裝時(shí)，含有的大粒徑填料破壞保護(hù)半導(dǎo)體電路面 的保護(hù)膜而引發(fā)不良狀況，尤其在導(dǎo)電性顆粒的情況下這是發(fā)生絕緣性劣化的原因，另一 方面，若超過(guò)ι. ο μ m則引起絕緣特性的惡化。在此，“平均粒徑”為使用激光衍射法測(cè)定的
此外，第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒，可以通過(guò)公知的無(wú)電鍍處理在表面形成無(wú)電鍍層， 作為賦予了導(dǎo)電性的導(dǎo)電性顆粒使用。因此即使在不能完全排除布線(xiàn)基板的連接墊片或凸 起和半導(dǎo)體芯片的凸起之間的填料和粘結(jié)劑組合物的情況下，也能確保確實(shí)的導(dǎo)通。作為 無(wú)電鍍層，可以使用現(xiàn)有的各向異性導(dǎo)電性顆粒的無(wú)電鍍層，優(yōu)選使用例如，包含金、鎳、鎳 /金或焊劑等的無(wú)電鍍層。但是，使導(dǎo)電性顆粒的平均粒徑不超過(guò)1. 5 μ m，優(yōu)選1. Ιμπι以 下。這是因?yàn)槿舫^(guò)1. 5 μ m則難于確保相鄰端子間的絕緣性。此外，若導(dǎo)電性顆粒的平均粒徑比第1該非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒的平均粒徑小得過(guò) 多，則將半導(dǎo)體的凸起和布線(xiàn)基板的電極之間導(dǎo)通的效力變小，若大得過(guò)多則相鄰端子間 的絕緣性劣化，故優(yōu)選前者的粒徑為后者的1. 0 2. 0倍，更優(yōu)選1. 0 1. 5倍。填料中的上述導(dǎo)電性顆粒的含有比例為10 60質(zhì)量％，優(yōu)選30 50質(zhì)量％。這 是因?yàn)槿舨蛔?0質(zhì)量％則初期導(dǎo)通性顯著降低，若超過(guò)60質(zhì)量％則引起絕緣性顯著降低。在本發(fā)明的粘結(jié)膜中，相對(duì)于相當(dāng)于粘結(jié)劑組合物的全部固體成分的環(huán)氧化合 物、固化劑和填料的總量，包含第1及第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒的填料的含量為10 70質(zhì) 量％，優(yōu)選40 60質(zhì)量％，更優(yōu)選50 60質(zhì)量％。這是因?yàn)槿舨蛔?0質(zhì)量％則連接結(jié) 構(gòu)的壽命特性下降，若超過(guò)70質(zhì)量％則膜成形困難。如前所述，構(gòu)成本發(fā)明的粘結(jié)膜的粘結(jié)劑組合物包含作為成膜成分的環(huán)氧化合物 和其固化劑。作為環(huán)氧化合物，可優(yōu)選列舉分子內(nèi)有2個(gè)以上的環(huán)氧基的化合物或樹(shù)脂。其可 以為液態(tài)，也可以為固態(tài)。作為這樣的環(huán)氧化物化合物，可示例如雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂和雙酚 F型環(huán)氧樹(shù)脂等的雙官能環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂(phenol novolac epoxy resin) 和甲酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂(cresol novolac epoxy resin)等的酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂等。此外，也 可使用3，4_環(huán)氧基環(huán)己烯基甲基_3’，4’ -環(huán)氧基環(huán)己烯羧酸酯等的脂環(huán)式環(huán)氧化合物。在粘結(jié)劑組合物中，可以合用與環(huán)氧化合物相容(相溶t 3 compatible)的苯氧 基樹(shù)脂及丙烯酸樹(shù)脂。作為構(gòu)成本發(fā)明的粘結(jié)膜的固化劑，可以使用在現(xiàn)有的各向異性導(dǎo)電膜中使用的 環(huán)氧化合物用固化劑，可列舉例如胺類(lèi)固化劑、咪唑類(lèi)固化劑、酸酐類(lèi)固化劑等。固化劑可 具有潛在性。在粘結(jié)劑組合物中，根據(jù)需要可摻混公知的固化促進(jìn)劑、偶合劑、金屬捕集劑等。本發(fā)明的粘結(jié)膜可以依常法制造。可以在環(huán)氧化合物中將填料和甲苯、乙酸乙酯 等的溶劑共同混合均勻，將得到的混合物涂布于剝離膜上以形成規(guī)定的干燥膜厚，干燥，從 而制得。本發(fā)明的粘結(jié)膜，可優(yōu)選適用作為在布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝具有凸起的半導(dǎo)體 芯片時(shí)使用的粘結(jié)膜。故，對(duì)于經(jīng)由本發(fā)明的粘結(jié)膜將具有凸起的半導(dǎo)體芯片連接固定在 布線(xiàn)基板上的連接結(jié)構(gòu)，即使在不能完全排除布線(xiàn)基板的連接墊片或凸起和半導(dǎo)體芯片的 凸起之間的粘結(jié)劑樹(shù)脂的情況下，通過(guò)此導(dǎo)電性顆粒也能確保確實(shí)的導(dǎo)通。此連接結(jié)構(gòu)可 以通過(guò)將粘結(jié)膜暫時(shí)貼在布線(xiàn)基板的連接墊片或凸起上，在其上安裝具有凸起的半導(dǎo)體芯 片，使其凸起面成為布線(xiàn)基板側(cè)地進(jìn)行載置，并通過(guò)加熱加壓來(lái)連接固定而進(jìn)行制造。實(shí)施例以下使用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體地說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，以下的實(shí)施例或比較例中使用的評(píng)價(jià)用的布線(xiàn)基板是在表面形成 有實(shí)施了鎳/金電鍍的厚12 μ m的銅布線(xiàn)，0. 6mm厚X 35mm寬X 35mm長(zhǎng)大小的環(huán)氧玻璃 鋼布線(xiàn)基板。此外，評(píng)價(jià)用的半導(dǎo)體芯片為設(shè)有金球凸點(diǎn)(544針、50μπι間距)的0.4mm 厚X 7. 3mm寬X 7. 3mm長(zhǎng)大小的氧化硅芯片。參考例1 (非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒核的導(dǎo)電性顆粒的制造)對(duì)于平均粒徑0. 5 μ m的硅顆粒(球形二氧化硅，Tokuyama社)，使用無(wú)電鍍鎳溶 液進(jìn)行無(wú)電鍍鎳處理。對(duì)于通過(guò)無(wú)電鍍鎳處理而得到的顆粒，進(jìn)一步使用無(wú)電鍍金溶液實(shí) 施無(wú)電鍍金處理，從而得到平均粒徑0. 6 μ m的導(dǎo)電性顆粒。參考例2 (非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒核的導(dǎo)電性顆粒的制造)除了使用粒徑LOym的硅微粒(球形二氧化硅，Tokuyama社)代替平均粒徑 0. 5 μ m的硅微粒以外，和參考例1 一樣地處理得到平均粒徑l.lym的導(dǎo)電性顆粒。參考例3 (非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒核的導(dǎo)電性顆粒的制造)除了使用粒徑3. 5μπι的硅微粒(Hipresica，宇部日東化成社)代替平均粒徑 0. 5 μ m的硅微粒以外，和參考例1 一樣地處理得到平均粒徑3. 6 μ m的導(dǎo)電性顆粒。比較例1(粘結(jié)膜的制造)將環(huán)氧樹(shù)脂(Epocoat828，JapanEpoxy Resins Co.，Ltd) 50 份重量和潛在性固 化劑(HX3941HP，旭化成化學(xué)社)100份重量和平均粒徑0. 5 μ m的硅微粒(球形二氧化硅， Tokuyama社)50份重量的混合物溶解、分散于甲苯中以使固體成分為50質(zhì)量％，形成熱固 化型粘結(jié)組合物，并將此粘結(jié)組合物涂布于經(jīng)剝離處理的50 μ m厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯 (PET)膜(S印arator，Tohcello Co.，Ltd)上以使干燥厚為40 μ m，于80°C下干燥，由此制 成熱固化型的比較例1的粘結(jié)膜。實(shí)施例1將環(huán)氧樹(shù)脂(Epocoat828，JapanEpoxy Resins Co.，Ltd) 50 份重量和潛在性固 化劑(HX3941HP，旭化成化學(xué)社)100份重量和平均粒徑0. 5 μ m的硅微粒(球形二氧化硅， Tokuyama社)45份重量和參考例1的導(dǎo)電性顆粒5份質(zhì)量的混合物，溶解、分散于甲苯中以 使固體成分為50質(zhì)量％，從而形成熱固化型粘結(jié)組合物，并將此粘結(jié)組合物涂布于經(jīng)剝離 處理的50 μ m厚的PET膜(S印arator JohcelIo Co. ,Ltd)上以使干燥厚為40 μ m，于80°C 下干燥，由此制成熱固化型的實(shí)施例1的粘結(jié)膜。相對(duì)于全部固體成分(環(huán)氧樹(shù)脂、固化劑 和填料的總合)，填料的含量為25質(zhì)量％。實(shí)施例2除了將平均粒徑0. 5 μ m的硅微粒45份質(zhì)重量改為25份重量，將導(dǎo)電性顆粒改為 25份重量以外，和實(shí)施例1 一樣地處理，制成熱固化型的實(shí)施例2的粘結(jié)膜。比較例2除了將平均粒徑0. 5 μ m的硅微粒45份重量改為5份重量，并將參考例1的導(dǎo)電 性顆粒5份重量改為45份重量以外，和實(shí)施例1 一樣地處理，制成熱固化型的比較例2的 粘結(jié)膜。實(shí)施例3
除了將平均粒徑0. 5 μ m的硅微粒45份重量改為25份重量，并使用參考例2的導(dǎo) 電性顆粒25份重量替代參考例1的導(dǎo)電性顆粒5份重量以外，和實(shí)施例1 一樣地處理，制 成熱固化型的實(shí)施例3的粘結(jié)膜。比較例3除了使用平均粒徑3. 5 μ m的硅顆粒(Hipresica、宇部日東化成社)代替平均粒徑 0. 5 μ m的硅微粒，使用參考例3的導(dǎo)電性顆粒代替參考例2的導(dǎo)電性顆粒以外，和實(shí)施例3 一樣地處理，制成熱固化型的比較例3的粘結(jié)膜。比較例4不使用平均粒徑0. 5 μ m的硅微粒，且使用在有機(jī)顆粒核表面實(shí)施了無(wú)電鍍鎳/金 的平均粒徑4. 0 μ m的導(dǎo)電性顆粒(Bright，日本化學(xué)社)10份重量來(lái)代替參考例1的導(dǎo)電 性顆粒5份重量以外，和實(shí)施例1 一樣地處理，制成熱固化型的比較例4的各向異性導(dǎo)電膜。比較例5除使用在有機(jī)顆粒核表面實(shí)施了無(wú)電鍍鎳/金的平均粒徑4. 0 μ m的導(dǎo)電性顆粒 (Bright,日本化學(xué)社)來(lái)代替參考例1的導(dǎo)電性顆粒以外，和實(shí)施例1 一樣地處理，制成熱 固化型的比較例5的各向異性導(dǎo)電膜。實(shí)施例4除將硅微粒45份重量改為75份重量，導(dǎo)電性顆粒5份重量改為75份重量以外， 和實(shí)施例1 一樣地處理，制成熱固化型的實(shí)施例4的各向異性導(dǎo)電膜。在本實(shí)施例中，相對(duì) 于相當(dāng)于粘結(jié)劑組合物的全部固體成分的環(huán)氧化合物、固化劑和填料的總量，填料的含量 為50質(zhì)量％。實(shí)施例5除將硅微粒45份重量改為175份重量，導(dǎo)電性顆粒5份重量改為175份重量以外， 和實(shí)施例1 一樣地處理，制成熱固化型的實(shí)施例5的各向異性導(dǎo)電膜。在本實(shí)施例中，相對(duì) 于相當(dāng)于粘結(jié)劑組合物的全部固體成分的環(huán)氧化合物、固化劑和填料的總量，填料的含量 為70質(zhì)量％。(評(píng)價(jià)1)分別將各實(shí)施例及比較例的粘結(jié)膜及各向異性導(dǎo)電膜暫時(shí)貼在評(píng)價(jià)用的布線(xiàn)基 板的電極墊片上，除去剝離膜后，在其上將評(píng)價(jià)用的半導(dǎo)體芯片從其凸起面上載置，于溫度 180°C、壓力2. 5Mpa下對(duì)半導(dǎo)體芯片加熱加壓20秒，從而制成導(dǎo)通電阻測(cè)定用的連接結(jié)構(gòu)樣品。對(duì)于所得到的連接結(jié)構(gòu)樣品，測(cè)定初期的導(dǎo)通電阻值(Ω)(順序鏈電阻值(〒4 夕一f工一 >抵抗值daisy chain resistance) (136電極連接電阻+布線(xiàn)電阻)和絕緣 電阻值(Ω)(順序鏈布線(xiàn)間絕緣電阻值(Ω)(不足136電極間的最小值IO8 Ω則判斷為短 路)。隨后，將前述樣品進(jìn)行PCT試驗(yàn)(條件于121°C、飽和水蒸氣壓的室中放置M小時(shí)) 作為導(dǎo)通可靠性試驗(yàn)，測(cè)定導(dǎo)通電阻值，此外，作為綜合評(píng)價(jià)，未發(fā)生斷路和短路的情況評(píng) 價(jià)為“良好”，發(fā)生至少任一種的場(chǎng)合評(píng)價(jià)為“不良”。得到的結(jié)果如表1所示。[表 1]
權(quán)利要求
1.粘結(jié)膜，其為包含含有環(huán)氧化合物、固化劑和填料的粘結(jié)劑組合物，用于在布線(xiàn)基板 上倒裝芯片封裝具有凸起的半導(dǎo)體芯片的粘結(jié)膜，其特征在于，相對(duì)于環(huán)氧化物、固化劑和填料的總量，填料的含量為10 70質(zhì)量％， 該填料含有平均粒徑為0. 5 1. 0 μ m的第1非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒和對(duì)平均粒徑為0. 5 1. 0 μ m的第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒進(jìn)行無(wú)電鍍處理以使平均粒徑不超過(guò)1. 5 μ m而獲得的導(dǎo) 電性顆粒，填料的10 60質(zhì)量％為該導(dǎo)電性顆粒。
2.權(quán)利要求1的粘結(jié)膜，其中，第1及第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒為硅微粒、氧化鋁顆?；蚨趸侇w粒。
3.權(quán)利要求1或2的粘結(jié)膜，其中，所述第1及第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒具有0.5 0. 8 μ m的平均粒徑。
4.權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)的粘結(jié)膜，其中，所述導(dǎo)電性顆粒的粒徑為1.Iym以下。
5.權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)的粘結(jié)膜，其中，所述導(dǎo)電性顆粒的平均粒徑為所述第1非 導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒的平均粒徑的1. 0 2. 0倍。
6.權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)的粘結(jié)膜，其中，所述無(wú)電鍍處理的金屬種類(lèi)為金、鎳、鎳/ 金或焊劑。
7.連接結(jié)構(gòu)，其是具有凸起的半導(dǎo)體芯片經(jīng)由權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)的粘結(jié)膜在布 線(xiàn)基板上連接固定而形成的。
8.權(quán)利要求7的連接結(jié)構(gòu)，其將半導(dǎo)體芯片的凸起和布線(xiàn)基板的凸起連接。
全文摘要
在使用含有非導(dǎo)電性填料的粘結(jié)膜向布線(xiàn)基板上倒裝芯片封裝半導(dǎo)體芯片時(shí)，即使在不能從兩者之間完全排除填料和粘結(jié)劑組合物的情況下，也能確保確實(shí)的導(dǎo)通的粘結(jié)膜包含含有環(huán)氧化合物、固化劑和填料的粘結(jié)劑組合物。相對(duì)于環(huán)氧化合物、固化劑和填料的總量，填料的含量為10～70質(zhì)量％。填料含有平均粒徑為0.5～1.0μm的第1非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒和對(duì)平均粒徑為0.5～1.0μm的第2非導(dǎo)電性無(wú)機(jī)顆粒進(jìn)行無(wú)電鍍處理而使平均粒徑不超過(guò)1.5μm而獲得的導(dǎo)電性顆粒，填料的10～60質(zhì)量％為該導(dǎo)電性顆粒。
文檔編號(hào)H01L21/60GK102047401SQ20098012023
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月28日
發(fā)明者須賀保博 申請(qǐng)人:索尼化學(xué)&信息部件株式會(huì)社