專利名稱：夾有金屬納米粒子層的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種夾有金屬納米粒子層的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
使用ITO膜andium Tin Oxide膜)作為透明導(dǎo)電膜已為公眾所知。ITO膜是將 濺射粒子加熱到200°C以上、在表面引起擴(kuò)散并形成結(jié)晶層并使電阻率在2. 5X ΙΟ"4 Ω · cm 以下而制得。但是，為了獲得結(jié)晶層必須要提高基板溫度，基板溫度若提高在成膜時(shí)就不易 得不到低電阻率值。并且，因?yàn)镮TO膜中使用的銦金屬是稀有金屬，所以氧化鋅有望作為ITO膜的替代 金屬。但是，難以得到低電阻率的氧化鋅膜，且氧化鋅膜雖然透明但是不能作為透明導(dǎo)電膜 使用。因此，人們又在開發(fā)一種在氧化鋅里摻雜Al粒子的方法，但是仍然不能得到很低的 電阻率值。在特開2000-U9464號公報(bào)中公開了一種在兩個(gè)電解質(zhì)基體的涂膜之間包含金 屬層、基于在金屬層接觸的氧化鋅形成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。文中描述該薄膜疊層結(jié)構(gòu)具有紅 外線反射特性，作為金屬層Ag是有利的選擇。在其實(shí)施例中，使用了摻雜Al的&10，透過 率為72% ；但是，其金屬層不是金屬納米粒子層，且未提及薄膜疊層結(jié)構(gòu)的電阻率，因此不 清楚是否能利用該薄膜疊層結(jié)構(gòu)作為導(dǎo)電膜，該薄膜疊層結(jié)構(gòu)的構(gòu)造還存在有待改進(jìn)的地 方。在特開2006-2064M號公報(bào)中公開了一種在透明基板上疊壓有電解質(zhì)和金屬層 (例如，Ag層)的2η層以上1)的低反射率透明疊層結(jié)構(gòu)。在其實(shí)施例中闡述了作為 透明基板的玻璃板上疊壓有作為誘電體層的ZnO層、在ZnO層上的作為金屬層的Ag層以及 在Ag層上作為誘電體層的ZnO層，是一種低反射率的透明疊層結(jié)構(gòu)。據(jù)說根據(jù)該透明疊層 結(jié)構(gòu)，可得到良好的太陽輻射屏蔽性及高隔熱性。但是，實(shí)施例中以ZnO中包含2%的Al為 目標(biāo)，作為在SiO中摻雜Al的AZO膜的疊層結(jié)構(gòu)，沒有ZnO膜在低至室溫的溫度下構(gòu)成疊 層結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，也沒有Ag層的詳細(xì)描述；根據(jù)等離子體的可見光透過率曲線，由于不能 確認(rèn)效果，Ag層不是金屬納米層，所以Ag膜的構(gòu)造有待改進(jìn)。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1特開2000-129464號公報(bào)(第7頁、圖1)專利文獻(xiàn)2特開2006-2064 號公報(bào)(第9頁、圖3)

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的是用SiO作為稀有金屬銦的替代金屬，以得到低電阻率及 良好透明性的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。發(fā)明人實(shí)現(xiàn)上述目的的方法如下1、一種薄膜疊層結(jié)構(gòu)，在基板上依次疊放ZnO薄膜層、金屬納米粒子層、ZnO薄膜層，所述金屬納米粒子層由選自Ag、Al、Cu、Au、Ni、Pd、Pt、ai、Cd中一個(gè)以上的金屬粒子結(jié) 晶生長后相互連接形成的納米層構(gòu)成。2、前述金屬納米粒子至少包含Ag納米粒子。3、前述1或2的薄膜疊層結(jié)構(gòu)中的所述金屬納米粒子層的厚度是5nm lOOnm。4、前述1或2或3的薄膜疊層結(jié)構(gòu)中的所述ZnO薄膜層和所述金屬納米粒子層通 過直流磁控濺射方法在室溫下成膜。5、前述1、2、3或4的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，所述基板的材料是玻璃、陶瓷、熱可塑性樹脂 或熱固性樹脂。6、前述1、2、3或4的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，所述基板是透明玻璃時(shí)，所述薄膜疊層結(jié)構(gòu)的 電阻率在8.0Χ10_4Ω ^m以下且含有紫外線波長的可見光透過率在70%以上。作為基板， 可選用(1)陶瓷膜(特別是透明的陶瓷膜)等的無機(jī)板；(2)ΡΡ(聚丙烯)、ΡΕ(聚乙烯)、 PS (聚苯乙烯)、PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PPE (聚苯醚)、 PA(尼龍/聚酰胺)、PC(聚碳酸酯)等的熱可塑性樹脂；(3)PF(酚醛樹脂)、MF(三聚氰 胺)等的熱固性樹脂。使用透明且電阻率低的熱可塑性樹脂膜或板材薄膜作為基板，可用 于PDP、太陽能、液晶觸摸屏的電極，進(jìn)一步地可用于液晶的電磁波屏蔽。作為本實(shí)用新型構(gòu)成要素的ZnO薄膜層、金屬納米粒子層的透明性良好，有望用 于對透明性有要求的、使用具有透明性的基板的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，但是，例如在紫外激光、板 二極管中使用的基則對透明性沒有必須具備的要求。金屬納米粒子層的納米金屬粒子是Ag、Al、Cu、Au等低電阻的單一組份金屬粒子、 或者是它們的組合物。由于表面容易發(fā)生等離子體現(xiàn)象，最好是使用Ag或者Ag與其他低 電阻金屬的組合物。金屬納米粒子層最好是金屬納米粒子電氣連接形成的。金屬納米粒子層的厚度除能確保低電阻率和透明性外沒有特別的限定，但實(shí)際操 作中厚度一般為5nm lOOnm，較好5nm 50nm，更好是IOnm 30nm。在上述金屬納米粒子層 的厚度范圍內(nèi)，形成連接的金屬納米粒子層的金屬納米粒子的形狀和大小沒有特別的限制。本實(shí)用新型的夾有金屬納米粒子層的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，在基板上依次疊壓SiO/金 屬納米粒子層/ZnO。該薄膜疊層結(jié)構(gòu)是在基板上設(shè)有的ZnO薄膜層上形成金屬納米粒子層 后，再在金屬納米粒子層上設(shè)一個(gè)ZnO薄膜層而得到的。雖然采用直流磁控濺射方法作為 成膜成層方法較好，但對使用其他方法沒有限制。在直流磁控濺射方法中如果采用傾斜相對配置的濺射靶則通過濺射粒子和Ar能 夠降低在基板上成膜的ZnO薄膜和金屬納米粒子層的損傷。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)利用在真空中通過磁場控制的濺射法，使基板上的電 介質(zhì)ZnO薄膜層在室溫下成膜、待金屬納米粒子層在ZnO薄膜層上結(jié)晶生長后、再在金屬納 米粒子層上疊壓一個(gè)ZnO薄膜層。通過在ZnO薄膜層上形成金屬納米粒子層，盡管使用了 ZnO薄膜層但得到了電阻率低、透明性高的ZnO薄膜層/金屬納米粒子層/ZnO薄膜層組成 的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)因金屬粒子產(chǎn)生等離子體而具有透過率好的特征。表 面等離子體現(xiàn)象是一種光照射到金屬表面則在金屬表面約50nm以下的表面層上產(chǎn)生光的 物理現(xiàn)象。[0026]本實(shí)用新型的在透明的兩個(gè)ZnO膜之間夾有由相互連接的金屬納米粒子組成的 金屬納米粒子層的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的表面等離子現(xiàn)象，經(jīng)發(fā)現(xiàn)是光的吸收和散射兩個(gè)因素造 成的。如果在ZnO膜表面上沉積金屬納米粒子層，由于金屬納米粒子層的構(gòu)造，發(fā)現(xiàn)在約 540nm波長附近表面等離子現(xiàn)象加強(qiáng)，擴(kuò)大了實(shí)際中能使用的光線波長范圍，并且提高了增 大可見光透過率的效果。金屬納米粒子層對可見光的散射具有較強(qiáng)的影響作用。金屬(例 如Ag)納米粒子的結(jié)晶生長的形態(tài)對減少電阻率和確保透明性也有影響作用。除基板外薄膜疊層結(jié)構(gòu)的整體膜厚沒有特別的限制，但較好是45nm 225nm，更 好是45nm llOnm。單個(gè)ZnO膜的膜厚若超過IlOnm則需要大量的成膜時(shí)間，且透明性變 差，不利于生產(chǎn)。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的ZnO薄膜層應(yīng)保持表面凹凸的最大差值在IOnm以 下、較好在5nm以下的平滑性。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)對平滑性的要求使其主要可用 于透明導(dǎo)電膜電極和/或光伏電極、甚至電磁波屏蔽用的基板。在兩個(gè)電介質(zhì)ZnO膜之間夾有金屬納米粒子層的本實(shí)用新型的由SiO/金屬納 米粒子層/ZnO組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其電阻率在8. OX 10_4Ω · cm以下、根據(jù)條件還可在 9.0Χ10_5Ω · cm以下，并且包含紫外光波長的可見光的透過率在70%以上、根據(jù)條件還可 在80%以上，具有高透明性。根據(jù)本實(shí)用新型擴(kuò)大透明導(dǎo)電膜ZnO薄膜的用途成為可能。即使基板溫度為室溫，本實(shí)用新型也能制造由在兩個(gè)ZnO層之間夾有金屬納米粒 子層的構(gòu)造體組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)可用作透明導(dǎo)電膜、光伏 電極、電磁波屏蔽材料等。

圖1是實(shí)施例的夾有金屬納米粒子層的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖2是制造實(shí)施例1的薄膜疊層結(jié)構(gòu)時(shí)使用的傾斜相對靶向型直流磁控濺射裝置 的示意圖；圖3是實(shí)施例1的SiO/Ag/ZnO組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)中ZnO膜表面上沉積的Ag納 米粒子層的電子顯微鏡圖；圖4是實(shí)施例1的SiO/Ag/ZnO的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的可見光透過率曲線；圖5是實(shí)施例1的ZnO/Ag/SiO的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的電阻率-Ag沉積時(shí)間曲線；圖6是實(shí)施例2的SiO/Al (Ag+Al) /ZnO的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的可見光透過率曲線；圖7是實(shí)施例3的SiO/Cu/ZnO薄膜疊層結(jié)構(gòu)的可見光透過率曲線。符號說明1基板；2ZnO薄膜層；3金屬納米粒子層；4ZnO薄膜層；Tl濺射靶T2濺射靶T3濺射靶T4濺射靶
具體實(shí)施方式
以下對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)說明。
5[0045]本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)如圖1所示?；?的表面上有ZnO薄膜層2，在ZnO 薄膜層2上面有金屬納米粒子層3以及在金屬納米粒子層上的ZnO薄膜層4。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)可用圖2所示的傾斜相對靶向型直流磁控濺射裝置 來制造。由于濺射靶相對基板以45度角設(shè)置，打開快門使基板一邊旋轉(zhuǎn)一邊進(jìn)行涂膜時(shí)， 能降低濺射粒子到達(dá)基板時(shí)引起的aio薄膜的損傷。正因如此，如果使用該裝置，也能降低 涂膜時(shí)的基板溫度，即室溫下就可進(jìn)行涂膜操作。通過在制備的ZnO薄膜表面上沉積金屬 納米粒子層并進(jìn)一步在金屬納米粒子層上使ZnO薄膜層成膜，可獲得低電阻率且導(dǎo)電性佳 的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。這時(shí)，使金屬納米粒子層固著在基板上無需加熱短時(shí)間內(nèi)即可成膜。本傾斜相對靶向型直流磁控濺射裝置能同時(shí)設(shè)置4個(gè)濺射靶。濺射中氧化物濺射 靶(aio)及金屬濺射靶都可使用?？梢酝瑫r(shí)設(shè)置作為濺射靶ι的金屬1、作為濺射靶2的金 屬2、作為濺射靶3的金屬3以及作為濺射靶4的金屬4的純金屬。對于為得到導(dǎo)電性良好 的薄膜疊層結(jié)構(gòu)來說，應(yīng)使用低電阻的金屬。對于ZnO薄膜層的成膜，應(yīng)在濺射靶1上設(shè)置純Si (99. 99%)、作為濺射氣體應(yīng) 使用氧氣和氬氣的混合氣體。此時(shí)，腔內(nèi)的壓力最好控制在6. OXKr1I3a 7. OXKr1Pat5 在金屬納米粒子層的涂膜過程中，對于金屬納米粒子單體的沉積，在濺射靶3上應(yīng)設(shè)置純 Ag (99. 99% )、純 Al (99. 99% )、純 Cu (99. 99% )或者純 Au (99. 99% )中任一種。兩種金屬納米粒子隨機(jī)分布得到金屬納米粒子層時(shí)，例如濺射靶2上設(shè)置 純Al (99. 99 % )、純Cu(99. 99 % )或者純Au(99. 99 % )的任一種、濺射靶3上設(shè)置純 Ag(99. 99% )較好。三種金屬納米粒子隨機(jī)分布得到金屬納米粒子層時(shí)，例如濺射靶2上 設(shè)置純Cu (99. 99 % )或者純Au (99. 99 % )、濺射靶3上設(shè)置純Ag (99. 99 % )、濺射靶4上設(shè) 置純Al (99. 99% )較好。腔內(nèi)的壓力在6. OX KT1I^a 7. OX KT1Peu用氬氣做濺射氣體較好。沉積時(shí)間沒 有特別的限制，但是由金屬納米粒子得到金屬納米膜的時(shí)間在5秒 45秒較好，在10秒 30秒更好。兩個(gè)SiO層之間夾有的金屬納米粒子層的構(gòu)造(金屬納米膜和金屬納米粒子的 大小、形狀及密度等)影響著SiO/金屬納米粒子層/ZnO組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的透明性和 電阻率。實(shí)施例1使用圖2所示的傾斜相對靶向型直流磁控濺射裝置制備SiO/金屬納米粒子層/ ZnO組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。腔體內(nèi)的濺射靶1及濺射靶3的位置上各自預(yù)先安裝有純Si (純 度 99. 99%、300 X 62 X 5mm)板及純 Ag (純度 99. 99 %、300 X 62 X 5mm)板。另外，玻璃基板 安裝在中心部位的旋轉(zhuǎn)臺上。然后，使腔體內(nèi)成為3. 0 X IO^3Pa 3. 3 X IO^3Pa的真空。在玻璃基板表面上是SiO 成膜。首先，使混合氣體以Ar/02的流量比為50/3(SCCm)流進(jìn)腔體內(nèi)，調(diào)整腔體內(nèi)的壓力為 6. OX 10 7. OX KT1Pat5安裝了基板的旋轉(zhuǎn)臺一邊以5rpm的速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)、一邊在線 圈電流5A、陽極電壓20V、偏置電壓0V、純Si濺射靶的電流為0. 1A、靶電壓為250V ^OV 的條件下進(jìn)行濺射操作。ZnO膜的成膜速度為0. 514nm/s。涂膜時(shí)間為100分鐘時(shí)在玻璃基板表面上得到 膜厚為50nm的ZnO膜。
6[0056]下一步，為了在ZnO膜表面上沉積Ag納米粒子層，使腔體內(nèi)通入流量為50sCCm的 氬氣。此時(shí)，腔體內(nèi)的壓力為6. OX 10々a 7. OX KT1Pa,固定安裝有基板的旋轉(zhuǎn)臺。在線 圈電流5A、陽極電壓20V、偏置電壓0V、純Ag濺射靶的電流為0. 4A、靶電壓為270V ^OV 的條件下沉積Ag納米粒子。沉積速度為0. 4nm/So沉積時(shí)間變?yōu)?0秒 45秒時(shí)可使Ag 納米粒子層直接沉積在ZnO膜表面上。如圖3所示的電子顯微鏡圖像，該Ag納米粒子層由在ZnO膜表面上直接沉積的金 屬納米膜中的金屬納米粒子構(gòu)成。Ag納米粒子的粒徑分布在20nm 50nm的范圍內(nèi)，粒徑 分布在30 40nm范圍的則最多。即使延長沉積時(shí)間，Ag納米粒子的粒徑也幾乎相同，而 密度則增加。在所得到的Ag納米粒子層表面上使ZnO成膜。成膜條件與上述ZnO膜的成膜條 件一致。所得到的ZnO膜具有在Ag納米粒子之間及Ag納米粒子頂端上沉積的構(gòu)造。成膜 過程中薄膜疊層結(jié)構(gòu)的基板溫度為30°C。如圖4所示，所制備的包含玻璃基板的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的最大可見光透過率，當(dāng)Ag 納米粒子的沉積時(shí)間為10秒時(shí)對應(yīng)為75%、15秒是對應(yīng)為78%、20秒時(shí)對應(yīng)為87%、25秒 時(shí)對應(yīng)為80%、30秒時(shí)對應(yīng)為80%、35秒時(shí)對應(yīng)為74%、40秒時(shí)對應(yīng)為74%、45秒時(shí)對應(yīng) 為68%。如可見光透過率曲線所示，可見光透過率根據(jù)^Vg納米粒子層的構(gòu)造變化而變化， 并且波長范圍在長波范圍到短波范圍內(nèi)變化。據(jù)說，這是因?yàn)榛贏g納米粒子層的構(gòu)造， 表面等離子體現(xiàn)象造成了強(qiáng)烈的散射效果。另外，370nm的紫外光的透過率出現(xiàn)峰值，這被 認(rèn)為是表面等離子體現(xiàn)象通過^Vg納米粒子對吸收效果的依賴。如圖5所示，所制備的薄膜 疊層結(jié)構(gòu)的電阻率為7.4Χ10_4Ω · cm(沉積時(shí)間=10秒)、1. 8X 10_5 Ω · cm(沉積時(shí)間= 30秒)、1.4Χ10_5Ω ^m(沉積時(shí)間=40秒)。測量薄膜疊層結(jié)構(gòu)的X射線衍射數(shù)據(jù)，觀察 ZnO(IOO)表示的衍射峰和Ag(Ill)表示的衍射峰，可以確認(rèn)室溫下成膜的ZnO薄膜層為結(jié) 晶體。另外，通過原子力顯微鏡求得的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的表面凹凸情況，其平均粗糙度Ra = 0. 655nm 0. 232nm，最大粗糙度為約5nm。實(shí)施例2使用與實(shí)施例1同樣的傾斜相對靶向型直流磁控濺射裝置，制備SiO/金屬納米粒 子層/ZnO組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。作為金屬納米粒子層，分別制備細(xì)納米粒子層單體、Al納 米粒子層單體和Ag以及Al納米粒子層的組成物。在腔體內(nèi)的濺射靶的位置上，濺射靶1安裝的是純加(純度99. 99 %、 300 X 62 X 5mm)板、濺射靶3是純Ag (99. 99 %、300 X 62 X 5mm)板、濺射靶4是純Al (純度 99. 99%,300X62X5mm)板。ZnO膜的成膜條件與實(shí)施例1相同。對于金屬納米粒子層，除在ZnO膜表面上沉積Ag納米粒子層單體或Al納米粒子 層單體外，還可在ZnO膜表面上直接沉積由兩種金屬納米粒子層組成的混合層。沉積條件 與實(shí)施例1相同。但是，純Al濺射靶的電流改變?yōu)?. 2A (沉積速度=0. 08nm/s、沉積時(shí)間=16秒) 及0.4A (沉積速度=0. 15nm/s、沉積時(shí)間=13秒)。金屬納米粒子層上ZnO膜的成膜條件 與實(shí)施例1相同。如圖6所示，所制備的包含玻璃基板的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的最大可見光透過率，當(dāng)為 Ag納米粒子層時(shí)對應(yīng)為87%、當(dāng)為Al納米粒子層單體時(shí)對應(yīng)為78%、Ag+Al納米粒子的混
7合納米粒子層時(shí)對應(yīng)為60% (0. 2A)及64% (0.4A)。SiO/金屬納米粒子層/ZnO組成的薄 膜疊層結(jié)構(gòu)的透明性根據(jù)夾在膜層之間的金屬納米粒子種類的改變而產(chǎn)生最大可見光透 過率的改變。該薄膜疊層結(jié)構(gòu)的電阻率，在Ag納米粒子層單體(沉積時(shí)間=20秒)時(shí)是 5. 6 X IO"5 Ω · cm、Ag納米粒子層單體(沉積時(shí)間=3分鐘)時(shí)是12 Ω · cm, Ag+Al納米粒 子混合層(沉積時(shí)間=16秒)時(shí)是7.6Χ10_4Ω -cm,Ag+Al納米粒子混合層(沉積時(shí)間= 13 秒)時(shí)是 1.8Χ10_3Ω · cm。實(shí)施例3使用與實(shí)施例1同樣的傾斜相對靶向型直流磁控濺射裝置，制備SiO/金屬納米粒 子層/ZnO組成的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。除濺射靶1安裝的是純Si(純度99. 99%,300X62X5mm) 板、濺射靶3是純Cu(99. 99%,300X62X5mm)板外，成膜條件與實(shí)施例1相同。Cu納米粒 子層直接沉積在ZnO膜表面上。其沉積時(shí)間與純Ag時(shí)相同，沉積時(shí)間在35秒、70秒、105 秒及140秒之間變化。然后，在上面使ZnO膜成膜的條件與實(shí)施例1相同。如圖7所示，所制備的包含玻璃基板的薄膜疊層結(jié)構(gòu)的最大可見光透過率，當(dāng)沉 積時(shí)間為35秒時(shí)對應(yīng)為79%、70秒是對應(yīng)為70%、105秒時(shí)對應(yīng)為60%、140秒時(shí)對應(yīng)為 53%、該薄膜疊層結(jié)構(gòu)的電阻率值為3.8Χ10_2Ω · cm(35秒)、2.9Χ10_3Ω · cm(70秒)、 6·1Χ1(Γ4Ω · cm(105 秒)、5·4Χ1(Γ4Ω .cm(140 秒)。
權(quán)利要求1.一種薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，在基板上依次疊放ZnO薄膜層、金屬納米粒子層、 ZnO薄膜層，所述金屬納米粒子層由選自Ag、Al、Cu、Au、Ni、Pd、Pt、Zn、Cd中一個(gè)以上的金 屬粒子結(jié)晶生長后相互連接形成的納米層構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬納米粒子至少包含Ag 納米粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬納米粒子層的厚度 是 5nm IOOnm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的材料是玻璃、陶 瓷、熱可塑性樹脂或熱固性樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的材料是玻璃、陶瓷、 熱可塑性樹脂或熱固性樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或5任一所述的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板是透明玻璃 時(shí)，所述薄膜疊層結(jié)構(gòu)的電阻率在8. OX 10_4Ω 以下且含有紫外線波長的可見光透過率 在70%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的薄膜疊層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板是透明玻璃時(shí)， 所述薄膜疊層結(jié)構(gòu)的電阻率在8. OX 10_4Ω · cm以下且含有紫外線波長的可見光透過率在 70%以上。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種透明且具有低電阻率的夾有金屬納米粒子層的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。該薄膜疊層結(jié)構(gòu)由在基板上成膜的ZnO薄膜層、在ZnO薄膜層上成膜的金屬納米粒子層以及在金屬納米粒子層上成膜的ZnO薄膜層構(gòu)成，兩個(gè)結(jié)晶的ZnO薄膜層夾持的金屬納米粒子層具有連接金屬納米粒子的金屬納米層構(gòu)造，得到電阻率在8.0×10-4Ω·cm以下且可見光透過率在70％以上的薄膜疊層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的薄膜疊層結(jié)構(gòu)可用在透明導(dǎo)電膜、光伏電極、電磁波屏蔽材料等領(lǐng)域。
文檔編號H01B5/14GK201816254SQ200920272240
公開日2011年5月4日 申請日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月6日
發(fā)明者戚海雯, 村上理一 申請人:戚海雯, 村上理一