專利名稱：用于直接基板冷卻的具有分布式支撐的逆變器功率模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里所說明的主題的實施方式一般來說涉及功率電子模塊，更具 變器功率模塊。1、 , 一 、 土、十 '、 、"
背景技術(shù)：
許多電子器件在消耗電能時作為副作用而發(fā)熱。過熱往往會影響 電子器件的性能及穩(wěn)定性，因而電子設(shè)備例行進(jìn)行冷卻以防止過熱。
在大多數(shù)功率電子應(yīng)用中，在期望有效散熱的情況下使用散熱片。 散熱片通過熱接觸吸收并耗散來自電子器件的熱。例如，可將散熱片 焊接或安裝至功率電子基板以冷卻該基板。在更大功率應(yīng)用中，通常 增大散熱片的尺寸以提高其熱容量。增大散熱片的尺寸會導(dǎo)致相應(yīng)功 率電子模塊的成本、重量和體積增大。從封裝角度來說，功率電子模 塊的重量和體積增大是不期望的。例如，在汽車應(yīng)用中，護(hù)罩下的封 裝空間有限，并且增大車輛重量是不期望的。
可采用另選冷卻方法來冷卻功率電子基板。然而，這些冷卻方法
產(chǎn)生的壓力或作用力有可能致使功率電子基板撓曲，這會潛在地引起 功率電子基板彎曲或斷裂。

發(fā)明內(nèi)容
提供一種用于車輛中所用的功率模塊的設(shè)備。所述功率模塊包括 功率電子基板和適于容納所述功率電子基板的第一塑料框架。第二塑 料框架適于容納所述功率電子基板。所述第一塑料框架和所述第二塑 料框架適于接合在一起以支撐所述功率電子基板。所述功率電子基板布置在所述第一塑料框架和所述第二塑料框架之間，使得當(dāng)所述第一 塑料框架和所述第二塑料框架接合在一起時在所述第一塑料框架與所 述功率電子基板之間形成密封。
提供一種用于構(gòu)造逆變器功率模塊的方法。該方法包括在第一塑 料支撐框架和第二塑料支撐框架之間對齊功率電子基板。所述第一塑 料支撐框架和所述第二塑料支撐框架適于容納所述功率電子基板。該 方法還包括將所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐框架壓縮在 一起以在所述第一塑料支撐框架和所述功率電子基板之間形成密封， 以及接合所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐框架。
提供一種用于逆變器模塊的設(shè)備。該逆變器模塊包括功率電子基 板。第一支撐框架適于容納所述功率電子基板并具有適于允許所述功 率電子基板直接冷卻的第一區(qū)域。在所述功率電子基板與所述第一支 撐框架之間插設(shè)墊圈。該墊圏構(gòu)造成在所述第 一 區(qū)域與所述功率電子 基板之間提供密封。第二支撐框架適于容納所述功率電子基板并接合 至所述第一支撐框架以形成所述密封。
提供該發(fā)明內(nèi)容部分從而以簡化方式介紹可供選4奪的思想，并且 以下在具體實施方式
中對此進(jìn)一步說明。該發(fā)明內(nèi)容部分并不意圖確 定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或本質(zhì)特征，也不意圖用于輔助確定 所要求保護(hù)的主題的范圍。


參照詳細(xì)說明和權(quán)利要求，結(jié)合下面的附圖來考慮，將會更徹底 地理解本主題，其中在所有附圖中，相同附圖標(biāo)記指代相似元件。 圖1是根據(jù)一個實施方式的示例性功率模塊的立體圖2是根據(jù)一個實施方式的圖1的功率模塊的分解立體圖； 圖3是根據(jù)一個實施方式的圖1的功率模塊的俯視圖； 圖4是根據(jù)一個實施方式的圖1至圖3的功率模塊的沿著線4-4 的側(cè)剖;現(xiàn)圖；以及
圖5是根據(jù)一個實施方式的示例性逆變器功率模塊的分解立體圖。
具體實施例方式
以下詳細(xì)說明本質(zhì)上僅是例示性的，并不意圖限制本主題的實施方式或者這類實施方式的應(yīng)用和使用。用在本文中時，詞語"示例性" 是指"作為實施例、示例或例示"。這里作為示例性的所述的任何實施 并不必定解釋為優(yōu)于或勝于其它實施。而且，并不意圖受前述技術(shù)領(lǐng) 域、背景技術(shù)、發(fā)明內(nèi)容或以下詳細(xì)說明所提供的明確或暗含理論的 約束。
此外，在以下說明中還可能僅為參考之目的而使用某些術(shù)語，因 而這些術(shù)語并不旨在進(jìn)行限制。例如，術(shù)語"上"、"下"、"頂"、"底" 之類的術(shù)語是指進(jìn)行參照的圖中的方向。這些術(shù)語可包括以上具體提 到的詞語、其派生以及具有類似含義的詞語。類似地，除非上下文中 清楚表明，否則術(shù)語"第一"、"第二，，以及涉及結(jié)構(gòu)的其它此類數(shù)詞 并不暗含順序或次序。
這里所述的術(shù)語和概念通常涉及適用于直接基板冷卻的功率模 塊。塑料支撐框架適于容納功率電子基板并至少在功率電子基板的一 部分周圍形成密封，以允許基板暴露表面的直接冷卻?？衫檬种?撐和/或內(nèi)接頭以橫過功率電子基板的表面提供附加結(jié)構(gòu)剛度，從而允 許按期望從功率模塊的 一側(cè)或多側(cè)進(jìn)行功率電子基板的直接基板冷 卻。
現(xiàn)在參照圖l至圖4，在一個示例性實施方式中，功率模塊100包 括但不限于功率電子基板102、第一支撐框架104、第二支撐框架106 以及密封件108。應(yīng)當(dāng)理解，為了清楚和易于說明，圖1至圖4示出了 功率模塊100的簡化圖示，并且這決不意圖限制本主題的范圍。在示 例性實施方式中，功率電子基板102布置在由支撐框架104、 106限定 的內(nèi)區(qū)110中。密封件108插設(shè)在第一支撐框架104和功率電子基板 102之間。在示例性實施方式中，如以下更詳細(xì)說明的那樣，支撐框架 104、 106適于接合在一起以在功率電子基板102和支撐框架104、 106 之間形成密封，并在存在直接基板冷卻方法的情況下減小功率電子基 板102的撓曲。在優(yōu)選實施方式中，支撐框架104、 106接合在一起， 使得在支撐框架104、 106和功率電子基板之間保持壓縮密封。
在示例性實施方式中，功率電子基板102實現(xiàn)為直接敷銅(DBC) 基板。在這樣的實施方式中，功率電子基板102具有具有電軌跡和/ 或連接性(例如電熱(electrically hot))的蝕刻銅表面層；包括陶瓷材 料的非導(dǎo)電中間層；以及可蝕刻或電連接或者可不蝕刻或電連接(例
7如電冷(electrically cold)的另一銅表面層。在另一實施方式中，如本領(lǐng)域所理解的，可使用其它合適的基板材料，例如直接^:鋁(DBA)、絕緣金屬基板(IMS)或棵銅。在示例性實施方式中，功率電子基板102具有電熱表面，該電熱表面包括用于功率逆變器的電軌跡和電路，所述功率逆變器例如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其它合適元件。如以下所述，在示例性實施方式中，功率電子基板102的至少一部分表面暴露于冷卻劑和/或鄰近和/或接近相應(yīng)支撐框架104、 106的冷卻機(jī)構(gòu)。
在示例性實施方式中，支撐框架104、 106適于容納功率電子基板102。在示例性實施方式中，支撐框架104、 106構(gòu)造成在接合在一起時使得內(nèi)區(qū)110容納和/或基本上包圍功率電子基板102，并限制功率電子基板102相對于支撐框架104、 106的移位。用在這里時，內(nèi)區(qū)110應(yīng)當(dāng)理解為當(dāng)支撐框架104、 106接觸時位于支撐框架104、 106之間和/或由支撐框架104、 106界定的區(qū)域或空間。例如，如圖2和圖4所示，各支撐框架104、 106可包括構(gòu)造成抵接功率電子基板102的周邊的支撐特征件，例如在支撐框架104、 106中形成的唇部或肩部。在示例性實施方式中，支撐框架104、 106實現(xiàn)為適于接合的注射成型塑料框架，使得支撐框架104、 106為功率模塊100提供機(jī)械強度并/或支撐功率電子基板102。根據(jù)一個實施方式，如以下所述，支撐框架104、106適于通過激光焊接接合。
在示例性實施方式中，各支撐框架104、 106包括并/或限定暴露區(qū)域112、 114,暴露區(qū)域112、 114適于允許訪問并/或直接冷卻功率電子基板102的與暴露區(qū)域112、 114大致對齊的部分。暴露區(qū)域112、 114可實現(xiàn)為支撐框架104、 106中的切口或孔洞，所述切口或孔洞允許冷卻劑或直接基板冷卻方法與功率電子基板102的與暴露區(qū)域112、 114大致對齊的表面相互作用。
在示例性實施方式中，支撐框架104、 106提供橫過功率電子基板102的結(jié)構(gòu)剛度以在存在直接基板冷卻方法的情況下減少或防止撓曲。就此而言，各支撐框架104、 106可包括與暴露區(qū)域112、 114相交的十字支撐件116、 118以提供附加結(jié)構(gòu)剛度以及橫過功率電子基板102的分布式支撐。在示例性實施方式中，十字支撐件116、 118形成在相應(yīng)的支撐框架104、 106中。例如，在注射成型塑料支撐框架104、 106的情況下，可在相應(yīng)的支撐框架104、 106所用的模具中限定十字支撐件116、 118。
在示例性實施方式中，支撐框架104、 106適于使得當(dāng)接合在一起時繞暴露區(qū)域112、 114形成密封。在示例性實施方式中，密封件108與第一支撐框架104的暴露區(qū)域112對齊，并構(gòu)造成在功率電子基板102與支撐框架104、 106之間繞暴露區(qū)域112、 114形成密封。
在示例性實施方式中，密封件108與第一支撐框架104的暴露區(qū)域112的周邊大致對齊。如圖2中最佳可見，密封件108具有與第一支撐框架104中形成的矩形支撐特征件(例如肩部或唇部)相對應(yīng)的大致矩形的外周。應(yīng)當(dāng)理解，盡管圖1至圖4可在大致矩形特征的上下文中被描述，但是這里所述的主題并不限于任何特定的幾何配置。密封件108還可包括與十字支撐件116大致對齊的十字構(gòu)件。根據(jù)該實施方式，如本領(lǐng)域中應(yīng)理解的，密封件108可實現(xiàn)為壓縮墊圈、O形環(huán)、冠密封件(crown seal)、液態(tài)密封墊、或能夠容納流體并/或防止流體泄漏的其它合適的機(jī)械密封件。根據(jù)一個實施方式，如以下所述，密封件108與支撐框架104—體形成(例如現(xiàn)場注塑密封件)。應(yīng)當(dāng)理解，盡管未示出，在另選實施方式中，可以以與這里就密封件108所述類似的方式在功率電子基板102與第二支撐框架106之間插設(shè)第二密封件。因而，應(yīng)當(dāng)理解，盡管這里可以根據(jù)在第一支撐框架104與功率電子基板102之間具有單獨密封件108來說明功率模塊100，但是這樣的說明應(yīng)理解為以等同方式適用于結(jié)合有第二支撐框架106與功率電子基板10 2之間所插設(shè)的第二密封件的另選實施方式。
在示例性實施方式中，可通過將支撐框架104、 1064妾合在一起以支撐并/或包封功率電子基板102來形成功率模塊100。根據(jù)一個實施方式，支撐框架104、 106繞功率電子基板102的周邊或在其附近接合。支撐框架104、 106還可在一個或多個內(nèi)部點120 (例如，在暴露區(qū)域112、 114內(nèi)沿十字支撐件116、 118)處接合，以提供橫過功率電子基板102的分布式支撐。就此而言，第一支撐框架104可包括穿過功率電子基板102及/或密封件108伸出的一個或多個銷122，從而能夠使支撐框架104、 106在與銷122對齊的內(nèi)部點120處接合。在示例性實施方式中，功率電子基板102和密封件108包括構(gòu)造成與銷122對齊的切口區(qū)或內(nèi)部孔洞124、 126。在本領(lǐng)域中應(yīng)當(dāng)理解，銷122和/或內(nèi)
9部點120的數(shù)量、形狀和配置可按期望變化，并且圖1至圖4決不意圖限制本主題的范圍。
在示例性實施方式中，通過在第一支撐框架104與第二支撐框架106之間對齊功率電子基板102來構(gòu)造功率才莫塊100。例如，功率電子基板102的內(nèi)部孔洞126可與第一支撐框架104的銷122對齊。根據(jù)一個實施方式，密封件108也在第一支撐框架104與功率電子基板102之間對齊(例如，通過使內(nèi)部孔洞124與銷122對齊)。在示例性實施方式中，第一支撐框架104與第二支撐框架106壓縮在一起，以在支撐框架104、 106與功率電子基板102之間形成密封。當(dāng)?shù)谝恢慰蚣?04抵靠功率電子基板102壓縮時，密封件108在第一支撐框架104與功率電子基板102之間繞暴露區(qū)域112提供密封。壓縮密封件108而產(chǎn)生的反作用力可在功率電子基板102與第二支撐框架106之間形成齊平界面。如本領(lǐng)域中應(yīng)理解的那樣，根據(jù)第二支撐框架106所選用的材料類型，該平齊界面還可在功率電子基板102與第二支撐框架106之間建立密封。在示例性實施方式中，支撐框架104、 106在被壓縮或者說處于壓縮力下時接合，使得長期保持密封(例如，功率模塊100保持處于壓縮狀態(tài))。
在示例性實施方式中，通過利用激光焊接處理來接合支撐框架104、 106從而構(gòu)造功率模塊100。激光焊接處理形成接縫130 (例如激光焊縫)，該接縫130在支撐框架104、 106直接接觸的部位維持支撐框架104、 106上的壓縮力。就此而言，為了能夠進(jìn)行激光焊接，第二支撐框架106可基本上透明或半透明，第一支撐框架104可基本上不透明或者包括顏色較暗的材料(例如黑色)。在這樣的實施方式中，第一支撐框架104吸收透過第二支撐框架106及/或內(nèi)部孔洞124、 126引導(dǎo)的激光能，使得激光能加熱支撐框架104、 106的接合處，并熔化支撐框架104、 106中的塑料材料以形成激光焊縫130。就此而言，支撐框架104、 106可構(gòu)造成與功率電子基板102的周邊交疊，從而繞功率電子基板102的周邊進(jìn)行激光焊接。在另選實施方式中，接縫130可通過利用超聲焊、摩擦焊或其它合適的結(jié)合技術(shù)接合支撐框架104、 106而形成。另選的是，可利用維持支撐框架104、 106上的壓力的其它手段來形成密封(例如緊固件)而無需將支撐框架104、 106結(jié)合在一起。
根據(jù)一個實施方式，可將冷卻機(jī)構(gòu)接合至支撐框架104、 106中的
10任一個或二者，以便為功率電子基板102的與暴露區(qū)域112、 114對齊的表面部分提供直接冷卻。用在這里時，直接冷卻應(yīng)理解為是指將冷卻劑施加至(或者另選的是，將冷卻劑流引向)功率電子基板102的表面的處理和/或方法。就此而言，冷卻劑可與功率電子基板102直接接觸而沒有任何居間層。例如，冷卻機(jī)構(gòu)可接合至支撐框架104，并適于經(jīng)由暴露區(qū)域112向功率電子基板102的接近支撐框架104的暴露表面提供射流沖擊冷卻。射流沖擊冷卻應(yīng)當(dāng)理解為是指利用射流向功率電子基板102的表面提供并/或引導(dǎo)冷卻劑流體流的處理。如本領(lǐng)域中應(yīng)當(dāng)理解的，若冷卻功率電子基板102的電熱表面，則冷卻機(jī)構(gòu)可利用并/或提供電介質(zhì)冷卻劑，或者若冷卻功率電子基板102的電冷表面，則可利用其它合適的冷卻劑(例如散熱器冷卻劑)。
現(xiàn)在參照圖5,在示例性實施方式中，逆變器功率模塊500可適于直接基板冷卻。逆變器功率模塊500包括但不限于功率電子基板502、底部支撐框架504以及頂部支撐框架506。逆變器功率模塊500的這些元件與以上參照圖1至圖4所述的功率才莫塊100中的對應(yīng)元件類似，并且這里不針對逆變器功率才莫塊500對這些通用元件詳細(xì)地進(jìn)行多余描述。
在示例性實施方式中，底部支撐框架504包括一個或多個密封機(jī)構(gòu)508,該密封機(jī)構(gòu)508與支撐框架504成一體并繞一個或多個暴露區(qū)域512的周邊，所述暴露區(qū)域適于允許功率電子基板502的底面的一部分與暴露區(qū)域512對齊從而露出以用于直接基板冷卻。在示例性實施方式中，功率電子基板502布置在支撐框架504、 506之間，支撐框架504、506又被壓縮并接合而在底部支撐框架504和功率電子基板502之間繞暴露區(qū)域512形成密封。根據(jù)一個實施方式，支撐框架504、 506通過一個或多個接縫530繞暴露區(qū)域512的周邊接合。
在示例性實施方式中，底部支撐框架504包括適于直接基板冷卻(例如射流沖擊冷卻)的一個或多個開口 540。冷卻機(jī)構(gòu)可與底部支撐框架504成一體并/或接合至底部支撐框架504并對齊，從而使得該冷卻才幾構(gòu)通過開口 540向功率電子基板502提供冷卻劑。就此而言，頂部支撐框架506的十字支撐件518防止功率電子基板502由于橫過基板502的相對表面的外界壓力差引起的力而向上撓曲(例如朝向頂部支撐框架506)。盡管未示出，但如本領(lǐng)域中應(yīng)理解的，還可進(jìn)一步修改支撐框架504、 506以允許從逆變器功率模塊500的頂部進(jìn)行直接基板冷卻(例如，通過向底部支撐框架504增設(shè)十字支撐件)，并且圖5決不意圖限制本主題的范圍。
上述方法和/或系統(tǒng)的一個優(yōu)點在于可不使用散熱片而冷卻功率電子基板。塑料支撐框架的使用降低了功率模塊的總體成本和重量。塑料支撐框架可繞功率電子基板的周邊以及在內(nèi)部點處接合，以提供橫過基板的結(jié)構(gòu)剛度，并防止沿任一方向撓曲，直接基板冷卻方法否則有可能引起所述撓曲。支撐框架可以是具有一體密封件或墊圈的注射成型塑料，并且適于激光焊接。
盡管在以上詳細(xì)說明中提出了至少一個示例性實施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解存在大量變形。還應(yīng)當(dāng)理解，這里所述的示例性實施方式或多個示例性實施方式?jīng)Q不意圖限制所要求保護(hù)的主題的范圍、應(yīng)用或構(gòu)
方式或多個所述實施方式的便捷指^。應(yīng)當(dāng)理解，、在不^離權(quán)利;求所限定的范圍的情況下，可對元件的功能和配置進(jìn)行多種變化，這包括等同物以及提交該專利申請時可預(yù)見的等同物。
權(quán)利要求
1.一種車輛中所用的功率模塊，該功率模塊包括功率電子基板；適于容納所述功率電子基板的第一塑料框架；以及適于容納所述功率電子基板的第二塑料框架，所述第一塑料框架和所述第二塑料框架適于接合在一起以支撐所述功率電子基板，其中所述功率電子基板布置在所述第一塑料框架與所述第二塑料框架之間，使得當(dāng)所述第一塑料框架與所述第二塑料框架接合在一起時，在該第一塑料框架與所述功率電子基板之間形成密封。
2. 如權(quán)利要求1所述的功率模塊，還包括插設(shè)在所述功率電子基 板與所述第 一塑料框架之間的第 一密封件，該第 一密封件構(gòu)造成形成 所述密封。
3. 如權(quán)利要求2所述的功率模塊，其中所述第一密封件與所述第 一塑料框架成一體。
4. 如權(quán)利要求1所述的功率模塊，還包括冷卻機(jī)構(gòu)，該冷卻機(jī)構(gòu) 鄰近所述第一塑料框架，并構(gòu)造成為所述功率電子基板的接近所述第 一塑料框架的表面提供直接冷卻。
5. 如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其中所述第一塑料框架和所述 第二塑料框架適于在所述功率電子基板內(nèi)的內(nèi)部點處接合在一起。
6. 如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其中所述功率電子基板為直接 敷銅基板。
7. 如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其中所述第一塑料框架和所述 第二塑料框架適于激光焊接。
8. —種用于構(gòu)造逆變器功率模塊的方法，該方法包括 在第一塑料支撐框架和第二塑料支撐框架之間對齊功率電子基板，所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐框架適于容納所述功 率電子基板；將所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐框架壓縮在一起以 在所述第一塑料支撐框架和所述功率電子基板之間形成密封；以及 接合所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐框架。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在內(nèi)部點處接合所述第一塑 料支撐框架和所述第二塑料支撐框架。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法，還包括將冷卻機(jī)構(gòu)接合至所述第一 塑料支撐框架，所述冷卻機(jī)構(gòu)適于向所述功率電子基板的接近所述第 一塑料支撐框架的表面提供冷卻劑。
11. 如權(quán)利要求8所述的方法，所述第一塑料支撐框架和所述第二 塑料支撐框架適于激光焊接，其中接合所述第一塑料支撐框架和所述 第二塑料支撐框架包括將所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐 框架激光焊接在一起。
12. 如權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括在壓縮步驟之前對齊 插設(shè)在所述第 一 塑料支撐框架和所述功率電子基板之間的密封件，其 中當(dāng)所述第一塑料支撐框架和所述第二塑料支撐框架被壓縮時，所述 密封件在所述功率電子基板和所述第 一 塑料支撐框架之間形成密封。
13. —種逆變器模塊，該逆變器模塊包括 功率電子基板；適于容納所迷功率電子基板的第一支撐框架，所述第一支撐框架 具有適于允許所述功率電子基板的直接冷卻的第 一 區(qū)域；插設(shè)在所述功率電子基板和所述第一支撐框架之間的墊圏，所述 墊圈構(gòu)造成在所述第 一 區(qū)域和所述功率電子基板之間提供密封；以及適于容納所述功率電子基板的第二支撐框架，其中所述第一支撐 框架和所述第二支撐框架接合以形成所述密封。
14. 如權(quán)利要求13所述的逆變器模塊，所述功率電子基板具有多 個內(nèi)部孔洞，其中所述第一支撐框架和所述第二支撐框架在與所述多 個內(nèi)部孔洞對齊的部位處4妾合。
15. 如權(quán)利要求14所述的逆變器模塊，其中所述第一支撐框架包 括構(gòu)造成穿過所述多個內(nèi)部孔洞伸出的多個銷。
16. 如權(quán)利要求13所述的逆變器模塊，還包括鄰近所述第一支撐 框架的冷卻機(jī)構(gòu)，所述冷卻機(jī)構(gòu)構(gòu)造成向所述功率電子基板的與所述 第一區(qū)域?qū)R的表面提供射流沖擊冷卻。
17. 如權(quán)利要求13所述的逆變器模塊，所述第二支撐框架具有適 于允許所述功率電子基板的直接冷卻的第二區(qū)域，其中所述逆變器模 塊還包括鄰近所述第二支撐框架的第二冷卻機(jī)構(gòu)，該第二冷卻機(jī)構(gòu)構(gòu) 造成向所述功率電子基板的與所述第二區(qū)域?qū)R的表面提供直接冷 卻。
18. 如權(quán)利要求17所述的逆變器模塊，還包括插設(shè)在所速功率電 子基板和所述第二支撐框架之間的第二墊圈，所述第二墊圈構(gòu)造成當(dāng) 所述第一支撐框架與所述第二支撐框架接合時在所述第二區(qū)域與所述 功率電子基板之間提供第二密封。
19. 如權(quán)利要求13所述的逆變器模塊，其中所述功率電子基板是 直接敷銅基板。
20. 如權(quán)利要求13所述的逆變器模塊，其中所述墊圈與所述第一 支撐框架成一體。
全文摘要
本發(fā)明提供用于直接基板冷卻的具有分布式支撐的逆變器功率模塊的系統(tǒng)和/或方法。一種逆變器模塊包括功率電子基板。第一支撐框架適于容納功率電子基板，并具有適于允許功率電子基板直接冷卻的第一區(qū)域。在功率電子基板與第一支撐框架之間插設(shè)墊圈。所述墊圈構(gòu)造成在第一區(qū)域與功率電子基板之間提供密封。第二支撐框架適于容納功率電子基板并接合至第一支撐框架而形成所述密封。
文檔編號H01L23/13GK101661912SQ20091016668
公開日2010年3月3日 申請日期2009年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月26日
發(fā)明者B·S·曼, D·H·米勒, M·D·科里奇, T·G·沃德 申請人:通用汽車環(huán)球科技運作公司