專利名稱：像素結(jié)構(gòu)、有機(jī)電激發(fā)光顯示單元及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種有機(jī)電激發(fā)光顯
示單元(organic electro-luminescence display unit)及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于有機(jī)電激發(fā)光元件(organic electro-luminescence light-emitting device) 具有自發(fā)光、高亮度、高對(duì)比、廣視角以及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，因此有機(jī)電 激發(fā)光顯示面板(organic electro-luminescence display panel)在顯示器方面的應(yīng) 用一直是產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)之一。 一般的有機(jī)電激發(fā)光顯示面板可區(qū)分為頂部 發(fā)光型態(tài)(top emission)有機(jī)電激發(fā)光顯示面板以及底部發(fā)光型態(tài)(bottom emission)有機(jī)電激發(fā)光顯示面板兩大類，其中又以底部發(fā)光型態(tài)(bottom emission)有機(jī)電激發(fā)光顯示面板較為常見。
圖1A至圖1G為己知的有機(jī)電激發(fā)光顯示單元的制作流程示意圖。請(qǐng)參 照?qǐng)D1A，提供一基板100，并透過第一道光刻刻蝕制造工藝(Photol池ogmphy and Etching Process, PEP)在基板100上形成一柵極110。接著，在基板100 上全面性地形成一柵絕緣層120以覆蓋柵極110。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D1B，透過第二道光刻刻蝕制造工藝在柵絕緣層120上形成 一圖案化半導(dǎo)體層130，其中圖案化半導(dǎo)體層130位于柵極IIO的上方。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D1C，透過第三道光刻刻蝕制造工藝在部分的圖案化半導(dǎo)體 層130以及部分的柵絕緣層120上形成一源極140S和一漏極140D,其中源 極140S和漏極140D彼此電絕緣，且分別位于圖案化半導(dǎo)體層130的兩側(cè)。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D1D，形成一保護(hù)層150以覆蓋住源極140S、漏極140D、
5未被源極140S和漏極140D覆蓋的圖案化半導(dǎo)體層130以及未被源極140S 與漏極140D覆蓋的絕緣層120。從圖1D可知，保護(hù)層150具有一接觸窗150a， 且接觸窗150a暴露漏極140D的部分區(qū)域。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D1E，在保護(hù)層150上形成一像素電極160，其中像素電極 160透過接觸窗150a與漏極140D電連接。在傳統(tǒng)的底部發(fā)光型態(tài)有機(jī)電激 發(fā)光顯示單元中，像素電極160的材質(zhì)通常為透明導(dǎo)電氧化物(Transparent Conductive Oxide， TCO)，例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide， ITO)、銦鋅氧 化物(Indium Zinc Oxide ， IZO)等。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D1F和圖1G，在形成像素電極160后，接著依序形成一有 機(jī)電激發(fā)光層170以及一頂電極180。在傳統(tǒng)的底部發(fā)光型態(tài)有機(jī)電激發(fā)光顯 示單元中，頂電極180的材質(zhì)通常為金屬。當(dāng)施加一驅(qū)動(dòng)電流至像素電極160 與頂電極180之間的有機(jī)電激發(fā)光層170時(shí)，有機(jī)電激發(fā)光層170所發(fā)出的 大部分光線會(huì)穿過基板100。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，以有效降低制造成本。 本發(fā)明還提供一種有機(jī)電激發(fā)光顯示單元及其制造方法，以有效降低制 造成本。
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，所述的像素結(jié)構(gòu)配置于基板上，且所述的像 素結(jié)構(gòu)包括柵極、柵絕緣層、圖案化金屬氧化物層、刻蝕終止層、源極以及 漏極。柵極配置于基板上，柵絕緣層配置于基板上以覆蓋柵極，圖案化金屬 氧化物層配置于柵絕緣層上，且圖案化金屬氧化物層包括位于柵極上方的主 動(dòng)層以及像素電極?？涛g終止層配置于主動(dòng)層的部分區(qū)域上，其中未被刻蝕 終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度高于被刻蝕終止層覆蓋的部 分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度。此外，源極以及漏極與未被刻蝕終止層覆 蓋的部分主動(dòng)層電連接，且漏極與像素電極電連接在本發(fā)明一實(shí)施例中，未被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層
的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)高于被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬 氧化物層的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動(dòng)層的導(dǎo)電度實(shí)質(zhì) 上等于像素電極的導(dǎo)電度。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動(dòng)層的氧空缺比例 (oxygen vacancy ratio)實(shí)質(zhì)上等于像素電極的氧空缺比例(oxygen vacancy
ratio) o
在本發(fā)明一實(shí)施例中，主動(dòng)層包括一源極接觸區(qū)、 一漏極接觸區(qū)以及一 連接于源極接觸區(qū)與漏極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，且刻蝕終止層配置于溝道區(qū) 上。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，刻蝕終止層自行對(duì)準(zhǔn)(self-aligned)于溝道區(qū)。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及像素電極的導(dǎo)電度 或氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)實(shí)質(zhì)上相同。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，源極接觸區(qū)、漏極接觸區(qū)以及像素電極的導(dǎo)電載 流子濃度介于1()2Gcm-3至10"cm-3之間。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，圖案化金屬氧化物層的材質(zhì)包括銦鎵鋅氧化物 (Indium-Gallium-Zinc Oxide， IGZO)、銦鋅氧化物(Indium-Zinc Oxide ， IZO)、 鎵鋅氧化物(Gallium-Zinc Oxide， GZO)、鋅錫氧化物(Zinc-Tin Oxide, ZTO)， 或銦錫氧化物(Indium-TinOxide， ITO)。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，前面所述的像素結(jié)構(gòu)還包括一保護(hù)層，其中保護(hù) 層覆蓋刻蝕終止層、源極、漏極以及像素電極的部分區(qū)域，且保護(hù)層具有一 開口以將像素電極的部分區(qū)域暴露。
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先，在一基板上形成一柵極， 接著，在基板上形成一柵絕緣層以覆蓋柵極。之后，在柵絕緣層上形成一圖 案化金屬氧化物層，并在圖案化金屬氧化物層的部分區(qū)域上形成一刻蝕終止層。接著，以刻蝕終止層為掩膜，對(duì)圖案化金屬氧化物層進(jìn)行一表面處理， 以使未被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度高于被刻蝕終 止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度，其中經(jīng)過表面處理后的圖案 化金屬氧化物層包括一位于柵極上方的主動(dòng)層以及一像素電極。之后，形成 一源極以及一漏極，其中源極以及漏極與未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動(dòng)層 電連接，且漏極與像素電極電連接。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，表面處理包括等離子體表面處理。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，前面所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成一保 護(hù)層，其中保護(hù)層覆蓋刻蝕終止層、源極、漏極以及像素電極的部分區(qū)域， 且保護(hù)層具有一開口以將像素電極的部分區(qū)域暴露。
本發(fā)明另提供一種有機(jī)電激發(fā)光顯示單元，此有機(jī)電激發(fā)光顯示單元配 置于基板上，且有機(jī)電激發(fā)光顯示單元包括像素單元、配置于像素電極上的 有機(jī)電激發(fā)光層以及配置于有機(jī)電激發(fā)光層上的頂電極。像素單元包括柵極、 柵絕緣層、圖案化金屬氧化物層、刻蝕終止層、源極以及漏極。柵極配置于 基板上，柵絕緣層配置于基板上以覆蓋柵極，而圖案化金屬氧化物層配置于 柵絕緣層上，其中圖案化金屬氧化物層包括位于柵極上方的主動(dòng)層以及像素 電極。刻蝕終止層配置于主動(dòng)層的部分區(qū)域上，其中未被刻蝕終止層覆蓋的 部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度高于被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬 氧化物層的導(dǎo)電度。此外，源極以及漏極與未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動(dòng) 層電連接，且漏極與像素電極電連接。
本發(fā)明又提供一種有機(jī)電激發(fā)光顯示單元的制造方法。首先，于一基板 上形成一柵極，接著于基板上形成一柵絕緣層以覆蓋柵極。之后，于柵絕緣 層上形成一圖案化金屬氧化物層，并于圖案化金屬氧化物層的部分區(qū)域上形 成一刻蝕終止層。接著，以刻蝕終止層為掩膜，對(duì)圖案化金屬氧化物層進(jìn)行 一表面處理，以使未被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度 高于被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度，其中經(jīng)過表面處理后的圖案化金屬氧化物層包括一位于柵極上方的主動(dòng)層以及一像素電 極。之后，形成一源極以及一漏極，其中源極以及漏極與未被刻蝕終止層覆 蓋的部分主動(dòng)層電連接，且漏極與像素電極電連接。接著，在像素電極上形 于一有機(jī)電激發(fā)光層，并在有機(jī)電激發(fā)光層上形成一頂電極。
基于上述，由于本發(fā)明透過表面處理的方式使得圖案化金屬氧化物層的 不同區(qū)域分別具有不同的導(dǎo)電載流子濃度，進(jìn)而使得主動(dòng)層以及像素電極能 夠一并被制作于柵絕緣層上，因此本發(fā)明可以有效地降低制造成本。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合 附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1G為己知的有機(jī)電激發(fā)光顯示單元的制作流程示意圖2A至圖2F為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示單元的制作流程示 意圖。
主要元件符號(hào)說明100、 200基板
110、 210柵極
120、 220柵絕緣層
130圖案化半導(dǎo)體層
140S、 250S源極
140D、 250D漏極
150、 260保護(hù)層
150a接觸窗
160像素電極
170、 270有機(jī)電激發(fā)光層
180、 280頂電極230圖案化金屬氧化物層
230a第一圖案
230b第二圖案
23 OA主動(dòng)層
23 OP像素電極
240刻蝕終止層
260s開口
S源極接觸區(qū)
D漏極接觸區(qū)
C溝道區(qū)
T表面處理
具體實(shí)施例方式
圖2A至圖2F為本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示單元的制作流程示 意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一基板200，并透過第一道光刻刻蝕制造工藝于基 板200上形成一柵極210。接著，于基板200上全面性地形成一柵絕緣層220 以覆蓋柵極210。在本實(shí)施例中，柵絕緣層220的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅等。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2B，透過第二道光刻刻蝕制造工藝于柵絕緣層210上形成 一圖案化金屬氧化物層230。在本實(shí)施例中，圖案化金屬氧化物層230的材質(zhì) 包括銦鎵鋅氧化物(Indium-Gallium-Zinc Oxide ， IGZO)、銦鋅氧化物 (Indium-Zinc Oxide, IZO)、鎵鋅氧化物(Gallium-Zinc Oxide, GZO)、鋅錫氧 化物(Zinc-TinOxide， ZTO)，或銦錫氧化物(Indium-Tin Oxide， ITO)。由圖2B 可知，圖案化金屬氧化物層230包括位于柵極210上方的第一圖案230a以及 第二圖案230b。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2C，于圖案化金屬氧化物層230的第一圖案230a上形成一刻蝕終止層240，其中刻蝕終止層240僅覆蓋于第一圖案230a的部分區(qū)域上， 且刻蝕終止層240位于柵極210的上方。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2D，以刻蝕終止層240為掩膜，對(duì)圖案化金屬氧化物層230 進(jìn)行一表面處理T，以使未被刻蝕終止層240覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層 230的導(dǎo)電度高于被刻蝕終止層240覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層230的導(dǎo) 電度。從另一個(gè)角度而言，表面處理T可以使未被刻蝕終止層240覆蓋的部 分圖案化金屬氧化物層230的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)高于被刻蝕終 止層240覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層230的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)。在本實(shí)施例中，表面處理T例如是一等離子體表面處理或是其他能夠 增加圖案化金屬氧化物層230中導(dǎo)電載流子濃度的表面處理。詳言之，被刻 蝕終止層240所覆蓋的部分第一圖案230a的導(dǎo)電度或氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)不會(huì)因表面處理T而改變，而第二圖案以及未被刻蝕終止層240 所覆蓋的部分第一圖案230a的導(dǎo)電度或氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)則 會(huì)因表面處理T而有所改變。
以等離子體表面處理為例，當(dāng)?shù)诙D案以及未被刻蝕終止層240所覆蓋 的部分第一圖案230a遭受到等離子體的離子轟擊(ion bombardment)時(shí)，金屬
氧化物層中的金屬原子與氧原子之間的鍵結(jié)會(huì)被破壞，進(jìn)而使得金屬氧化物 層中氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)增加。換言之，當(dāng)金屬氧化物層中氧空 缺比例(oxygen vacancy ratio)增加時(shí)，金屬氧化物層中導(dǎo)電載流子濃度便會(huì)隨 之增加。
由圖2D可知，經(jīng)過表面處理T之后的圖案化金屬氧化物層230包括一位 于柵極210上方的主動(dòng)層230A以及一像素電極230P，其中主動(dòng)層230A包括 一源極接觸區(qū)S、 一漏極接觸區(qū)D以及一連接于源極接觸區(qū)S與漏極接觸區(qū) D之間的溝道區(qū)C，而刻蝕終止層240則配置于溝道區(qū)C上，且刻蝕終止層 240自行對(duì)準(zhǔn)(self-aligned)于溝道區(qū)C。詳言之，未被刻蝕終止層240覆蓋的 部分主動(dòng)層230A (即源極接觸區(qū)S與一漏極接觸區(qū)D)的氧空缺比例(oxygenvacancy ratio)實(shí)質(zhì)上等于像素電極230P的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio), 意即，未被刻蝕終止層240覆蓋的部分主動(dòng)層230A (即源極接觸區(qū)S與一漏 極接觸區(qū)D)的導(dǎo)電度實(shí)質(zhì)上等于像素電極230P的導(dǎo)電度。舉例而言，源極 接觸區(qū)S、漏極接觸區(qū)D以及像素電極230P的導(dǎo)電載流子濃度例如是介于1(^ cm's至1021 cn^之間，而溝道區(qū)C的導(dǎo)電載流子濃度例如是1014咖'3左右。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2E，形成一源極250S以及一漏極250D，其中源極250S 以及漏極250D與未被刻蝕終止層240覆蓋的部分主動(dòng)層230A電連接。詳言 之，源極250S配置于源極接觸區(qū)S以及部分的刻蝕終止層240上，而漏極250D 配置于漏極接觸區(qū)D以及部分的刻蝕終止層240上，且漏極250D電連接于 漏極接觸區(qū)D以及像素電極230P之間。在源極250S與漏極250D制作完成 之后，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)便大致上制作完成。
從圖2E可知，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)包括柵極210、柵絕緣層220、圖案 化金屬氧化物層230、刻蝕終止層240、源極250S以及漏極250D。柵極210 配置于基板200上，柵絕緣層220配置于基板200上以覆蓋柵極210，圖案化 金屬氧化物層230配置于柵絕緣層220上，且圖案化金屬氧化物層230包括 位于柵極210上方的主動(dòng)層230A以及像素電極230P。刻蝕終止層240配置 于主動(dòng)層230A的部分區(qū)域上，其中未被刻蝕終止層240覆蓋的部分圖案化金 屬氧化物層230的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio)高于被刻蝕終止層240覆 蓋的部分圖案化金屬氧化物層230的氧空缺比例(oxygen vacancy ratio),意即， 未被刻蝕終止層240覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層230的導(dǎo)電度高于被刻 蝕終止層240覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層230的導(dǎo)電度。此外，源極250S 以及漏極250D與未被刻蝕終止層240覆蓋的部分主動(dòng)層230A電連接，且漏 極250S與像素電極230P電連接。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2F，形成一保護(hù)層260，以覆蓋刻蝕終止層240、源極250S、 漏極250D以及像素電極230P的部分區(qū)域，其中保護(hù)層260具有一開口 260a 以將像素電極230P的部分區(qū)域暴露。在形成保護(hù)層260之后，接著依序形成一有機(jī)電激發(fā)光層270以及一頂電極280。在本實(shí)施例中，頂電極280的材質(zhì) 例如為金屬。當(dāng)施加一驅(qū)動(dòng)電流至像素電極230P與頂電極280之間的有機(jī)電 激發(fā)光層270時(shí)，有機(jī)電激發(fā)光層270所發(fā)出的大部分光線會(huì)穿過基板200。 在頂電極280制作完成之后，本實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示單元便大致上制 作完成。
從圖2F可知，本實(shí)施例的有機(jī)電激發(fā)光顯示單元包括前述的像素單元(如 圖2E所示)、配置于像素電極230P上的有機(jī)電激發(fā)光層270以及配置于有 機(jī)電激發(fā)光層270上的頂電極280。
由于本發(fā)明透過表面處理的方式使得圖案化金屬氧化物層的不同區(qū)域分 別具有不同的導(dǎo)電載流子濃度，進(jìn)而使得主動(dòng)層以及像素電極能夠一并被制 作于柵絕緣層上，因此本發(fā)明可以有效地降低制造成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。另外，本發(fā)明的任 一實(shí)施例或申請(qǐng)專利范圍不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)。 此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā) 明的權(quán)利范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括一柵極，配置于所述的基板上；一柵絕緣層，配置于所述的基板上以覆蓋所述的柵極；一圖案化金屬氧化物層，配置于所述的柵絕緣層上，其中所述的圖案化金屬氧化物層包括一位于所述的柵極上方的主動(dòng)層以及一像素電極；一刻蝕終止層，配置于所述的主動(dòng)層的部分區(qū)域上，其中未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度；一源極；以及一漏極，其中所述的源極以及所述的漏極與未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動(dòng)層電連接，且所述的漏極與所述的像素電極電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，未被所述的刻蝕終止層 覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的氧空缺比例高于被所述的刻蝕終止 層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的氧空缺比例。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，未被所述的刻蝕終止層 覆蓋的部分所述的主動(dòng)層的導(dǎo)電度實(shí)質(zhì)上等于所述的像素電極的導(dǎo)電度。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，未被所述的刻蝕終止層 覆蓋的部分所述的主動(dòng)層的氧空缺比例實(shí)質(zhì)上等于所述的像素電極的氧空缺 比例。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的主動(dòng)層包括一源 極接觸區(qū)、 一漏極接觸區(qū)以及一連接于所述的源極接觸區(qū)與所述的漏極接觸 區(qū)之間的溝道區(qū)，且所述的刻蝕終止層配置于所述的溝道區(qū)上。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的刻蝕終止層自行 對(duì)準(zhǔn)于所述的溝道區(qū)。
7. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的源極接觸區(qū)、所述的漏極接觸區(qū)以及所述的像素電極的導(dǎo)電度實(shí)質(zhì)上相同。
8. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的源極接觸區(qū)、所 述的漏極接觸區(qū)以及所述的像素電極的導(dǎo)電載流子濃度介于102Qcm'3到 10"cm'3之間。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的像素結(jié)構(gòu)還包括 一保護(hù)層，其中所述的保護(hù)層覆蓋所述的刻蝕終止層、所述的源極、所述的 漏極以及所述的像素電極的部分區(qū)域，且所述的保護(hù)層具有一開口以將所述 的像素電極的部分區(qū)域暴露。
10. —種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的方法包括 于一基板上形成一柵極；在所述的基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋所述的柵極；在所述的柵絕緣層上形成一圖案化金屬氧化物層；在所述的圖案化金屬氧化物層的部分區(qū)域上形成一刻蝕終止層;以所述的刻蝕終止層為掩膜，對(duì)所述的圖案化金屬氧化物層進(jìn)行一表面 處理，以使未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的 導(dǎo)電度高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導(dǎo) 電度，其中經(jīng)過所述的表面處理后的所述的圖案化金屬氧化物層包括-一位于 所述的柵極上方的主動(dòng)層以及一像素電極；以及形成一源極以及一漏極，其中所述的源極以及所述的漏極與未被所述的 刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動(dòng)層電連接，且所述的漏極與所述的像素電 極電連接。
11. 如權(quán)利要求IO所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的表 面處理包括等離子體表面處理。
12. 如權(quán)利要求10所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述的方 法還包括形成一保護(hù)層，其中所述的保護(hù)層覆蓋所述的刻蝕終止層、所述的源極、所述的漏極以及所述的像素電極的部分區(qū)域，且所述的保護(hù)層具有一 開口以將所述的像素電極的部分區(qū)域暴露。
13. —種有機(jī)電激發(fā)光顯示單元，配置于一基板上，其特征在于，所述的 有機(jī)電激發(fā)光顯示單元包括一像素單元，包括如權(quán)利要求l所述的像素結(jié)構(gòu)； 一有機(jī)電激發(fā)光層，配置于所述的像素電極上；以及一頂電極，配置于所述的有機(jī)電激發(fā)光層上。
14. 一種有機(jī)電激發(fā)光顯示單元的制造方法，其特征在于，所述的方法包括于一基板上形成一柵極；于所述的基板上形成一柵絕緣層，以覆蓋所述的柵極； 于所述的柵絕緣層上形成一圖案化金屬氧化物層； 于所述的圖案化金屬氧化物層的部分區(qū)域上形成一刻蝕終止層； 以所述的刻蝕終止層為掩膜，對(duì)所述的圖案化金屬氧化物層進(jìn)行表面處 理，以使未被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導(dǎo) 電度高于被所述的刻蝕終止層覆蓋的部分所述的圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電 度，其中經(jīng)過所述的表面處理后的所述的圖案化金屬氧化物層包括一位于所 述的柵極上方的主動(dòng)層以及一像素電極；形成一源極以及一漏極，其中所述的源極以及所述的漏極與未被所述的 刻蝕終止層覆蓋的部分所述的主動(dòng)層電連接，且所述的漏極與所述的像素電 極電連接；于所述的像素電極上形于一有機(jī)電激發(fā)光層；以及 于所述的有機(jī)電激發(fā)光層上形成一頂電極。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)、有機(jī)電激發(fā)光顯示單元及其制造方法，所述的像素結(jié)構(gòu)配置于基板上，且所述像素結(jié)構(gòu)包括柵極、柵絕緣層、圖案化金屬氧化物層、刻蝕終止層、源極以及漏極。柵極配置于基板上，柵絕緣層配置于基板上以覆蓋柵極，圖案化金屬氧化物層配置于柵絕緣層上，且圖案化金屬氧化物層包括位于柵極上方的主動(dòng)層以及像素電極，刻蝕終止層配置于主動(dòng)層的部分區(qū)域上，源極以及漏極與未被刻蝕終止層覆蓋的部分主動(dòng)層電連接，且漏極與像素電極電連接。其中未被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度高于被刻蝕終止層覆蓋的部分圖案化金屬氧化物層的導(dǎo)電度。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101615613SQ20091016563
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2009年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月12日
發(fā)明者謝信弘, 陳昶亙 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司