專利名稱：一種制備具有金屬襯底的InGaAlN發(fā)光二極管的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的制造。更具體而言，本發(fā)明涉及一種在硅襯底上制備銦 鎵鋁氮(InGaAlN)半導體材料并將這種材料轉移至金屬襯底上的技術。
背景技術：
由InGaAlN半導體材料制備的發(fā)光二極管(LEDs)作為背光、固態(tài)發(fā)光器件已大量 用于大屏幕顯示、交通燈、光源等應用中。通常InGaAlN多層結構是在藍寶石或SiC襯底上 外延制得，且電極常被置于InGaAlN多層結構的同側。已有多種方法開發(fā)應用于LED的制造。盡管如此，利用這些方法制備的InGaAlN LED通常具有發(fā)光效率低和導熱性低的缺點，原因在于透明導電層會吸收有源區(qū)發(fā)射出的 光。此外，同側電極結構往往導致器件表面面積利用率低。器件的另一種結構是垂直電極結構。在這種結構中一個電極被置于外延結構上， 而另一電極置于導電襯底(如Si襯底)的背面。然而，即使具有垂直電極結構，不透明襯 底和歐姆接觸層內的吸光問題仍然存在。此外，由于氮化鋁(AlN)緩沖層的存在，垂直電極 結構會增大LED的啟動電壓。制備^GaAlN的一種方法就是采用結合濕法刻蝕技術的晶片邦定法。在這種方法 中，InGaAlN多層結構在硅生長襯底上制備，接著InGaAlN結構和導電襯底被壓焊至金屬邦 定層上，然后通過濕法刻蝕剝離硅生長襯底，InGaAlN因此被轉移至導電襯底上。這種倒裝 芯片制備技術制造的器件結構具有兩個電極在器件兩側的垂直電極結構，因而與利用其他 常規(guī)方法制備的LED相比，所制備的LED具有更高的發(fā)光效率，更低的啟始電壓以及更高的 表面利用率。但是，在壓焊過程期間，由于InGaAlN結構和導電襯底暴露在相對高的壓力和 溫度下，導致LED的可靠性降低，因此對這種方法而言壓焊過程的穩(wěn)定是主要的關切。盡管藍寶石也可作為生長襯底材料，但是藍寶石襯底比硅襯底更貴且更難加工， 因此在硅襯底上制備InGaAlN LED更具商業(yè)價值。
發(fā)明內容
本發(fā)明的一個實施例提供一種制備發(fā)光二極管的方法。該方法包括在生長襯底上 刻蝕凹槽，從而在所述生長襯底上形成臺面。該方法進一步包括在所述每個臺面上制備銦 鎵鋁氮(InGaAlN)多層結構，其中該結構包含ρ-型層、多量子阱層以及n_型層。該方法還 包括在所述InGaAlN多層結構之上沉積一層或多層金屬襯底層。此外，方法包括剝離所述 生長襯底。該方法進一步包括在所述InGaAlN多層結構的兩側上制造電極，從而形成垂直 電極結構。在該實施例的一個變型中，制備所述InGaAlN多層結構包括應用金屬有機化學汽 相沉積。在該實施例的一個變型中，沉積所述一層或多層金屬襯底層進一步包括制備歐姆 接觸層，對具有歐姆接觸層的所述InGaAlN多層結構進行退火，以及形成腐蝕保護層。
在進一步的變型中，所述歐姆接觸層由基于鉬-金、鉬-銠、鎳-金氧化物或銦-錫 氧化物的合金組成。 在進一步的變型中，所述歐姆接觸層由基于鎳-金氧化物、銦-錫氧化物或鎳-金 氧化物與銦-錫氧化物的組合的透明材料組成。在進一步的變型中，所述腐蝕保護層由金、鉬、鈀、銠或不銹鋼組成。在該實施例的一個變型中，所述金屬襯底層由適合選擇性刻蝕的不同材料組成。在進一步的變型中，所述金屬襯底層包括夾于兩個銅層之間的銀層。在該實施例的變型中，剝離所述生長襯底包括化學刻蝕。在該實施例的變型中，方法進一步包括粗化η-型層表面。
這里包括的圖形隨附于說明書且構成說明書的一部分，并用于描述本發(fā)明的一些 特征。通過提及的這些圖形中的一個或若干個，并結合這里所作出的陳述可以更好地理解 本發(fā)明。應注意的是圖形中說明的特征并沒有必要按規(guī)定比例繪制。圖1是根據本發(fā)明一個實施例的說明LED制備方法的流程圖。圖2是根據本發(fā)明一個實施例的在生長襯底上制備的InGaAlN結構的晶片級視 圖。圖3A是根據本發(fā)明一個實施例的在生長襯底上制備的LED的橫截面視圖。圖:3B是根據本發(fā)明一個實施例的具有歐姆接觸層和在ρ-型層上制備的腐蝕保護 層的LED的橫截面視圖。圖3C-1是根據本發(fā)明一個實施例的具有多層金屬襯底和在腐蝕保護層上制備的 保護層的LED的橫截面視圖。圖3C-2是根據本發(fā)明一個實施例的具有一層金屬襯底和在腐蝕保護層上制備的 保護層的LED的橫截面視圖。圖3D是根據本發(fā)明一個實施例的具有從硅襯底被轉移至金屬襯底上的InGaAlN 多層結構的LED的橫截面視圖。圖3E是根據本發(fā)明一個實施例的具有在InGaAlN結構上刻蝕并準備用于沉積電 極的凹槽的LED的橫截面視圖。圖3F是根據本發(fā)明一個實施例的具有一部分腐蝕保護層被暴露的LED橫截面視 圖。圖3G-1是根據本發(fā)明一個實施例的具有在穿透AlN緩沖層的孔內沉積的電極的 LED的橫截面視圖。圖3G-2是根據本發(fā)明一個實施例的具有在穿透AlN緩沖層的孔內沉積的電極和 粗化的η-型GaN層的LED的橫截面視圖。圖3G-3是根據本發(fā)明一個實施例的具有在粗化的AlN緩沖層和n_型層上沉積的 電極的LED的橫截面視圖。圖3H是根據本發(fā)明一個實施例的具有在InGaAlN多層結構的垂直側面形成的鈍 化層的LED的橫截面視圖。
具體實施例方式給出以下的描述，以使得本領域技術人員能夠制造和使用本發(fā)明，且這些描述是 在具體應用及其需求的背景下提供的。公開實施例的各種修改對本領域技術人員而言是顯 而易見的，且在不離開本發(fā)明的精神實質和范圍的情況下，這里限定的一般原理可以應用 到其它實施例和應用。因而，本發(fā)明不限于所示出的實施例，而是與權利要求的最寬范圍一致。本發(fā)明的實施例提供一種制備具有垂直電極結構和金屬襯底的InGaAlN-基LED 的方法。在一個實施例中，在具有凹槽圖形化的硅生長襯底上制備InGaAlN多層結構之后， 多層結構從硅生長襯底被轉移至導電襯底上。在一個實施例中，利用電鍍、離子電鍍或磁控 濺射在InGaAlN多層結構上沉積預設厚度的金屬襯底，隨后經化學刻蝕剝離硅襯底。另外， 在LED結構的兩側沉積電極。圖1是根據本發(fā)明的說明LED制備方法的流程圖。在制備過程期間，準備生長襯 底(步驟110)，在一個實施例中可以是硅襯底。在一個實施例中，在生長襯底上刻蝕凹槽， 形成單個的臺面。InGaAlN多層結構可在這些臺面上制備，且不會出現(xiàn)晶格系數(shù)和熱膨脹系 數(shù)不匹配所引起的裂紋。隨后，在圖形化結構上制備MGaAlN結構(步驟120)。接著，在化6仏·多層結構上沉積含有一層或多層金屬層的金屬襯底(步驟130)。 器件隨后被浸入濕法刻蝕液中以去除生長襯底(步驟140)。去除生長襯底后，器件被倒置， 并可選擇地在緩沖層上形成穿透緩沖層的孔，這樣所制成的電極與器件的導電性的P-型 層或η-型層接觸(步驟150)。隨后，制備歐姆接觸層(步驟160)。此外，在器件的兩側形成電極(步驟170)。在 一個實施例中，形成鈍化層用以保護器件(操作180)。圖2是根據本發(fā)明一個實施例的在生長襯底上制備的InGaAlN結構的晶片級視 圖。圖3Α-3Η是補充圖形，用于幫助說明圖1中描述的方法。參照圖3Α和圖1中的步驟110，InGaAlN多層結構303在經刻蝕生長襯底層301 上得到的凹槽302形成的其中一個臺面上制備。在一個實施例中，有機金屬化學汽相沉積 (MOCVD)被用于制備MGaAlN結構303。凹槽302將生長襯底301分割成多個矩形臺面。理想的凹槽302的深度應大于 3 μ m,且理想的寬度應在3至100 μ m范圍之內。取決于刻蝕凹槽的方法，臺面的形狀可是 正方形、矩形、菱形、三角形等等。此外，臺面的面積可大于ΙΟΟμπι2。臺面通常的大小是 200 X 200 μ τα、300 X 300 μ m2 或 400 X 400 μ τα。參照圖3Α，在一個實施例中，InGaAlN結構303包括在硅生長襯底301上制備的氮 化鋁(AlN)緩沖層304，η-型氮化鎵(GaN)層305，銦鎵氮(InGaNVGaN多量子阱層306以 及P-型GaN層307。此外，可在ρ-型層307上沉積大約2nm厚的hGaN包覆層。InGaN包 覆層可摻雜鎂或不摻雜鎂，且被視為部分P-型層307。2nm厚的InGaAlN包覆層所產生的 張力改變了 P-型GaN層表面上的極化場，并因此增大了空穴載流子的濃度，從而提高歐姆 接觸層的質量。在一個實施例中，AlN緩沖層304可被AlN和GaN組成的交替層替代。緩沖層中 的GaN可符合化學計量比。用于η-型層305的摻雜劑可以是硅，而用于ρ-型層307的摻 雜劑可以是鎂。多量子阱層306也可以摻有雜質。
參照圖;3B和圖1中的步驟120，在hGaAIN結構303的ρ-型層307上制備歐姆接 觸層309。歐姆接觸層制備完成后，用填充物310填充凹槽302。隨后，在ρ-型層上沉積腐 蝕保護層308。用于制備歐姆接觸層309的材料可是鉬-金、鉬-銠、鎳-金氧化物、銦-錫氧化 物等的合金。歐姆接觸層309可被下列材料組成的交替層替代鉬和金；鉬和銠；鉬銠金，或 鉬銠金的三重合金。在一個實施例中，歐姆接觸層309的尺寸小于在臺面上制備的InGaAlN 的尺寸。為了激活η-型層305內的摻雜劑，反應室內的InGaAlN結構303在大約760°C時 退火。之后，利用蒸發(fā)電鍍法沉積歐姆接觸層309?？蛇x的是，可在hGaAlN結構303上沉 積例如由鉬組成的歐姆接觸。接下來，鉬包覆的InGaAlN層303在反應室內在大約550°C時 退火大約lOmin。載氣隊和02之比為4 1。厚度在10至10000 A范圍內的鉬歐姆接觸 層，吸收對鎂有鈍化作用的氫原子。為了避免在ρ-型和η-型電極之間產生電流擁塞現(xiàn)象，應用光刻可在ρ-型層上形 成一個不被歐姆接觸層覆蓋的小區(qū)域。這個小區(qū)域防止多量子阱層發(fā)出的光被η-型電極 遮擋。鄰接ρ-型層的歐姆接觸層可被制成透明的層，且為了提高LED的光提取效率，可 在透明歐姆接觸層上沉積附加反射層。在一個實施例中，用上述金屬制成的透明歐姆接觸 層的厚度小于200 A。透明歐姆接觸層也可用氧化物如鎳-金氧化物、銦-錫氧化物以及 鎳-金氧化物和銦-錫氧化物的組合制備而成。在一個實施例中，用氧化物制成的透明歐 姆接觸層的厚度大約是200 A。光反射層可由銀、鋁或具有高反射率的任何合金制成?？蛇x的是，在歐姆接觸層和 光反射層之間可放置擴散阻擋層。擴散阻擋層，例如由氮化鈦制成，具有高透射率且化學性 質與物理性質均穩(wěn)定。因此，它可有效防止金屬基光反射層損壞歐姆接觸層。與具有連續(xù)圖案的歐姆接觸層相比，具有格子狀圖案的歐姆接觸層覆蓋ρ-型GaN 層的面積更小。因此，為了減少多量子阱層發(fā)射出的光的衰減，歐姆接觸層可具有格子狀的 圖案。同樣地，擴散勢壘層也可具有格子狀圖案，這樣光反射層只與不被歐姆接觸層覆蓋的 P-型GaN層部分接觸。密封凹槽302的填充物310可由不導電材料(如光阻材料)或是導電材料(如金 屬)制成。在InGaAlN結構303上沉積的腐蝕保護層308可通過電子束蒸發(fā)，磁力濺射或 熱阻蒸發(fā)來實現(xiàn)。腐蝕保護層308保護金屬襯底是導電性的且抗硅刻蝕液的腐蝕。腐蝕保 護層308由抗硅刻蝕液腐蝕的純金屬(如金、鉬、鈀和銠)或合金(如不銹鋼合金和含金、 鉬，鈀或銠的合金)制成。在一個實施例中，腐蝕保護層308在InGaAlN結構303上沉積， 其具有足夠密度且層內沒有空隙。參照圖3C-2和圖1中的步驟130，利用電鍍在腐蝕保護層308上制備由純金屬 或合金制成的金屬襯底311。其他干法沉積方法，如磁力濺射、離子注入、電子束蒸發(fā)以及 熱阻蒸發(fā)也可應用于制備金屬襯底。金屬襯底可包括一層或多層。在一個實施例中，如圖 3C-1所示，在腐蝕保護層308上制備的多層金屬襯底包括底層311a，中間層311b以及上層 311c。此外，保護層314在上層311c上沉積。保護層314可由抗硅刻蝕液的純金屬或合金 制成。
在一些實施例中，應用化學刻蝕分割金屬襯底。如果金屬襯底包括多層，那么多層 金屬襯底的組成適合必需選擇性刻蝕，換句話說，相鄰的金屬襯底層理想地是由對不同化 學溶劑起不同反應的金屬制成。例如，多層襯底可包括電鍍的銅，銀及銅層，也可應用銀/ 銅/銀結構。參照圖3D和圖1中的步驟140，利用化學刻蝕剝離硅襯底層301。InGaAlN結構 303因此從Si (111)襯底301上轉移至金屬襯底311上，正如圖3D所示，在一些實施例中， 金屬襯底311包括金屬層311a，311b和311c。通常來說，用于剝離硅襯底的硅刻蝕液是硝酸，氫氟酸和乙酸比為5 2 2的混 合液?；瘜W刻蝕過程在大約80°C時進行。硅襯底層301被剝離后，利用超聲波清洗或其他 方法去除凹槽302內的填充物310。參照圖3E和圖1中的步驟150，由光阻材料、金屬、或金屬與光阻材料的組合制成 的掩膜層315覆蓋在AlN緩沖層304上。應注意的是，圖3E中所示的LED結構與圖3D中 旋轉180°后的LED結構是一樣的。在沉積電極的步驟中，利用感應耦合等離子體刻蝕法 在InGaAlN結構303上刻蝕出孔316，也就是電極將要沉積的區(qū)域，此后，這些孔被稱為電 極孔。可選的是在刻蝕過程期間使LED結構在紫外光下曝光?？涛g孔也可由反應性離子刻 蝕或濕法刻蝕完成。用于反應性離子刻蝕過程中的氣體可是基于氯氣或其他普通用于刻蝕 GaN的氣體。用于濕法刻蝕的腐蝕液可是磷酸，氫氧化鈉或氫氧化鉀。很重要的一點是電極孔沒有穿透η-型GaN層305。刻蝕電極孔316后，去除η_型 GaN層305的邊緣。開口處317表示經過邊緣去除處理后的LED結構的η-型GaN層305的 邊緣。隨后去除掩膜315。參照圖3F和圖1中的步驟160，在AlN緩沖層304上制備歐姆接觸層318和光阻 材料制成的掩膜319。用于歐姆接觸層318的材料可包括下列合金鍺，鎳和金、金和硅、氮 化鈦、鈦和鋁、以及選自鍺-鎳-金、金-硅、氮化錫和錫-鋁中的兩種或多種材料的組合。 此外，在歐姆接觸金屬層318的上沉積由錫-金或鎳-金制成的包覆層，以便于引線鍵合。圖3F是部分腐蝕保護層暴露的LED的橫截面視圖。為了提高LED的質量，可去除 η-型GaN層305，InGaN/GaN多量子阱層306以及ρ-型GaN層307的邊緣，以減輕器件內 的邊界效應。在一個實施例中，邊緣以腐蝕保護層308的部分320暴露這樣一種方式被去 除。用于邊緣去除的技術可以是干法刻蝕，濕法刻蝕或兩者的組合。參照圖3G-1和圖1的步驟170，電極321在電極孔316中沉積。腐蝕保護層308 的暴露部分320被進一步刻蝕，得到加深的凹槽322，凹槽的底面就是腐蝕保護層308的表 面。在上層311c之下的保護層314被刻蝕具有與凹槽322對齊的凹槽323。對應的凹槽 322和323有助于隨后在后續(xù)處理中多層金屬襯底311的分割。正如圖3G-2所示，如果需要的話，η-型GaN層305的表面可被粗化，以獲得一定 的粗糙度。粗化表面的圖案可以為六角錐形、六角圓柱形，圓柱形，錐形或環(huán)形圓柱的形狀。 粗化方法可包括光電化學刻蝕，ICP刻蝕或兩者的組合。如果光電化學刻蝕用于粗化處理， 那么腐蝕液可是磷酸，氫氧化鉀或氫氧化鈉。圖3G-3是根據本發(fā)明一個實施例的具有在粗化的AlN緩沖層和η_型層上沉積的 電極的LED的橫截面視圖。正如在這個例子中所說明的，粗化處理形成了暴露η-型層305 的波紋曲面。電極321可在波紋曲面上沉積，且仍可獲得與η-型層305的歐姆接觸。
參照圖3H和圖1中的步驟180，在LED結構的垂直側墻上形成鈍化層324。鈍化 層可由二氧化硅、氧化鋁、聚酰亞胺、氮化硅、或者是兩種或多種通常用于鈍化的材料制成。 在完成步驟180時，LED已制備好且準備用于分割，測試，封裝及運輸。最佳實施例以下結合圖1中的步驟來闡述本發(fā)明公開的方法的最佳實施例。在步驟110中， 生長襯底被刻蝕成菱形狀凹槽，得到臺面。凹槽的深度大約是5 μ m且寬度大約是50 μ m。 每個臺面的面積是50000 μ m2。利用MOCVD法在生長襯底上制備InGaAlN多層結構，其中該 結構包括緩沖層，其包括AlN和GaN組成的交替層；摻硅η-型GaN層；InGaN/GaN多量子 阱層以及摻鎂P-型GaN層。在步驟120中，利用蒸發(fā)電鍍在P-型層上沉積由鉬-金合金制成的歐姆接觸層。 歐姆接觸層的厚度大約是5000 A。反應室內合金包覆的InGaAlN結構在大約550°C時退火 大約lOmin。載氣N2和O2之比是4 1。然后金屬制成的填充物填充刻蝕的凹槽，并利用 電子束蒸發(fā)在^GaAlN結構上沉積由金制成的腐蝕保護層。在步驟130中，利用電鍍法在腐蝕保護層上制備三層金屬襯底層，包括電鍍銅，銀 及銅層。另外，在三層金屬襯底層上沉積金屬保護層。在步驟140中，利用硅刻蝕液剝離硅生長襯底，其中硅刻蝕液是硝酸，氫氟酸以及 乙酸比為5 2 2的混合液?；瘜W刻蝕過程在大約80°C時進行。隨后，利用超聲波清洗 將填充物去除。在步驟150中，利用濕法刻蝕在InGaAlN結構上刻蝕電極孔。用于濕法刻蝕的腐 蝕液是磷酸。在步驟160中，制備由金和硅制成的歐姆接觸層，并在歐姆接觸金屬層之上沉積 由錫-金或鎳-金制成的包覆層，以便于引線鍵合。在步驟170中，除了形成η-型電極的區(qū)域外，η-型GaN層的表面被粗化。粗化表 面的圖案可為六角錐形。用于光電化學刻蝕的腐蝕液是磷酸。然后在η-型GaN層上形成電 極。在步驟180中，在LED的垂直側墻上形成氧化鋁制成的鈍化層。完成步驟180時，LED 制備完成。本發(fā)明實施例的前述描述僅為說明和描述的目的而給出。它們并非窮盡性的，或 并不旨在將本發(fā)明限制成這里所公開的形式。因而，在不偏離本發(fā)明實質前提下可對本發(fā) 明的特征或組成作出許多修改。另外，上述公開內容并非旨在限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍 由所附權利要求來限定。
權利要求
1.一種用于制備發(fā)光二極管的方法，該方法包括在生長襯底上刻蝕凹槽，從而在所述生長襯底上形成臺面；在所述每個臺面上制備銦鎵鋁氮(InGaAlN)多層結構，其中該結構包括ρ-型層、多量 子阱層、以及η-型層；在所述^GaAlN多層結構上沉積一層或多層金屬襯底層； 剝離所述生長襯底；以及在所述InGaAlN多層結構的兩側形成電極，從而形成垂直電極結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于制備所述InGaAlN多層結構包括應用金屬 有機化學汽相沉積。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于沉積所述一層或多層金屬襯底層還包括 制備歐姆接觸層；對具有歐姆接觸層的所述InGaAlN多層結構進行退火；以及 形成腐蝕保護層。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鉬-金、鉬-銠、 鎳-金氧化物或銦-錫氧化物的合金。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鎳-金氧化物、 銦-錫氧化物或鎳-金氧化物與銦-錫氧化物組合的透明材料。
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述腐蝕保護層包括金、鉬、鈀、銠或不銹鋼。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述金屬襯底層由適合選擇性刻蝕的不同 材料組成。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于所述金屬襯底層包括夾于兩個銅層之間的銀層。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于剝離所述生長襯底包括化學刻蝕。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于該方法進一步包括粗化η-型層的表面。
11.一種發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括InGaAlN多層結構，該結構包括ρ-型層，多量子阱層以及η_型層； 鄰接所述η-型層沉積的第一電極； 鄰接所述P-型層沉積的第二電極； 鄰接所述P-型層沉積的一層或多層金屬襯底層；以及 鈍化層；其中第一和第二電極形成垂直電極結構。
12.根據權利要求11的發(fā)光二極管，其特征在于該發(fā)光二極管進一步包括 鄰接P-型層的歐姆接觸層；以及腐蝕保護層，其在剝離生長襯底的濕法刻蝕過程中保護金屬襯底層。
13.根據權利要求12的發(fā)光二極管，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鉬-金、 鉬-銠、鎳-金氧化物或銦-錫氧化物的合金。
14.根據權利要求12的發(fā)光二極管，其特征在于所述歐姆接觸層包括基于鎳-金氧化 物、銦-錫氧化物或鎳-金氧化物和銦-錫氧化物的組合的透明材料。
15.根據權利要求12的發(fā)光二極管，其特征在于所述腐蝕保護層包括金、鉬、鈀、銠或 不銹鋼。
16.根據權利要求11的發(fā)光二極管，其特征在于所述金屬襯底層由適合選擇性刻蝕的 不同材料組成。
17.根據權利要求16的發(fā)光二極管，其特征在于所述金屬襯底層包括夾于兩個銅層之 間的銀層。
18.根據權利要求17的發(fā)光二極管，其特征在于該發(fā)光二極管還包括粗化η-型層的表
全文摘要
本發(fā)明的一個實施例提供一種制備發(fā)光二極管的方法。該方法包括在生長襯底上刻蝕凹槽，從而在所述生長襯底上形成臺面。該方法進一步包括在所述每個臺面上制備銦鎵鋁氮(InGaAlN)多層結構，該結構包括p-型層、多量子阱層、以及n-型層。此外，該方法包括在所述InGaAlN多層結構上沉積一層或多層金屬襯底層。該方法還包括剝離所述生長襯底。該方法進一步包括在所述InGaAlN多層結構的兩側形成電極，從而得到垂直電極結構。
文檔編號H01L21/20GK102067339SQ200880130784
公開日2011年5月18日 申請日期2008年8月19日 優(yōu)先權日2008年8月19日
發(fā)明者方文卿, 江風益, 熊傳兵, 王古平, 王立, 章少華 申請人:晶能光電(江西)有限公司