專利名稱：薄膜層疊器件的制造方法和顯示裝置的制造方法、以及薄膜層疊器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及薄膜層疊器件的制造方法和顯示裝置的制造方法、以及薄膜層疊器 件。
背景技術：
以往，嘗試代替玻璃和硅等較硬的基板，使用塑料和金屬薄膜等具有柔軟性的基 板，制造晶體管和傳感器等具有高度性能的薄膜器件。特別是具有透明性、耐久性優(yōu)良的塑 料基板作為用于下一代顯示器的基板被高度關注。但是，存在塑料基板與玻璃基板相比較 薄且容易彎曲，基板搬運困難的大課題。對于與這樣的塑料基板相關的問題，例如，專利文獻1中，記載有對復合基板進行 光刻工序等處理后，通過從背面照射紫外線將塑料基板從支撐基板分離的方法，該復合基 板通過使用粘合力會因紫外線而減少的粘合劑將塑料基板貼合到作為支撐基板的玻璃基 板而成。此外，專利文獻2中，記載有通過加熱將塑料基板從支撐基板分離的方法。專利文獻1 日本特開平7-325297號公報專利文獻2 日本特開2000-248243號公報

發(fā)明內容
但是，在上述方法中，存在如下問題在復合基板的處理工序中，粘合力在紫外線 照射和加熱時降低，處理中塑料基板從支撐基板剝離等。該剝離是由于如下原因而產生的 塑料基板和粘合材料(有機材料)的由熱和水分吸收導致的基板膨脹與作為無機材料的玻 璃基板等支撐基板相比非常大，因其差而在二者的界面產生應力。特別是，在制造高性能 的TFT (薄膜晶體管)的情況下，需要在接近250°C的非常高的溫度下成膜，或者通過紫外 線照射反復制作細微的圖案，加熱和紫外線照射導致粘合材料的粘合力的降低。因此，在良 好地使支撐基板支撐塑料基板的狀態(tài)下，對塑料基板進行形成薄膜等處理存在折衷的問題 (trade-of)，在塑料基板上良好地形成器件非常困難。進而，粘合力會因紫外線和熱而降低 的粘合材料與僅特殊化為高粘合性的粘合材料相比價格非常高，在制造成本方面也存在問 題。本發(fā)明是鑒于上述各點而完成的，其目的在于，提供能夠以良好的制造成本在塑 料基板上良好地形成薄膜器件的薄膜層疊器件和顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的薄膜層疊器件的制造方法是在塑料基板層疊有多層薄膜的薄膜層疊器 件的制造方法，包括第一工序，準備依次層疊有第一無機膜和第二無機膜的塑料基板；第 二工序，利用粘合劑從第一無機膜和第二無機膜一側將塑料基板貼合在支撐基板，使支撐 基板以比第一無機膜與第二無機膜之間的粘合力強的粘合力支撐塑料基板；第三工序，在 被支撐基板支撐的塑料基板上層疊多層薄膜；和第四工序，通過分離第一無機膜與第二無 機膜，將層疊有多層薄膜的塑料基板從支撐基板分離。
4
根據(jù)上述結構，能夠在使用粘合力強的粘合劑使支撐基板牢固地支撐容易產生彎 曲和撓曲的塑料基板的狀態(tài)下形成多層薄膜。因此，即使在反復進行高溫加熱和濕式處理 等工序的薄膜層疊器件制造中，也能夠良好地進行制造處理而塑料基板不會從支撐基板剝罔。此外，在塑料基板上形成多層薄膜后，不是從強力粘合的支撐基板直接分離，而是 通過分離以弱粘合力粘合的第一無機膜與第二無機膜，將塑料基板從支撐基板分離。因此， 不需要粘合性能會因紫外線照射和加熱等而降低的高價的粘合材料，此外，不需要紫外線 照射和加熱所需的處理裝置。從而，能夠以良好的處理效率和處理成本將塑料基板從支撐 基板分離。 根據(jù)本發(fā)明，能夠以良好的制造成本在塑料基板上良好地形成薄膜器件。


圖1表示液晶顯示裝置的剖視圖。圖2是有源矩陣基板的剖視圖。圖3是對置基板的剖視圖。圖4是依次層疊有SiNx膜、非晶硅膜和ITO膜的塑料基板的剖視圖。圖5是被玻璃基板支撐的塑料基板的剖視圖和與其對應的俯視圖。圖6是被玻璃基板支撐且形成有TFT的塑料基板的剖視圖。圖7是使SiNx膜與非晶硅膜分離的塑料基板的剖視圖。圖8是使比截斷面靠內側的SiNx膜從非晶硅膜分離的塑料基板的剖視圖。符號的說明10液晶顯示裝置13有源矩陣基板14對置基板16TFT19、32塑料基板41SiNx膜(第一無機膜)42非晶硅膜(第二無機膜)43ΙΤ0膜(第三無機膜)44玻璃基板(支撐基板)45粘合劑50 激光51截斷面
具體實施例方式以下，基于附圖對本發(fā)明的實施方式的薄膜層疊器件的制造方法和顯示裝置的制 造方法進行詳細說明。另外，本發(fā)明不限于以下的實施方式。此外，在本實施方式中，作為 顯示裝置以液晶顯示裝置為例進行說明。(液晶顯示裝置10的結構)
圖1表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置10的剖視圖。液晶顯示裝置10由液 晶顯示面板11和背光源12構成。液晶顯示裝置10包括分別作為在塑料基板層疊有多層薄膜的薄膜層疊器件的 有源矩陣基板13和對置基板14。液晶顯示裝置10具有在有源矩陣基板13與對置基板14 之間形成的液晶層15。圖2表示有源矩陣基板13的剖視圖。在有源矩陣基板13上設置有多個像素(未 圖示)，在各像素上形成有薄膜晶體管(TFT16)。此外，有源矩陣基板13在液晶層15 —側 的表面設置有取向膜17，并且在與液晶層15 —側相反的一側的表面設置有偏光板18。有源矩陣基板13包括例如厚度為0. Imm的塑料基板19，塑料基板19由例如環(huán)氧 樹脂、PET樹脂、PES樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯、聚碳酸酯和聚丙烯酸樹脂等的至少一種形 成。此外，塑料基板19只要為表現(xiàn)出柔軟性的基板即可，也可以為包含玻璃成分等的復合 型塑料基板。在塑料基板19的一面上例如以150nm等的厚度形成有SiNx膜20作為底涂 層(base coat) 0在SiNx膜20的一部分對各個像素(省略圖示)以200nm左右的厚度形 成有例如由Ti等構成的柵極電極21，以覆蓋上述SiNx膜20和柵極電極21的方式例如以 400nm左右的厚度形成有由SiNx層等形成的柵極絕緣膜22。在柵極絕緣膜22上例如以150nm左右的厚度形成有隔著柵極絕緣膜22覆蓋柵極 電極21的整體的半導體層23。半導體層23例如由非晶硅(a-Si)、多晶Si、微晶Si和氧化 物半導體等中的至少一種形成。在半導體層23上，以例如50nm左右的厚度形成有高濃度摻雜η型雜質的η+半導 體層24。在η+半導體層24和柵極絕緣膜22上，例如分別以200nm左右的厚度形成有由 Ti等構成的源極電極25和漏極電極26。在有源矩陣基板13上，像這樣形成有具有柵極電 極21、源極電極25和漏極電極26的TFT16。TFT16被由例如SiNx層等形成的未圖示的保護層覆蓋。此外，在漏極電極26上形 成有構成各像素的未圖示的像素電極，漏極電極26與像素電極電連接。如圖3所示，對置基板14包括塑料基板32，在塑料基板32上以150nm等厚度形成 有例如作為底涂層形成的SiNx膜33。在SiNx膜33上以規(guī)定的間隔形成有構成各像素的 多個彩色濾光片層30。在鄰接的彩色濾光片層30之間，形成有劃分上述多個彩色濾光片層 30的黑矩陣層34，以覆蓋上述彩色濾光片層30和黑矩陣層34的方式形成有相對電極31。 在對置基板14的液晶層15 —側的表面設置有取向膜27，并且在與液晶層15 —側相反的一 側的表面設置有偏光板28。液晶層15由在有源矩陣基板13與對置基板14之間形成的密封材料29密封。此 外，在有源矩陣基板13與對置基板14之間，為了使上述兩基板13、14的間隔均勻，形成有 例如由塑料、玻璃等構成的柱狀間隔物(未圖示)。(液晶顯示裝置10的制造方法)接著，使用附圖對本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置10的制造方法詳細說明。(有源矩陣基板形成工序)首先，如圖4所示，準備例如尺寸為320X420mm左右并且厚度為0. Imm左右的塑 料基板19。然后，在塑料基板的兩面，通過濺射法等分別形成SiNx膜20、41。SiNx膜20、 41的厚度為例如IOOOA左右。
6
此時成膜的SiNx膜20具有作為水分低透過性的透明絕緣膜的底涂層的功能。 SiNx膜41不僅與SiNx膜20同樣具有底涂層的功能，并且發(fā)揮如后所述作為弱粘合無機膜 的上層膜(第一無機膜)的功能。然后，在SiNx膜41上，在從其周端空出IOmm以下的寬度的內側，通過CVD法等形 成非晶硅膜42。非晶硅膜42的厚度例如為200人左右。非晶硅膜42如后所述具有作為弱 粘合無機膜的下層膜(第二無機膜)的功能。接著，在非晶硅膜42上，通過濺射法等形成作為透明薄膜的ITO(氧化銦錫)膜 43。ITO膜43的厚度例如為IOOOA左右。此處，本發(fā)明者對分別成膜于塑料基板19的無機膜彼此的粘合性進行了研究，得 到表1所示的結果。[表 1] 已知由于非晶硅膜42具有較強的膜應力，與無機膜的粘合力較小，如果膜厚為 5000 A以上，則即使單層也能呈現(xiàn)出足夠的弱粘合性，但從表1可以看出，通過進一步層 疊ITO膜43，能夠保持弱粘合性地使非晶硅膜42變薄至200A以下。通過使非晶硅膜42變 薄至200人以下，能夠從基板背面觀察基板表面狀態(tài)，并且也能夠從基板背面進行紫外線曝 光從而圖案化即進行所謂的背面曝光。因此，能夠在基板尺寸變化較大的塑料基板19上高 精度地進行各種圖案形成處理。接著，如圖5的塑料基板19的剖視圖(圖5的上側圖)所示，準備玻璃基板44(支 撐基板)。然后，通過利用粘合劑45從SiNx膜41和非晶硅膜42 —側將塑料基板19貼合 在玻璃基板44上，使玻璃基板44支撐塑料基板19。此時，粘合劑45覆蓋在SiNx膜41表 面距離其周端IOmm以下寬度的露出部上、和層疊于非晶硅膜42上的ITO膜43上。此外， 粘合劑45使用例如在使用250°C以上的加熱和藥液的濕式工序中也能夠獲得充分的粘合 強度的廉價的材料，使塑料基板19強力地粘合到玻璃基板44上。作為粘合劑，能夠使用例 如環(huán)氧類、硅類、氰丙烯酸酯(cyanoacrylate)類等樹脂粘合劑等。其中，本實施方式中，利用粘合劑45將塑料基板19貼合于玻璃基板44，但塑料基 板19與玻璃基板44的粘合方法不限于此。例如，還可以將塑料基板19或玻璃基板44的 表面通過等離子處理粗糙化后，將其整面向對方側基板按壓而粘合。像這樣，如圖5的塑料基板19的俯視圖(圖5的下側圖)所示，在塑料基板19與 玻璃基板44之間，在SiNx膜41表面，具有與距離其周端IOmm以下寬度的露出部對應的強 粘合區(qū)域60、和與以被包圍在其內側的方式設置的SiNx膜41與非晶硅膜42的界面區(qū)域對 應的弱粘合區(qū)域61。
該塑料基板19與玻璃基板44的粘合力比作為弱粘合無機膜的上層膜的SiNx膜 41與作為弱粘合無機膜的下層膜的非晶硅膜42的粘合力強。然后，如圖6所示，在被玻璃基板44支撐的塑料基板19上，通過濺射法使Ti以 例如200nm左右的厚度成膜后，通過光刻法圖案化而形成柵極電極21。然后，通過CVD法 使SiN膜(400nm)/a-Si (150nm)/n+Si (50nm)作為柵極絕緣膜22/半導體層23/n+半導體 層24在250°C的高溫下連續(xù)成膜，接著通過光刻法使a-Si和n+Si圖案化。其后，通過濺 射法使Ti以200nm左右的厚度成膜后，通過光刻法圖案化而形成源極電極25和漏極電極 26。接著，通過干刻法除去TFT16的溝道部的n+Si，在塑料基板19上制造TFT16。塑料基 板19與玻璃基板44粘合，因此這樣用于形成薄膜的裝置能夠用與在玻璃基板中使用的裝 置相同的裝置進行處理。其后，如圖7所示，通過將作為弱粘合無機膜的上層膜的SiNx膜41與作為弱粘合 無機膜的下層膜的非晶硅膜42分離，將形成有TFT16等的塑料基板19從玻璃基板44分離。此時，在SiNx膜41表面，距離其周端IOmm以下寬度的露出部，利用粘合劑45牢 固地粘合在玻璃基板44。因此，在該露出部用較強的力分離，在其以外的部分，只要用較弱 的力將作為弱粘合無機膜的上層膜的SiNx膜41與作為弱粘合無機膜的下層膜的非晶硅膜 42分離即可。從而，能夠良好地抑制對塑料基板19和薄膜層疊器件的破壞，能夠易于將塑 料基板19從玻璃基板44分離。接著，對分離后的塑料基板19施加規(guī)定的處理，制作有源 矩陣基板13。另外，當使用激光照射進行塑料基板19的分離時，能夠更容易進行塑料基板19的 分離。S卩，如圖8所示，通過激光50的照射等，沿著塑料基板19和SiNx膜41的與非晶硅 膜42的周端對應的部位或者比該部位靠內側的部位，形成在該塑料基板19和SiNx膜41 的厚度方向上延伸的截斷面51。接著，通過將比截斷面51靠內側的塑料基板19和SiNx膜 41從非晶硅膜42分離，將塑料基板19從玻璃基板44分離。像這樣，如果在分離前形成截斷面51，則不需要將比截斷面51靠外側的利用粘合 劑45牢固地粘合的部分分離。因此，能夠更加易于將塑料基板19從玻璃基板44分離。(對置基板形成工序)接著，對對置基板形成工序進行說明。首先，與有源矩陣基板形成工序相同，準備 塑料基板32，在一個表面上形成弱粘合無機膜的上層膜和弱粘合無機膜的下層膜。此時，弱 粘合無機膜的下層膜在弱粘合無機膜的上層膜上，在從其周端空出例如IOmm以下寬度的 內側成膜。進一步，在弱粘合無機膜的下層膜上形成ITO膜等透明無機膜，使用粘合力較強 的粘合劑使塑料基板32從ITO膜等透明無機膜一側與作為支撐基板的玻璃基板粘合。接著，在被玻璃基板支撐的塑料基板32上形成彩色濾光片層30和相對電極31等 薄膜后，將對置基板14從玻璃基板分離。在該情況下，與有源矩陣基板形成工序相同，在弱 粘合無機膜的上層膜表面的距離其周端IOmm以下寬度的露出部利用粘合劑牢固地粘合在 玻璃基板。因此，在該露出部用較強的力分離，在其以外的部分，只要用較弱的力將弱粘合 無機膜的上層膜與弱粘合無機膜的下層膜分離即可。從而，能夠良好地抑制對塑料基板32 和薄膜層疊器件的破壞，能夠易于將塑料基板32從玻璃基板分離。接著，對分離后的塑料 基板32施加規(guī)定的處理，制造對置基板14。
8
另外，塑料基板32的分離，也可以與有源矩陣基板形成工序相同，通過激光照射 等預先在塑料基板32等形成截斷面，然后將塑料基板32從玻璃基板分離。(基板貼合工序)接著，將上述制作的有源矩陣基板13與對置基板14貼合。首先，使密封材料29 在有源矩陣基板13或者對置基板14的取向膜17、27 —側的邊框區(qū)域形成為大致框狀。此 時，以形成有用于在將有源矩陣基板13與對置基板14貼合時注入液晶材料的注入口的方 式形成密封材料29。然后，使有源矩陣基板13與對置基板14以分別設置有取向膜17、27 的面相對的方式隔著密封材料29貼合，從注入口注入液晶材料后，將注入口密封，由此形 成液晶層15。接著，在有源矩陣基板13和對置基板14的與液晶層15 —側相反一側的面上分別 貼合偏光板18、28從而制作液晶顯示面板11，在其上設置背光源12完成液晶顯示裝置10。另外，在上述實施方式中，支撐基板為玻璃基板44，但本發(fā)明不限于此，還可以為 金屬基板、陶瓷基板、樹脂基板等。此外，液晶顯示裝置10的有源矩陣基板13和對置基板14均由塑料基板19、32構 成，但本發(fā)明不限于此，只要使有源矩陣基板13和對置基板14的至少一方由塑料基板構成 即可。進而，柵極電極21、源極電極25和漏極電極26由Ti形成，但本發(fā)明不限于此，還 可以由例如Al、Mo、MoW、MoNb、Al合金、Ta或者ITO等形成。進而，塑料基板19的截斷面51通過照射激光50形成，但不限于此，還可以使用例 如劃片裝置等形成。此外，在本實施方式中作為顯示裝置舉例表示了液晶顯示裝置，但不限于此，還可 以為例如場致發(fā)光顯示裝置、等離子體顯示裝置、電致變色顯示裝置和場致發(fā)射顯示器等。進而，作為弱粘合無機膜的上層膜使用SiNx膜41，但只要能夠發(fā)揮作為底涂層和 弱粘合無機膜的上層膜的功能即可。此外，作為弱粘合無機膜的下層膜使用非晶硅膜42，但只要是與弱粘合無機膜的 上層膜的粘合力比粘合劑45小的無機膜即可。(作用效果)接著，對本發(fā)明的實施方式的作用效果進行說明。本實施方式的薄膜層疊器件的制造方法，包括利用粘合劑45從作為弱粘合無機 膜的上層膜的SiNx膜41和作為弱粘合無機膜的下層膜的非晶硅膜42 —側將塑料基板19 貼合到玻璃基板44，使玻璃基板44以比SiNx膜41與非晶硅膜42之間的粘合力強的粘合 力支撐塑料基板19的步驟。此外，包括在被玻璃基板44支撐的塑料基板19上層疊多層薄 膜的步驟。進而，包括通過分離SiNx膜41與非晶硅膜42，將層疊有多層薄膜的塑料基板 19從玻璃基板44分離的步驟。根據(jù)上述結構，能夠使用粘合力強力的粘合劑45使玻璃基板44牢固地支撐容易 產生彎曲和撓曲的塑料基板19的狀態(tài)下，形成多層薄膜。因此，即使在反復進行高溫加熱 和濕式處理等工序的薄膜層疊器件制造中，也能夠良好地進行制造處理而使塑料基板19 不會從玻璃基板44剝離。此外，在塑料基板19上形成多層薄膜后，不是從強力地粘合的玻璃基板44直接分
9離，而是通過分離以較弱的粘合力粘合的SiNx膜41與非晶硅膜42，將塑料基板19從玻璃 基板44分離。因此，不需要粘合性能會因紫外線照射和加熱等而降低這樣的高價的粘合材 料，此外，不需要紫外線照射和加熱所需的處理裝置。從而，能夠以良好的處理效率和處理 成本進行塑料基板19從玻璃基板44的分離。此處，以往的基板剝離的主要原因在于，塑料基板和粘合材料(有機材料)的由 熱和水分吸收導致的基板膨脹與作為無機材料的玻璃基板等支撐基板相比非常大，因其 差而在二者的界面發(fā)生應力而產生。與此相對，在本實施方式中，作為無機材料的玻璃基 板44與作為進行粘合的有機材料的粘合劑45的界面通過牢固的粘合力粘合，用于在之后 的工序中分離基板的弱粘合的界面，由呈現(xiàn)大致相同的熱膨脹系數(shù)和水分吸收性的無機膜 (SiNx膜41和非晶硅膜42)構成。因此，能夠抑制在二者的界面產生應力，良好地抑制熱和 濕式處理工序導致的基板剝離。進而，不需要粘合性能因紫外線照射和加熱等而降低的高價的粘合材料，能夠將 需要接近250°C的高溫工藝的高性能的TFT16在塑料基板19上通過與玻璃基板的處理相同 的工藝簡易地制作。此外，本實施方式中，作為弱粘合無機膜的上層膜，形成作為透明絕緣膜的SiNx 膜41。根據(jù)上述結構，能夠將弱粘合無機膜的上層膜作為塑料基板19的底涂層使用。進而，本實施方式中，作為弱粘合無機膜的下層膜，形成非晶硅膜42。根據(jù)上述結構，能夠對于粘合劑45，更容易地形成低粘合力的剝離面(非晶硅膜 42與其他無機膜的界面)。此外，本實施方式中，非晶硅膜42的厚度為200人以下。根據(jù)上述結構，如表1所示，由于能夠使弱粘合無機膜更加薄膜化，從基板背面一 側的視認性變得良好。從而，例如被兩塊基板夾住的液晶顯示裝置和有機EL顯示裝置的制 造處理的自由度變得良好，制造效率變得良好。進而，本實施方式中，在非晶硅膜42上層疊ITO膜43。根據(jù)上述結構，能夠保持弱粘合性地使非晶硅膜42良好地變薄至200人以下。此 外，ITO膜43為透明薄膜。從而，能夠從基板背面觀察基板表面狀態(tài)，并且能夠從基板背面 進行紫外線曝光從而圖案化即進行所謂的背面曝光。因此，能夠在基板尺寸變化較大的塑 料基板19上高精度地進行各種圖案形成處理。此外，本實施方式中，在距離SiNx膜41的周端規(guī)定寬度的內側層疊非晶硅膜42。根據(jù)上述結構，由于在弱粘合無機膜的上層膜即SiNx膜41的周端，SiNx膜41與 玻璃基板44利用粘合劑45直接牢固地粘合，在塑料基板上形成薄膜器件之際，對于來自橫 向的物理的力具有良好的耐性。此外，能夠使水和藥液等較強地接觸從而加速處理時間。進而，本實施方式中，距離SiNx膜41的周端的上述規(guī)定寬度為IOmm以下。根據(jù)上述結構，能夠使塑料基板19牢固地貼合在玻璃基板44的區(qū)域為最小限度， 使在塑料基板19上制作薄膜層疊器件的區(qū)域較廣。此外，在本實施方式中，通過激光50的照射等，沿著塑料基板19和SiNx膜41的 與非晶硅膜42的周端對應的部位或者比該部位靠內側的部位形成截斷面51，通過將比截 斷面51靠內側的塑料基板19和SiNx膜41從非晶硅膜42分離，由此將塑料基板19從玻
10璃基板44分離。根據(jù)上述結構，不需要將比塑料基板19的截斷面51靠外側的利用粘合劑45牢固 地粘合的部分從玻璃基板44分離。因此，能夠更加容易地將塑料基板19從玻璃基板44分罔。產業(yè)上的利用可能性如上所述，本發(fā)明對于薄膜層疊器件的制造方法和顯示裝置的制造方法以及薄膜 層疊器件有用。
1權利要求
一種薄膜層疊器件的制造方法，該薄膜層疊器件在塑料基板上層疊有多層薄膜，該薄膜層疊器件的制造方法的特征在于，包括第一工序，準備依次層疊有第一無機膜和第二無機膜的塑料基板；第二工序，利用粘合劑從所述第一無機膜和第二無機膜一側將所述塑料基板貼合在支撐基板，使該支撐基板以比該第一無機膜與第二無機膜之間的粘合力強的粘合力支撐該塑料基板；第三工序，在被所述支撐基板支撐的所述塑料基板層疊多層薄膜；和第四工序，通過分離所述第一無機膜與第二無機膜，將層疊有所述多層薄膜的塑料基板從所述支撐基板分離。
2.如權利要求1所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于 所述第一無機膜為透明絕緣膜。
3.如權利要求1所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于 所述第二無機膜為非晶硅膜。
4.如權利要求3所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于 所述非晶硅膜的厚度為200A以下。
5.如權利要求4所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于在所述第一工序與所述第二工序之間，還包括在所述非晶硅膜上層疊第三無機膜的工序。
6.如權利要求5所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于 所述第三無機膜為透明薄膜。
7.如權利要求1所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于 在距離所述第一無機膜的周端規(guī)定寬度的內側層疊所述第二無機膜。
8.如權利要求7所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于 所述規(guī)定寬度為IOmm以下。
9.如權利要求7所述的薄膜層疊器件的制造方法，其特征在于在所述第三工序與第四工序之間，還包括沿著所述塑料基板和所述第一無機膜的與所 述第二無機膜的周端對應的部位或者比該部位靠內側的部位，形成截斷面的工序，在所述第四工序，將比所述截斷面靠內側的塑料基板和第一無機膜從所述支撐基板分罔。
10.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有在塑料基板上層疊有多層薄膜的薄膜 層疊器件，該顯示裝置的制造方法的特征在于，包括第一工序，準備依次層疊有第一無機膜和第二無機膜的塑料基板； 第二工序，利用粘合劑從所述第一無機膜和第二無機膜一側將所述塑料基板貼合在支 撐基板，使該支撐基板以比該第一無機膜與第二無機膜之間的粘合力強的粘合力支撐該塑 料基板；第三工序，在被所述支撐基板支撐的所述塑料基板層疊多層薄膜；和 第四工序，通過分離所述第一無機膜與第二無機膜，將層疊有所述多層薄膜的塑料基 板從所述支撐基板分離。
11.一種薄膜層疊器件，其特征在于通過權利要求1 9中任一項所述的薄膜層疊器件的制造方法制造。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜層疊器件的制造方法和顯示裝置的制造方法、以及薄膜層疊器件。薄膜層疊器件的制造方法為，利用粘合劑從弱粘合無機膜的上層膜和弱粘合無機膜的下層膜一側將塑料基板貼合在支撐基板，使玻璃基板以比上層膜與下層膜之間的粘合力強的粘合力支撐塑料基板。在被玻璃基板支撐的塑料基板層疊多層薄膜。通過分離上層膜與下層膜，將層疊有多層薄膜的塑料基板從玻璃基板分離。
文檔編號H01L29/786GK101903974SQ20088012149
公開日2010年12月1日 申請日期2008年9月25日 優(yōu)先權日2008年2月28日
發(fā)明者岡部達 申請人:夏普株式會社