專利名稱：發(fā)光顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光顯示面板及其制造方法，所述發(fā)光顯示面板在制造 時不對其有機(jī)層造成任何損壞。
背景技術(shù)：
本申請要求200S年6月24日提交的韓國專利申請No.
10-2008-059890 、 2008年8月13日提交的韓國專利申請No.
10-2008-079218和2008年9月30日提交的韓國專利申請No.
10-2008-095845的優(yōu)先權(quán)，此處以引證的方式并入其全部內(nèi)容，就像在
此進(jìn)行了完整闡述一樣。
在屏幕上呈現(xiàn)各種信息的圖像顯示設(shè)備作為一項重要技術(shù)用于當(dāng)今
的信息通信時代。此類圖像顯示設(shè)備的開發(fā)趨勢是外形薄、重量輕、便 攜、以及高性能。目前，作為一種能夠減少陰極射線管(CRT)的缺陷 (即，結(jié)構(gòu)重且大)的平板顯示設(shè)備，通過控制從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光 量而顯示圖像的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)正受到關(guān)注。因為OLED是利 用電極之間設(shè)置的薄發(fā)光層的自發(fā)光設(shè)備，其優(yōu)點(diǎn)是能夠具有例如紙一 樣的薄膜結(jié)構(gòu)。由此，由于OLED的自發(fā)光特性，與通常用作顯示設(shè)備 的液晶顯示設(shè)備不同，OLED不需要背光單元來提供光源。在有源矩陣 OLED (AMOLED)的情況下，分別由三色(R、 G和B)子像素組成的 像素以矩陣形式設(shè)置以顯示圖像。各個子像素包括有機(jī)電致發(fā)光(OEL) 單元、以及用于獨(dú)立驅(qū)動OEL單元的單元驅(qū)動器。OEL單元包括連接到 單元驅(qū)動器的第一電極、形成在第一電極上的有機(jī)層、以及形成在所述 有機(jī)層上的第二電極。
單元驅(qū)動器包括與用于提供掃描信號的選通線、用于提供視頻數(shù)據(jù) 信號的數(shù)據(jù)線、以及用于提供公共電源信號的公共電源線相連的至少兩
6個薄膜晶體管和存儲電容器。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，單元驅(qū)動器對OEL單元進(jìn)行 驅(qū)動。
在相關(guān)技術(shù)的情況下，根據(jù)濺射法沉積OEL單元的第二電極。為此，
可能損壞第二電極之下的有機(jī)層。被損壞的有機(jī)層表現(xiàn)出發(fā)光效率的劣 化。結(jié)果，在通過被損壞的有機(jī)層而呈現(xiàn)圖像的區(qū)域中可能產(chǎn)生例如黑 點(diǎn)或暗斑的圖像質(zhì)量劣化。
由于對有機(jī)層造成損壞的可能性，難以在高溫下沉積形成在有機(jī)層 上的第二電極。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示面板及其制造方法，其能夠基本上 克服因相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來的一個或更多個問題。
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光顯示面板及其制造方法，所述發(fā)光顯 示面板在制造時不對其有機(jī)層造成任何損壞。
本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在下面的描述中部分描述且將對 于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在研究下文后變得明顯，或可以通過本發(fā)明的實 踐來了解。通過書面的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu) 可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的
描述， 一種發(fā)光顯示面板包括形成在下基板上的第一電極；形成在所 述第一電極上的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層；形成在所述有機(jī)層上 的第二電極，所述第二電極具有薄膜結(jié)構(gòu)；以及形成在上基板上并與所 述下基板相對的輔助電極，所述輔助電極連接到所述第二電極，其中所 述第二電極比所述第—-電極和所述輔助電極中的至少一個更薄。
在本發(fā)明的另一方面， 一種制造發(fā)光顯示面板的方法，該方法包括 以下步驟在下基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成有機(jī)層， 所述有機(jī)層包括發(fā)光層；在所述有機(jī)層上形成第二電極，所述第二電極 具有薄膜結(jié)構(gòu)；在上基板上形成輔助電極，所述輔助電極與所述下基板 相對；以及組裝所述上基板和所述下基板，使得所述第二電極與所述輔助電極接觸。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的上述一般描述和下述詳細(xì)描述是示例性和說明 性的，且旨在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本申請中以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本 申請中且構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，且與說 明書--起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示面板的一個像素的等效電路圖； 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光顯示面板的截面圖； 圖3是用于詳細(xì)解釋圖2所示的發(fā)光顯示面板中所包括的有機(jī)層的 截面圖4是示出與圖2所示的第二電極相關(guān)的另一實施方式的截面圖； 圖5是示出與圖2所示的第二電極相關(guān)的又一實施方式的截面圖； 圖6A到6H是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光顯示面板 的制造方法的截面圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光顯示面板的有機(jī)層的
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光顯示面板的截面圖； 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光顯示面板的一個像素 的垂直截面圖10是用于詳細(xì)解釋圖9所示的發(fā)光顯示面板中所包括的有機(jī)層的 截面圖ll是示出圖IO所示的輔助電極的另一實施方式的截面圖； 圖12A到12D是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光顯示面 板的制造方法的截面圖13是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的發(fā)光顯示面板的截
面圖14是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式的發(fā)光顯示面板的截面圖15是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式的發(fā)光顯示面板的截
面圖16是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第八實施方式的發(fā)光顯示面板的截 面圖；以及
圖17是示出用于組裝根據(jù)本發(fā)明的第一到第八實施方式中的任何 一個的發(fā)光顯示面板的上下基板的密封劑的截面圖。
具體實施例方式
下面將詳細(xì)描述與發(fā)光顯示面板及其制造方法相關(guān)的本發(fā)明的優(yōu)選 實施方式，在附圖中示例出了其示例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示面板的一個像素的等效電路圖。如圖 1所示，圖1所示的發(fā)光顯示面板中的各個像素包括與選通線GL和數(shù)據(jù) 線DL連接的開關(guān)薄膜晶體管(TFT) Tl、與開關(guān)TFTT1連接并與電源 線PL和有機(jī)電致發(fā)光(OEL)單元連接的驅(qū)動TFT T2、以及與電源線 PL和開關(guān)TFT Tl的漏極連接的存儲電容器C。與驅(qū)動TFT T2連接的 OEL單元也包括在像素中。
開關(guān)TFT Tl的柵極連接到選通線GL。開關(guān)TFT Tl的源極連接到 數(shù)據(jù)線DL。開關(guān)TFTTl的漏極連接到驅(qū)動TFTT2的柵極和存儲電容器 C。驅(qū)動TFTT2的源極連接到電源線PL。驅(qū)動TFTT2的漏極連接到OEL 單元的電極之一。存儲電容器C連接在電源線PL和驅(qū)動TFTT2的柵極 之間。
當(dāng)向選通線GL提供掃描脈沖時，開關(guān)TFTT1導(dǎo)通，以向存儲電容 器C和驅(qū)動TFTT2的柵極發(fā)送向數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)信號。響應(yīng)于向 其柵極提供的數(shù)據(jù)信號，驅(qū)動TFTT2控制從電源線PL向OEL單元提供 的電流I，以調(diào)節(jié)從OEL單元發(fā)出的光量。即使當(dāng)開關(guān)TFTTl截止時， 驅(qū)動TFTT2提供恒定量的電流I直至提供了與下一幀對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號， 由此導(dǎo)致OEL單元持續(xù)地發(fā)光。
如圖2所示，驅(qū)動TFTT2包括形成在下基板101上的柵極102;覆蓋柵極102的柵絕緣膜106;形成在柵絕緣膜106上的有源層116，以使
得有源層116與柵極102交疊以形成溝道；形成在有源層116上除了溝 道的區(qū)域之外的區(qū)域的歐姆接觸層]14，以形成與源極110和漏極108的 歐姆接觸；以及被設(shè)置為在溝道的兩側(cè)彼此相對的源極110和漏極108。 還可在形成在下基板101上的驅(qū)動TFTT2上形成由無機(jī)絕緣材料制成的 無機(jī)鈍化膜104和由有機(jī)絕緣材料制成的有機(jī)鈍化膜118。
OEL單元包括形成在覆蓋驅(qū)動TFT T2的有機(jī)鈍化膜118上的第一 電極122;形成有有機(jī)孔140的斜坡絕緣膜(bank insulating film) 124， 第一電極122通過該有機(jī)孔140部分地露出；包括形成在第一電極122 的通過有機(jī)孔140而露出的部分之上的發(fā)光層的有機(jī)層126;形成在有機(jī) 層126上的第二電極128;以及形成在上基板130上的輔助電極132。
用作陰極的第一電極122由例如鋁(Al)的不透明導(dǎo)電材料制成。
如圖3所示，通過在第一電極122上順序形成電子注入層(EIL)210、 電子傳輸層(ETL) 208、發(fā)光層206、空穴傳輸層(HTL) 204、以及空 穴注入層(HIL) 202而形成有機(jī)層126。隨著根據(jù)來自第一電極122的 電子與來自輔助電極132和第二電極128的空穴復(fù)合而產(chǎn)生的激發(fā)子回 到基態(tài)，發(fā)光層206從其上表面向上基板130發(fā)出特定波長的光。
第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。第二電極128可具 有包括利用例如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的透明導(dǎo)電材料或不透明導(dǎo)電 材料的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者可具有利用此類材料的組合的多層結(jié)構(gòu)。 可利用熱沉積法、濺射法、或其組合而形成第二電極128，以防止有機(jī)層 126受不利影響。因為以對有機(jī)層126沒有不利影響的薄膜形式形成第二 電極，因此即使當(dāng)利用濺射法在有機(jī)層126上沉積第二電極128時，也 不存在或極少存在對有機(jī)層126的損壞。當(dāng)利用不透明導(dǎo)電材料形成第 二電極128時，以能夠使從有機(jī)層126發(fā)出的光從中穿過的薄膜形式形 成該第二電極128。第二電極128比第一電極122和輔助電極132之一或 兩者更薄。優(yōu)選地，第二電極128厚度為約10到500 A。
輔助電極132形成在上基板130上，以使其與形成在有機(jī)層126上 的第二電極128連接。優(yōu)選地利用諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的TCO材料將輔助電極132形成為具有包括至少一層的結(jié)構(gòu)?；蛘?，可 利用透明導(dǎo)電材料和具有薄膜結(jié)構(gòu)的金屬層在上基板130上形成輔助電 極132，以使其具有多層結(jié)構(gòu)。輔助電極132中所包括的金屬層具有能夠 使光從中穿過的厚度，鄰約10至!J500A的厚度。
當(dāng)輔助電極132被形成為具有至少兩層時，可以減少當(dāng)輔助電極132 與第二電極128接觸時產(chǎn)生的輔助電極132的接觸電阻。
輔助電極132可直接形成在上基板130上?；蛘?，如圖4所示，可 在上基板130和輔助電極132之間形成上鈍化層134。此外，如圖5所示， 可利用等離子體或紫外線(UV)對彼此接觸的輔助電極132和第二電極 128在其界面進(jìn)行表面處理，以使得輔助電極132和與輔助電極132接觸 的第二電極128具有壓紋結(jié)構(gòu)。輔助電極132和第二電極128的壓紋結(jié) 構(gòu)可被形成為彼此互鎖。輔助電極132的凹槽與第二電極128的突起接 觸。輔助電極132的突起與第二電極128的凹槽接觸。結(jié)果，輔助電極 132和第二電極128之間的接觸面積增加，由此實現(xiàn)輔助電極132和第二 電極128之間的接觸電阻減小，并且當(dāng)上下基板130和101被真空組裝 時提高了輔助電極132和第二電極128之間的結(jié)合力。并且根據(jù)表面處 理，輔助電極132的功函數(shù)增加，由此實現(xiàn)電氣特性的增強(qiáng)。
圖6A到6H是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光顯示面板 的制造方法的截面圖。參照圖6A，在下基板101上形成包括柵極102和 選通線的柵金屬圖案。具體地，根據(jù)例如濺射法的沉積法在下基板101 上沉積柵金屬層。柵金屬層可由鋁(Al)、鋁合金、鋁-釹(AlNd)、銅(Cu)、 鈦(Ti)、或鉻(Cr)制成。然而，柵金屬層可由不限于上述的其他材料 制成。根據(jù)光刻工序和蝕刻工序?qū)沤饘賹舆M(jìn)行構(gòu)圖，以形成包括選通 線和柵極102的柵金屬圖案。
參照圖6B，在形成有柵金屬圖案的下基板101上形成柵絕緣膜106。 在柵絕緣膜106上形成包括有源層116和歐姆接觸層114的半導(dǎo)體圖案 112。具體地，根據(jù)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法的沉積 法在下基板101的形成有柵金屬圖案的整個上表面上沉積無機(jī)絕緣材料， 以形成柵絕緣膜106。之后，根據(jù)優(yōu)選地與柵絕緣膜的沉積法相同的沉積法順序形成非晶硅層和摻雜非晶硅層。隨后，根據(jù)光刻工序和蝕刻工序 對非晶硅層和摻雜非晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成包括有源層116和歐姆接
觸層114的半導(dǎo)體圖案112。柵絕緣膜106由例如氮化硅(SiNx)或氧化 硅(SiOx)的無機(jī)絕緣材料制成。
參照圖6C，在形成有半導(dǎo)體圖案112的柵絕緣膜106上形成包括源 極110和漏極108的源極/漏極圖案。具體地，根據(jù)例如濺射法的沉積法 在形成有半導(dǎo)體圖案112的柵絕緣膜106上形成源/漏金屬層。優(yōu)選地， 源/漏金屬層由鉬(Mo)、鉬-鴨(MoW)、或銅(Cu)制成。根據(jù)光刻工 序和蝕刻工序?qū)υ?漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，以形成包括源極110和漏極108 的源極/漏極圖案。利用源極110和漏極108作為掩模，部分地去除在兩 個電極110和108之間露出的歐姆接觸層114，以露出有源層116。
參照圖6D，在形成有源極/漏極圖案的柵絕緣膜106上形成包括接 觸孔120的無機(jī)鈍化膜和有機(jī)鈍化膜104和118。
具體地，根據(jù)例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法的沉積 法，在形成有源極/漏極圖案的柵絕緣膜106上形成無機(jī)鈍化膜104。之 后，根據(jù)旋轉(zhuǎn)涂敷法或非旋轉(zhuǎn)涂敷法在無機(jī)鈍化膜104上形成有機(jī)鈍化 膜118。接著根據(jù)光刻工序和蝕刻工序?qū)o機(jī)鈍化膜和有機(jī)鈍化膜104和 118進(jìn)行構(gòu)圖，以形成接觸孔120。與柵絕緣膜106類似，無機(jī)鈍化膜104 由無機(jī)絕緣材料制成。優(yōu)選地，有機(jī)鈍化膜118由例如壓克力的有機(jī)絕 緣膜制成。
參照圖6E，在有機(jī)鈍化膜118上形成第一電極122。具體地，通過 根據(jù)例如濺射法的沉積法在有機(jī)鈍化膜118上沉積例如鋁(Al)的不透 明導(dǎo)電材料來實現(xiàn)第一電極122的形成。第一電極122經(jīng)由接觸孔120 連接到漏極108。
參照圖6F，在第一電極122的一部分上形成包括有機(jī)孔140的斜坡 絕緣膜124。
具體地，根據(jù)非旋轉(zhuǎn)涂敷法或旋轉(zhuǎn)涂敷法在下基板101的形成有第 一電極122的整個上表面上涂敷光敏有機(jī)絕緣材料，以形成斜坡絕緣膜 124。接著根據(jù)光刻工序?qū)π逼陆^緣膜124進(jìn)行構(gòu)圖，以形成有機(jī)孔140，通過該有機(jī)孔140露出第一電極122。
參照圖6G，在形成有包括有機(jī)孔140在內(nèi)的斜坡絕緣膜124的下基 板101上順序形成有機(jī)層126和第二電極128。具體地，根據(jù)熱沉積法、 濺射法、或其組合或者任何其他方法在第一電極122上形成包括電子注 入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、'發(fā)光層、空穴傳輸層(HTL)、以及空 穴注入層(HIL)的有機(jī)層126。之后，在形成有有機(jī)層126的下基板101 上形成第二電極128。
可利用透明導(dǎo)電材料或金屬材料以薄膜形式形成第二電極128，以 使其具有包括至少一層的結(jié)構(gòu)，或者利用透明導(dǎo)電材料和金屬材料兩者 形成該第二電極128，以使其具有多層結(jié)構(gòu)。第二電極128具有能夠使從 有機(jī)層126發(fā)出的光從中穿過，且在第二電極128的沉積工序中對有機(jī) 層126不造成影響的厚度。優(yōu)選地，第二電極128厚度為約10到500A。
參照圖6H，將形成有輔助電極132的上基板130與形成有第一電極 122、有機(jī)層126和第二電極128的下基板進(jìn)行真空組裝，以形成發(fā)光顯 示面板。具體地，根據(jù)例如濺射法的沉積法在上基板130上形成具有包 括至少一層的結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層，以形成輔助電極132。透明導(dǎo)電層由例 如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料制成?；蛘?，輔助電極132由在上基板101 上形成的多個導(dǎo)電層形成。在此情況下，可順序形成透明導(dǎo)電材料、具 有薄膜結(jié)構(gòu)的金屬層、以及透明導(dǎo)電材料。另外，可利用等離子體或紫 外線對輔助電極132進(jìn)行表面處理，以增加輔助電極132的功函數(shù)。在 此情況下，實現(xiàn)了電氣性能的增強(qiáng)。之后，將形成有輔助電極132的上 基板130與形成有TFT、第一電極122、有機(jī)層126和第二電極128的下 基板101進(jìn)行真空組裝。接著，形成發(fā)光顯示面板。
因為可以在有機(jī)層126上形成輔助電極132而不損壞有機(jī)層126， 所以根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光顯示面板及其制造方法可防止圖 像質(zhì)量的劣化。另外，因為可在高溫下在上基板130上沉積輔助電極132 和上鈍化膜134，而不用考慮對形成在下基板101上的有機(jī)層126造成損 壞的可能性，所以根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光顯示面板及其制造 方法還可增強(qiáng)有機(jī)層126、輔助電極132和上鈍化膜134的特性。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光顯示面板的有機(jī)層的 圖。除了OEL單元之外，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光顯示面板與 第一實施方式的相同。因此，未給出對相同結(jié)構(gòu)的描述。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的發(fā)光顯示面板的OEL單 元包括形成在覆蓋驅(qū)動TFT的無機(jī)鈍化膜104和有機(jī)鈍化膜118上的 第一電極122;形成有有機(jī)孔140的斜坡絕緣膜124，第一電極122通過 該有機(jī)孔140部分地露出；包括形成在第一電極122的通過有機(jī)孔140 而露出的部分上的發(fā)光層的有機(jī)層126;形成在有機(jī)層126上的第二電極 128;以及形成在上基板130上的輔助電極132。
用作陽極的第一電極122由金屬材料和透明導(dǎo)電材料制成。例如， 第一電極122由例如鋁(Al)、銀(Ag)、或鉬(Mo)的具有高反射率的 金屬材料，以及例如ITO的透明材料制成。
通過在第一電極122上順序形成空穴注入層202、空穴傳輸層204、 發(fā)光層206、電子傳輸層208、以及電子注入層210而形成有機(jī)層126。 隨著根據(jù)來自輔助電極132和第二電極128的電子與來自第一電極122 的空穴復(fù)合而產(chǎn)生的激發(fā)子回到基態(tài)，有機(jī)層126中所包括的發(fā)光層206 從其上表面向上基板130發(fā)出特定波長的光。
輔助電極132形成在上基板130上，以與形成在有機(jī)層126上的第 二電極128連接。第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。第二 電極128可具有包括利用諸如TCO的透明導(dǎo)電材料或諸如鋁-銀(AlAg) 的金屬材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者具有利用透明導(dǎo)電材料和金屬 材料制成的多層結(jié)構(gòu)。
利用熱沉積法、濺射法、或其組合形成用作陰極的第二電極128。 與第一實施方式類似，第二電極128具有防止有機(jī)層126受到第二電極 128的沉積工序的不利影響的厚度。優(yōu)選地，第二電極128的厚度為約 10至lj 500A。
如圖3和圖4所示，以與第一實施方式相同的方式形成輔助電極132。 因此，輔助電極132具有與第一實施方式相同或類似的效果。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的,發(fā)光顯示面板的截面圖。除了
14OEL單元被構(gòu)造為實現(xiàn)后側(cè)發(fā)光(rear-side light emission)之外，根據(jù)本 發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光顯示面板與第一實施方式相同。因此，未給 出對相同結(jié)構(gòu)的描述。
參照圖8，根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的發(fā)光顯示面板中的第一電 極122用作陽極，并且由透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一電極122由ITO、 IZO、或ITZO制成。
根據(jù)第三實施方式，通過在第一電極122上順序形成空穴注入層 (HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層、電子傳輸層(ETL)、以及電子 注入層(EIL)而形成有機(jī)層126。隨著根據(jù)來自輔助電極132和第二電 極128的電子與來自第一電極122的空穴復(fù)合而產(chǎn)生的激發(fā)子回到基態(tài)， 有機(jī)層126中所包括的發(fā)光層從其上表面向下基板101發(fā)出特定波長的 光。
利用鋁(Al)、銅(Cu)、鎂(Mg)、和銀(Ag)在上基板130上形 成輔助電極132，以使其具有包括至少一層的結(jié)構(gòu)。然而，輔助電極可以 由不限于上述材料的其他材料制成。形成在上基板130上的輔助電極132 與形成在有機(jī)層126上的第二電極128連接。
第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。第二電極128可具 有包括利用諸如TCO的透明導(dǎo)電材料或金屬材料制成的至少一層的結(jié) 構(gòu)，或者可具有利用透明導(dǎo)電材料和金屬材料制成的多層結(jié)構(gòu)。以與第 一實施方式相同的方式形成第二電極128。因此，第二電極128具有與第 一實施方式相同或類似的效果。
如圖4和圖5所示，可在形成有上鈍化膜134的上基板130上形成 輔助電極132。輔助電極132可具有壓紋結(jié)構(gòu)，如圖5所示。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光顯示面板的一個像素 的垂直截面圖。圖10是用于詳細(xì)解釋圖9所示的發(fā)光顯示面板中所包括 的有機(jī)層的截面圖。
除了 OEL單元和上基板結(jié)構(gòu)之外，圖9和圖10所示的根據(jù)本發(fā)明 的第四實施方式的發(fā)光顯示面板包括與第一實施方式相同的組件。因此， 未給出對相同結(jié)構(gòu)的描述。形成在上基板130上的是與驅(qū)動TFTT2的第二電極128連接的輔助 電極132、形成在上基板130上的濾色器136、以及形成在濾色器136和 輔助電極132之間的涂敷層134。
第一電極122由金屬材料和透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一電極122 由例如鋁(Al)、銀(Ag)、或鉬(Mo)的具有高反射率的金屬材料，以 及例如ITO的透明材料制成。
第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。第二電極128可具 有包括利用諸如TCO的透明導(dǎo)電材料或者例如鋁(Al)或銀(Ag)的金 屬材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者具有利用透明導(dǎo)電材料和金屬材料 制成的多層結(jié)構(gòu)?？衫脽岢练e法、濺射法、或其組合形成第二電極128。 因為第二電極以對有機(jī)層126沒有不利影響的薄膜形式形成，即使當(dāng)利 用濺射法在有機(jī)層126上沉積第二電極128時，也未對有機(jī)層造成損壞。 第二電極128比第一電極122和輔助電極132之一或兩者更薄。優(yōu)選地， 第二電極128的厚度為約10到500 A。
如圖10所示，通過在第一電極122上順序形成第一空穴傳輸層 (HTL) 306、第一發(fā)射層304、第一電子傳輸層(ETL) 302、電荷產(chǎn)生 層(CGL) 308、第二空穴傳輸層(HTL) 3i6、第二發(fā)射層314、以及第 二電子傳輸層(ETL) 312而形成有機(jī)層126。第一發(fā)射層304是藍(lán)色發(fā) 射層，第二發(fā)射層314是綠色/紅色發(fā)射層。
濾色器136包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)濾色器以呈現(xiàn)色彩。濾 色器136形成在上基板130上以使其在相應(yīng)像素區(qū)域中發(fā)出R、 G和B 光。此外，涂敷層134形成在濾色器136和輔助電極132之間，以使濾 色器136的表面平整化。
輔助電極132被形成為具有包括優(yōu)選地利用諸如ITO或IZO的TCO 材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)?；蛘?，可利用透明導(dǎo)電材料和具有薄膜結(jié) 構(gòu)的金屬層而形成輔助電極132，以使其具有多層結(jié)構(gòu)。輔助電極132中 所包括的金屬層具有能夠使光從中穿過的厚度，即，約為10到500A的 厚度。當(dāng)輔助電極132被形成為具有至少兩層時，可以減少當(dāng)輔助電極 132與第二電極128接觸時產(chǎn)生的輔助電極132的接觸電阻。如圖11所示，在上基板130上形成作為匯流電極138的金屬層，以補(bǔ)償輔助電極 132和第二電極128之間的接觸電阻。在此情況下，匯流電極138形成在 涂敷層134和輔助電極132之間的與第二電極128和OEL單元的輔助電 極132相連接的區(qū)域?qū)?yīng)的位置。
隨著根據(jù)來自第一電極122的空穴和來自第二電極128的電子復(fù)合 而產(chǎn)生的激發(fā)子回到基態(tài)，有機(jī)層126從其上表面向上基板130發(fā)射白 光。在該發(fā)光顯示面板中，來自有機(jī)層]26的白光射向上基板130。由于 OEL單元的第二電極128和形成在上基板130上的輔助電極132是相連 接的，所以白光穿過形成在相應(yīng)像素區(qū)域中的R、 G和B濾色器136。因 此，在相關(guān)聯(lián)的一個像素區(qū)域中顯示R、 G或B光。
由于利用白光顯示R、 G和B色彩，因此可以實現(xiàn)色彩再現(xiàn)性的增 強(qiáng)。并且，根據(jù)前表面發(fā)光實現(xiàn)孔徑比的提高。
圖12A到12D是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的發(fā)光顯示面 板的制造方法的截面圖。
參照圖12A，在上基板130上形成R、 G和B濾色器136。
具體地，在上基板130上涂敷具有光敏性的R、 G和B色彩層，并 且隨后根據(jù)光刻工序?qū)ζ溥M(jìn)行構(gòu)圖，以在相應(yīng)的子像素區(qū)域中分別形成 R、 G和B濾色器136。
參照圖12B，在形成有R、 G和B濾色器136的上基板130上形成 涂敷層134。
具體地，通過根據(jù)諸如非旋轉(zhuǎn)涂敷法或旋轉(zhuǎn)涂敷法的涂敷法在形成 有R、 G和B濾色器136的上基板130上涂敷有機(jī)絕緣材料來實現(xiàn)涂敷 層134的形成。
參照圖12C，在形成有涂敷層134的上基板130上形成輔助電極132。 具體地，通過根據(jù)例如濺射法的沉積法在上基板130上沉積具有包 括至少一層的結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層來實現(xiàn)輔助電極132的形成。對于透明 導(dǎo)電材料，可使用ITO或IZO?；蛘?，可在上基板130上形成輔助電極 132，以使其具有包括由透明導(dǎo)電材料制成的層和具有薄膜結(jié)構(gòu)的金屬層 在內(nèi)的多層結(jié)構(gòu)?？衫玫入x子體或紫外線對輔助電極132進(jìn)行表面處理，以增加輔助電極132的功函數(shù)。在此情況下，可實現(xiàn)電氣特性的增 強(qiáng)。
如圖12D所示，接著將形成有R、 G和B濾色器136、涂敷層134、 以及輔助電極132的上基板130與形成有TFT、第一電極122、有機(jī)層 126、以及第二電極128的下基板101進(jìn)行真空組裝。由此，形成發(fā)光顯 示面板。在此情況下，利用圖6A到6G所示的制造方法形成了形成有TFT、 第一電極122、有機(jī)層126、以及第二電極128的下基板101。由于前面 描述了該制造方法，因此將不給出其詳細(xì)描述。
當(dāng)在有機(jī)層126上形成第二電極128時，以薄膜形式沉積該第二電 極128，以防止有機(jī)層126被損壞。由于與第二電極128連接的輔助電極 132形成在上基板130上，所以可以進(jìn)行高溫處理，而無需考慮對有機(jī)層 126的任何損壞。由于高溫處理是適用的，可實現(xiàn)膜特性的增強(qiáng)。
圖13是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的發(fā)光顯示面板的截 面圖。
除了 OEL單元之外，根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的發(fā)光顯示面板與 第一實施方式的相同。因此，未給出對相同結(jié)構(gòu)的描述。
根據(jù)本發(fā)明的第五實施方式的發(fā)光顯示面板的OEL單元中的第一 電 極122由例如鋁(Al)的不透明導(dǎo)電材料制成。
第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。第二電極128可具 有包括利用諸如TCO的透明導(dǎo)電材料或諸如鋁(Al)或銀(Ag)的金屬 材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者可具有利用透明導(dǎo)電材料和金屬材料 制成的多層結(jié)構(gòu)?？衫脽岢练e法、濺射法、或其組合形成第二電極128。 因為第二電極以對有機(jī)層126沒有不利影響的薄膜形式形成，即使當(dāng)利 用濺射法在有機(jī)層126上沉積第二電極128時，也未對有機(jī)層126造成 損壞。第二電極128比第一電極122和輔助電極132之一或兩者更薄。 例如，第二電極128的厚度為約10到500A。
通過在第一電極122上順序形成第一電子傳輸層302、第一發(fā)射層 304、第一空穴傳輸層306、電荷產(chǎn)生層308、第二電子傳輸層312、第二 發(fā)射層314、以及第二空穴傳輸層316而形成有機(jī)層126。第一發(fā)射層304
18是藍(lán)色發(fā)射層，第二發(fā)射層314是綠色/紅色發(fā)射層。
隨著根據(jù)來自第一電極122的電子和來自第二電極128的空穴復(fù)合 而產(chǎn)生的激發(fā)子回到基態(tài)，有機(jī)層126從其上表面向上基板130發(fā)射白 光。在該發(fā)光顯示面板中，來自有機(jī)層126的白光射向上基板130。由于 OEL單元的第二電極128和上基板130的輔助電極132是相連接的，白 光穿過形成在相應(yīng)像素區(qū)域中的R、 G和B濾色器136。因此，在相關(guān)聯(lián) 的一個像素區(qū)域中顯示R， G或B光。
圖14是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式的發(fā)光顯示面板的截 面圖。
除了 OEL單元之外，根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式的發(fā)光顯示面板與 第一實施方式的相同。因此，未給出對相同結(jié)構(gòu)的描述。
根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式的發(fā)光顯示面板的OEL單元中的第一電 極122由不透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一電極122由例如鋁(Al)、鉬 (Mo)、或銀(Ag)的具有高反射率的不透明導(dǎo)電材料制成。
第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。第二電極128可具 有包括利用諸如TCO的透明導(dǎo)電材料或諸如鋁-銀(AlAg)的金屬材料 制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者可具有利用透明導(dǎo)電材料和金屬材料制成 的多層結(jié)構(gòu)?？衫脽岢练e法、濺射法、或其組合形成第二電極128。因 為第二電極以對有機(jī)層126沒有不利影響的薄膜形式形成，即使當(dāng)利用 濺射法在有機(jī)層126上沉積第二電極128時，也未對有機(jī)層126造成損 壞。第二電極128具有厚度為例如約10到500 A的薄膜結(jié)構(gòu)。
通過在第一電極122上順序形成電子注入層(EIL) 210、電子傳輸 層(ETL) 208、白色發(fā)射層206、空穴傳輸層(HTL) 204、以及空穴注 入層(HIL) 202而形成有機(jī)層126。隨著根據(jù)來自第一電極122的電子 和來自第二電極128的空穴復(fù)合而產(chǎn)生的激發(fā)子回到基態(tài)，有機(jī)層126 從其上表面向上基板130發(fā)射白光。在該發(fā)光顯示面板中，來自有機(jī)層 126的白光射向上基板130。由于OEL單元的第二電極128和上基板130 的輔助電極132是相連接的，所以白光穿過形成在相應(yīng)像素區(qū)域中的R、 G和B濾色器136。因此，在相關(guān)聯(lián)的一個像素區(qū)域中顯示R、 G或B光。
圖15是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式的發(fā)光顯示面板的截 面圖。除了OEL單元之外，根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式的發(fā)光顯示面板 與第一實施方式的相同。因此，未給出對相同結(jié)構(gòu)的描述。
根據(jù)本發(fā)明的第七實施方式的發(fā)光顯示面板的OEL單元中的第一 電 極122由金屬材料和不透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一電極122由諸如 TCO的透明導(dǎo)電材料和例如鋁(Al)、銀(Ag)、或鉬(Mo)的具有高反 射率的金屬材料制成。第二電極128以薄膜形式形成在有機(jī)層126上。 第二電極128可具有利用透明導(dǎo)電材料和金屬材料制成的多層結(jié)構(gòu)?？?利用熱沉積法、濺射法或其組合形成第二電極128。因為第二電極以對有 機(jī)層126沒有不利影響的薄膜形式形成，即使當(dāng)利用濺射法在有機(jī)層126 上沉積第二電極128時，也未對有機(jī)層126造成損壞。第二電極128具 有比第一電極122和輔助電極132之一更薄的厚度，例如約為10到500 A 的厚度。
通過在第一電極122上順序形成空穴注入層202、空穴傳輸層204、 白色發(fā)射層206、電子傳輸層208、以及電子注入層210而形成有機(jī)層126。 隨著根據(jù)來自第一電極122的空穴和來自第二電極128的電子復(fù)合而產(chǎn) 生的激發(fā)子回到基態(tài)，有機(jī)層126從其上表面向上基板130發(fā)射白光。 在該發(fā)光顯示面板中，來自有機(jī)層126的白光射向上基板130。由于OEL 單元的第二電極128和上基板130的輔助電極132是相連接的，所以白 光穿過形成在相應(yīng)像素區(qū)域中的R、 G和B濾色器136。因此，在相關(guān)聯(lián) 的一個像素區(qū)域中顯示R、 G或B光。
圖16是簡要示出根據(jù)本發(fā)明的第八實施方式的發(fā)光顯示面板的截 面圖。
除了發(fā)光顯示面板額外地包括利用與無機(jī)鈍化膜104相同的有機(jī)絕 緣材料在第一電極122和有機(jī)鈍化膜118之間形成的緩沖層154，接觸間 隔體142，以及匯流電極138之外，根據(jù)本發(fā)明的第八實施方式的發(fā)光顯 示面板與第一實施方式的相同。因此，未給出對相同結(jié)構(gòu)的描述。
如圖16所示，在斜坡絕緣膜124上形成接觸間隔體142。接觸間隔體142用于保持上基板130和下基板101之間期望的單元間隙，并且由 此防止在發(fā)光顯示面板的中部和外圍部分之間形成臺階。在由密封劑保 持期望的單元間隙的常規(guī)的發(fā)光顯示面板中，隨著密封劑從面板的設(shè)置 了密封劑的外圍部分向面板中部延伸，單元間隙逐漸減小。結(jié)果，在面 板的中部和外圍部分之間形成臺階。由于這種臺階，常規(guī)的發(fā)光顯示面 板表現(xiàn)出圖像質(zhì)量的劣化，例如除了在設(shè)置了密封劑的外圍部分之外在 面板的中部表現(xiàn)出具有波形圖案的牛頓環(huán)的牛頓環(huán)現(xiàn)象。然而，因為在 面板的中部和外圍部分之間未形成臺階，本發(fā)明可避免例如牛頓環(huán)現(xiàn)象 的圖像質(zhì)量劣化。
在第一有機(jī)關(guān)聯(lián)層]48、發(fā)光層146和第二有機(jī)關(guān)聯(lián)層150的形成 過程中，接觸間隔體142與分別用于形成層146、 148和150的蔭罩接觸。 在另一方面，在不包括接觸間隔體的常規(guī)的發(fā)光顯示面板中，在形成第 一有機(jī)關(guān)聯(lián)層、發(fā)光層、以及第二有機(jī)關(guān)聯(lián)層的過程中，用于形成第一 有機(jī)關(guān)聯(lián)層、發(fā)光層、以及第二有機(jī)關(guān)聯(lián)層的蔭罩與第一電極、第一有 機(jī)關(guān)聯(lián)層、以及發(fā)光層接觸。結(jié)果，在常規(guī)的發(fā)光顯示面板中，由于蔭 罩，在設(shè)置在發(fā)光區(qū)域中的第一有機(jī)關(guān)聯(lián)層和發(fā)光層上形成劃痕。由此， 可能出現(xiàn)圖像質(zhì)量的劣化。然而在本發(fā)明的發(fā)光顯示面板中，在設(shè)置在 非發(fā)光區(qū)域中的接觸間隔體142上形成劃痕。因此，不存在對由劃痕引 起的圖像質(zhì)量的影響。
第二電極128在設(shè)置有接觸間隔體142的區(qū)域中連接到形成在上基 板130上的輔助電極132。輔助電極132可具有利用TCO材料制成的單 層結(jié)構(gòu)，或者可具有包括至少一個TCO材料層和具有薄膜結(jié)構(gòu)的至少一 個不透明金屬層在內(nèi)的多層結(jié)構(gòu)。輔助電極132中所包括的不透明金屬 層具有能夠使光從中穿過的厚度，即，約為10到500A的厚度。匯流電 極138形成在輔助電極132上或形成在上基板130上，以使其分別與接 觸間隔體142交疊。匯流電極138由具有高電導(dǎo)率的金屬制成，以補(bǔ)償 第二電極128和輔助電極132中的至少一個的電阻分量。結(jié)果，相對減 小了輔助電極132和第二電極128之間的接觸電阻。
包括第一有機(jī)關(guān)聯(lián)層148、發(fā)光層146、以及第二有機(jī)關(guān)聯(lián)層150的有機(jī)層形成在第一電極122和第二電極128之間。
剩用露出除了下基板101的外圍部分之外的下基板101的蔭罩而形 成第一和第二有機(jī)關(guān)聯(lián)層148和150。由此，在形成有接觸間隔體142的 下基板101的整個上表面上形成第一和第二有機(jī)關(guān)聯(lián)層148和150。當(dāng)?shù)?一電極122是陰極而第二電極122是陽極時，第一有機(jī)關(guān)聯(lián)層148形成 為用于向發(fā)光層146提供電子的電子相關(guān)層。在此情況下，第二有機(jī)關(guān) 聯(lián)層150形成為用于向發(fā)光層146提供空穴的空穴相關(guān)層。在另一方面， 當(dāng)?shù)谝浑姌O122是陽極，而第二電極128是陰極時，第一有機(jī)關(guān)聯(lián)層148 形成為用于向發(fā)光層146提供空穴的空穴相關(guān)層。在此情況下，第二有 機(jī)關(guān)聯(lián)層150形成為用于向發(fā)光層146提供電子的電子相關(guān)層。
利用露出各個像素的發(fā)光區(qū)域的蔭罩而形成發(fā)光層146。由此，在 各個像素的發(fā)光區(qū)域上形成發(fā)光層146。隨著根據(jù)來自第一和第二有機(jī)關(guān) 聯(lián)層148和150的電子復(fù)合而產(chǎn)生的激發(fā)子回到基態(tài)，發(fā)光層146發(fā)射 特定波長的光。該光射向上基板130的整個表面。
同時，如圖17所示，在上基板130和下基板101之間形成由環(huán)氧材 料或燒結(jié)材料制成的密封劑152。當(dāng)各個密封劑152由燒結(jié)材料制成時， 因為與環(huán)氧材料制成的密封劑相比，由燒結(jié)材料制成的密封劑表現(xiàn)出對
上和下基板130和101高的粘接力，因此可以保護(hù)發(fā)光顯示面板而無需 使用濕氣吸收劑。
在上和下基板130和101中的至少一個上涂敷由燒結(jié)材料制成的密 封劑152，并接著利用熱量或光對其進(jìn)行固化。隨后向固化后的燒結(jié)密封 劑152照射激光，燒結(jié)密封劑152接著熔化并隨后凝固，由此組裝上和 下基板130和101。
當(dāng)燒結(jié)密封劑152具有比發(fā)光顯示面板的單元間隙的高度更高的高 度時，如圖17所示，可在上和下基板130和101中的至少一個中形成凹 槽156，以使得燒結(jié)密封劑152和單元間隙的高度相等。由此，根據(jù)本發(fā) 明的上述實施方式的發(fā)光顯示面板可防止圖像質(zhì)量的劣化，例如在常規(guī) 的發(fā)光顯示面板中由于面板的中部比面板的外圍部分低所形成的臺階而 造成在面板的中部表現(xiàn)出具有波形圖案的牛頓環(huán)的牛頓環(huán)現(xiàn)象。
22同時，除了第一和第二電極的材料、有機(jī)層的材料、以及有機(jī)層的 結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)本發(fā)明的第二到第八實施方式的發(fā)光顯示面板的制造方 法與第一實施方式的相同。
如從上述描述可見，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示面板及其制造方法，利 用熱沉積法、濺射法、或其組合以具有能夠防止有機(jī)層受到不利影響的 厚度的薄膜形式而形成在有機(jī)層上形成的第二電極。因此，可以防止有 機(jī)層被損壞。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示面板及其制造方法，與第二電極連接的輔助 電極形成在上基板上。因此，可以進(jìn)行高溫處理，而無需考慮會對有機(jī) 層造成的任何損壞。由于高溫處理是適用的，可實現(xiàn)膜特性的增強(qiáng)。
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示面板及其制造方法，TFT、第一電極、有機(jī) 層、以及第二電極形成在下基板上，并且R、 G和B濾色器、涂敷層、 以及輔助電極形成在上基板上。隨后，將上和下基板進(jìn)行真空組裝。在 此狀態(tài)下，輔助電極與下基板的第二電極接觸。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示 面板及其制造方法，可利用發(fā)射白光的有機(jī)層顯示R、 G和B色彩。因 此，可實現(xiàn)色彩再現(xiàn)性的增強(qiáng)。此外，根據(jù)全表面發(fā)光可實現(xiàn)孔徑比的 提咼°
根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光顯示面板及其制造方法，通過用于保持上下基板 之間的期望的單元間隙的接觸間隔體，可以防止在面板的中部和外圍部 分之間形成臺階，并由此防止例如牛頓環(huán)現(xiàn)象的圖像質(zhì)量的劣化。由于 在形成有機(jī)層的過程中，接觸間隔體與蔭罩接觸，還可以將對有機(jī)層造 成的損壞降至最低。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的 條件下，可以在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明在落入所 附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的條件下旨在涵蓋本發(fā)明的修改和變 型。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板包括形成在下基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層；形成在所述有機(jī)層上的第二電極，所述第二電極具有薄膜結(jié)構(gòu)；以及形成在上基板上并與所述下基板相對的輔助電極，所述輔助電極連接到所述第二電極，其中所述第二電極比所述第一電極和所述輔助電極中的至少一個更薄。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，其中通過將具有所述輔助 電極的所述上基板和具有所述第二電極的所述下基板組裝在一起，來對 所述輔助電極與所述第二電極進(jìn)行連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，其中所述第一電極、所述 第二電極、以及所述輔助電極中的至少一個被形成為具有包括由具有高 反射率的不透明導(dǎo)電材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者具有包括由透明 導(dǎo)電材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者具有由所述不透明導(dǎo)電材料和所 述透明導(dǎo)電材料的組合制成的多層結(jié)構(gòu)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示面板，其中所述輔助電極和所述 第二電極中所包括的所述不透明導(dǎo)電材料各具有10到500 A的厚度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示面板，其中所述不透明導(dǎo)電材料 從由鋁、銀、銅、鎂、和鉬構(gòu)成的組中選擇。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示面板，其中所述透明導(dǎo)電材料從 由氧化銦錫和氧化銦鋅構(gòu)成的組中選擇。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板還包括 形成在所述上基板和所述第二電極之間的上鈍化膜。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，其中所述輔助電極和所述 第二電極各具有壓紋結(jié)構(gòu)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板還包括 形成在所述輔助電極和所述上基板之間的紅、綠和藍(lán)濾色器，所述紅、綠和藍(lán)濾色器接收從所述有機(jī)層發(fā)出的白光，由此分別呈現(xiàn)紅色、 綠色和藍(lán)色。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板還包括 形成在所述濾色器和所述輔助電極之間以使所述濾色器的表面平整化的凃敷層；以及利用導(dǎo)電材料形成在所述涂敷層的與所述第二電極和所述輔助電極 之間的連接區(qū)域相對應(yīng)的部分上的匯流電極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板還包括 形成在所述上基板或所述輔助電極上的匯流電極，使得所述匯流電極連接到所述輔助電極。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，其中所述第一電極是陰 極，并且所述第二電極是陽極。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，其中所述第一電極是陽極，并且所述第二電極是陰極。
14、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的發(fā)光顯示面板，其中所述第一電極由不透明材料制成。
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示面板，其中所述第一電極由不 透明材料制成。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示面板，其中所述第一電極由透 明材料制成。
17、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板還包括 形成在所述上基板和所述下基板之間以保持所述上基板和所述下基板之間的期望的單元間隙的接觸間隔體，其中所述輔助電極在所述接觸間隔體的設(shè)置區(qū)域與所述第二電極接觸。
18、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光顯示面板，該發(fā)光顯示面板還包括 由燒結(jié)材料制成的用于組裝所述上基板和所述下基板的密封劑。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光顯示面板，其中所述上基板和所述下基板中的至少一個在分別與燒結(jié)密封劑相對應(yīng)的區(qū)域中形成有凹槽。
20、 一種制造發(fā)光顯示面板的方法，該方法包括以下步驟 在下基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層； 在所述有機(jī)層上形成第二電極，所述第二電極具有薄膜結(jié)構(gòu)； 在上基板上形成輔助電極，所述輔助電極與所述下基板相對；以及 組裝所述上基板和所述下基板，使得所述第二電極與所述輔助電極 接觸。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第二電極比所述第一電 極和所述輔助電極中的至少一個更薄。
22、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一電極、所述第二電 極、以及所述輔助電極中的至少一個被形成為具有包括由具有高反射率 的不透明導(dǎo)電材料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者具有包括由透明導(dǎo)電材 料制成的至少一層的結(jié)構(gòu)，或者具有由所述不透明導(dǎo)電材料和所述透明 導(dǎo)電材料的組合制成的多層結(jié)構(gòu)。
23、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述輔助電極和所述第二電 極中所包括的所述不透明導(dǎo)電材料各被形成為具有10到500 A的厚度。
24、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述不透明導(dǎo)電材料從由鋁、 銀、銅、鎂、和鉬構(gòu)成的組中選擇。
25、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述透明導(dǎo)電材料從由氧化 銦錫和氧化銦鋅構(gòu)成的組中選擇。
26、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，該方法還包括在所述上基板和所 述第二電極之間形成上鈍化膜。
27、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述輔助電極和所述第二電 極各被形成為具有壓紋結(jié)構(gòu)。
28、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，該方法還包括在所述輔助電極和 所述上基板之間形成紅、綠和藍(lán)濾色器，使得所述紅、綠和藍(lán)濾色器接 收從所述有機(jī)層發(fā)出的白光，由此分別呈現(xiàn)紅色、綠色和藍(lán)色。
29、 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，該方法還包括 在所述濾色器和所述輔助電極之間形成涂敷層，以使所述濾色器的表面平整化；利用導(dǎo)電材料在所述涂敷層的與所述第二電極和所述輔助電極之間 的連接區(qū)域相對應(yīng)的部分上形成匯流電極。
30、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中制備所述上基板的步驟還包括利用導(dǎo)電材料在所述上基板或所述輔助電極上形成匯流電極，使得 所述匯流電極連接到所述輔助電極。
31、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一電極是陰極，并且 所述第二電極是陽極。
32、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一電極是陽極，并且所述第二電極是陰極。
33、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，該方法還包括在所述上基板和所述下基板之間形成接觸間隔體，以保持所述上基 板和所述下基板之間的期望的單元間隙，其中所述輔助電極在所述接觸間隔體的設(shè)置區(qū)域中與所述第二電極 接觸。
34、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中利用由燒結(jié)材料制成的密封 劑組裝所述上基板和所述下基板。
35、 根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述上基板和所述下基板中 的至少一個在分別與燒結(jié)密封劑相對應(yīng)的區(qū)域中形成有凹槽。
36、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中利用熱沉積法、濺射法或其 組合而形成所述第二電極。
全文摘要
發(fā)光顯示面板及其制造方法。本發(fā)明公開了一種在制造時不對其有機(jī)層造成任何損壞的發(fā)光顯示面板及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，該發(fā)光顯示面板包括形成在下基板上的第一電極；形成在所述第一電極上的有機(jī)層，所述有機(jī)層包括發(fā)光層；形成在所述有機(jī)層上的第二電極，所述第二電極具有薄膜結(jié)構(gòu)；以及形成在上基板上并與所述下基板相對的輔助電極，所述輔助電極連接到所述第二電極。所述第二電極比所述第一電極和所述輔助電極中的至少一個更薄。
文檔編號H01L27/32GK101615624SQ20081017635
公開日2009年12月30日 申請日期2008年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月24日
發(fā)明者崔浩源, 樸宰希 申請人:樂金顯示有限公司