專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件高集成度工藝的進(jìn)步，MOS晶體管的柵/源/漏電極的尺 寸在減小，使得溝道長度在減小。當(dāng)溝道長度減小時(shí)，將產(chǎn)生短溝道效應(yīng) (SCE)和逆向短溝道效應(yīng)(RSCE)，從而難于控制晶體管的閾值電壓 (threshold voltage )。
此外，具有高集成度的半導(dǎo)體器件需要較高的驅(qū)動(dòng)電壓，由于漏極的電 勢梯度狀態(tài)(potential gradient state)，使得由源極注入的電子劇烈加速，并 且在漏極附近產(chǎn)生熱載流子(hot carriers)。在現(xiàn)有技術(shù)中采用輕度摻雜的 漏極(LDD)以改善半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)易損性。
圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有LDD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
參見圖1，通過器件隔離層限定襯底10的有源區(qū)，并且對柵極絕緣膜 12和多晶硅材料組成的柵電極13進(jìn)行圖案化。
然后，將離子注入柵電極13兩側(cè)的有源區(qū)以形成LDD區(qū)14。在柵電極 13的側(cè)面處形成由二氧化硅(Si02)材料組成的側(cè)壁間隔件18。
側(cè)壁間隔件18可以與氮化硅(SiN)材料的間隔件15 —起形成，其中 側(cè)壁間隔件18用于減輕層間壓力并且提高間隔件15和柵電極13之間的粘 合力。
最終，可以將離子注入間隔件15兩側(cè)的有源區(qū)以形成源極區(qū)16和漏極區(qū)17。
當(dāng)形成間隔件15和側(cè)壁間隔件18時(shí)，需要進(jìn)行沉積、蝕刻以及清洗工 藝，導(dǎo)致工序復(fù)雜并且增加了制造時(shí)間和成本。
此外，因?yàn)橛糜谛纬砷g隔件15的沉積工藝須在長時(shí)間高溫下進(jìn)行，使 得注入LDD區(qū)14的離子發(fā)生散布(distribution)，這將會(huì)惡化器件的性能。
也就是說，當(dāng)形成LDD區(qū)14時(shí)，經(jīng)由形成間隔件15時(shí)的熱處理工藝， 會(huì)將諸如B和BF等此類離子，注入并擴(kuò)散至溝道區(qū)的邊緣。
因此，將LDD區(qū)14延伸至位于柵電極13邊緣以下的半導(dǎo)體襯底中。 如果發(fā)生了 LDD區(qū)14和柵電極13的重疊，將會(huì)增加?xùn)艠O-漏極的重疊電容 (overlap capacitance)并且增加RC延遲，使得包括運(yùn)行速度在內(nèi)的半導(dǎo)體 器件的電學(xué)性能下降。
由于半導(dǎo)體器件包括諸如源極區(qū)、漏極區(qū)以及LDD區(qū)等注入層，因此 限制了半導(dǎo)體器件尺寸的最小化。此外，有些工藝中還存在著問題，并且器 件運(yùn)行可靠性的提高也受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件，能夠簡化工藝，并且在不采用注 入層的條件下實(shí)現(xiàn)高集成度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體器件，利用熱電性能來進(jìn)行器件 的運(yùn)行。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上的由金屬材料線 形成的源極/漏極導(dǎo)體；由第二金屬材料線形成的第一柵極導(dǎo)體；以及由第三 金屬材料線形成的第二柵極導(dǎo)體，其中將第一柵極導(dǎo)體設(shè)置為臨近位于源極 /漏極導(dǎo)體一端的源極/漏極導(dǎo)體的第一部分，并且將第二柵極導(dǎo)體設(shè)置為臨 近位于源極/漏極導(dǎo)體另一端的該源極/漏極導(dǎo)體的第二部分，且該第二柵極 導(dǎo)體與第一柵極導(dǎo)體間隔設(shè)置。
本發(fā)明的實(shí)施例可以簡化半導(dǎo)體器件的制造工藝，并且在不采用注入層 的條件下實(shí)現(xiàn)高集成度，從而抑制了由熱處理工藝和注入層結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的半 導(dǎo)體器件的性能下降。


圖1為示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有LDD結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖2為示出熱電器件的結(jié)構(gòu)示意圖，用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半 導(dǎo)體器件的運(yùn)行原理。
圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的形態(tài)的透視圖。 圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的形態(tài)的透視圖。
具體實(shí)施例方式
下文將結(jié)合隨附附圖描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例。 圖2為熱電器件的結(jié)構(gòu)示意圖，用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體 器件的運(yùn)行原理。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，其目標(biāo)(subject)半導(dǎo)體器件可以在熱電效應(yīng)原 理下運(yùn)行，其中所述熱電效應(yīng)包括塞貝克效應(yīng)(Seebect effect)和珀耳帖效 應(yīng)(Peltier effect)。因此，通過能量直接轉(zhuǎn)化模式，對根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例 的半導(dǎo)體器件應(yīng)用了熱現(xiàn)象和電現(xiàn)象之間的相互轉(zhuǎn)化。
塞貝克效應(yīng)是涉及這樣一種情形當(dāng)金屬棒的兩側(cè)產(chǎn)生溫差時(shí)，金屬內(nèi) 部會(huì)產(chǎn)生電場。處于溫度較高一側(cè)的電子的平均速度快于處于溫度較低一側(cè) 的電子的平均速度，使得較多的電子通量(electron flux)從溫度較高一側(cè)轉(zhuǎn) 移至溫度較低一側(cè)更大。因此，電子在溫度較低一側(cè)積聚以產(chǎn)生電場，其結(jié) 果是在溫度較低一側(cè)具有較低的電勢。
珀耳帖效應(yīng)是與塞貝克效應(yīng)相反的物理現(xiàn)象，涉及由施加于金屬棒其它 區(qū)域的電流差值所引發(fā)的溫度差。
圖2 (a)和圖2 (b)示出了目標(biāo)(subject)半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的運(yùn)行 原理。如圖2所示的器件包括第一金屬體20或30、第二金屬體23或33、 第一連接件22或32以及第二連接件21或31，其中該第一連接件22或32 將該第一金屬體20或30的一端連接至該第二金屬體23或33，以及該第二 連接件21或31將該第一金屬體20或30的另一端連接至該第二金屬體23 或33。
通常，在熱電器件中，第一連接件22和32為p型導(dǎo)體，并且第二連接 件21和31為n型導(dǎo)體。
6首先，參見圖2 (a)，當(dāng)將電流施加于第一金屬體20時(shí)，正電荷載流 子流經(jīng)第一連接件22，并且負(fù)電荷載流子流經(jīng)第二連接件21，從而使第一 金屬體20和第二金屬體23之間的電流流通。
通過這種運(yùn)行，所移動(dòng)的電荷將熱量從第二金屬體23傳遞至第一金屬 體20，使得第二金屬體23冷卻。
換句話說，將電流施加至第一金屬體20以使其作為散熱器(heat sink)。
如圖2 (a)所示的器件使用基于珀耳帖現(xiàn)象的熱電冷卻原理。
參見圖2 (b)，當(dāng)將熱量施加至第二金屬體33時(shí)，第二金屬體33用作 熱源，并且第一金屬體用作散熱器。
因此，正電荷載流子流經(jīng)第一連接件32，并且使負(fù)電荷載流子流經(jīng)第二 連接件31，從而使第一金屬體30和第二金屬體33之間的電流流通。
隨著電流的流通，在第二金屬體33處會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(electromotive force)，并且可以將電流提供至與第二金屬體33相連接的電路。
如圖2 (b)所示的器件使用熱電功率產(chǎn)生原理。
因此，可以提供一種半導(dǎo)體器件，其使用上述熱電冷卻原理和熱電功率 產(chǎn)生原理。
圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件100的形態(tài)的透視圖。
參見圖3，半導(dǎo)體器件100可以包括襯底150、絕緣層110、第一柵極導(dǎo) 體130、第二柵極導(dǎo)體120以及源極/漏極導(dǎo)體140。
在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底150可以為單晶硅襯底。可以在半導(dǎo)體襯底 150上形成絕緣層110，并且可以在絕緣層110中形成第一柵極導(dǎo)體130、第 二柵極導(dǎo)體120以及源極/漏極導(dǎo)體140。
可以將源極/漏極導(dǎo)體140、第一柵極導(dǎo)體130以及第二柵極導(dǎo)體120設(shè) 置成由金屬材料構(gòu)成的線狀形式。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可將第一柵極導(dǎo)體130置于源極/漏極導(dǎo)體140的 一個(gè)側(cè)端A，并且可將第二柵極導(dǎo)體120置于源極/漏極導(dǎo)體140的另一個(gè)側(cè) 端B。
在一實(shí)施例中，可以使第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120分別形成 "n"型的彎曲線狀形式。通過采用彎曲線狀形式，可使半導(dǎo)體器件100的面積最小化。 在特定實(shí)施例中，可以采用不同溫度常數(shù)和/或不同尺寸的材料分別形成
第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120。例如，所形成的線的整體長度、厚
度或?qū)挾瓤梢圆煌?br> 在特定實(shí)施例中，源極/漏極導(dǎo)體140可以形成由金屬材料構(gòu)成的直線。 可以平行排列第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120并且彼此分隔一定的距 離C。可以將平行排列的第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120設(shè)置為與源 極/漏極導(dǎo)體140有一預(yù)定間隔。因此，源極/漏極導(dǎo)體140、第一柵極導(dǎo)體 130以及第二柵極導(dǎo)體120可以沿同一水平面排列。
第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120可以用作柵電極?？蓪⒖拷谝?柵極導(dǎo)體130處的源極/漏極導(dǎo)體140的A部分用作源電極，并且可將靠近 第二柵極導(dǎo)體120處的源極/漏極導(dǎo)體140的B部分用作漏電極。
在一實(shí)施例中，第一柵極導(dǎo)體130、第二柵極導(dǎo)體120以及源極/漏極導(dǎo) 體140可以由相同的材料形成。在另一實(shí)施例中，至少一種導(dǎo)體也可以由不 同的材料形成。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以通過任何合適的工藝在絕緣層110中形成第 一柵極導(dǎo)體130、第二柵極導(dǎo)體120以及源極/漏極導(dǎo)體140。例如，可以在 襯底150上形成絕緣層110，并且可以進(jìn)行光刻(photolithography)工藝以 定義導(dǎo)體區(qū)。然后，可以實(shí)施蝕刻工藝和導(dǎo)體埋設(shè)工藝(conductor burying process)，以便能夠形成第一柵極導(dǎo)體130、第二柵極導(dǎo)體120以及源極/ 漏極導(dǎo)體140。
在運(yùn)行中，可以為第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120提供電流。所 施加的電流可以相同，也可以不同?？梢圆捎脝坞娐?single circuit)以將電 流提供至第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120。在另一實(shí)施例中，可以采 用不同的電路以將電流分別提供至第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120。
當(dāng)將電流施加至第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120時(shí)，將熱電子對 (thermal electron pairs)提供至第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120，以 根據(jù)熱電冷卻原理將第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120用作熱源(如圖 2 (a)所示的第二金屬體23)。
這種情形通過結(jié)合圖2 (a)所描述的原理而發(fā)生。也就是說，通過電流
8的應(yīng)用會(huì)影響第一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120的溫度。
此時(shí)，不同的熱電效應(yīng)由下列要素中的一個(gè)或多個(gè)來實(shí)現(xiàn)1)第一柵
極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120可以采用不同溫度常數(shù)的材料形成；2)第 一柵極導(dǎo)體130的尺寸和第二柵極導(dǎo)體120的尺寸可以不同；3)可以對第 一柵極導(dǎo)體130和第二柵極導(dǎo)體120提供不同的電流；以及4)可以采用不 同的方式來調(diào)整介于柵極導(dǎo)體120、 130和源極/漏極導(dǎo)體140之間的間隔。 因此，在源極/漏極導(dǎo)體140的A部分和B部分之間可以產(chǎn)生溫度差。 從而，可以根據(jù)結(jié)合圖2 (b)而描述的熱能產(chǎn)生原理將電流例如從A部分 提供至B部分。
于此，為了將電流從源極/漏極導(dǎo)體140的A部分提供至B部分，可以 使A部分的溫度高于B部分的溫度。在一實(shí)施例中，為了使A部分具有較 高的溫度，第一柵極導(dǎo)體130的尺寸可以大于第二柵極導(dǎo)體120的尺寸。在 另一實(shí)施例中，施加至第一柵極導(dǎo)體130的電流可以強(qiáng)于施加至第二柵極導(dǎo) 體120的電流。在又一實(shí)施例中，用于第一柵極導(dǎo)體130的材料的溫度常數(shù) 可以大于用于第二柵極導(dǎo)體120的材料的溫度常數(shù)。在其它實(shí)施例中，可以 采用上述各要素的結(jié)合。
因此，為了運(yùn)行目標(biāo)半導(dǎo)體器件，可以通過將電流施加至第一柵極導(dǎo)體 130和第二柵極導(dǎo)體120來控制源極/漏極導(dǎo)體140的電流。
從而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以通過單線型電極來實(shí)現(xiàn)源 極和漏極，而不用形成在現(xiàn)有技術(shù)中所需的單獨(dú)的注入層。
在下文中，將結(jié)合隨附附圖描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200的形態(tài)的透視圖。
參見圖4，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200包括源極/漏極導(dǎo) 體240、第一柵極導(dǎo)體230、第二柵極導(dǎo)體220、襯底250、第一絕緣層210 以及第二絕緣層260。
本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的運(yùn)行原理與本發(fā)明第一實(shí)施例的半 導(dǎo)體器件的運(yùn)行原理相同，都采用熱電能量產(chǎn)生原理和熱電冷卻原理。因此， 下文中省略了重復(fù)描述的部分。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200可以具有與根據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施例相同的運(yùn)行原理和配置。然而，對于第二實(shí)施例而言，可以在第一
絕緣層210中形成第一柵極導(dǎo)體230，而在第二絕緣層260中形成第二柵極 導(dǎo)體220。此外，如圖4所示，可將第一柵極導(dǎo)體230和第二柵極導(dǎo)體220 以正交方式排列。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，出于對絕緣層210和260的熱傳遞的考慮，第一 柵極導(dǎo)體230和第二柵極導(dǎo)體220可以位于具有不同熱轉(zhuǎn)移常數(shù)的絕緣層 中。
因此，對于根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件200而言，除了在根據(jù) 本發(fā)明的第一施例中所描述的柵極導(dǎo)體120和130的運(yùn)行條件之外，通過采 用不同的絕緣層及相關(guān)條件可以更精確地控制源極/漏極導(dǎo)體240的電流。
根據(jù)特定實(shí)施例，第一絕緣層210的厚度dl可以等于源極/漏極導(dǎo)體240 的厚度d2與源極/漏極導(dǎo)體240和第一柵極導(dǎo)體230之間的間隔距離之和。 這樣，源極/漏極導(dǎo)體240可以由第一絕緣層210覆蓋，以達(dá)到等于源極/漏 極導(dǎo)體240和第一柵極導(dǎo)體230之間的間隔的厚度。
第二絕緣層260的厚度(寬度)d3可以等于或大于第二柵極導(dǎo)體220的 厚度(寬度)d4。
第二絕緣層260可以被形成為覆蓋第一絕緣層210的整個(gè)表面。
在特定實(shí)施例中，絕緣層210和絕緣層260之一或者兩者都可以由導(dǎo)體 材料形成。在這種實(shí)施例中，優(yōu)選使所述絕緣層具有非常大的阻抗，以用作 絕緣器。例如，絕緣層可被形成為約為20nm的厚度。在特定實(shí)施例中，該 厚度可大約在10 nm到20 nm之間。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以制造具有新概念的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器 件以完全不同于現(xiàn)有技術(shù)的原理和結(jié)構(gòu)來運(yùn)行。
此外，對于本發(fā)明的實(shí)施例而言，其半導(dǎo)體器件不需要注入層，這樣就 能夠大幅度地降低半導(dǎo)體器件的尺寸，并且實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的高集成度。
此外，本發(fā)明的實(shí)施例可以簡化半導(dǎo)體器件的制造工藝，并且抑制了由 熱處理工藝和注入層結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的半導(dǎo)體器件的性能下降。
說明書中所涉及的"一實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例"等， 其含義是結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性均包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。說明書中出現(xiàn)于各處的這些短語并不一定都涉及同一個(gè)實(shí)施 例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，都認(rèn)為其落在 本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例就可以實(shí)現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍 內(nèi)。
盡管對實(shí)施例的描述中結(jié)合了其中多個(gè)示例性實(shí)施例，但可以理解的是 本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出許多其它變化和實(shí)施例，并落入本公開內(nèi)容 的原理的精神和范圍之內(nèi)。尤其是，可以在該公開、附圖和所附權(quán)利要求的 范圍內(nèi)對組件和/或附件組合設(shè)置中的排列進(jìn)行多種變化和改進(jìn)。除組件和/ 或排列的變化和改進(jìn)之外，其它可選擇的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是 顯而易見的。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括源極/漏極導(dǎo)體，在襯底上由金屬材料線形成；第一柵極導(dǎo)體，由第二金屬材料線形成，其中將該第一柵極導(dǎo)體設(shè)置為臨近位于該源極/漏極導(dǎo)體一端的該源極/漏極導(dǎo)體的第一部分；以及第二柵極導(dǎo)體，由第三金屬材料線形成，其中將該第二柵極導(dǎo)體設(shè)置為臨近位于該源極/漏極導(dǎo)體的另一端的該源極/漏極導(dǎo)體的第二部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中將該第一柵極導(dǎo)體和該第二 柵極導(dǎo)體沿該源極/漏極導(dǎo)體的同一側(cè)以彼此間隔的方式設(shè)置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中將該第一柵極導(dǎo)體和該第二 柵極導(dǎo)體以正交方式排列在該源極/漏極導(dǎo)體附近。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中將該第一柵極導(dǎo)體設(shè)置在該 源極/漏極導(dǎo)體的同一水平面上；以及其中將該第二柵極導(dǎo)體設(shè)置在該源極/ 漏極導(dǎo)體的同一垂直面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中該第二柵極導(dǎo)體與該源極/漏 極導(dǎo)體上表面相間隔的距離大約等于該第一柵極導(dǎo)體與該源極/漏極導(dǎo)體側(cè) 表面相間隔的距離。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括第一絕緣層，其中 形成有該第一柵極導(dǎo)體和該源極/漏極導(dǎo)體；以及第二絕緣層，位于該第一柵 極導(dǎo)體和該源極/漏極導(dǎo)體上，并且在該第二絕緣層中形成有該第二柵極導(dǎo) 體。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一絕緣層和該第二絕緣 層包括不同材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一絕緣層和該第二絕緣 層中的至少之一包括具有熱傳遞常數(shù)的材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中該第二絕緣層的厚度等于或 大于該第二柵極導(dǎo)體的厚度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中將該源極/漏極導(dǎo)體排列成 直線，并且將該第一柵極導(dǎo)體和該第二柵極導(dǎo)體中的至少之一排列成"n" 型的彎曲線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中將該第一柵極導(dǎo)體連接至該 第二柵極導(dǎo)體的同一電源，使得經(jīng)由相同的電路而對該第一柵極導(dǎo)體和該第 二柵極導(dǎo)體提供相同的電流。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中將該第一柵極導(dǎo)體連接至與 該第二柵極導(dǎo)體不同的電源，使得經(jīng)由不同的電路而對該第一柵極導(dǎo)體和該 第二柵極導(dǎo)體提供不同的電流。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中將該源極/漏極導(dǎo)體、該第 一柵極導(dǎo)體以及該第二柵極導(dǎo)體平行排列于單一絕緣層上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中該單一絕緣層包括具有熱傳遞常數(shù)的材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中該單一絕緣層由厚度大約 在10 nm到20 nm之間的導(dǎo)體形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一柵極導(dǎo)體和該第二柵 極導(dǎo)體由具有不同溫度常數(shù)的材料形成，使得該第一柵極導(dǎo)體具有與該第二 柵極導(dǎo)體不同的溫度常數(shù)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一柵極導(dǎo)體和該第二柵 極導(dǎo)體形成為不同的尺寸。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所形成的該第一柵極導(dǎo)體和 該第二柵極導(dǎo)體以不同的間距與該源極/漏極導(dǎo)體相間隔。
全文摘要
本發(fā)明公開一種可以采用熱電概念運(yùn)行的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上由金屬材料線所形成的源極/漏極導(dǎo)體；由第二金屬材料線所形成的第一柵極導(dǎo)體；以及由第三金屬材料線所形成的第二柵極導(dǎo)體，其中將第一柵極導(dǎo)體設(shè)置為臨近位于源極/漏極導(dǎo)體一端的源極/漏極導(dǎo)體的第一部分，并且將第二柵極導(dǎo)體設(shè)置為臨近位于源極/漏極導(dǎo)體的另一端的源極/漏極導(dǎo)體的第二部分，并與第一柵極導(dǎo)體間隔設(shè)置。通過將電流施加至第一柵極導(dǎo)體和第二柵極導(dǎo)體，可將電流從源極/漏極導(dǎo)體的一端提供至源極/漏極導(dǎo)體的另一端。本發(fā)明可簡化半導(dǎo)體器件的制造工藝，并在無注入層的條件下實(shí)現(xiàn)高集成度，以抑制其性能下降。
文檔編號H01L35/28GK101465405SQ20081017628
公開日2009年6月24日 申請日期2008年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者金明洙 申請人:東部高科股份有限公司