專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器，尤其涉及一種圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器，尤其涉及一種圖像傳感器及其制造方法。 盡管本發(fā)明適用于較廣的應(yīng)用范圍，其更適用于當(dāng)執(zhí)行熱處理以改善暗特性
(dark characteristic)時，防止保護(hù)層被熱應(yīng)力損壞。
一般來說，圖像傳感器是一種將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電信號的半導(dǎo)體器件， 并且圖像傳感器可以劃分為電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器
(CIS) 。 CCD具有復(fù)雜的驅(qū)動機(jī)制，耗電量較大，并且需要多步光學(xué)處理。 因此，CCD具有制造工藝復(fù)雜的缺點(diǎn)。另外，CCD很難將控制電路、信號 處理電路、模擬/數(shù)字(A/D)轉(zhuǎn)換器等集成在CCD芯片上和/或上方，從而 不利于產(chǎn)品小型化。
由于下一代的圖像傳感器是為了克服CCD的缺點(diǎn)，注意力便集中到了 CIS上。CIS圖像傳感器包括和單位像素的數(shù)量相同的MOS晶體管。通過使 用控制電路、信號處理電路等作為外圍電路的CMOS技術(shù)，CIS可以形成在 半導(dǎo)體襯底上和/或上方。因此，CIS是采用開關(guān)系統(tǒng)，使用MOS晶體管分 別按順序探測單位像素輸出的器件。尤其是，CIS實現(xiàn)圖像的方式是在單 位像素中形成光電二極管和MOS晶體管，然后使用開關(guān)按順序探測相應(yīng)的 單位像素的電信號。由于CIS采用CMOS制造工藝，減少了光處理等步驟， 從而具有低功耗和制造方法簡單的優(yōu)點(diǎn)。另外，CIS可以將控制器、信號處 理器、A/D轉(zhuǎn)換器等集成到CIS芯片上，從而具有產(chǎn)品小型化的優(yōu)點(diǎn)。因此， CIS廣泛的應(yīng)用于各種數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)等各種應(yīng)用領(lǐng)域。示例性圖1是CIS的單位像素的等效電路圖，其包括一個光電二極管
(PD)和四個MOS晶體管。CIS的單位像素包括光電二極管(PD)，通過 接收光產(chǎn)生光電荷；轉(zhuǎn)移晶體管Tx，將在光電二極管(PD)中收集到的光 電荷轉(zhuǎn)移到浮置擴(kuò)散區(qū)(FD);復(fù)位晶體管Rx，將浮置擴(kuò)散區(qū)(FD)的電位設(shè)置 為特定值，并通過釋放電荷重新設(shè)置浮置擴(kuò)散區(qū)(FD);驅(qū)動晶體管Dx，對源 極跟隨緩沖器的幅值起作用(play a role as);以及選擇晶體管Sx，起到開 關(guān)的作用以使能尋址。負(fù)載晶體管，在單位像素的外部，以使輸出信號可讀。 示例性圖2是如示例性圖1所示的CIS的橫截面圖。如示例性圖2所示， CIS包括場氧化物層，形成在半導(dǎo)體襯底11上和/或上方，該半導(dǎo)體襯底 ll限定為感測(sensing)部和驅(qū)動部，以限定有源區(qū)；多個光電二極管12， 形成在半導(dǎo)體襯底11的有源區(qū)中；以及多個晶體管13，形成在半導(dǎo)體襯底 11的有源區(qū)上和/或上方。第一層間絕緣層14形成在包括感測部和外圍驅(qū)動 部的半導(dǎo)體襯底11上和/或上方，該感測部11具有光電二極管12及晶體管 13。第一金屬線M1形成在第一層間絕緣層14上和/或上方。第二層間絕緣 層15、第二金屬線M2、第三層間絕緣層16、第三金屬線M3、第四層間絕 緣層17、第四金屬線M4和保護(hù)層18按順序形成在第一金屬線Ml上和/或 上方。
接觸孔和接觸栓塞形成在金屬線Ml、 M2、 M3和M4之間的層間絕緣 層14、 15、 16和17中，以分別電連接金屬線M1、 M2、 M3和M4。第二金 屬線M2、第三金屬線M3和第四金屬線M4設(shè)置在外圍驅(qū)動部中，從而不 影響光入射到光電二極管12上和/或上方。R/G/B濾色鏡層19形成在感測部 的保護(hù)層18上和/或上方，以實現(xiàn)彩色圖像。微透鏡20的陣列形成在濾色鏡 層19上和/或上方，并與其空間上對應(yīng)。微透鏡20得到特定曲率(specific curvature)的方式是涂覆光致抗蝕劑，圖案化所述光致抗蝕劑以使其僅殘 留在光電二極管12上和/或上方，然后通過烘烤(baking)來回流光致抗蝕 劑。微透鏡20對光電二極管12上和/或上方聚焦的入射光起了重要的作用。
然而，在如CIS的制造工藝中，在形成保護(hù)層18之后，并在形成濾色 鏡層19和微透鏡20之前，執(zhí)行溫度約為450°C的熱處理以改善暗特性。尤 其是，當(dāng)捕獲到暗圖像時，可能會產(chǎn)生白點(diǎn)現(xiàn)象(white dot-type)。白點(diǎn)現(xiàn) 象產(chǎn)生的原因如下。首先，通過注入雜質(zhì)離子而形成光電二極管，將離子束用于蝕刻工藝，以形成薄膜晶體管或金屬線。雜質(zhì)離子的注入或離子束可以 為硅襯底表面充入電子。如果表面充入了電子，則會在黑色屏幕上產(chǎn)生白點(diǎn)
現(xiàn)象。這就叫做暗缺陷(dark defect)。為了解決暗缺陷，在形成保護(hù)層18 之后，并在形成濾色鏡層19和微透鏡20之前，執(zhí)行溫度為450°C的熱處理。 經(jīng)過熱處理，頂出用于沉積層間絕緣層等的硅烷氣體(SiH4)中的氫原子， 以取代位于硅襯底表面的充電電子，從而改善暗特性。
然而，所述的CIS制造方法具有如下問題。首先，如果執(zhí)行熱處理以改 善暗特性，在金屬線、層間絕緣層和保護(hù)層會擴(kuò)散到單層中的結(jié)構(gòu)中，金屬 線就會產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而破壞頂部金屬線上和/或上方的保護(hù)層。因此，降低 或失去了保護(hù)層保護(hù)器件的功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，其更適用于當(dāng)執(zhí)行 熱處理以改善暗特性時，防止保護(hù)層被熱應(yīng)力損壞。
本發(fā)明的實施例涉及一種圖像傳感器及其制造方法，使用這種方法，當(dāng) 執(zhí)行熱處理以改善暗特性時，在位于頂層的金屬線的兩側(cè)或一側(cè)的層間絕緣 層中形成聚合層(poly layer)，通過減小對頂部金屬線熱應(yīng)力的方式來防止 損壞保護(hù)層。
本發(fā)明的實施例涉及一種圖像傳感器，其可以包括至少一個如下結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體襯底，限定在感測部和外圍驅(qū)動部中；多個光電二極管和多個晶體管， 形成在該半導(dǎo)體襯底的該感測部中；絕緣層，形成在該半導(dǎo)體襯底上和/或上 方；至少一個下部層間絕緣層，形成在該絕緣層上和/或上方；至少一根下部 金屬線，形成在所述至少一個層間絕緣層上和/或上方；上部層間絕緣層，形 成在包括所述至少一根金屬線的該襯底上和/或上方；上部金屬線，形成在該 上部層間絕緣層上和/或上方；聚合層，形成在該上部層間絕緣層上和/或上 方并且位于該上部金屬線的至少一側(cè)；以及保護(hù)層，形成在包括該聚合層和 該上部金屬線的該上部層間絕緣層上和/或上方。
本發(fā)明的實施例涉及一種圖像傳感器的制造方法，其可以包括至少一個 如下的步驟提供限定為感測部和外圍驅(qū)動部的半導(dǎo)體襯底；然后在該半導(dǎo) 體襯底的該感測部中形成多個光電二極管和多個晶體管；然后在該半導(dǎo)體襯底上和/或上方形成絕緣層；然后在該絕緣層上和/或上方形成至少一個下部 層間絕緣層；然后在所述至少一個層間絕緣層上和/或上方形成至少一根下部 金屬線；然后在包括所述至少一根下部金屬線的該半導(dǎo)體襯底上和/或上方形 成一個上部層間絕緣層；然后在該上部層間絕緣層上和/或上方形成上部金屬 線；然后在該上部層間絕緣層上和/或上方并在該上部金屬線的至少一側(cè)形成 一個聚合層；以及在包括該聚合層和該上部金屬線的該上部層間絕緣層上和 /或上方形成保護(hù)層。
本發(fā)明的實施例涉及一種圖像傳感器的制造方法，其可以包括至少一個 如下的步驟在半導(dǎo)體襯底中形成多個光電二極管；在包括所述多個光電二 極管的該半導(dǎo)體襯底上方形成多個晶體管；在包括所述多個光電二極管和所 述多個晶體管的該半導(dǎo)體襯底上方形成絕緣層；在該絕緣層上方形成下部層 間絕緣層；在該下部層間絕緣層上方形成下部金屬線；在包括該下部金屬線 的該下部層間絕緣層上方形成上部層間絕緣層；在該上部層間絕緣層上方形 成上部金屬線；在該上部層間絕緣層中并且在該上部金屬線的兩側(cè)形成溝 槽；在該溝道中形成聚酰亞胺基的聚合物圖案，以使該層間絕緣層的頂部表 面、該上部金屬線和該聚合層共面；在包括該聚酰亞胺基的聚合物圖案和該 上部金屬線的該上部層間絕緣層上方形成保護(hù)層；以及在形成該金屬層后執(zhí) 行熱處理。
依據(jù)實施例的圖像傳感器具有如下效果和/或優(yōu)點(diǎn)。首先，聚合層形成在 頂層的上部金屬線的至少一側(cè)。因此，即使執(zhí)行熱處理工藝以改善暗特性， 該聚合層也吸收了該頂部金屬線的熱應(yīng)力。因此，可以確實防止對保護(hù)層的 破壞或者損毀。


示例性圖1和圖2示出了圖像傳感器的單位像素電路及圖像傳感器的剖 面圖。
示例性圖3和圖4A-圖4F示出了依據(jù)實施例的圖像傳感器及其制造方法。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參考本發(fā)明的實施例，其示例示出在附圖中。在可能的情況下，在全部附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示相同或者類似的部分。
如示例性圖3所示，依據(jù)實施例的圖像傳感器包括限定感測部和外圍驅(qū)
動部的半導(dǎo)體襯底100。多個光電二極管101形成在半導(dǎo)體襯底100的感測 部中。晶體管102形成在半導(dǎo)體襯底IOO及光電二極管101的感測部和外圍 驅(qū)動部中。絕緣層103形成在包括光電二極管101和晶體管102的半導(dǎo)體襯 底100上和/或上方。第一層間絕緣層104形成在絕緣層103上和/或上方。 第一金屬線M1形成在第一層間絕緣層104上和/或上方的感測部和外圍驅(qū)動 部中。第二層間絕緣層105形成在包括第一金屬線Ml的半導(dǎo)體襯底100上 和/或上方。第二金屬線M2形成在第二層間絕緣層105上和/或上方的感測 部和外圍驅(qū)動部中。第三層間絕緣層106形成在包括第二金屬線M2的半導(dǎo) 體襯底100上和/或上方。第三金屬線M3形成在第三層間絕緣層106上和/ 或上方的半導(dǎo)體襯底100的外圍驅(qū)動部中。第四層間絕緣層107形成在包括 第三金屬線M3的半導(dǎo)體襯底100上和/或上方。第四金屬線M4形成在第四 層間絕緣層107上和/或上方的半導(dǎo)體襯底100的外圍驅(qū)動部中。聚合層(poly layer) 110a形成在第四金屬線M4的至少一側(cè)。保護(hù)層108形成在包括第四 金屬線M4和聚合層110a的第四層間絕緣層107上和/或上方。保護(hù)層108 包括氧化物層。
聚合層110a的寬度和深度的范圍可以約在第四金屬線M4的寬度和深度 的1/100到1/300之間。聚合層110a由聚酰亞胺基的聚合物形成。金屬線 Ml、 M2、 M3和M4可以由A1、 Cu、 Mo、 Ti、 Ta等的一種形成，其中單層 或堆疊層包括至少兩種材料。金屬線M1、 M2、 M3和M4可以由雙鑲嵌工 藝(dual damascene process)形成，以在各自的層間絕緣層中形成溝槽和導(dǎo) 通接觸孔(via contact hole)。從而，金屬層形成在雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中。上述內(nèi)容
將在下文的圖像傳感器制造方法的描述中詳細(xì)解釋。
如上文所述，在圖3所示的依據(jù)實施例的圖像傳感器中，由于聚合層110a 設(shè)置在第四金屬線M4的一側(cè)或者兩側(cè)，即使在完成保護(hù)層108之后執(zhí)行熱 處理以改善暗特性，第四金屬線M4的熱應(yīng)力產(chǎn)生的凸起(hillocks)也可以 指向聚合層110a。因此，可以防止保護(hù)層108被破壞或損毀。
示例性圖4A-圖4F示出了依據(jù)實施例的圖像傳感器制造方法。 如示例性圖4A所示，場氧化層形成在限定感測部和外圍驅(qū)動部的半導(dǎo)體襯底100上和/或上方，以限定有源區(qū)。光電二極管101和晶體管102形成 在半導(dǎo)體襯底100的有源區(qū)中。然后，絕緣層103形成在包括光電二極管101 和晶體管102的半導(dǎo)體襯底100上和/或上方。
如示例性圖4B所示，第一層間絕緣層104形成在絕緣層103上和/或上 方。然后， 一部分用于形成金屬線的第一層間絕緣層104通過光刻 (photolithography)選擇性地移除，以在雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中形成溝槽。第一金屬 層沉積在第一層間絕緣層104上和/或上方，以填充溝槽。然后，通過化學(xué)機(jī) 械拋光(CMP)來平坦化第一金屬層，直到暴露出第一層間絕緣層104的表 面，從而在溝槽中形成第一金屬線Ml。然后，使用和形成第一金屬線Ml 同樣的方法，第二層間絕緣層105形成在包括第一金屬線Ml的第一層間絕 緣層104上和/或上方。然后，使用和上述描述同樣的方法，第三層間絕緣層 106形成在包括第二金屬線M2的第二層間絕緣層105上和/或上方。
如示例性圖4C所示，第四層間絕緣層107形成在包括第三金屬線M3 的第三層間絕緣層106上和/或上方。如上所述，通過選擇性的移除一部分第 四層間絕緣層107，以通過光刻形成第四金屬線，從而在雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中形成 溝槽。金屬層109沉積在第四層間絕緣層107上和/或上方，以填充溝槽。
如示例性圖4D所示，通過CMP移除一部分金屬層109，直到暴露出第 四層間絕緣層107的表面，從而在溝槽中形成第四金屬線M4。通過光刻移 除一定深度的一部分第四層間絕緣層107以形成溝槽，其中第四層間絕緣層 107和第四金屬線M4的至少一側(cè)相鄰。形成的溝槽的寬度和深度的范圍可 以約在第四金屬線M4的寬度和深度的1/100到1/300之間。
如示例性圖4E所示，在包括第四金屬線M4的第四層間絕緣層107上 和/或上方形成聚合層110，以填充溝槽。聚合層110由聚酰亞胺基的聚合物 形成。
如示例性圖4F所示，通過CMP移除一部分聚合層110,直到暴露第四 層間絕緣層107和第四金屬線M4的表面，在第四金屬線M4的至少一側(cè)形 成聚合層圖案110a。聚合層圖案110a的頂表面、第四層間絕緣層107和第 四金屬線M4是共面的。然后，由氧化物組成的保護(hù)層108形成在包括第四 金屬線M4和聚合層圖案110a的第四層間絕緣層107上和/或上方。每個金 屬線由A1、 Cu、 Mo、 Ti、 Ta等的一種形成在單層或多層結(jié)構(gòu)中。然后，執(zhí)行溫度的范圍約在350。C到450。C之間的熱處理，以改善暗特性。然后，用 于通過波長而濾光的濾色鏡層形成在與感測部的光電二極管101空間上對應(yīng) 的保護(hù)層108上和/或上方，其中光電二極管101以圖案化可染色抗蝕劑 (dyeable resist)的方式相互均勻間隔。然后，微透鏡物質(zhì)層涂覆在包括濾 色鏡層的半導(dǎo)體襯底100上和/或上方，然后通過暴露和顯影而圖案化，以在 濾色鏡層上和/或上方形成與其對應(yīng)的微透鏡陣列。
雖然在此處對實施例進(jìn)行了描述，但應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 可以推導(dǎo)出落在此公開原理的精神和范圍內(nèi)的其它任何變化和實施例。更具 體地，可以在此公開、附圖以及所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)對組件和/或主題組 合安排中的安排進(jìn)行各種改變與變化。除了組件和/或安排的改變與變化之 外，本發(fā)明的其他應(yīng)用對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1. 一種裝置，包括半導(dǎo)體襯底，限定為感測部和外圍驅(qū)動部；多個光電二極管和多個晶體管，形成在該半導(dǎo)體襯底的該感測部中；絕緣層，形成在包括所述光電二極管和所述晶體管的該半導(dǎo)體襯底上方；至少一個下部層間絕緣層，形成在該絕緣層上方；至少一根下部金屬線，形成在所述至少一個層間絕緣層上方；上部層間絕緣層，形成在包括所述至少一根下部金屬線的該半導(dǎo)體襯底上方；上部金屬線，形成在該上部層間絕緣層上方；聚合層，形成在該上部層間絕緣層上方并且位于該上部金屬線的至少一側(cè)，使得該上部層間絕緣層的頂部表面、該上部金屬線和該聚合層共面；以及保護(hù)層，形成在包括該聚合層和該上部金屬線的該上部層間絕緣層上方。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該聚合層的寬度和深度的范圍約在該 上部金屬線的寬度和深度的1/100到1/300之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該聚合層由聚酰亞胺基的聚合物形成。
4. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其中該保護(hù)層包括氧化物層。
5. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一根下部金屬線和該上部金 屬線中的每一根由包括A1、 Cu、 Mo、 Ti、 Ta等的組合中選出的一種組成。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述至少一根下部金屬線和該上部金 屬線中的每一根形成在單層中。
7. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述至少一根下部金屬線和該上部金 屬線中的每一根形成在堆疊層中。
8. —種方法，包括如下步驟提供限定為感測部和外圍驅(qū)動部的半導(dǎo)體襯底；然后 在該半導(dǎo)體襯底的該感測部中形成多個光電二極管和多個晶體管；然后在包括所述多個光電二極管和所述多個晶體管的該半導(dǎo)體襯底上方形 成絕緣層；然后在該絕緣層上方形成至少一個下部層間絕緣層；然后 在至少一個所述層間絕緣層上方形成至少一根下部金屬線；然后 在包括所述至少一根下部金屬線的該半導(dǎo)體襯底上方形成上部層間絕 緣層；然后在該上部層間絕緣層上方形成上部金屬線；然后在該上部層間絕緣層上方并且在該上部金屬線的至少一側(cè)形成聚合層， 以使該上部層間絕緣層的頂部表面、該上部金屬線和該聚合層共面；以及 在包括該聚合層和該上部金屬線的該上部層間絕緣層上方形成保護(hù)層。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中該聚合層的寬度和深度的范圍約在該 上部金屬線的寬度和深度的1/100到1/300之間。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中該聚合層由聚酰亞胺基的聚合物形成。
11. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中該保護(hù)層由氧化物形成。
12. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述至少一根下部金屬線和該上部 金屬線中的每一根由包括A1、 Cu、 Mo、 Ti、 Ta等的組合中選出的一種組成。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述至少一根下部金屬線和該上部金屬線中的每一根形成在單層中。
14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述至少一根下部金屬線和該上部 金屬線中的每一根形成在堆疊層中。
15. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成該聚合層的步驟包括 在該上部層間絕緣層中并在該上部金屬線的至少一側(cè)形成溝槽；然后 在該上部層間絕緣層上方沉積聚酰亞胺基的聚合物，以填充該溝槽；以及在聚酰亞胺基的聚合物上執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光，以暴露該上部層間絕緣層 的頂部表面和該上部金屬線，使得該聚酰亞胺基的聚合物殘留在該溝槽中。
16. 如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在形成該保護(hù)層后執(zhí)行熱處理的 步驟。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中執(zhí)行該熱處理的溫度范圍約在350。C到450。C之間。
18. 如權(quán)利要求8所述的方法，在形成該保護(hù)層之后，還包括如下步驟: 在與所述多個光電二極管空間上對應(yīng)的該保護(hù)層上方形成濾色鏡層；然后在該濾色鏡層上方形成與其空間上對應(yīng)的微透鏡圖案。
19. 一種方法，包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底中形成光電二極管；然后在包括所述多個光電二極管的該半導(dǎo)體襯底上方形成晶體管；然后 在包括所述光電二極管和所述晶體管的該半導(dǎo)體襯底上方形成絕緣層；然后在該絕緣層上方形成下部層間絕緣層；然后 在該下部層間絕緣層上方形成下部金屬線；然后在包括該下部金屬線的該下部層間絕緣層上方形成上部層間絕緣層；然后在該上部層間絕緣層上方形成上部金屬線；然后 在該上部層間絕緣層中并且在該上部金屬線的兩側(cè)形成溝槽；然后 在該溝槽中形成聚酰亞胺基的聚合物圖案，使得該層間絕緣層的頂部表面、該上部金屬線和該聚合層共面；然后在包括該聚酰亞胺基的聚合物圖案和該上部金屬線的該上部層間絕緣層上方形成保護(hù)層；以及然后在形成該保護(hù)層后執(zhí)行熱處理。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中該保護(hù)層由氧化物形成。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，在形成該保護(hù)層之后，還包括如下步驟: 在與所述多個光電二極管空間上對應(yīng)的該保護(hù)層上方形成濾色鏡層；然后在該濾色鏡層上方形成與其空間上對應(yīng)的微透鏡圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制造方法，其可以在執(zhí)行熱處理以改善暗特性時，通過減小頂部金屬線熱應(yīng)力的方式來避免保護(hù)層的損壞。該傳感器包括半導(dǎo)體襯底；多個光電二極管和多個晶體管，形成在半導(dǎo)體襯底的感測部中；絕緣層，形成在半導(dǎo)體襯底上方；至少一個下部層間絕緣層，形成在該絕緣層上方；至少一根下部金屬線，形成在層間絕緣層上方；上部層間絕緣層，形成在半導(dǎo)體襯底上方；上部金屬線，形成在上部層間絕緣層上方；聚合層，形成在上部層間絕緣層上方并且位于該上部金屬線的至少一側(cè)；以及保護(hù)層，形成在上部層間絕緣層上方。本發(fā)明可以通過形成在層間絕緣層中并且位于頂層的金屬線的至少一側(cè)的聚合層圖案而避免保護(hù)層的損壞。
文檔編號H01L21/70GK101442067SQ20081017626
公開日2009年5月27日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月19日
發(fā)明者金成茂 申請人:東部高科股份有限公司