專利名稱：被處理體的處理系統(tǒng)和被處理體的熱處理方法
被處理體的處理系統(tǒng)和被處理體的熱處理方法技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及從收納半導(dǎo)體晶片等的被處理體的收容箱將被處理體 移載到被處理體移載區(qū)域內(nèi)的被處理體載置器上并對(duì)被處理體進(jìn)行熱 處理的處理系統(tǒng)和被處理體的熱處理方法。
背景技術(shù)：
通常，為了制造IC或LSI等半導(dǎo)體集成電路，對(duì)半導(dǎo)體晶片反復(fù) 進(jìn)行各種成膜處理、氧化擴(kuò)散處理、蝕刻處理等，進(jìn)行各種處理時(shí)， 需要在對(duì)應(yīng)的裝置之間搬送半導(dǎo)體晶片。在該情況下，每次將多枚、 例如每次25枚半導(dǎo)體晶片收容搬送到收容箱內(nèi)。作為這種收容箱，公 知的是像箱那樣相對(duì)于大氣處理開(kāi)放狀態(tài)下進(jìn)行搬送的收容箱，或 者像FOUP (注冊(cè)商標(biāo))那樣，為了抑制微?；蛘咦匀谎趸さ母街?，使通過(guò)幵閉蓋封閉的箱內(nèi)形成為N2氣體等的不活潑氣體或清潔空氣的氣氛的收容箱(專利文獻(xiàn)1 3)。并且，操作上述收容箱的例如分批式處理系統(tǒng)包括通過(guò)搬送機(jī) 構(gòu)搬送上述收容箱的箱輸送區(qū)域，和為了對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行熱處理、 通過(guò)該收容箱將該半導(dǎo)體晶片移載到晶舟等的被處理體移載區(qū)域(例 如，專利文獻(xiàn)4 6)。而且，通過(guò)具有為了搬送晶片可開(kāi)閉的開(kāi)口閘的 劃分壁劃分兩個(gè)區(qū)域，為了防止自然氧化膜等附著到晶片表面，使被 處理體以裸露狀態(tài)進(jìn)行搬送的上述被處理體移載區(qū)域內(nèi)形成不活潑氣 體，例如氮?dú)鈿夥栈蛘咔鍧嵖諝鈿夥?。但是，在上述被處理體移載區(qū)域中，如上所述，將收容例如25枚 晶片的收容箱內(nèi)的晶片移載到晶舟內(nèi)直至例如晶舟成為滿載為止，為 了完成該移載操作需要一定的時(shí)間，例如，晶舟的容量為能夠收納IOO 枚晶片的大小時(shí)，必須更換4個(gè)上述收容箱同時(shí)進(jìn)行晶片的移載，根 據(jù)移載臂機(jī)構(gòu)的能力，該移載操作需要例如14分鐘左右。因此，為了增大生產(chǎn)量，通常在上述被處理體移載區(qū)域一側(cè)設(shè)置多臺(tái)、例如2臺(tái)晶舟，在一個(gè)晶舟對(duì)晶片進(jìn)行熱處理期間，在另一個(gè) 晶舟中進(jìn)行熱處理完成的晶片的搬出和未處理晶片的向晶舟的移載操作，盡可能地縮短空閑時(shí)間(專利文獻(xiàn)4、 5)。 [專利文獻(xiàn)l]:特開(kāi)平8-279546號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)2]:特開(kāi)平9-306975號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)3]:特開(kāi)平1U74267號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)4]:特開(kāi)2002-76089號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)5]:特開(kāi)2003_37148號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)6]:特開(kāi)2004-22674號(hào)公報(bào)但是，進(jìn)行上述晶片的移載的移載臂機(jī)構(gòu)使用熱時(shí)比較脆弱的耐 熱性較差的部件。例如，在該移載臂機(jī)構(gòu)中，使映像傳感器露出地設(shè) 置，該映像傳感器用于檢測(cè)被晶舟支承的晶片的位置、或者在收容箱 內(nèi)跨越多層收容的晶片的位置等。另外，在移載臂機(jī)構(gòu)中，大多情況 下搭載有各種電子部件，或者通過(guò)壓縮空氣獲得驅(qū)動(dòng)力。因此，使供 給排出該壓縮空氣的空氣管等露出地設(shè)置，上述映像傳感器或電子部 件或氣體管等任一個(gè)的耐熱性都低，根據(jù)部件不同耐熱性例如大約只 有50 200。C。并且，上述被處理體移載區(qū)域內(nèi)循環(huán)冷卻氣體或清潔空氣等，當(dāng) 向被處理體移載區(qū)域內(nèi)卸載通過(guò)熱處理達(dá)到最高大約700 80(TC的處 理完成的高溫晶片時(shí)，則該被處理體移載區(qū)域內(nèi)尤其是上部的氣氛溫 度通過(guò)對(duì)流或輻射熱變成200。C以上。因此，為了防止上述耐熱性差的 移載臂機(jī)構(gòu)受到熱損傷，在晶片的卸載時(shí)，使上述移載臂機(jī)構(gòu)退避并 位于被處理體移載區(qū)域內(nèi)的下部的溫度較低的部分，并禁止晶片的移 載操作。但是，在該情況下，正因?yàn)槭股鲜鲆戚d臂機(jī)構(gòu)退避的退避時(shí)間通 常是從卸載開(kāi)始至卸載完成并且被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的氣氛溫 度充分冷卻位置的較長(zhǎng)的時(shí)間。因此，例如，盡管被處理體移載區(qū)域 內(nèi)的上部的氣氛溫度降低到對(duì)于構(gòu)成移載臂機(jī)構(gòu)的上述各構(gòu)件的安全 溫度，但是，存在晶片的移載操作保持被禁止的狀態(tài)，因此產(chǎn)生生產(chǎn) 量降低的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種防止移載臂機(jī)構(gòu)受到熱損傷，并且使 移載臂機(jī)構(gòu)退避的時(shí)間最短，有效地進(jìn)行被處理體的移載操作，從而， 能夠提高生產(chǎn)量的被處理體的處理系統(tǒng)和被處理體的熱處理方法。本發(fā)明提供一種被處理體的處理系統(tǒng)，其由劃分壁包圍，其特征 在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元；設(shè)置 在所述處理單元的下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處理 體的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處理 單元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元，設(shè)置在所述被處理體移載 區(qū)域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用載 置器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與載 置在所述移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處理體載置器之間，移載 所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元； 設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自 所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控 制部。如上所述，在用于相對(duì)被處理體載置器移載被處理體的被處理體 移載區(qū)域內(nèi)的上部設(shè)置溫度測(cè)量單元，基于該溫度測(cè)量單元的測(cè)量值 控制移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作，因此，防止移載臂機(jī)構(gòu)受到熱損傷，并 且使移載臂機(jī)構(gòu)退避的時(shí)間最短，有效地進(jìn)行被處理體的移載，從而， 能夠提高生產(chǎn)量。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，在所述被處理體移載 區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有用于使所述被處理體載置器暫時(shí)待機(jī)的待機(jī)用載置器 載置臺(tái)。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，所述被處理體移載區(qū) 域內(nèi)形成為不活潑氣體或者清潔空氣的氣氛。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，在開(kāi)始使所述一個(gè)被 處理體載置器從所述處理單元降下的卸載之后，且在所述溫度測(cè)量單 元檢測(cè)出所述第一溫度之后，所述移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升 降單元，禁止所述被處理體的移載，當(dāng)完成所述卸載后，且在所述溫 度測(cè)量單元檢測(cè)出比所述第一溫度高的所述第二溫度時(shí)，所述移載控制部控制所述移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元，解除對(duì)被處理體的移載的禁 止。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，所述移載控制部在控 制所述移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止被處理體的移載之后，使所述移 載臂機(jī)構(gòu)退避并位于所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的下部。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，在所述移載臂機(jī)構(gòu)中， 設(shè)置有映像傳感器，該映像傳感器檢測(cè)所述收容箱中收容的被處理體 的位置、或者由所述被處理體載置器支承的被處理體的位置，所述第 二溫度為所述映像傳感器的耐熱上限溫度。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，在所述移載臂機(jī)構(gòu)中， 設(shè)置有由蓋保護(hù)的電子部件，所述第一溫度為所述電子部件的耐熱上 限溫度。本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的特征在于，所述溫度測(cè)量單元設(shè) 置有1個(gè)或者多個(gè)，并且使至少一個(gè)溫度測(cè)量單元位于所述移載臂機(jī) 構(gòu)的上方。本發(fā)明提供一種被處理體的熱處理方法，其使用被處理體的處理 系統(tǒng)對(duì)被處理體進(jìn)行熱處理，所述被處理體的處理系統(tǒng)由劃分壁包圍， 其特征在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元；設(shè)置在所述處理單元下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處 理體的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處 理單元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元；設(shè)置在所述被處理體移 載區(qū)域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用 載置器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與 載置在所述移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處理體載置器之間移載 所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元； 設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自 所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控 制部，所述被處理體的熱處理方法的特征在于，包括熱處理工序， 其通過(guò)載置器升降單元向處理單元內(nèi)裝載保持有多枚被處理體的一個(gè) 被處理體載置器，對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理，并且在進(jìn)行熱處理后， 通過(guò)載置器升降單元卸載所述被處理體載置器；移載工序，其使用移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元在收容箱與另一個(gè)被處理體載置器之間移載被處理體；溫度測(cè)量工序，其通過(guò)溫度測(cè)量單元測(cè)量被處理體移載區(qū)域 內(nèi)的上部的氣氛的溫度；第一判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè) 出第一溫度做出應(yīng)答，移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止 進(jìn)行所述移載工序中的移載動(dòng)作；和第二判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第二溫度做出應(yīng)答，移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升 降單元解除對(duì)所述移載工序中的移載動(dòng)作的禁止。本發(fā)明的被處理體的熱處理方法的特征在于，在禁止所述移載動(dòng) 作的期間，所述移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元，使移載臂 機(jī)構(gòu)退避到所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的下部的位置。本發(fā)明的被處理體的熱處理方法的特征在于，所述移載控制部， 以在所述熱處理工序的途中開(kāi)始卸載為條件，實(shí)施第一判斷工序。本發(fā)明的被處理體的熱處理方法的特征在于，所述移載控制部， 以在所述熱處理工序的途中完成卸載為條件，實(shí)施第二判斷工序。本發(fā)明的被處理體的熱處理方法的特征在于，在所述移載臂機(jī)構(gòu) 中，設(shè)置有映像傳感器，該映像傳感器檢測(cè)所述收容箱中收容的被處 理體的位置、或者由所述被處理體載置器支承的被處理體的位置，所 述第二溫度為所述映像傳感器的耐熱上限溫度。本發(fā)明的被處理體的熱處理方法的特征在于，在所述移載臂機(jī)構(gòu) 中，設(shè)置有由蓋保護(hù)的電子部件，所述第一溫度為所述電子部件的耐 熱上限溫度。本發(fā)明提供一種計(jì)算機(jī)程序，其用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行熱處理方法， 其特征在于所述熱處理方法是使用被處理體的處理系統(tǒng)對(duì)被處理體 進(jìn)行熱處理的處理方法，所述被處理體的處理系統(tǒng)由劃分壁包圍，其 特征在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元； 設(shè)置在所述處理單元下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處 理體的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處 理單元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元；設(shè)置在所述被處理體移 載區(qū)域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用 載置器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與 載置在所述移所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元； 設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自 所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控 制部，所述熱處理方法包括熱處理工序，其通過(guò)載置器升降單元向 處理單元內(nèi)裝載保持有多枚被處理體的一個(gè)被處理體載置器，對(duì)所述 被處理體進(jìn)行熱處理，并且在進(jìn)行熱處理后，通過(guò)載置器升降單元卸 載所述被處理體載置器；移載工序，其使用移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元 在收容箱與另一個(gè)被處理體載置器之間移載被處理體；溫度測(cè)量工序， 其通過(guò)溫度測(cè)量單元測(cè)量被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的氣氛的溫度； 第一判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第一溫度做出應(yīng)答，移 載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止進(jìn)行所述移載工序中的移 載動(dòng)作；和第二判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第二溫度做 出應(yīng)答，移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元解除對(duì)所述移載工 序中的移載動(dòng)作的禁止。本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有用于通過(guò)計(jì)算機(jī)執(zhí)行熱處理 方法的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于所述熱處理方法是使用被處理體的 處理系統(tǒng)對(duì)被處理體進(jìn)行熱處理的處理方法，所述被處理體的處理系 統(tǒng)由劃分壁包圍，其特征在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處 理的立式處理單元；設(shè)置在所述處理單元下方的被處理體移載區(qū)域； 多層地保持所述被處理體的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載 置器升降并對(duì)所述處理單元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元；設(shè) 置在所述被處理體移載區(qū)域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處 理體載置器的移載用載置器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移 載臺(tái)上的收容箱、與載置在所述移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處 理體載置器之間移載所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu) 升降的臂升降單元；設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè) 量單元；和基于來(lái)自所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu) 的移載動(dòng)作的移載控制部，所述熱處理方法包括熱處理工序，其通 過(guò)載置器升降單元向處理單元內(nèi)裝載保持有多枚被處理體的一個(gè)被處 理體載置器，對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理，并且在進(jìn)行熱處理后，通 過(guò)載置器升降單元卸載所述被處理體載置器；移載工序，其使用移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元在收容箱與另一個(gè)被處理體載置器之間移載被處理體；溫度測(cè)量工序，其通過(guò)溫度測(cè)量單元測(cè)量被處理體移載區(qū)域內(nèi) 的上部的氣氛的溫度；第一判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出 第一溫度做出應(yīng)答，移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止進(jìn) 行所述移載工序中的移載動(dòng)作；和第二判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量 單元檢測(cè)出第二溫度做出應(yīng)答，移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降 單元解除對(duì)所述移載工序中的移載動(dòng)作的禁止。根據(jù)本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)和被處理體的熱處理方法，能 夠發(fā)揮如下所述良好的作用效果。在相對(duì)被處理體載置器移載被處理體的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上 部設(shè)置溫度測(cè)量單元，基于該溫度測(cè)量單元的側(cè)量值，控制移載臂機(jī) 構(gòu)的移載動(dòng)作，因此，防止移載臂機(jī)構(gòu)受到熱損傷，并且使移載臂機(jī) 構(gòu)退避的時(shí)間最短，有效地進(jìn)行被處理體的移載操作，從而，能夠提 高生產(chǎn)量。


圖1為示意性表示本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的一個(gè)例子的大 致結(jié)構(gòu)圖。圖2為表示被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各構(gòu)成部件的排列位置的一個(gè)例子的平面圖。圖3為表示被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。圖4為表示在1批處理中的各工序的時(shí)間圖的一個(gè)例子的圖。圖5為表示沒(méi)有使移載臂機(jī)構(gòu)退避時(shí)的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各部的溫度變化的曲線圖。圖6為表示使移載臂機(jī)構(gòu)退避時(shí)的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各部的溫度變化的曲線圖。圖7為表示包括搬送半導(dǎo)體晶片的整個(gè)熱處理工序的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)和被處理體的 熱處理方法的理想的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖1為表示本發(fā)明的被處理體的處理系統(tǒng)的一個(gè)例子的大致結(jié)構(gòu) 圖，圖2為表示在被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各構(gòu)成構(gòu)件的排列位置的一 個(gè)例子的平面圖，圖3為表示被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。首先，如圖1和圖2所示，該被處理體的處理系統(tǒng)2被整體作為 劃分壁發(fā)揮作用的、例如由不銹鋼等構(gòu)成的框體4包圍，通過(guò)劃分壁 12將其內(nèi)部分為用于搬送收容箱6的收容箱搬送區(qū)域8和移載作為 被處理體的半導(dǎo)體晶片W的被處理體移載區(qū)域10兩個(gè)部分。而且， 在此，晶片W使用直徑為300mm的晶片，但并不局限于此，也能夠 使用直徑為8英寸、6英寸的晶片。在上述收容箱6內(nèi)，多枚、例如 25枚晶片以層狀被支承，并且上述收容箱6通過(guò)開(kāi)閉蓋6A形成密閉 狀態(tài)，內(nèi)部形成N2氣等不活潑氣體氣氛或清潔空氣氣氛。而且，在上 述收容箱輸送區(qū)域8內(nèi)流通清潔空氣的下向流(down flow),在上述被 處理體移載區(qū)域10內(nèi)形成N2等不活潑氣體氣氛。此外，在該區(qū)域IO 內(nèi)也有流通清潔空氣的情況。該處理系統(tǒng)2具備設(shè)置在框體4的一側(cè)、對(duì)保持在被處理體載 置器(boat) 20上的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行規(guī)定的熱處理的處理單元24; 設(shè)置在框體4另外一側(cè)、相對(duì)于處理系統(tǒng)2內(nèi)搬入搬出收容箱6的搬 入搬出口 16，設(shè)置在搬入搬出口 16附近、暫時(shí)儲(chǔ)存上述收容箱6的儲(chǔ) 存部18，在從儲(chǔ)存部18送出的收容箱6與被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的 被處理體載置器20之間移載半導(dǎo)體晶片W的移載臺(tái)22。在上述搬入搬出口 16中，形成有通常向框體4開(kāi)放的箱搬入搬出 口 26。此外，該箱搬入搬出口 26也存在形成為能夠通過(guò)開(kāi)閉門(mén)開(kāi)閉的 情況。在該箱搬入搬出口 26的外側(cè)設(shè)置有用于載置從外部搬送來(lái)的收 容箱6的外側(cè)載置臺(tái)28，同時(shí)在該箱搬入搬出口 26內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)側(cè)載 置臺(tái)30,該內(nèi)側(cè)載置臺(tái)30用于在其上面載置從上述外側(cè)載置臺(tái)28滑 動(dòng)過(guò)來(lái)的收容箱6。在上述外側(cè)或者內(nèi)側(cè)載置臺(tái)28、 30的上部設(shè)置有 滑板32,該滑板32能夠在兩個(gè)載置臺(tái)28、 30之間滑動(dòng)移動(dòng)，能夠在 上面載置有收容箱6的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)。另一方面，在收容箱搬送區(qū)域8內(nèi)的上方設(shè)置有上述儲(chǔ)存部18。 如圖例所示，該儲(chǔ)存部18，并列設(shè)置有暫時(shí)將上述收容箱6例如2歹U、 2層地載置保管的貨架34。而且，對(duì)該貨架34的數(shù)量沒(méi)有特別限制，實(shí)際設(shè)置的更多。在上述2個(gè)貨架34之間使升降機(jī)36立起地設(shè)置，在該升降機(jī)36 上設(shè)置有能夠沿水平方向前進(jìn)后退和旋轉(zhuǎn)的箱搬送臂38。因此，通過(guò) 使該箱搬送臂38屈伸和升降，能夠用箱搬送臂38保持收容箱6，在搬 入搬出口 16與儲(chǔ)存部18之間進(jìn)行搬送。另外，在上述移載臺(tái)22中，在劃分兩個(gè)區(qū)域8、 10的劃分壁12 中形成有開(kāi)口40，該開(kāi)口40稍稍大于收容箱6的開(kāi)閉蓋6A。在該開(kāi) 口 40的收容箱輸送區(qū)域8 —側(cè)水平地設(shè)置有載置臺(tái)42，能夠在該載置 臺(tái)42上載置收容箱6。另外，在該載置臺(tái)42 —側(cè)設(shè)置有水平促動(dòng)器 (actuator) 44，用于將載置在上述載置臺(tái)上的收容箱6向劃分壁12 側(cè)施加按壓作用，在使上述收容箱6的開(kāi)閉蓋6A面對(duì)上述開(kāi)口 40的 狀態(tài)下，收容箱6的開(kāi)口部的開(kāi)口邊緣與劃分壁12的開(kāi)口 40的開(kāi)口 邊緣大致氣密地接觸。另外，在該開(kāi)口 40的被處理體移載區(qū)域10 —側(cè)設(shè)置有開(kāi)閉該開(kāi) 口40的開(kāi)閉門(mén)46，該開(kāi)閉門(mén)46能夠橫向滑動(dòng)。另夕卜，在該開(kāi)閉門(mén)46 上設(shè)置有蓋開(kāi)閉機(jī)構(gòu)48，該蓋開(kāi)閉機(jī)構(gòu)48用于開(kāi)閉上述收容箱6的開(kāi) 閉蓋6A (參照?qǐng)D2)。而且，在收容箱搬送區(qū)域8內(nèi)設(shè)置有用于使收容 箱6在該開(kāi)口40的附近待機(jī)的待機(jī)用箱搬送臂50，接著，從箱搬送臂 38接收收容應(yīng)該處理的晶片的收容箱6，在待機(jī)后，將其放置到移載 臺(tái)22上，此外，也存在不設(shè)置上述待機(jī)用箱搬送臂50的情況，這時(shí)， 通過(guò)上述箱搬送臂38將收容箱6設(shè)置到移載臺(tái)22上。另一方面，在上述被處理體移載區(qū)域10內(nèi)設(shè)置有載置作為晶片載 置器的被處理體載置器20的2個(gè)載置器載置臺(tái)，即設(shè)置有移載用載置 器載置臺(tái)52和待機(jī)用載置器載置臺(tái)54。在上述2個(gè)載置器載置臺(tái)52、 54內(nèi)，在該待機(jī)用載置器載置臺(tái)52與上述移載臺(tái)22之間設(shè)置有移載 臂機(jī)構(gòu)56，該移載臂機(jī)構(gòu)56能夠沿著水平方向前進(jìn)后退和旋轉(zhuǎn)，能夠 通過(guò)升降機(jī)那樣的臂升降單元58上下移動(dòng)。作為該臂升降單元58，能夠使用例如滾珠絲杠等。因此，通過(guò)驅(qū)動(dòng)該移載臂機(jī)構(gòu)56屈伸、旋轉(zhuǎn)和升降，能夠在載置 臺(tái)42上的收容箱6與移載用載置器載置臺(tái)52上的被處理體載置器20 之間移載晶片W。在此，關(guān)于被處理體載置器20，設(shè)置有多臺(tái)、例如2臺(tái)被處理體載置器20A、 20B，這2臺(tái)能夠交替使用。此外，也能夠 設(shè)置3臺(tái)以上被處理體載置器20。該被處理體載置器20例如由石英形成，能夠以規(guī)定的間距多層地 支承例如大約50 150枚的晶片W。并且，具體地說(shuō)，如圖3所示， 上述移載臂機(jī)構(gòu)56具有通過(guò)上述臂升降單元58升降的基臺(tái)76，在該 基臺(tái)76上設(shè)置能夠滑動(dòng)移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)移動(dòng)的臂臺(tái)78。而且，在該臂臺(tái) 78上上下并列地設(shè)置有多個(gè)形成為2股狀的臂80，在該臂80上載置 有晶片W并形成為能夠沿水平方向分別前進(jìn)和后退。在此，關(guān)于上述 臂80，設(shè)置有5個(gè)臂80A、 80B、 80C、 80D、 80E， 一次能夠移載最 多5枚晶片W。而且，在上述5個(gè)臂80A 80E內(nèi)的一個(gè)臂、例如中央的臂80C 頂端部，設(shè)置有用于檢測(cè)有無(wú)晶片W的映像傳感器(Mapping Sensor) 82。通過(guò)縱向掃描上述收容箱6內(nèi)，或者縱向掃描上述被處理體載置 器20，檢測(cè)收容晶片W的位置。該映像傳感器82例如由發(fā)光受光器 構(gòu)成，其耐熱性沒(méi)有那么強(qiáng)，耐熱上限溫度例如為13(TC左右。另外，電子部件84在由基臺(tái)76的蓋76A保護(hù)的狀態(tài)下搭載在上 述基臺(tái)76上，該電子部件84形成例如與上述映像傳感器82等有關(guān)的 電路、或上述各臂80A 80E的驅(qū)動(dòng)控制用電路等。上述電子部件84 的耐熱上限溫度比上述映像傳感器82低，例如為5(TC左右。另外，在 該移載臂機(jī)構(gòu)56上配置有具有可撓性的樹(shù)脂制送氣管(未圖示)，該 送氣管用于供給、排放用于驅(qū)動(dòng)上述各臂80A 80E或臂臺(tái)78等的加 壓氣體。另外，由立式熱處理爐構(gòu)成的處理單元24通過(guò)基板62被支承配 置在該被處理體移載區(qū)域10的一側(cè)的上方。該處理單元24具有石英 制的圓筒狀處理容器64，圓筒狀加熱器66設(shè)置在該處理容器64的周 圍，能夠加熱處理容器64內(nèi)的晶片。由此， 一次對(duì)多枚晶片W實(shí)施 成膜或氧化擴(kuò)散等的規(guī)定的熱處理。在該情況下，根據(jù)處理內(nèi)容，使晶片溫度為例如最大大約800 1000°C。在該處理容器64的下方配置有蓋70，該蓋70能夠通過(guò)升降 機(jī)那樣的載置器升降單元68升降。作為該載置器升降單元68例如能 夠使用滾珠絲杠等。而且，通過(guò)在該蓋70上載置被處理體載置器20使其上升，從而能夠從處理容器64的下端開(kāi)口部向該處理容器64內(nèi) 加載該被處理體載置器20。這時(shí)，處理容器64的下端開(kāi)口部通過(guò)上述 蓋70氣密地關(guān)閉。另外，在處理容器64的下端開(kāi)口部的側(cè)部，可滑動(dòng)地設(shè)置有閘板 (shutter) 72，其當(dāng)卸載上述被處理體載置器20并使其向下方降下時(shí)， 關(guān)閉上述下端開(kāi)口部。而且，降下后的蓋70和上述兩個(gè)載置器載置臺(tái) 52、 54附近設(shè)置有形成為能夠屈伸和旋轉(zhuǎn)的載置器移載機(jī)構(gòu)74，在上 述兩個(gè)載置器載置臺(tái)52、 54和蓋70之間、以及在兩個(gè)載置器載置臺(tái) 52、 54之間形成為能夠進(jìn)行被處理體載置器20的移載。而且，在上述被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的上部，設(shè)置作為本發(fā)明的 特征的溫度測(cè)量單元86 (參照?qǐng)D1)，測(cè)量該被處理體移載區(qū)域10內(nèi) 的氣氛的溫度。具體地說(shuō)，上述溫度測(cè)量單元86由熱電偶86A構(gòu)成， 該熱電偶86A設(shè)置在上述移載臂機(jī)構(gòu)56上方的頂部，即臂升降單元 58的上端部的附近，測(cè)量該部分的氣氛的溫度。此外，作為溫度測(cè)量單元86不限于上述熱電偶86A，例如，也可 以使用輻射溫度計(jì)等取代該熱電偶86A。另外，作為上述溫度測(cè)量單 元86的設(shè)置位置，并不局限于上述頂部，也能夠設(shè)置在例如上述移載 臂機(jī)構(gòu)56移載晶片時(shí)的上止點(diǎn)(移載臂機(jī)構(gòu)到達(dá)的最上端的位置)部 分。而且，將該溫度測(cè)量單元86的測(cè)量值輸入例如由計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的 移載控制部88，該移載控制部88基于該測(cè)量值控制上述移載臂機(jī)構(gòu) 56和臂升降單元58的移載動(dòng)作。具體地說(shuō)，上述移載控制部88按照 以下方式進(jìn)行控制，在開(kāi)始從上述處理裝置24降下上述被處理體載置 器20的卸載之后，上述溫度測(cè)量單元86測(cè)量出第一溫度時(shí)之后，禁 止(不容許)上述晶片的移載，當(dāng)上述被處理體載置器20到達(dá)最下端， 從而完成上述卸載之后，上述溫度測(cè)量單元86測(cè)量出高于上述第一溫 度的第二溫度之后，解除對(duì)上述晶片的移載的禁止(不容許)，成為能 夠進(jìn)行晶片的移載，由此，防止上述移載臂機(jī)構(gòu)56受到熱損傷。在此，在禁止上述晶片的移載的期間，使上述移載臂機(jī)構(gòu)56退避 并位于該被處理體移載區(qū)域10內(nèi)溫度最低的區(qū)域，即該被處理體移載 區(qū)域10內(nèi)的下部(底部)，例如底部位置(下止點(diǎn))90 (參照?qǐng)D1)。并且，在該被處理體移載區(qū)域10內(nèi)，通常形成清潔空氣、或者 N2等不活潑氣體的側(cè)向流，保持該被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的清潔，同 時(shí)降低該氣氛的溫度。
并且，通過(guò)例如由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的裝置控制部92控制該處理系統(tǒng)2 整體的動(dòng)作，例如，在收容箱搬送區(qū)域8內(nèi)的搬入和搬出收容箱6的 操作、在被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的移載晶片W的操作、移載被處理 體載置器20的操作、升降被處理體載置器20的操作、處理單元24的 熱處理操作(成膜處理等)等。在該情況下，上述移載控制部88由上 述裝置控制部92控制。并且，上述裝置控制部92或者移載控制部88 的控制所需要的程序(能夠由計(jì)算機(jī)讀取)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)94中。作 為該存儲(chǔ)介質(zhì)94例如由軟盤(pán)、CD (Compact Disc:光盤(pán))、硬盤(pán)或閃 存等構(gòu)成。
接著，參照?qǐng)D4 圖7對(duì)上述構(gòu)成的處理系統(tǒng)2的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。 圖4為表示1批處理中各工序的時(shí)間圖的一個(gè)例子的圖，圖5為表示 移載臂機(jī)構(gòu)沒(méi)有退避時(shí)的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各部分溫度變化的曲 線圖，圖6為表示移載臂機(jī)構(gòu)已退避時(shí)的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各部 分的溫度變化的曲線圖。圖7為表示包括搬送半導(dǎo)體晶片的整個(gè)熱處 理工序的流程圖。
首先，為了防止自然氧化膜附著到晶片表面，被處理體移載區(qū)域 10內(nèi)成為由不活潑氣體、例如N2氣體的側(cè)向流(side flow)形成的N2 氣氛。另外，收容箱搬送區(qū)域8內(nèi)形成清潔空氣的下向流，維持清潔 空氣的氣氛。
最初，對(duì)半導(dǎo)體晶片W的整體的流程進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于從外部向收 容箱搬送區(qū)域8 —側(cè)搬送來(lái)的收容箱6，使其開(kāi)閉蓋6A朝向箱搬入搬 出口 26 —側(cè)載置到外側(cè)載置臺(tái)28上。并且，使載置有收容箱6的外 側(cè)載置臺(tái)28上的滑板32前進(jìn)，由此將其轉(zhuǎn)移到內(nèi)側(cè)載置臺(tái)30上。
接著，通過(guò)驅(qū)動(dòng)箱搬送臂38，去取在內(nèi)側(cè)載置臺(tái)30上設(shè)置的收容 箱6并保持，再驅(qū)動(dòng)升降機(jī)36，從而將該收容箱6搬送設(shè)置到上方的 儲(chǔ)存部18的貨架34的規(guī)定位置，將其暫時(shí)保管。與此同時(shí)，通過(guò)該 箱搬送臂38去取收容已經(jīng)暫時(shí)儲(chǔ)存到貨架34中且成為處理對(duì)象的晶 片的收容箱6，如上所述地驅(qū)動(dòng)升降機(jī)36使其下降。并且，當(dāng)移載臺(tái)22的載置臺(tái)42為空時(shí)，將該收容箱6移載到移 載臺(tái)22的載置臺(tái)42上。另外，當(dāng)已經(jīng)將其他收容箱6放置到載置臺(tái) 42上時(shí)，通過(guò)待機(jī)用箱搬送臂50保持箱搬送臂38上的收容箱6，將 其搬送到開(kāi)口 40附近使其待機(jī)。并且，載置臺(tái)42上的收容箱6的開(kāi) 閉蓋6A朝向開(kāi)閉門(mén)46 —側(cè)，而且，通過(guò)在載置臺(tái)42的一側(cè)設(shè)置的水 平促動(dòng)器44對(duì)收容箱6施加按壓作用并被固定在載置臺(tái)42上。
在該狀態(tài)下，通過(guò)驅(qū)動(dòng)蓋開(kāi)閉機(jī)構(gòu)48，卸下開(kāi)口 40的開(kāi)閉門(mén)46 和收容箱6的開(kāi)閉蓋6A，使其沿著例如水平方向滑動(dòng)移動(dòng)退避。并且， 通過(guò)驅(qū)動(dòng)移載臂機(jī)構(gòu)56和臂升降單元58，在此每次5枚地取出收容在 收容箱6內(nèi)的晶片W，將其移載到設(shè)置在移載用載置器載置臺(tái)52上的 被處理體載置器(一個(gè)被處理體載置器)20上。
在該情況下，若被處理體載置器20收納晶片的枚數(shù)為100枚，且 收容箱6內(nèi)收納晶片的枚數(shù)為25枚，則從4個(gè)收容箱6內(nèi)取出晶片并 進(jìn)行移載，進(jìn)行1批處理。
如果向上述被處理體載置器20移載晶片W完成，則接著驅(qū)動(dòng)載 置器移載機(jī)構(gòu)74，將該移載用載置器載置臺(tái)52上的被處理體載置器 20載置到下降到最下端的蓋70上。在此，當(dāng)收容完成熱處理并被卸載 后的晶片的被處理體載置器20位于上述蓋70上時(shí)，使用載置器移載 機(jī)構(gòu)74預(yù)先將該被處理體載置器20轉(zhuǎn)移到待機(jī)用載置器載置臺(tái)54上。
并且，如果收納該未處理的晶片的被處理體載置器20的移載完成， 則驅(qū)動(dòng)載置器升降單元68，使被處理體載置器20與載置該被處理體載 置器20的蓋70整體上升，通過(guò)其下端開(kāi)口部將該被處理體載置器20 向處理單元24的處理容器64內(nèi)導(dǎo)入并加載。而且，通過(guò)該蓋70密閉 處理容器64的下端開(kāi)口部，在該狀態(tài)下，在處理單元24內(nèi)對(duì)晶片W 進(jìn)行規(guī)定的熱處理、例如成膜處理或氧化擴(kuò)散處理等。這時(shí)，根據(jù)熱 處理的方式，使晶片W的溫度達(dá)到800 1000'C的高溫。
如上所述，若完成規(guī)定時(shí)間的熱處理，則進(jìn)行與上述相反的操作， 取出已處理完成的晶片W。 gp，通過(guò)開(kāi)始卸載使被處理體載置器20從 處理容器64內(nèi)降下，完成卸載。這時(shí)，當(dāng)開(kāi)始卸載，并開(kāi)始降下被處 理體載置器20時(shí)，則被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的氣氛變成高溫狀態(tài)， 因此，如下所述地使耐熱性差的移載臂機(jī)構(gòu)56向下方退避。并且，通過(guò)載置器移載機(jī)構(gòu)74使該被卸載的被處理體載置器20經(jīng)由待機(jī)用載 置器載置臺(tái)54或者不經(jīng)由該待機(jī)用載置器載置臺(tái)54而直接移載到移 載用載置器載置臺(tái)52上。其間，對(duì)上述以處理完成的晶片W進(jìn)行一 定程度的冷卻。
并且，使用移載臂機(jī)構(gòu)56和臂升降單元58將已處理完成的晶片 W從被處理體載置器20移載到移載臺(tái)22的載置臺(tái)42上的空的收容箱 6內(nèi)。如果向該收容箱6內(nèi)的已處理完成的晶片W的移載完成，則將 幵閉門(mén)46按照到開(kāi)口 40，進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)蓋開(kāi)閉機(jī)構(gòu)48，使保持在此處 的開(kāi)閉蓋6A向收容箱6 —側(cè)安裝。
接著，驅(qū)動(dòng)收容箱搬送區(qū)域8內(nèi)的箱搬送臂38，暫時(shí)將該收容箱 6儲(chǔ)存到儲(chǔ)存部18中，或者不儲(chǔ)存而是通過(guò)箱搬入搬出口 26搬送到處 理系統(tǒng)2外。當(dāng)該箱搬送臂38搬送收容已處理完成的晶片的收容箱6 期間，已經(jīng)保持空收容箱6待機(jī)的待機(jī)用箱搬送臂50將該空的收容箱 6放置到載置臺(tái)42上，開(kāi)始向以處理完成的晶片的收容箱6內(nèi)的收容。 在該情況下，例如使用4個(gè)空的收容箱6。從而由此對(duì)1批晶片完成處 理。下面，重復(fù)進(jìn)行相同操作。此外，上述收容箱6的流程僅僅是一 個(gè)例子，當(dāng)然并不局限于此。
在此，在進(jìn)行使高溫狀態(tài)下的上述被處理體載置器20從高溫狀態(tài) 的處理容器64內(nèi)降下的卸載時(shí)，如上所述，為了防止耐熱性不高的移 載臂機(jī)構(gòu)56受到熱損傷，禁止移載臂機(jī)構(gòu)56的移載動(dòng)作，使該移載 臂機(jī)構(gòu)56向下方降下，退避并位于圖1中的底部位置90。像這樣，使 移載臂機(jī)構(gòu)56向下方退避的理由是，在該被處理體移載區(qū)域10內(nèi)， 通過(guò)來(lái)自高溫狀態(tài)的被處理體載置器20或晶片W的散熱，還有通過(guò) 內(nèi)部氣氛的對(duì)流，使上部一側(cè)的氣氛溫度大幅度上升，與此相對(duì)，下 部一側(cè)的氣氛溫度上升幅度小。
并且，在現(xiàn)有技術(shù)的處理系統(tǒng)中，將移載臂機(jī)構(gòu)的移載禁止的期 間固定設(shè)定為從開(kāi)始卸載到被處理體載置器20到達(dá)最下端并且完成卸 載之后被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的氣氛根據(jù)經(jīng)驗(yàn)被充分冷卻的這段時(shí) 間，例如固定第設(shè)定為大約IO分鐘左右，經(jīng)過(guò)該較長(zhǎng)時(shí)間禁止晶片的 移載。其結(jié)果是，如上所述，延遲晶片的移載操作，發(fā)生生產(chǎn)量降低 的情況。與此相對(duì)，在本發(fā)明中，通過(guò)在被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的頂部設(shè)
置的例如由熱電偶86A構(gòu)成的溫度測(cè)量單元86測(cè)量該區(qū)域10內(nèi)的氣 氛溫度，移載臂機(jī)構(gòu)56不是在被處理體載置器20的卸載開(kāi)始后立即 退避，而是在卸載開(kāi)始后，當(dāng)上述溫度測(cè)量單元86測(cè)量出第一溫度時(shí) 進(jìn)行退避，而且，當(dāng)卸載完成之后，在上述溫度測(cè)量單元86測(cè)量出高 于上述第一溫度的第二溫度時(shí)，解除對(duì)移載的禁止。換句話說(shuō)，從上 述溫度測(cè)量單元86測(cè)量出第一溫度開(kāi)始，到氣氛溫度變得最高，之后 該溫度降低并且測(cè)量出第二溫度時(shí)為止，在上述期間內(nèi)，禁止進(jìn)行上 述晶片的移載操作。
由此，能夠使不會(huì)對(duì)移載臂機(jī)構(gòu)56產(chǎn)生熱損傷的移載禁止的期間 最短，由此能夠提高移載效率，增大生產(chǎn)量。此外，上述控制通過(guò)處 于控制該處理系統(tǒng)2的整體的動(dòng)作的裝置控制部92的支配下的移載控 制部88進(jìn)行。
將上述熱處理的各個(gè)工序分批，針對(duì)每批制作時(shí)間圖，圖4表示 其時(shí)間圖的一個(gè)例子。在此，表示第n (正的整數(shù))批處理與第n+l 批處理的時(shí)間表的一個(gè)例子。
在此，如圖所示，若表示各批處理的主要工序，則分別按照晶片 移載工序、被處理體載置器的更換工序、載置器的裝載工序、熱處理 工序、載置器卸載工序、載置器冷卻工序、載置器更換工序、晶片移 載工序(處理完成)的順序進(jìn)行各批處理。例如，在第n批處理中， 當(dāng)通過(guò)裝置控制部92達(dá)到第n+l批處理的要求時(shí)，則開(kāi)始晶片移載操 作，在被處理體移載區(qū)域10內(nèi)，將第n+l批處理用的未處理晶片移載 到被處理體載置器20，例如，如上所述，更換收容箱6的同時(shí)，移載 全部4個(gè)收容箱6內(nèi)的100枚晶片W。
并且，即使在該晶片移載的期間，完成第n次熱處理操作開(kāi)始卸 載被處理體載置器20，也繼續(xù)移載晶片，之后，在溫度測(cè)量單元86 測(cè)量出第一溫度之后立即禁止移載晶片，中斷移載晶片的操作。
在該晶片移載禁止的期間，如上所述，成為使上述的移載臂機(jī)構(gòu) 56退避并位于下部的底部位置90的狀態(tài)。而且，之后，被處理體載置 器20的卸載完成之后，在上述溫度測(cè)量單元86測(cè)量出第二溫度時(shí)， 立即解除對(duì)晶片移載的禁止，在此，使中斷的晶片移載的操作恢復(fù)。從而，在晶片移載的禁止期間，在現(xiàn)有的處理系統(tǒng)中大約為26分鐘， 但在本發(fā)明的處理系統(tǒng)中，能夠縮短到20分鐘之內(nèi)。因此，能夠迅速 且有效地進(jìn)行晶片的移載，因此，能夠提高生產(chǎn)量。
此外，如圖4所示，針對(duì)第n+l批處理，通過(guò)載置器的卸載將晶 片的移載操作分為2個(gè)部分，但是，若與第n+l批處理有關(guān)的處理晶 片所要求的時(shí)間不同，例如稍稍提前，那么當(dāng)然能夠不間斷地連續(xù)進(jìn) 行上述晶片的移載操作。
在此，由于實(shí)際測(cè)量上述被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的溫度變化，因 此，參照?qǐng)D5和圖6說(shuō)明其結(jié)果。圖5為表示沒(méi)有使移載臂機(jī)構(gòu)退避 時(shí)的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各部的溫度變化的曲線圖，圖6為表示使 移載臂機(jī)構(gòu)退避時(shí)的被處理體移載區(qū)域內(nèi)的各部的溫度變化的曲線 圖。在此，使用3個(gè)熱電偶，將第一個(gè)設(shè)置在與溫度測(cè)量單元86的設(shè) 置位置相對(duì)應(yīng)的頂部，將第二個(gè)設(shè)置在移載臂機(jī)構(gòu)56的中央的臂80C 的頂端部的映像傳感器82的位置，將第三個(gè)設(shè)置在由基臺(tái)76的蓋76A 覆蓋的電子部件84 (參照?qǐng)D3)上。
并且，曲線A1表示頂部的熱電偶的測(cè)量值，曲線A2表示設(shè)置在 映像傳感器上的熱電偶的測(cè)量值，曲線A3表示設(shè)置在電子部件上的熱 電偶的測(cè)量值。在此，在被處理體移載區(qū)域10內(nèi)形成有側(cè)向流，當(dāng)被 處理體載置器20被加熱到78(TC時(shí)的狀態(tài)下，顯示進(jìn)行卸載時(shí)的溫度。 另外，將卸載時(shí)間設(shè)定為16分鐘左右。
首先，如圖5所示，在即使開(kāi)始卸載也不使移載臂機(jī)構(gòu)56退避繼 續(xù)進(jìn)行晶片移載操作的工作的情況下，各曲線A1 A3，在開(kāi)始卸載后 暫時(shí)沒(méi)有發(fā)現(xiàn)溫度上升，然后，經(jīng)過(guò)3分鐘之后溫度開(kāi)始上升。在該 情況下，表示頂部的熱電偶的溫度的曲線Al顯示溫度非?？焖俚厣?升，雖然在途中產(chǎn)生一些溫度的上下波動(dòng)，但是直至完成卸載溫度都 持續(xù)上升，最高溫度達(dá)到170。C。而且，完成卸載之后溫度快速降低。
另外，與曲線Al相比，表示映像傳感器的熱電偶的溫度的曲線 A2顯示溫度以稍緩的角度上升，直至完成卸載時(shí)溫度持續(xù)上升，最高 溫度達(dá)到12(TC左右。并且，完成卸載后溫度緩慢降低。另外，與曲線 A2相比，表示電子部件的熱電偶的溫度的曲線A3顯示溫度以更為緩 和的角度上升，直至完成卸載時(shí)溫度持續(xù)上升，最高溫度達(dá)到90。C左右。而且，完成卸載之后，溫度緩慢降低。
從上述結(jié)果可以看出，即使被處理體載置器20的卸載開(kāi)始，也不
需要立即使移載臂機(jī)構(gòu)56退避，其后，即使在大約3分鐘的時(shí)間繼續(xù) 晶片的移載操作，也不會(huì)使該移載臂機(jī)構(gòu)56受到熱損傷。
在此，與上述映像傳感器82的耐熱上限溫度例如為大約13(TC相 對(duì)，由蓋76A覆蓋的上述電子部件84的耐熱上限溫度比上述映像傳感 器82低，例如為大約5(TC，因此，為了不使移載臂機(jī)構(gòu)56受到熱損 傷有效地進(jìn)行晶片的移載操作，作為上述第一溫度設(shè)定為電子部件84 的耐熱上限溫度，即設(shè)定為5(TC，作為上述第二溫度設(shè)定為上述映像 傳感器82的耐熱上限溫度，即設(shè)定為130。C。
其原因是，禁止晶片的移載操作發(fā)出退避指示時(shí)，被處理體移載 區(qū)域10內(nèi)的氣氛溫度、尤其是頂部的氣氛溫度有快速上升的趨勢(shì)，并 且底部的氣氛溫度雖然上升緩慢但也有上升的趨勢(shì)，因此，換句話說(shuō)， 在變成高溫的嚴(yán)峻環(huán)境的過(guò)程中，在此，可以使耐熱性最差的電子部 件84的耐熱上限溫度成為進(jìn)行退避的觸發(fā)。
與此相對(duì)，當(dāng)發(fā)出解除晶片的移載禁止的退避解除指示時(shí)，被處 理體移載區(qū)域10內(nèi)的氣氛溫度，尤其是頂部的氣氛溫度有快速下降的 趨勢(shì)，并且由于底部的氣氛溫度雖然緩慢降低，但也有降低的趨勢(shì)， 因此，換句話說(shuō)，在變成較低溫度環(huán)境的過(guò)程中，在此，可以使直接 暴露在氣氛中的映像傳感器82的耐熱上限溫度成為進(jìn)行退避的觸發(fā)。 在該情況下，耐熱性差的電子部件84可能受到熱損傷，但是，如上所 述由于通過(guò)蓋76保護(hù)該電子部件84，因此，溫度不會(huì)發(fā)生快速上升(參 照?qǐng)D5中的曲線A3)，不會(huì)受到熱損傷。
基于上述概念，當(dāng)溫度測(cè)量單元86測(cè)量出第一溫度(50'C)時(shí)， 禁止晶片的移載操作發(fā)出使移載臂機(jī)構(gòu)56退避的指示，在完成卸載后， 當(dāng)測(cè)量出第二溫度(130°C)時(shí)，發(fā)出退避解除的指示時(shí)的溫度變化如 圖6所示。
如圖6所示，可以看出，根據(jù)退避指示使移載臂機(jī)構(gòu)56位于下方 的底部位置90，因此，如曲線A2、 A3所示，映像傳感器82或電子部 件84的溫度上升被抑制，由此不會(huì)受到熱損傷。在該情況下，由于晶 片移載的禁止時(shí)間tl大約為19分鐘，因此，與現(xiàn)有技術(shù)的處理系統(tǒng)的
2426分鐘相比能夠大幅度縮短時(shí)間，因此，能夠提高晶片移載效率。 接著，參照?qǐng)D7所示的流程圖說(shuō)明上述一系列的操作。 首先，在裝置控制部92中判斷是否需要處理晶片(Sl)。在該情
況下，例如，將收容未處理晶片的收容箱6儲(chǔ)存在儲(chǔ)存部18中，或者
從外部搬送來(lái)收容未處理晶片的收容箱6，則按照該順序，完成晶片處
理的要求。
在此，在有晶片處理的要求時(shí)(Sl為"是")，如上所述，在移載 臺(tái)22的載置臺(tái)42上設(shè)置收容箱6，將該晶片W移載到被處理體區(qū)域 10內(nèi)的待機(jī)中的被處理體載置器20 (S2)。并且，例如，若4個(gè)收容 箱6的100枚的晶片W的移載完成，則通過(guò)載置器移載機(jī)構(gòu)74將該 被處理體載置器(一個(gè)被處理體載置器)20移載到載置器升降單元68 上(更換載置器)(S3)。
若進(jìn)行上述被處理體載置器20的移載，則通過(guò)載置器升降單元68 使該被處理體載置器20上升并進(jìn)行裝載(加載)，將被處理體載置器 20收納到處理單元24的處理容器64中，開(kāi)始對(duì)晶片W的熱處理(S4)。
接著，判斷在該晶片W的熱處理中是否有晶片處理的要求(S5)， 當(dāng)有晶片處理的要求時(shí)(S5為"是")，與上述步驟S2相同，開(kāi)始進(jìn)行 移載操作，將收納未處理晶片的收容箱6內(nèi)的晶片W移載到待機(jī)中的 被處理體載置器(另外一個(gè)被處理體載置器)20中(S6)。此外，被處 理體載置器20在此為2臺(tái)，g卩，具有被處理體載置器20A、 20B，這 兩臺(tái)被處理體載置器20A、 20B交替使用。
然后，在沒(méi)有上述晶片處理的要求時(shí)(S5為"否")或者進(jìn)行上述 晶片的移載時(shí)，判斷是否有被處理體載置器20的卸載的開(kāi)始指示(S7)。 此外，若完成晶片的上述熱處理操作，則裝置控制部92發(fā)出卸載的開(kāi) 始指示。
上述判斷的結(jié)果為，沒(méi)有卸載的開(kāi)始指示的情況下(S7為"否")， 返回到上述步驟S5。另外，該判斷的結(jié)果為，有卸載的開(kāi)始指示的情 況下(S7為"是")，裝置控制部92使處于例如大約78(TC高溫狀態(tài)的 被處理體載置器20降下并開(kāi)始卸載。開(kāi)始后，如圖5和圖6所示，暫 時(shí)使被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的氣氛溫度上升。
另外，根據(jù)卸載開(kāi)始信號(hào)，將上述卸載的開(kāi)始指示由上述裝置控制部92向移載控制部88通知。若接收到該通知，則該移載控制部88 開(kāi)始判斷在被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的頂部設(shè)置的溫度測(cè)量單元86是 否測(cè)量出第一溫度(例如50°C) (S8為"否")。g卩，進(jìn)行第一判斷工 序。并且，在該第一判斷工序中，測(cè)量出第一溫度(例如50°C)時(shí)(S8 為"是")，上述移載控制部88禁止或者不容許晶片的移載操作(S9)， 在晶片移載過(guò)程中的情況下(S10為"是")，中斷晶片的移載操作，控 制移載臂機(jī)構(gòu)56和臂升降單元58，使移載臂機(jī)構(gòu)56退避并位于下部 (S12)。另外，即使不是在晶片移載過(guò)程中的情況下(S10為"否")， 也同樣使移載臂機(jī)構(gòu)56退避并位于下部(S12)。由此，防止上述移載 臂機(jī)構(gòu)56受到熱損傷。
并且，如上所述，在使移載臂機(jī)構(gòu)56處于退避的狀態(tài)中，上述移 載控制部88判斷是否從裝置控制部92 —側(cè)被通知表示卸載的完成的 卸載完成信號(hào)，等待卸載完成信號(hào)的通知(S13)。然后，若移載控制 部88接收到卸載完成信號(hào)，則該移載控制部88開(kāi)始判斷上述溫度測(cè) 量單元86是否測(cè)量出第二溫度(例如I30。C) (S14為"否")。即，實(shí) 施第二判斷工序。
并且，在第二判斷工序中，若測(cè)量出第二溫度(例如13CTC) (S14 為"是")，則解除對(duì)晶片移載操作的禁止(不容許)(S15)。通過(guò)該解
除，在晶片的移載操作被中斷的情況下，或者有晶片處理的要求的情
況下(S16為"是")，返回到步驟S2，恢復(fù)或者開(kāi)始晶片的移載操作。 另外，在沒(méi)有晶片的移載操作的中斷或者晶片處理的要求時(shí)(S16為 "否")，處理完成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在用于相對(duì)被處理體載置器20移載作為 被處理體的半導(dǎo)體晶片W的被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的上部設(shè)置溫度 測(cè)量單元86，基于該溫度測(cè)量部件86的測(cè)量值，控制移載臂機(jī)構(gòu)56 和臂升降單元58，調(diào)整移載臂機(jī)構(gòu)56的移載動(dòng)作，因此，防止移載臂 機(jī)構(gòu)56受到熱損傷，同時(shí)使移載臂機(jī)構(gòu)56退避的時(shí)間最短，從而有 效地進(jìn)行被處理體的移載，因而，能夠提高生產(chǎn)量。
另外，上述實(shí)施例中的第一溫度和第二溫度，只不過(guò)表示一個(gè)例 子，若改變對(duì)應(yīng)的各部件的耐熱上限溫度，則與此相對(duì)應(yīng)，當(dāng)然應(yīng)改 變第一溫度和第二溫度的各值。另外，在此，以設(shè)置一個(gè)溫度測(cè)量單元86的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，
但是，并不局限于此，也可以設(shè)置多個(gè)，這時(shí)，優(yōu)選的是在上述移載
臂機(jī)構(gòu)56的上方必須設(shè)置一個(gè)溫度測(cè)量單元86。而且，設(shè)置多個(gè)該溫 度測(cè)量單元86的情況下，將測(cè)量出最高氣氛溫度的溫度測(cè)量單元86 的測(cè)量值作為有效值處理。
另外，在此，以將溫度測(cè)量單元86設(shè)置在被處理體移載區(qū)域10 內(nèi)的上部、即頂部為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不局限于此，也可以設(shè)置在 移載臂機(jī)構(gòu)56進(jìn)行晶片移載操作時(shí)到達(dá)的最上部(上止點(diǎn))位置。
另外，在上述實(shí)施例中，在被處理體移載區(qū)域10內(nèi)的上部設(shè)置有 溫度測(cè)量單元86，在此基礎(chǔ)上，為了操作的安全性，也可以在移載臂 機(jī)構(gòu)56上設(shè)置其它溫度測(cè)量單元。具體地說(shuō)，例如由熱電偶構(gòu)成的其 它溫度測(cè)量單元設(shè)置在移載臂機(jī)構(gòu)56的映像傳感器82或電子部件84 等上，直接監(jiān)視想要監(jiān)視的對(duì)象物的溫度，檢測(cè)到監(jiān)視對(duì)象物的耐熱 上限溫度時(shí)，使移載臂機(jī)構(gòu)56退避。由此，即使頂部的溫度測(cè)量單元 出現(xiàn)故障等，也能夠增強(qiáng)操作的安全性。
另外，在此，作為不活潑氣體以使用N2為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不
局限于此，也可以使用Ar氣體、He氣體等稀有氣體。
另外，在此，作為處理系統(tǒng)2，以在被處理體移載區(qū)域10的前部 設(shè)置收容箱搬送區(qū)域8為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并不局限于此，也可以為 具有下述結(jié)構(gòu)的處理系統(tǒng)不設(shè)置收容箱搬送區(qū)域8，將該部分作為清 潔室內(nèi)的作業(yè)區(qū)域，升降機(jī)直接將收容箱6載置到移載臺(tái)22的載置臺(tái) 42上。
另外，在此，以將半導(dǎo)體晶片作為被處理體為例進(jìn)行了說(shuō)明，但 并不局限于此，也可以在玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等中使用本 發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種被處理體的處理系統(tǒng)，其由劃分壁包圍，其特征在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元；設(shè)置在所述處理單元的下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處理體的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處理單元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元，設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用載置器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與載置在所述移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處理體載置器之間，移載所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元；設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控制部。
2. 如權(quán)利要求1所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于 在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有用于使所述被處理體載置器暫時(shí)待機(jī)的待機(jī)用載置器載置臺(tái)。
3. 如權(quán)利要求1所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于-所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)形成為不活潑氣體或者清潔空氣的氣氛。
4. 如權(quán)利要求1所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于 在開(kāi)始使所述一個(gè)被處理體載置器從所述處理單元降下的卸載之后，且在所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出所述第一溫度之后，所述移載控制 部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元，禁止所述被處理體的移載，當(dāng)完成所述卸載后，且在所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出比所述第一溫 度高的所述第二溫度時(shí)，所述移載控制部控制所述移載臂機(jī)構(gòu)和臂升 降單元，解除對(duì)被處理體的移載的禁止。
5. 如權(quán)利要求4所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于 所述移載控制部在控制所述移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止被處理體的移載之后，使所述移載臂機(jī)構(gòu)退避并位于所述被處理體移載區(qū)域 內(nèi)的下部。
6. 如權(quán)利要求1所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于 在所述移載臂機(jī)構(gòu)中，設(shè)置有映像傳感器，該映像傳感器檢測(cè)所述收容箱中收容的被處理體的位置、或者由所述被處理體載置器支承 的被處理體的位置，所述第二溫度為所述映像傳感器的耐熱上限溫度。
7. 如權(quán)利要求1所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于 在所述移載臂機(jī)構(gòu)中，設(shè)置有由蓋保護(hù)的電子部件，所述第一溫度為所述電子部件的耐熱上限溫度。
8. 如權(quán)利要求1所述的被處理體的處理系統(tǒng)，其特征在于 所述溫度測(cè)量單元設(shè)置有1個(gè)或者多個(gè)，并且使至少一個(gè)溫度測(cè)量單元位于所述移載臂機(jī)構(gòu)的上方。
9. 一種被處理體的熱處理方法，其使用被處理體的處理系統(tǒng)對(duì)被 處理體進(jìn)行熱處理，所述被處理體的處理系統(tǒng)由劃分壁包圍，其特征 在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元；設(shè)置 在所述處理單元下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處理體 的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處理單 元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元；設(shè)置在所述被處理體移載區(qū) 域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用載置 器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與載置 在所述移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處理體載置器之間移載所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元；設(shè)置 在所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自所述 溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控制 部，所述被處理體的熱處理方法的特征在于，包括熱處理工序，其通過(guò)載置器升降單元向處理單元內(nèi)裝載保持有多 枚被處理體的一個(gè)被處理體載置器，對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理，并 且在進(jìn)行熱處理后，通過(guò)載置器升降單元卸載所述被處理體載置器；移載工序，其使用移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元在收容箱與另一個(gè)被 處理體載置器之間移載被處理體；溫度測(cè)量工序，其通過(guò)溫度測(cè)量單元測(cè)量被處理體移載區(qū)域內(nèi)的 上部的氣氛的溫度；第一判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第一溫度做出應(yīng)答， 移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止進(jìn)行所述移載工序中的 移載動(dòng)作；和第二判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第二溫度做出應(yīng)答， 移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元解除對(duì)所述移載工序中的移 載動(dòng)作的禁止。
10. 如權(quán)利要求9所述的被處理體的熱處理方法，其特征在于 在禁止所述移載動(dòng)作的期間，所述移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元，使移載臂機(jī)構(gòu)退避到所述被處理體移載區(qū)域內(nèi)的下部的 位置。
11. 如權(quán)利要求9所述的被處理體的熱處理方法，其特征在于 所述移載控制部，以在所述熱處理工序的途中開(kāi)始卸載為條件，實(shí)施第一判斷工序。
12. 如權(quán)利要求9所述的被處理體的熱處理方法，其特征在于-所述移載控制部，以在所述熱處理工序的途中完成卸載為條件，實(shí)施第二判斷工序。
13. 如權(quán)利要求9所述的被處理體的熱處理方法，其特征在于 在所述移載臂機(jī)構(gòu)中，設(shè)置有映像傳感器，該映像傳感器檢測(cè)所述收容箱中收容的被處理體的位置、或者由所述被處理體載置器支承 的被處理體的位置，所述第二溫度為所述映像傳感器的耐熱上限溫度。
14. 如權(quán)利要求9所述的被處理體的熱處理方法，其特征在于 在所述移載臂機(jī)構(gòu)中，設(shè)置有由蓋保護(hù)的電子部件，所述第一溫度為所述電子部件的耐熱上限溫度。
15. —種計(jì)算機(jī)程序，其用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行熱處理方法，其特征在于所述熱處理方法是使用被處理體的處理系統(tǒng)對(duì)被處理體進(jìn)行熱處 理的處理方法，所述被處理體的處理系統(tǒng)由劃分壁包圍，其特征在于， 包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元；設(shè)置在所述 處理單元下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處理體的多個(gè) 被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處理單元內(nèi)進(jìn) 行裝載和卸載的載置器升降單元；設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域、當(dāng) 移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用載置器載置 臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與載置在所述 移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處理體載置器之間移載所述被處理 體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元；設(shè)置在所述 被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控制部， 所述熱處理方法包括熱處理工序，其通過(guò)載置器升降單元向處理單元內(nèi)裝載保持有多 枚被處理體的一個(gè)被處理體載置器，對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理，并 且在進(jìn)行熱處理后，通過(guò)載置器升降單元卸載所述被處理體載置器；移載工序，其使用移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元在收容箱與另一個(gè)被 處理體載置器之間移載被處理體；溫度測(cè)量工序，其通過(guò)溫度測(cè)量單元測(cè)量被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的氣氛的溫度；第一判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第一溫度做出應(yīng)答， 移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止進(jìn)行所述移載工序中的 移載動(dòng)作；和第二判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第二溫度做出應(yīng)答， 移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元解除對(duì)所述移載工序中的移 載動(dòng)作的禁止。
16. —種存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行熱處理方法的計(jì) 算機(jī)程序，其特征在于所述熱處理方法是使用被處理體的處理系統(tǒng)對(duì)被處理體進(jìn)行熱處理的處理方法，所述被處理體的處理系統(tǒng)由劃分壁包圍，其特征在于，包括用于對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理的立式處理單元；設(shè)置在所述處理單元下方的被處理體移載區(qū)域；多層地保持所述被處理體的多個(gè)被處理體載置器；使一個(gè)被處理體載置器升降并對(duì)所述處理單元內(nèi)進(jìn)行裝載和卸載的載置器升降單元；設(shè)置在所述被處理體移載區(qū)域、當(dāng)移載被處理體時(shí)載置另一個(gè)所述被處理體載置器的移載用載置器載置臺(tái)；用于在設(shè)置于所述劃分壁上的移載臺(tái)上的收容箱、與載置在所述移載用載置器載置臺(tái)上的另一個(gè)被處理體載置器之間移載所述被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)；使所述移載臂機(jī)構(gòu)升降的臂升降單元；設(shè)置在所述 被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部的溫度測(cè)量單元；和基于來(lái)自所述溫度測(cè)量單元的測(cè)量值控制所述移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作的移載控制部， 所述熱處理方法包括熱處理工序，其通過(guò)載置器升降單元向處理單元內(nèi)裝載保持有多 枚被處理體的一個(gè)被處理體載置器，對(duì)所述被處理體進(jìn)行熱處理，并 且在進(jìn)行熱處理后，通過(guò)載置器升降單元卸載所述被處理體載置器；移載工序，其使用移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元在收容箱與另一個(gè)被 處理體載置器之間移載被處理體；溫度測(cè)量工序，其通過(guò)溫度測(cè)量單元測(cè)量被處理體移載區(qū)域內(nèi)的 上部的氣氛的溫度；第一判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第一溫度做出應(yīng)答，移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元禁止進(jìn)行所述移載工序中的移載動(dòng)作；和第二判斷工序，其對(duì)所述溫度測(cè)量單元檢測(cè)出第二溫度做出應(yīng)答， 移載控制部控制移載臂機(jī)構(gòu)和臂升降單元解除對(duì)所述移載工序中的移 載動(dòng)作的禁止。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防止移動(dòng)臂機(jī)構(gòu)受到熱損傷，并且有效地進(jìn)行被處理體的移載操作的被處理體的處理系統(tǒng)。從被處理體(W)的收容箱(6)取出被處理體進(jìn)行熱處理的處理系統(tǒng)(2)包括立式的處理單元(24)；在處理單元的下方設(shè)置的被處理體移載區(qū)域(10)；保持被處理體的多個(gè)被處理體載置器(20)；使被處理體載置器(20)升降的載置器升降單元(68)；載置被處理體載置器的移載用載置器載置臺(tái)(52)；在收容箱(6)與載置在移載用載置器載置臺(tái)(52)上的被處理體載置器(20)之間移載被處理體的移載臂機(jī)構(gòu)。移載臂機(jī)構(gòu)(56)通過(guò)臂升降單元(58)升降。在被處理體移載區(qū)域內(nèi)的上部設(shè)置有溫度測(cè)量單元(86)，基于溫度測(cè)量單元(86)的測(cè)量值通過(guò)移載控制部(88)控制移載臂機(jī)構(gòu)(56)和臂升降單元(58)，從而控制移載臂機(jī)構(gòu)的移載動(dòng)作。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101404243SQ200810167408
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月3日
發(fā)明者菱谷克幸, 高橋喜一 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社