專利名稱：基材處理設(shè)備以及清潔該基材處理設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基材處理設(shè)備，更具體而言，涉及一種使用處理液 處理半導(dǎo)體基材的基材處理設(shè)備，還涉及一種清潔該基材處理設(shè)備的方 法。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件過程中需要諸如沉積、光刻、蝕刻和拋光等各種 處理。
通常，在將晶片置于其內(nèi)的預(yù)定容器內(nèi)部進行半導(dǎo)體處理并用處理 液或處理氣處理。這種半導(dǎo)體處理的特點是產(chǎn)生易于粘附在容器內(nèi)壁上 的顆粒。具體而言，用作處理晶片的處理液的化學(xué)品溶液可以與空氣反 應(yīng)，并產(chǎn)生鹽，而這種鹽會粘附在容器的內(nèi)壁上。
當這種雜質(zhì)不斷積聚在容器的內(nèi)壁上時，在后續(xù)的半導(dǎo)體處理中， 雜質(zhì)可能會在容器內(nèi)部漂浮并粘附在晶片上，從而在晶片中造成缺陷。
為防止這種情況發(fā)生，容器的內(nèi)部需要定期清潔。清潔容器的方法 包括由操作者實施的人工清潔和使用測試晶片(dummy wafer)。人工清潔
的方法包括首先由操作者拆卸所有容器，然后手動清潔各容器的內(nèi)壁。 當以這種方式對容器進行人工清潔時，清潔容器所需的時間延長，因而 降低了工作效率和產(chǎn)率。產(chǎn)率降低是因為容器在被清潔的同時不能用于 半導(dǎo)體處理。
在使用測試晶片的方法中，首先將測試晶片安裝在旋轉(zhuǎn)頭上，然后旋轉(zhuǎn)測試晶片，并將清潔液供應(yīng)到測試晶片上。供應(yīng)到測試晶片上的清 潔液在旋轉(zhuǎn)的測試晶片的離心力作用下噴射到容器的內(nèi)壁上，從而清潔 容器。然而，為增加產(chǎn)率，半導(dǎo)體處理系統(tǒng)設(shè)有多個容器，并且在各容 器內(nèi)同時進行半導(dǎo)體處理。因此，當在一個容器內(nèi)使用測試晶片進行清 潔時，其余的容器在按次序等待清潔時處于非生產(chǎn)狀態(tài)。因此，清潔容 器的時間長，工作效率和產(chǎn)率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基材清潔效率和產(chǎn)率改善的基材處理設(shè)備。
本發(fā)明還提供一種針對上述基材處理設(shè)備的清潔方法。
本發(fā)明的實施例提供包括旋轉(zhuǎn)頭、固定軸、供應(yīng)管和轉(zhuǎn)動連接件的 基材支撐件。
所述旋轉(zhuǎn)頭在其上安裝有基材，沿一個方向轉(zhuǎn)動，并設(shè)有側(cè)向噴射 流體的至少一個噴射孔。所述固定軸與所述旋轉(zhuǎn)頭連接以支撐所述旋轉(zhuǎn) 頭。所述供應(yīng)管設(shè)在所述固定軸的內(nèi)部以輸送所述流體。所述轉(zhuǎn)動連接
件與所述旋轉(zhuǎn)頭和所述固定軸連接，用于接收由所述供應(yīng)管輸送的所述 流體并向所述噴射孔供應(yīng)所述流體。
具體而言，所述噴射孔可以設(shè)置成從所述旋轉(zhuǎn)頭的側(cè)面向所述旋轉(zhuǎn) 頭的中心軸延伸。
所述轉(zhuǎn)動連接件可以包括主體部、轉(zhuǎn)動部和至少一個軸承。所述主 體部可以固定在所述固定軸上，并且可以包括至少一個供應(yīng)孔，所述流 體從所述供應(yīng)管經(jīng)所述供應(yīng)孔流入。所述轉(zhuǎn)動部可以與所述旋轉(zhuǎn)頭連接 并一起轉(zhuǎn)動，并且可以包括與所述固定軸連接并用于接收所述流體和排 出所接收的流體的至少一個排出孔。所述軸承可以置于所述轉(zhuǎn)動部和所 述主體部之間，用于連接所述轉(zhuǎn)動部與所述主體部。
所述基材支撐件還可以包括與所述轉(zhuǎn)動部和所述旋轉(zhuǎn)頭連接的至少 一個清潔管，用于向所述噴射孔供應(yīng)從所述排出孔排出的所述流體。
所述基材支撐件還可以包括與所述主體部和所述供應(yīng)管連接的至少 一個連接管，用于向所述主體部供應(yīng)從所述供應(yīng)管排出的所述流體。在本發(fā)明的其它實施例中，基材處理設(shè)備包括處理容器和基材支撐件。
所述處理容器提供于其內(nèi)對基材進行處理的空間。所述基材支撐件 設(shè)在所述處理容器內(nèi)部并用于固定所述基材，并設(shè)有向所述處理容器噴 射流體以清潔所述處理容器的至少一個噴射孔。
清潔根據(jù)上述實施例的基材處理設(shè)備的方法如下。首先，向設(shè)置在 處理容器內(nèi)部的基材支撐件供應(yīng)流體；轉(zhuǎn)動所述基材支撐件，同時從所 述基材支撐件噴射所述流體來清潔所述處理容器。此處，所述流體從所 述基材支撐件的側(cè)面噴射。
可以在噴射所述流體時調(diào)節(jié)所述基材支撐件在所述處理容器內(nèi)的垂 直位置。
所述流體可以包括用于清潔所述處理容器的清潔液和用于干燥所述 處理容器的干燥氣。
具體地，就所述處理容器的清潔而言，首先，可以通過轉(zhuǎn)動和噴射 所述清潔液的所述基材支撐件來清潔所述處理容器。然后，可以通過轉(zhuǎn) 動和噴射所述干燥氣的所述基材支撐件來干燥所述處理容器。


附圖用于進一步理解本發(fā)明，其并入本說明書中并構(gòu)成它的一部分。 附圖闡明本發(fā)明的示例性實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原 理。在附圖中
圖1是根據(jù)一個實施例的基材處理設(shè)備的立體圖。
圖2是圖1中的處理容器和基材支撐件的剖視圖。
圖3是圖2中所示的基材支撐件的剖視圖。 圖4是圖3中所示的基材支撐件的立體圖。 圖5是圖4中所示的旋轉(zhuǎn)頭的平面圖。
圖6是顯示圖3中所示的轉(zhuǎn)動連接件和周圍機構(gòu)連接的立體圖。圖7是圖6中所示的轉(zhuǎn)動連接件的詳細立體圖。
圖8是剖視圖，顯示在圖2的基材處理設(shè)備內(nèi)清潔處理容器的過程。
圖9是平面圖，顯示從圖8所示的基材支撐件噴射清潔液的過程。
具體實施例方式
下面參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明可 以體現(xiàn)為不同形式，并且不應(yīng)當認為本發(fā)明受限于在此提出的實施例。 相反，提供這些實施例是為了使本發(fā)明的公開內(nèi)容徹底和完整，并向本 領(lǐng)域技術(shù)人員全面地表達本發(fā)明的范圍。
圖1是根據(jù)一個實施例的基材處理設(shè)備的立體圖。
參照圖1，基材處理設(shè)備400包括處理容器100、基材支撐件200以 及多個噴嘴310和320。
處理容器100是頂部開放的圓柱形容器，并提供處理晶片10的處理 空間。處理容器IOO的開放頂部用于取出和放入整批的晶片10。處理空 間容納基材支撐件200。當在晶片IO上進行處理時，基材支撐件200固 定插在處理容器100內(nèi)的晶片10。下面參照圖2至圖7詳細說明處理容 器100和基材支撐件200的結(jié)構(gòu)。
多個噴嘴310和320設(shè)在處理容器100的外部。噴嘴310和320向 固定在基材支撐件200上的晶片10供應(yīng)用于清潔或蝕刻晶片10的處理 液或處理氣。
在圖1中，盡管顯示晶片10作為基材處理設(shè)備400所處理的基材的 例子，但是本發(fā)明并不局限于此，基材可以是玻璃基材或任一種其它類 型的基材。
下面，參照附圖詳細說明處理容器100和基材支撐件200。
圖2是圖1中的處理容器和基材支撐件的剖視圖。
參照圖2，處理容器100設(shè)有圓柱形的第一收集容器110、第二收集 容器120和第三收集容器130。在本實施例中，盡管處理容器100由三個 收集容器IIO、 120和130形成，但是收集容器110、 120和130的數(shù)量可以增加或減少。
第一收集容器110、第二收集容器120和第三收集容器130回收在 晶片10的處理中供應(yīng)到晶片10的處理液。艮卩，基材處理設(shè)備400使基 材支撐件200與晶片IO—起旋轉(zhuǎn)，并使用處理液來處理晶片10。因而， 供應(yīng)到晶片IO的處理液分散，第一收集容器IIO、第二收集容器120和 第三收集容器130回收從晶片10散落的處理液。
具體而言，第一收集容器110、第二收集容器120和第三收集容器 130均設(shè)有環(huán)形底面和從底面延伸的圓形側(cè)壁。第二收集容器120包圍第 一收集容器110，并與第一收集容器110間隔開。第三收集容器130包圍 第二收集容器120，并與第二收集容器120間隔開。
第一收集容器iio、第二收集容器120和第三收集容器130分別限 定第一收集空間RS1、第二收集空間RS2和第三收集空間RS3，從晶片 10散落的處理液進入第一收集空間RS1、第二收集空間RS2和第三收集 空間RS3。第一收集空間RS1由第一收集容器110限定，用于回收在晶 片10的第一處理中使用的第一處理液。第二收集空間RS2被限定在第一 收集容器IIO和第二收集容器120之間的空間內(nèi)，用于回收在晶片10的 第二處理中使用的第二處理液。第三收集空間RS3被限定在第二收集容 器120和第三收集容器130之間的空間內(nèi)，用于回收在晶片IO的第三處 理中使用的第三處理液。此處，第三處理液可以是淋洗晶片10的淋洗液。
盡管在上文中，描述了第一收集容器110、第二收集容器120和第 三收集容器130根據(jù)晶片IO的處理順序而按序回收處理液的例子；然而， 可以根據(jù)晶片IO的處理順序和晶片IO的位置改變第一收集容器110、第 二收集容器120和第三收集容器130回收處理液的順序。
第一收集容器iio、第二收集容器120和第三收集容器130均具有 中央開口的上表面。上表面均是斜面，各斜面和相對底面之間的距離從 它們在側(cè)壁處的連接向開口逐漸增加。因此，從晶片10散落的處理液沿 著第一收集容器uo、第二收集容器120和第三收集容器130的上表面被
導(dǎo)入收集空間RS1、 RS2和RS3。
第一收集容器no與第一收集管線145連接。進入第一收集空間RS1的第一處理液通過第一收集管線145排到外部。第二收集容器120與第
二收集管線143連接。進入第二收集空間RS2的第二處理液通過第二收 集管線143排到外部。第三收集容器130與第三收集管線141連接。進 入第三收集空間RS3的第三處理液通過第三收集管線141排到外部。
處理容器100與改變處理容器100垂直位置的升降裝置330連接。 升降裝置330設(shè)在第三收集容器130的外壁上，用于在基材支撐件200 的垂直位置固定的情況下提升/降低處理容器100。因此，改變了處理容 器100與置于基材支撐件200上的晶片10的相對垂直位置。因而，處理 容器100可以改變用來回收不同類型的處理液和污染氣體的收集空間 RS1、 RS2和RS3。
在本實施例中，基材處理設(shè)備400垂直移動處理容器100，從而改 變處理容器100與置于基材支撐件200上的晶片10的相對垂直位置。然 而，基材處理設(shè)備400也可以垂直地移動基材支撐件200，從而改變處理 容器100與置于基材支撐件200上的晶片10的相對垂直位置。
圖3是圖2中所示的基材支撐件的剖視圖，圖4是圖3中所示的基 材支撐件的立體圖，圖5是圖4中所示的旋轉(zhuǎn)頭的平面圖。
參照圖2和圖3，基材支撐件200被收容在處理容器100的內(nèi)部。 基材支撐件200包括旋轉(zhuǎn)頭210、轉(zhuǎn)動軸220、固定軸230、轉(zhuǎn)動連接件 240以及多個清潔管250。
參照圖4和圖5，旋轉(zhuǎn)頭210呈圓板狀，其頂面與晶片10相對。旋 轉(zhuǎn)頭210的頂面設(shè)有多個支撐晶片10的夾持銷211。夾持銷211夾持晶 片IO，使得晶片10固定在旋轉(zhuǎn)頭210上。
多個噴射孔212設(shè)在旋轉(zhuǎn)頭210的側(cè)面中。各噴射孔212彼此分開 地設(shè)置成分別從旋轉(zhuǎn)頭210的側(cè)面向旋轉(zhuǎn)頭210的中央延伸。因此，當 從旋轉(zhuǎn)頭210的頂部觀察時，各噴射孔呈放射狀配置。
轉(zhuǎn)動軸220與旋轉(zhuǎn)頭210的背面連接。轉(zhuǎn)動軸220與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置 340連接，并通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置340產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)力而轉(zhuǎn)動。轉(zhuǎn)動軸220 的旋轉(zhuǎn)力傳遞到旋轉(zhuǎn)頭210從而轉(zhuǎn)動旋轉(zhuǎn)頭210，使得固定在旋轉(zhuǎn)頭210 上的晶片IO轉(zhuǎn)動。再參照圖2和圖3，轉(zhuǎn)動軸220與固定軸230連接。固定軸230的 一端插入轉(zhuǎn)動軸220，并使用多個軸承361將固定軸230與轉(zhuǎn)動軸220 連接起來。因此，固定軸230不轉(zhuǎn)動，僅僅轉(zhuǎn)動軸220轉(zhuǎn)動。固定軸230 具有內(nèi)置的供應(yīng)管231。
供應(yīng)管231沿固定軸230的長度延伸，并與外部的流體供應(yīng)源350 連接。流體供應(yīng)源350供應(yīng)用于清潔處理容器100的清潔流體CF。清潔 流體CF包括用于清潔處理容器100的清潔液和用于干燥處理容器100 的干燥氣。去離子(DI)水是清潔液的一個例子，氮氣是干燥氣的一個例子。 流體供應(yīng)源350首先向供應(yīng)管231供應(yīng)清潔液以清潔處理容器100，并在 完成處理容器100的清潔之后供應(yīng)干燥氣。
供應(yīng)管231的排出端與轉(zhuǎn)動連接件240連接，供應(yīng)管231向轉(zhuǎn)動連 接件240供應(yīng)清潔流體CF。
圖6是顯示圖3中所示的轉(zhuǎn)動連接件和周圍機構(gòu)連接的立體圖，圖 7是圖6中所示的轉(zhuǎn)動連接件的詳細立體圖。
參照圖3和圖6，轉(zhuǎn)動連接件240安裝在轉(zhuǎn)動軸220內(nèi)，并與旋轉(zhuǎn) 頭210和固定軸230連接。在本實施例中，轉(zhuǎn)動連接件240呈圓柱狀； 然而，它也可以是另一種形狀。
轉(zhuǎn)動連接件240可以包括與固定軸230連接的主體部241和與旋轉(zhuǎn) 頭210連接的轉(zhuǎn)動部243。
參照圖6和圖7，主體部241設(shè)有至少一個供應(yīng)孔241a，供應(yīng)孔241a 與供應(yīng)管231的排出端連接。因此，清潔流體CF從供應(yīng)管231供應(yīng)到主 體部241。
在本實施例中，主體部241在與固定軸230連接的下表面上設(shè)置供 應(yīng)孔241a (圖3)，供應(yīng)孔241a直接與供應(yīng)管231連接。然而，供應(yīng)孔241a 也可以設(shè)在主體部241的側(cè)面上。在這種情況下，基材支撐件200可以 設(shè)有用于連接設(shè)在主體部241的側(cè)面上的供應(yīng)孔與供應(yīng)管231的單獨的 連接管。
主體部241通過軸承(圖未示)與轉(zhuǎn)動部243連接。因而，在主體部 241固定的情況下，僅僅是轉(zhuǎn)動部243可以轉(zhuǎn)動。在轉(zhuǎn)動部243的側(cè)面中設(shè)有多個排出孔243a。各排出孔243a彼此間隔開，并從主體部241排出 清潔流體CF。各排出孔243a與多個清潔管250連接。
每個清潔管250與一個排出孔連接，并通過相應(yīng)的排出孔243a接收 清潔流體CF。在本實施例中，排出孔243a和清潔管250的數(shù)量由噴射 孔212的數(shù)量確定。
再一次參照圖2和圖3，清潔管250的排出端與噴射孔212連接。 各噴射孔212接收通過與其連接的清潔管而供應(yīng)的清潔流體CF，并在處 理容器100的內(nèi)壁噴射清潔流體CF，從而清潔處理容器100。
具體而言，噴射孔212設(shè)在與第一收集容器110、第二收集容器120 和第三收集容器130的側(cè)壁相對的旋轉(zhuǎn)頭210的側(cè)面中。因此，清潔流 體CF從旋轉(zhuǎn)頭210的側(cè)面噴向處理容器IOO的內(nèi)壁，即，第一收集容器 IIO和第二收集容器120的側(cè)壁和上表面以及第三收集容器130的內(nèi)壁。
此外，旋轉(zhuǎn)頭210在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置340的驅(qū)動下沿一個方向轉(zhuǎn)動的 同時噴射清潔流體CF。因此，增大了從旋轉(zhuǎn)頭210噴射的清潔流體CF 的噴射壓力，使得清潔流體CF均勻地噴射到第一收集容器110、第二收 集容器120和第三收集容器130的內(nèi)壁上。
在使用清潔流體CF對處理容器100進行清潔處理時，改變旋轉(zhuǎn)頭 210與處理容器IOO底面的相對垂直高度。因而，從旋轉(zhuǎn)頭210供應(yīng)的清 潔流體CF均勻地噴射到第一收集容器110、第二收集容器120和第三收 集容器130。
同樣地，旋轉(zhuǎn)頭210在旋轉(zhuǎn)的同時從其側(cè)面噴射清潔流體CF，從而 清潔處理容器IOO。因此，為了清潔基材處理設(shè)備400的處理容器100， 不需要拆卸處理容器IOO或使用測試晶片。因此，基材處理設(shè)備400可 以減少清潔處理容器IOO的時間，提高清潔效率，并提高生產(chǎn)力和產(chǎn)率。
雖然圖中未示出，但是基材處理設(shè)備400還可以包括背面噴嘴。背 面噴嘴可以設(shè)在基材支撐件200上，從而供應(yīng)用于清潔晶片IO背面的清 潔液或處理氣。
下面，參照附圖詳細說明清潔處理容器100的方法。圖8是剖視圖，顯示在圖2的基材處理設(shè)備內(nèi)清潔處理容器的過程，
圖9是平面圖，顯示從圖8所示的基材支撐件噴射清潔液的過程。為清 楚地描述從旋轉(zhuǎn)頭210噴射的清潔流體CF，圖9顯示了局部剖開的第三 收集容器130。
參照圖3和圖8，首先通過操作升降裝置330使處理容器100垂直 地移動，使得旋轉(zhuǎn)頭210的上表面靠近第三收集容器130的上表面。
接下來，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置340使轉(zhuǎn)動軸220轉(zhuǎn)動，轉(zhuǎn)動軸220的轉(zhuǎn)動 使旋轉(zhuǎn)頭210沿一個方向轉(zhuǎn)動。同時，與旋轉(zhuǎn)頭210連接的轉(zhuǎn)動連接件 240的轉(zhuǎn)動部243沿著與旋轉(zhuǎn)頭210相同的方向轉(zhuǎn)動。
流體供應(yīng)源350向供應(yīng)管231供應(yīng)清潔流體CF，供應(yīng)管231向轉(zhuǎn)動 連接件240的主體部241供應(yīng)清潔流體CF。此處，流體供應(yīng)源350從清 潔液和干燥氣中首先供應(yīng)清潔液。
轉(zhuǎn)動連接件240的轉(zhuǎn)動部243與旋轉(zhuǎn)頭210 —起轉(zhuǎn)動，并向清潔管 250供應(yīng)清潔液。由于轉(zhuǎn)動連接件240的一部分固定在固定軸230上，另 一部分與旋轉(zhuǎn)頭210 —起轉(zhuǎn)動，所以清潔液可以可靠地供應(yīng)到轉(zhuǎn)動的旋 轉(zhuǎn)頭210。
清潔管250向噴射孔212供應(yīng)清潔液，供應(yīng)到噴射孔212的清潔液 被噴向第三收集容器130的內(nèi)壁。
參照圖8和圖9，旋轉(zhuǎn)頭210沿一個方向轉(zhuǎn)動并噴射清潔液。因此， 清潔液的噴射壓力增加，清潔液被均勻地噴射到第三收集容器130的內(nèi) 壁上，由此提高了清潔效率。
清潔液從旋轉(zhuǎn)頭210的側(cè)面噴射到第三收集容器130和第二收集容 器120之間，由此清潔第三收集容器130的內(nèi)壁和第二收集容器120的 外部。
當使用清潔液完成第三收集容器130的清潔時，升降裝置330提升 處理容器100，使得旋轉(zhuǎn)頭210的上表面靠近第二收集容器120的上表面。 因此，清潔液從旋轉(zhuǎn)頭210噴射到第二收集容器120的內(nèi)壁和第一收集 容器110的外部，從而清潔第二收集容器120。當使用清潔液完成第二收集容器120的清潔時，升降裝置330提升 處理容器IOO,使得旋轉(zhuǎn)頭210的上表面靠近第一收集容器110的上表面。 因此，清潔液從旋轉(zhuǎn)頭210噴射到第一收集容器110的內(nèi)壁，從而清潔 第一收集容器110。
在本實施例中，基材處理設(shè)備400將旋轉(zhuǎn)頭210的垂直位置從第三 收集容器130順序地移向第一收集容器110，從而清潔處理容器100。然 而，旋轉(zhuǎn)頭210的垂直位置可以相反地從第一收集容器110移向第三收 集容器130，從而清潔處理容器IOO。
當使用清潔流體完成第一收集容器110、第二收集容器120和第三 收集容器130的清潔時，流體供應(yīng)源350向基材支撐件200供應(yīng)干燥氣， 然后旋轉(zhuǎn)頭210噴射干燥氣以干燥第一收集容器110、第二收集容器120 和第三收集容器130。
基材支撐件200噴射干燥氣的處理與噴射清潔液的處理相同，因此， 將省略對噴射干燥氣的處理的詳細說明。
基材支撐件200噴射干燥氣的處理的簡要說明如下。首先，流體供 應(yīng)源350向供應(yīng)管231供應(yīng)干燥氣，然后供應(yīng)管231向轉(zhuǎn)動連接件240 供應(yīng)干燥氣。轉(zhuǎn)動連接件240通過清潔管250向轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)頭210供應(yīng) 干燥氣。旋轉(zhuǎn)頭210在其轉(zhuǎn)動的同時噴射干燥氣，從而干燥處理容器100。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的基材處理設(shè)備使用在其上安裝基材的基材 支撐件來清潔處理容器的內(nèi)壁。因此，由于基材處理設(shè)備可以在不拆卸 處理容器或不使用測試晶片的情況下清潔處理容器，因此可以減少清潔 時間，并可以提高清潔效率、生產(chǎn)力和產(chǎn)率。
上述公開的主題應(yīng)被認為是說明性而不是限制性的，所附權(quán)利要求 意圖覆蓋落入本發(fā)明的真正精神和范圍內(nèi)的所有修改、增加和其它實施 方案。因此，在法律所允許的最大程度上，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要 求和其等同物的最寬可允許解釋限定，并且不受上述詳細說明的約束或 限制。
權(quán)利要求
1.一種基材支撐件，其包括在其上安裝基材并沿一個方向轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)頭，所述旋轉(zhuǎn)頭設(shè)有側(cè)向噴射流體的至少一個噴射孔；與所述旋轉(zhuǎn)頭連接的固定軸，用于支撐所述旋轉(zhuǎn)頭；設(shè)在所述固定軸內(nèi)部的供應(yīng)管，用于輸送所述流體；以及與所述旋轉(zhuǎn)頭和所述固定軸連接的轉(zhuǎn)動連接件，用于接收由所述供應(yīng)管輸送的所述流體并向所述噴射孔供應(yīng)所述流體。
2. 如權(quán)利要求l所述的基材支撐件，其中所述噴射孔設(shè)置成從所述 旋轉(zhuǎn)頭的側(cè)面向所述旋轉(zhuǎn)頭的中心軸延伸。
3. 如權(quán)利要求l所述的基材支撐件，其中所述轉(zhuǎn)動連接件包括 固定在所述固定軸上的主體部，它包括至少一個供應(yīng)孔，所述流體從所述供應(yīng)管經(jīng)所述供應(yīng)孔流入；與所述旋轉(zhuǎn)頭連接并一起轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動部，所述轉(zhuǎn)動部包括與所述固 定軸連接并用于接收所述流體和排出所接收的流體的至少一個排出孔； 以及置于所述轉(zhuǎn)動部和所述主體部之間的至少一個軸承，用于連接所述 轉(zhuǎn)動部與所述主體部。
4. 如權(quán)利要求3所述的基材支撐件，還包括與所述轉(zhuǎn)動部和所述旋 轉(zhuǎn)頭連接的至少一個清潔管，用于向所述噴射孔供應(yīng)從所述排出孔排出 的所述流體。
5. 如權(quán)利要求4所述的基材支撐件，還包括與所述主體部和所述供 應(yīng)管連接的至少一個連接管，用于向所述主體部供應(yīng)從所述供應(yīng)管排出 的所述流體。
6. —種基材處理設(shè)備，其包括處理容器，它提供于其內(nèi)對基材進行處理的空間；以及設(shè)在所述處理容器內(nèi)部并用于固定所述基材的基材支撐件，它設(shè)有 向所述處理容器噴射流體以清潔所述處理容器的至少一個噴射孔。
7. 如權(quán)利要求6所述的基材處理設(shè)備，其中所述基材支撐件包括 在其上安裝基材并沿一個方向轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)頭，所述旋轉(zhuǎn)頭限定所述噴射孔；與所述旋轉(zhuǎn)頭連接的固定軸，用于支撐所述旋轉(zhuǎn)頭； 設(shè)在所述固定軸內(nèi)部的供應(yīng)管，用于輸送所述流體；以及 與所述旋轉(zhuǎn)頭和所述固定軸連接的轉(zhuǎn)動連接件，用于從所述供應(yīng)管 接收所述流體并向所述噴射孔供應(yīng)所述流體。
8. 如權(quán)利要求7所述的基材處理設(shè)備，其中所述噴射孔設(shè)置成從所 述旋轉(zhuǎn)頭的側(cè)面向所述旋轉(zhuǎn)頭的中心軸延伸。
9. 如權(quán)利要求7所述的基材處理設(shè)備，其中所述轉(zhuǎn)動連接件包括 固定在所述固定軸上的主體部，它包括至少一個供應(yīng)孔，所述流體從所述供應(yīng)管流入所述供應(yīng)孔；與所述旋轉(zhuǎn)頭連接并一起轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動部，所述轉(zhuǎn)動部包括與所述固定軸連接并用于接收和排出所述流體的至少一個排出孔；以及置于所述轉(zhuǎn)動部和所述主體部之間的至少一個軸承，用于連接所述 轉(zhuǎn)動部與所述主體部。
10. 如權(quán)利要求9所述的基材處理設(shè)備，還包括與所述轉(zhuǎn)動部和所 述旋轉(zhuǎn)頭連接的至少一個清潔管，用于向所述噴射孔供應(yīng)從所述排出孔 排出的所述流體。
11. 如權(quán)利要求IO所述的基材處理設(shè)備，還包括與所述主體部和所 述供應(yīng)管連接的至少一個連接管，用于向所述主體部供應(yīng)從所述供應(yīng)管 排出的所述流體。
12. 如權(quán)利要求6所述的基材處理設(shè)備，其中所述流體是用于清潔所述處理容器的清潔液。
13. 如權(quán)利要求6所述的基材處理設(shè)備，其中所述流體是用于干燥 所述處理容器的干燥氣。
14. 一種清潔基材處理設(shè)備的方法，所述方法包括 向設(shè)置在處理容器內(nèi)部的基材支撐件供應(yīng)流體；以及 通過轉(zhuǎn)動所述基材支撐件并同時從所述基材支撐件噴射所述流體來清潔所述處理容器。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述流體從所述基材支撐件的 側(cè)面噴射。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中在噴射所述流體時調(diào)節(jié)所述基 材支撐件在所述處理容器內(nèi)的垂直位置。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述流體包括用于清潔所述處 理容器的清潔液和用于干燥所述處理容器的干燥氣。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述處理容器的清潔包括 通過轉(zhuǎn)動和噴射所述清潔液的所述基材支撐件來清潔所述處理容器；以及通過轉(zhuǎn)動和噴射所述干燥氣的所述基材支撐件來干燥所述處理容器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基材處理設(shè)備和清潔該基材處理設(shè)備的方法。在該基材處理設(shè)備中，基材支撐件包括在其上安裝基材的旋轉(zhuǎn)頭、轉(zhuǎn)動連接件和供應(yīng)溶液的供應(yīng)管。該轉(zhuǎn)動連接件接收由該供應(yīng)管供應(yīng)的溶液并將該溶液供應(yīng)到該旋轉(zhuǎn)頭。該旋轉(zhuǎn)頭具有用于噴射該溶液的至少一個噴射孔，并在轉(zhuǎn)動的同時軸向噴射該溶液。因此，基材支撐件可以向處理容器的內(nèi)壁供應(yīng)溶液，從而提高處理容器的清潔效率，并提高制造產(chǎn)率。
文檔編號H01L21/00GK101409211SQ20081014889
公開日2009年4月15日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月11日
發(fā)明者吳來澤, 崔忠植 申請人:細美事有限公司