專利名稱：微片式電光調(diào)q激光器的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及激光器領(lǐng)域，尤其涉及微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)。 專利技術(shù) 調(diào)Q技術(shù)是獲得窄脈寬、高峰值功率激光脈沖的一個重要方式。電光調(diào)Q具有 開關(guān)時間短(約10—9s)，效率高，調(diào)Q時刻可以精確控制，輸出脈沖寬度窄(5 20ns)，峰 值功率高(幾十兆瓦以上)等優(yōu)點(diǎn)，是目前應(yīng)用比較廣泛的一種調(diào)Q技術(shù)。電光調(diào)Q晶體作 為調(diào)Q開關(guān)被廣泛應(yīng)用到調(diào)Q激光器中，但目前電光調(diào)Q激光器普遍以分離件方式制作， 其體積大、成本高、穩(wěn)定性差，不易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種體積小，成本低且易于大規(guī)模生產(chǎn)的微片式電光調(diào)Q激 光器結(jié)構(gòu)。
為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案光電調(diào)Q激光器結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體激光器、 光學(xué)耦合系統(tǒng)以及微片激光器，微片激光器包括激光增益介質(zhì)、偏振起偏器、電光調(diào)Q晶體 或透明陶瓷，微片激光器的激光入射面和出射面分別鍍有前腔膜和后腔膜，其中微片激光器 中各光學(xué)元件通過光膠或深化光膠粘結(jié)成一整體。
上述的微片激光器的激光出射面可以設(shè)有聚焦透鏡。
上述的激光增益介質(zhì)采用材料為Nd:YV04、 Nd:GdV04、 Nd:YAG、 Nd:LuV04、 Nd:KGW 等Nd離子激光增益介質(zhì)。
上述的偏振起偏器釆用PBS棱鏡、Walk-off晶體、雙折射楔角片偏振起偏器。 上述的微片激光器中還設(shè)有拉曼晶體，其設(shè)置在偏振起偏器前端。 上述的拉曼晶體材料為YV04、 GdV04、 LuV04、 KGW。
上述的激光增益介質(zhì)和拉曼晶體可以合二為一，其材料如Nd:YV04、 Nd:GdV04。 上述的微片激光器中還設(shè)有倍頻晶體或參量振蕩晶體，其設(shè)置在偏振起偏器前端。 上述的微片激光器中還設(shè)有OPO晶體，其設(shè)置在偏振起偏器前端。 本發(fā)明釆用以上技術(shù)方案，微片激光器中各光學(xué)元件通過光膠或深化光膠粘結(jié)成一整體，
其結(jié)構(gòu)緊湊穩(wěn)定，易于大規(guī)模生產(chǎn)，制成的產(chǎn)品體積小，且成本低，從而使電光調(diào)Q激光器
有可能獲得大規(guī)模應(yīng)用。


現(xiàn)結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述
圖1是本發(fā)明光電調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)示意圖2是本發(fā)明微片激光器設(shè)有聚焦透鏡的結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明偏振起偏器為PBS棱鏡的偏振示意圖4是本發(fā)明偏振起偏器為Walk-off晶體的偏振示意圖；圖5是本發(fā)明偏振起偏器為雙折射楔角片偏振起偏器的偏振示意圖6是本發(fā)明微片激光器帶其它光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖1或2所示，本發(fā)明包括半導(dǎo)體激光器1、光學(xué)耦合系統(tǒng)2以及 微片激光器3，微片激光器3包括激光增益介質(zhì)31、偏振起偏器32、電光調(diào)Q晶體或透明陶 瓷33。激光增益介質(zhì)31可以采用材料如Nd:YV04、Nd:GdV04、Nd:YAG、Nd:LuV04、Nd:KGW 等Nd離子激光增益介質(zhì)；如圖3、 4或5所示，偏振起偏器32可以采用PBS棱鏡、Walk-off 晶體、雙折射楔角片偏振起偏器；微片激光器3的激光入射面和出射面分別鍍有前腔膜Sl 和后腔膜S2，微片激光器3的激光出射面可以設(shè)有聚焦透鏡34，其中微片激光器3中各光學(xué) 元件通過光膠或深化光膠粘結(jié)成一整體。
上述結(jié)構(gòu)的工作原理是半導(dǎo)體激光器l、光學(xué)耦合系統(tǒng)2泵浦的泵浦光Xo進(jìn)入激光增 益介質(zhì)31，產(chǎn)生波長為、的振蕩光，、通過偏振起偏器32，變成沿x方向的線偏振光，若 電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷33上未加電壓，光將沿軸線方向通過晶體，其偏振狀態(tài)不發(fā)生變 化，經(jīng)全反射發(fā)射后，再次通過電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷33和偏振起偏器32，此時，電光 調(diào)Q晶體或透明陶瓷33處于"打開"狀態(tài)。如果在電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷33上施加一電 壓，由于縱向電光效應(yīng)，將使偏振面相對于入射光旋轉(zhuǎn)卯。，偏振光將不能再通過偏振起偏器 32，電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷33處于"關(guān)閉"狀態(tài)，激光腔不能起振。這樣，通過加壓或 退壓方式便可使激光器處在調(diào)Q狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)其調(diào)Q功能。
再請參閱圖6所示，在微片激光器3中設(shè)有其它光學(xué)元件35，通常其它光學(xué)元件設(shè)置在 偏振起偏器32的前端，以實(shí)現(xiàn)各種功能的不同的光電調(diào)Q激光器。如其它光學(xué)元件35為拉 曼晶體，采用材料如YV04、 GdV04、 LuV04、 KGW等，利用拉曼晶體的拉曼頻移效應(yīng)，當(dāng) 基波光為1.34pm附近時，可實(shí)現(xiàn)1.5pm激光脈沖輸出。這里激光增益介質(zhì)31同時為拉曼介 質(zhì)的激光晶體材料，其材料如Nd:YV04、 Nd:GdV04等，同樣可以實(shí)現(xiàn)。當(dāng)其它光學(xué)元件35 為倍頻晶體或參量振蕩晶體，或倍頻晶體同時為電光晶體的材料，如KTP，前腔膜Si對泵浦 光波長&增透，對激光增益介質(zhì)振蕩波長、高反，參量振蕩晶體前鍍膜S3，其對激光增益介 質(zhì)振蕩波長、增透，對參量振蕩波長^2， M高反，后腔膜S2，對基波、高反，對參量振蕩 光M、 M部分透射。如此可實(shí)現(xiàn)調(diào)Q倍頻光輸出。其它光學(xué)元件35還可以為OPO晶體，產(chǎn) 生調(diào)QOPO激光輸出。
綜上所述，本發(fā)明采用微片式結(jié)構(gòu)，使激光器體積大大減小，由于微片厚度可以是lmm 2mm等超薄狀態(tài)，在光電調(diào)Q晶體或透明陶瓷33通光長度方向與通光厚度(加電壓方向) 比例大大增加，從而大大降低了電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷33的調(diào)Q電壓，使調(diào)Q電源制作 體積減小，制作難度減小，從而更易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品小型化。
權(quán)利要求
1、微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體激光器、光學(xué)耦合系統(tǒng)以及微片激光器，微片激光器包括激光增益介質(zhì)、偏振起偏器、電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷，微片激光器的激光入射面和出射面分別鍍有前腔膜和后腔膜，其特征在于微片激光器中各光學(xué)元件通過光膠或深化光膠粘結(jié)成一整體。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其微片激光器 的激光出射面可以設(shè)有聚焦透鏡。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其激光增 益介質(zhì)采用材料為Nd:YV04、 Nd:GdVO4、 Nd:YAG、 Nd:LuV04、 Nd:KGW等Nd離子激光增 益介質(zhì)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其偏振起 偏器采用PBS棱鏡、Walk-off晶體、雙折射楔角片偏振起偏器。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其微片激 光器中還設(shè)有拉曼晶體，其設(shè)置在偏振起偏器前端。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其拉曼晶體材 料為YV04、 GdV04、 LuV04、 KGW。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其激光增益介 質(zhì)同時為拉曼介質(zhì)的激光晶體材料，其材料如Nd:YV04、 Nd:GdV04。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其微片激 光器中還設(shè)有其它光學(xué)元件如倍頻晶體或參量振蕩晶體，或倍頻晶體同時為參量振蕩晶體的 材料，如KTP，其設(shè)置在偏振起偏器前端。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其特征在于其微片激 光器中還設(shè)有OPO晶體，其設(shè)置在偏振起偏器前端。
全文摘要
本發(fā)明公開了微片式電光調(diào)Q激光器的結(jié)構(gòu)，其包括半導(dǎo)體激光器、光學(xué)耦合系統(tǒng)以及微片激光器，微片激光器包括激光增益介質(zhì)、偏振起偏器、電光調(diào)Q晶體或透明陶瓷，微片激光器的激光入射面和出射面分別鍍有前腔膜和后腔膜，其中微片激光器中各光學(xué)元件通過光膠或深化光膠粘結(jié)成一整體，結(jié)構(gòu)緊湊穩(wěn)定，易于大規(guī)模生產(chǎn)，制成的產(chǎn)品體積小，且成本低，從而使電光調(diào)Q激光器有可能獲得大規(guī)模應(yīng)用。
文檔編號H01S3/08GK101304150SQ200810071319
公開日2008年11月12日 申請日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者凌吉武, 盧秀愛, 礪 吳, 新 陳, 陳衛(wèi)民 申請人:福州高意通訊有限公司