專利名稱：：含陽(yáng)離子敏感層的復(fù)合制品的制作方法含陽(yáng)離子敏感層的復(fù)合制品
背景技術(shù)：
：1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及含陽(yáng)離子敏感層的復(fù)合制品。更具體地，本發(fā)明涉及含陽(yáng)離子敏感層的復(fù)合制品，所述陽(yáng)離子敏感層可以是置于基底上的有機(jī)發(fā)光層。2.現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)是本領(lǐng)域眾所周知的。OLED作為傳統(tǒng)光源的可行替代品且在視覺(jué)顯示和通信應(yīng)用中具有前景。OLED的最基本形式典型地包括基底、置于基底上的陽(yáng)極、置于陽(yáng)極上的空穴注入層、置于空穴注入層上的有機(jī)發(fā)光層、置于有機(jī)發(fā)光層上的陰極、和置于陰極上的由金屬、玻璃或其他玻璃質(zhì)材料形成的阻擋層。基底和阻擋層中的至少一種由玻璃或其他玻璃質(zhì)材料形成，以允許從發(fā)光層發(fā)射出的光從OLED中逃逸。陽(yáng)極和陰極中的至少一種也是透光的。OLED商業(yè)化的阻礙之一是OLED壽命的最大化。特別地，形成有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光材料當(dāng)暴露于濕氣、氧氣和其他環(huán)境污染物下時(shí)對(duì)這些敏感且劣化。玻璃常規(guī)地用作基底。盡管玻璃顯示出對(duì)濕氣、氧氣和其他環(huán)境污染物出色的不滲透性，但常規(guī)的玻璃在其內(nèi)存在高含量的陽(yáng)離子。當(dāng)玻璃暴露于高溫和/或其他環(huán)境條件下時(shí)，陽(yáng)離子典型地從玻璃汾濾出來(lái)，并局部集中在玻璃表面上。基于玻璃表面上原子的總原子重量，陽(yáng)離子典型地以約3.5原子重量％存在于玻璃表面上。最近已發(fā)現(xiàn)，有機(jī)發(fā)光材料對(duì)常規(guī)玻璃內(nèi)存在的陽(yáng)離子特別敏感，和有機(jī)發(fā)光材料對(duì)陽(yáng)離子的敏感度會(huì)加速有機(jī)發(fā)光材料亮度的劣化。此外，已發(fā)現(xiàn)，陽(yáng)離子使導(dǎo)電層例如陽(yáng)極和陰極短路。正因?yàn)槿绱耍谶^(guò)去僅僅不含有到含有低含量陽(yáng)離子的高質(zhì)量玻璃用于基底。與包括高含量陽(yáng)離子的常規(guī)玻璃相比，高質(zhì)量玻璃非常昂貴，且因玻璃內(nèi)不存在陽(yáng)離子導(dǎo)致的較高熔點(diǎn)使得還難以加工。正因?yàn)槿绱?，從成本和生產(chǎn)角度考慮，非常希望使用常規(guī)玻璃替代高質(zhì)量玻璃。盡管玻璃充當(dāng)優(yōu)良的環(huán)境阻擋層，但在許多情況下使玻璃基底受力彎曲到聚合物基底上，使得OLED更具有撓性。聚合物基底提供對(duì)濕氣、氧氣和其他環(huán)境污染物不足的不透過(guò)性。正因?yàn)槿绱?，必須使用額外的環(huán)境阻擋層，如Graff等人的美國(guó)專利No.6570325中所述。盡管Graff等人公開(kāi)了含去偶層的環(huán)境阻擋層，但除了去偶層以外，還要求阻擋層。這是因?yàn)槭褂萌ヅ紝觾H僅干擾缺陷從一層擴(kuò)展到另一層。要求由金屬、金屬氧化物或其他金屬基化合物形成的阻擋層提供對(duì)濕氣、氧氣和其他環(huán)境污染物的不透過(guò)性充足的環(huán)境阻擋層。將陽(yáng)極置于環(huán)境阻擋層上并與有機(jī)發(fā)光材料一起從環(huán)境中密封。由于現(xiàn)有技術(shù)存在這些缺陷，因此需要提供含陽(yáng)離子敏感層的復(fù)合制品，例如0LED，所述復(fù)合制品進(jìn)一步包括基于在基底，例如常規(guī)玻璃表面上原子的總原子重量在其表面上含至少0.1原子"％的陽(yáng)離子的基底，且沒(méi)有過(guò)去使用這種玻璃質(zhì)材料遇到的附帶缺陷。發(fā)明概述和優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供一種復(fù)合制品，它包括具有表面的基底，置于基底表面上的含陽(yáng)離子敏感材料的陽(yáng)離子敏感層，和置于基底與陽(yáng)離子敏感層之間的硅氧烷層。基于基底表面上原子的總原子重量，陽(yáng)離子以至少0.1原子wt。/。的量存在于基底表面上。硅氧烷層包括固化的硅氧烷組合物用以防止陽(yáng)離子從基底遷移到陽(yáng)離子敏感層上。在陽(yáng)離子敏感層和基底之間包括硅氧烷層使得能使用過(guò)去無(wú)法使用的基底材料，因?yàn)檫@些材料內(nèi)存在過(guò)量陽(yáng)離子。此外，固化的硅氧烷組合物可提供其他特征，例如保護(hù)基底表面避免形成缺陷，并進(jìn)而改進(jìn)基底強(qiáng)度。固化的硅氧烷組合物遵從表面形貌并還起到平面化的功能?？赏ㄟ^(guò)連續(xù)工藝，形成本發(fā)明的復(fù)合制品，該連續(xù)工藝比間歇工藝更加有效，從而可降低制備復(fù)合制品的時(shí)間與成本。最后，通過(guò)包括硅氧烷層，含玻璃或其他相對(duì)脆的材料的基底的厚度可最小化到以前因基底脆性導(dǎo)致可行的厚度以下。存在硅氧烷層還允許最小厚度的基底彎曲超出起始的彎曲半徑，這可用于要求復(fù)合制品撓性的應(yīng)用中。附圖簡(jiǎn)述本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)將容易理解，因?yàn)楫?dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參考下述詳細(xì)說(shuō)明，將更好地理解本發(fā)明，其中圖1是本發(fā)明的復(fù)合制品的截面?zhèn)纫晥D；圖2是本發(fā)明的復(fù)合制品的另一實(shí)施方案的截面?zhèn)纫晥D；圖3是代表針對(duì)鈉鉀玻璃和含鈉鈣玻璃與硅氧烷層的復(fù)合制品獲得的次級(jí)離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)的圖表，所述硅氧烷層包括在固化硅氧烷組合物之后在各種深度處的各種固化的硅氧烷組合物；圖4是代表針對(duì)鈉4丐玻璃和含鈉釣玻璃與硅氧烷層的復(fù)合制品獲得的次級(jí)離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)的圖表，所述硅氧烷層包括在固化硅氧烷組合物之后和在復(fù)合制品于約300。C的溫度下在氮?dú)夥諊鷥?nèi)退火約60分鐘之后在各種深度處的各種固化的硅氧烷組合物；和圖5是本發(fā)明的復(fù)合制品的照片。發(fā)明詳述參考附圖，其中在幾個(gè)附圖中，相同的數(shù)字表示相應(yīng)的部件，在圖1中通常在IO處示出了復(fù)合制品10。復(fù)合制品10包括在其表面上含陽(yáng)離子的基底12，置于基底12上的陽(yáng)離子敏感層14，和置于基底12和陽(yáng)離子敏感層14之間的硅氧烷層16。陽(yáng)離子敏感層14包括陽(yáng)離子敏感材料，所述陽(yáng)離子敏感材料可以是當(dāng)暴露于陽(yáng)離子下時(shí)經(jīng)歷性能劣化的任何材料。硅氧烷層16有效地防止陽(yáng)離子從基底12遷移到陽(yáng)離子敏感層14，和與在現(xiàn)有技術(shù)的高質(zhì)量玻璃內(nèi)存在的陽(yáng)離子量相當(dāng)，硅氧烷層16不含或者包括低含量的陽(yáng)離子。過(guò)去，陽(yáng)離子從基底12遷移到陽(yáng)離子敏感層14妨礙了與陽(yáng)離子敏感層14一起使用的含陽(yáng)離子的基底12的使用。本發(fā)明的復(fù)合制品IO特別適合于用作有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，如圖5所示，和這將通過(guò)參考以下對(duì)復(fù)合制品10的進(jìn)一步說(shuō)明得到理解。然而，要理解，復(fù)合制品10可以是包括基底12、陽(yáng)離子敏感層14和置于其間的硅氧烷層16的任何這種制品?；?2更具體地包括含陽(yáng)離子的材料，此處所使用的術(shù)語(yǔ)"陽(yáng)離子"是任何荷正電的原子或原子的基團(tuán)。在基底12內(nèi)存在的常見(jiàn)陽(yáng)離子包括鈉、鉀、鈣、硫、錫、鎂和鋁。盡管在整個(gè)材料當(dāng)中和因此在整個(gè)基底12當(dāng)中存在陽(yáng)離子，但它是在被測(cè)試的基底12表面上的陽(yáng)離子，因?yàn)樗鼈兪且子谶w移到陽(yáng)離敏感層14上的陽(yáng)離子?；诨?2表面上的原子的總原子重量，陽(yáng)離子典型地以至少0.1原子wt。/。的量存在于基底12的表面上，且基于基底12表面上的原子的總原子重量，特別是在300-500'C的溫度下在氮?dú)夥諊鷥?nèi)使基底12退火約60分鐘的時(shí)間段之后，可達(dá)到約15原子wtW的含量。本質(zhì)上，該材料具有以過(guò)去因?yàn)樵陉?yáng)離子敏感層14上陽(yáng)離子的影響導(dǎo)致的無(wú)法接受的含量存在的陽(yáng)離子。這一高含量的陽(yáng)離子在本發(fā)明的復(fù)合制品10中是可能的，因?yàn)樵趶?fù)合制品10內(nèi)存在硅氧烷層16，硅氧烷層16防止陽(yáng)離子從基底12，具體地從基底12的表面遷移到陽(yáng)離子敏感層14上。該材料可選自玻璃、金屬及其組合?；?2典型地由玻璃形成，玻璃典型地既透明又提供優(yōu)良的濕氣、氧氣和其他環(huán)境污染物的不透過(guò)性。合適的玻璃的具體實(shí)例可選自鈉鈣玻璃、硼硅浮法玻璃、硅鋁酸鹽玻璃、及其組合。然而，基底12也可以是金屬，例如鋼或鋁。典型地在沒(méi)有特殊加工以除去陽(yáng)離子的情況下生產(chǎn)該材料。過(guò)去除去陽(yáng)離子所使用的特殊加工是昂貴的且賦予該材料非所需的性能，特別是當(dāng)材料是玻璃時(shí)。更具體地，已進(jìn)行過(guò)除去陽(yáng)離子的加工的玻璃的熔融溫度典型地更高，典型地比沒(méi)有進(jìn)行過(guò)加工的玻璃的熔融溫度高400°F或更大。已進(jìn)行過(guò)特殊加工的玻璃的更高熔融溫度要求在形成復(fù)合制品IO的過(guò)程中更高的溫度，以便將基底12成型或成形為所需的形狀，從而增加復(fù)合制品10的生產(chǎn)成本?；?2的厚度取決于打算的應(yīng)用。例如，相對(duì)厚，數(shù)量級(jí)大于lmm的基底12可用于其中復(fù)合制品10的重量或相對(duì)撓性無(wú)關(guān)緊要的應(yīng)用中。在其他應(yīng)用中，基底12的厚度可以小于或等于lmm,典型地小于IOO微米，這對(duì)于其中希望復(fù)合制品10的最小重量和最大撓性同時(shí)維持歸因于玻璃的優(yōu)良的不透過(guò)性的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是所需的。厚度小于lmm的合適的基底12的具體實(shí)例是以商品名Microsheet⑧商購(gòu)于Corning，Inc.ofCorningNY的那些，其厚度為約75微米。Microsheet⑧基底12的厚度可以小至0.05mm,這對(duì)于許多應(yīng)用中使用來(lái)說(shuō)是無(wú)法勝任的薄和脆。然而，由于在復(fù)合制品10內(nèi)存在本發(fā)明的硅氧烷層16,硅氧烷層16起到增強(qiáng)并提高基底12的強(qiáng)度的作用，從而使得這一薄的基底12對(duì)于其中在其他情況下基底不可用的許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)是可行的。本發(fā)明的復(fù)合制品10進(jìn)一步包括置于基底12上的硅氧烷層16。典型地，硅氧烷層16在操作上與基底12相連。硅氧烷層16在操作上可通過(guò)在形成硅氧烷層16所使用的硅氧烷組合物內(nèi)存在的至少一種官能團(tuán)與基底12相連，或者硅氧烷層16在操作上可通過(guò)粘合層18與基底12相連，這兩種方式在以下將進(jìn)一步詳細(xì)地描迷。硅氧烷層16包括固化的硅氧烷組合物，和可進(jìn)一步包括纖維增強(qiáng)劑。當(dāng)使用時(shí)，纖維增強(qiáng)劑可以用固化的硅氧垸組合物浸漬，即硅氧烷層16可以是含纖維增強(qiáng)劑和固化的硅氧烷組合物的單一層。然而，要理解，纖維增強(qiáng)劑是任選的，且在許多應(yīng)用中可省去。摻入纖維增強(qiáng)劑到硅氧烷層16內(nèi)的方法是本領(lǐng)域已知的。在一個(gè)實(shí)施方案中，固化的硅氧烷組合物進(jìn)一步定義為氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物。氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物包含在(C)催化量的氫化硅烷化催化劑存在下(A)有機(jī)硅樹(shù)脂和(B)用量足以固化該有機(jī)硅樹(shù)脂的每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子的有機(jī)基硅化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。本領(lǐng)域已知的任何氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物可適合于本發(fā)明的目的，然而，一些氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物可能比其他更加合適。更具體地，一些有機(jī)硅樹(shù)脂(A)可能比其他更加合適。有機(jī)硅樹(shù)脂(A)典型地具有與硅鍵合的鏈烯基或與硅鍵合的氫原子。有機(jī)硅樹(shù)脂(A)典型地是含R2SiO^單元(即T單元)和/或Si0w單元(即Q單元)結(jié)合R^2SiO:/2單元(即M單元)和/或R22Si02/2單元(即D單元)的共聚物，其中f是d-d。烴基或C,-C)。面素取代的烴基，二者不不含脂族不飽和鍵，和R2是R1、鏈烯基或氫。例如，有機(jī)硅樹(shù)脂可以是DT樹(shù)脂、MT樹(shù)脂、MDT樹(shù)脂、DTQ樹(shù)脂和MTQ樹(shù)脂和MDTQ樹(shù)脂、DQ樹(shù)脂、MQ樹(shù)脂、DTQ樹(shù)脂、MTQ樹(shù)脂或MDQ樹(shù)脂。此處所使用的術(shù)語(yǔ)"不含脂族不飽和鍵"是指烴基或卣素取代的烴基不含脂族碳-碳雙鍵或碳-碳三鍵。用^表示的C廣d。烴基或C廣d。卣素取代的烴基更典型地具有l(wèi)-6個(gè)碳原子。含有至少3個(gè)碳原子的無(wú)環(huán)烴基和卣素取代的烴基可具有支化或未支化的結(jié)構(gòu)。用R'表示的烴基的實(shí)例包括但不限于烷基，例如甲基、乙基、丙基、l-甲基乙基、丁基、l-甲基丙基、2-甲基丙基、1,1-二甲基乙基、戊基、l-甲基丁基、l-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二曱基丙基、2，2-二曱基丙基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基；環(huán)烷基，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和甲基環(huán)己基；芳基，例如苯基和萘基；烷芳基，例如甲苯基和二甲苯基；和芳烷基，例如千基和苯乙基。用R'表示的鹵素取代的烴基的實(shí)例包括但不限于3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基、氯苯基、二氯苯基、2，2，2-三氟乙基、2，2，3，3-四氟丙基和2，2,3，3，4，4，5，5-八氟戊基。用R2表示的鏈烯基在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)可以相同或不同，它典型地具有2-約10個(gè)碳原子，或者2-6個(gè)碳原子，且例舉但不限于乙烯基、烯丙基、丁烯基、己烯基和辛烯基。在一個(gè)實(shí)施方案中，112主要是鏈烯基。在這一實(shí)施方案中，典型地，在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)，至少50mol%，或者至少65mol%，或者至少80mo"/。用f表示的基團(tuán)是鏈烯基。此處所使用的"在112內(nèi)niol。/o鏈烯基"定義為在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾數(shù)與該樹(shù)脂內(nèi)W基的總摩爾數(shù)之比乘以100。在另一實(shí)施方案中，112主要是氫。在這一實(shí)施方案中，典型地在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)，至少50mol%，或者至少65mol%，或者至少80mol。/o用W表示的基團(tuán)是氫。"在112內(nèi)mol。/。氫"定義為在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)與硅鍵合的氫的摩爾數(shù)與該樹(shù)脂內(nèi)R'基的總摩爾數(shù)之比乘以100。根據(jù)第一個(gè)實(shí)施方案，有機(jī)硅樹(shù)脂(A)的通式為(R^Si01/2)w(R22Si02/2)x(R2Si03/2)y(Si04/2)z(I)其中R'和R2如上所述和例舉，w、x、y和z是摩爾分?jǐn)?shù)。用通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的鏈烯基。更具體地，下標(biāo)w的數(shù)值典型地為0-0.9，或者0.02-0.75，或者0.05-0.3。下標(biāo)x的數(shù)值典型地為O-O.9，或者0-0.45，或者0-0.25。下標(biāo)y的數(shù)值典型地為0-0.99，或者0.25-0.8，或者0.5-0.8。下標(biāo)z的數(shù)值典型地為0-0.85，或者0-0.25，或者0-0.15。此外，y+z/(w+x+y+z)之比典型地為0.1-0.99，或者0.5-0.95，或者0.65-0.9。此外，w+x/(w+x+y+z)之比典型地為0.01-0.90，或者0.05-0.5，或者0.1-0.35。當(dāng)R2主要是鏈烯基時(shí)，用上通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的樹(shù)脂(Vi2MeSi01/2)。.25(PhSi03/2)。."、(ViMe2Si01/2)。25(PhSi03/2)0"、(ViMe2Si01/2)。25(MeSi03/2)。25(PhSi03/2)。.5。、(ViMe2Si01/2)。.15(PhSi03/2)。75(Si04/2)0.!和(Vi2MeSiOm)u5(ViMe2SiOv2)u(PhSi03/2)。."，其中Me是甲基，Vi是乙烯基，Ph是苯基，括號(hào)外的數(shù)值下標(biāo)表示摩爾分?jǐn)?shù)，其對(duì)應(yīng)于以上針對(duì)通式(I)所迷的w、x、y或z。在前面的通式中的單元序列決不視為限制本發(fā)明的范圍。當(dāng)R2主要是氬時(shí)，用上通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的樹(shù)脂(HMe2Si01/2)。.25(PhSi03/2)0.75、(HMeSi02/2)。.3(PhSi03/2)。.6(MeSi03/2)。.！和(Me3SiOi/2)。(H2Si02/2)0恭Si03/2)。.4(PhSi03/2)。.4,其中Me是甲基，Ph是苯基，括號(hào)外的數(shù)值下標(biāo)表示摩爾分?jǐn)?shù)，在前面的通式中的單元序列決不視為限制本發(fā)明的范圍。用通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂的數(shù)均分子量(NU典型地為500-50,000，或者500-10，000,或者1000-3000，其中通過(guò)凝膠滲透色鐠法，使用小角激光散射檢測(cè)儀或折射指數(shù)檢測(cè)儀和有機(jī)硅樹(shù)脂(MQ)標(biāo)準(zhǔn)物，測(cè)定分子量。用通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂在25。C下的粘度典型地為0.01-100，OOOPa.s，或者0.1-10，OOOPa.s，或者1-lOOPa.s。用通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂典型地包括小于10%(w/w)，或者小于5%(w/w)，或者小于2%(w/w)與硅鍵合的羥基，這通過(guò)"SiNMR來(lái)測(cè)定。用通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂的制備方法是本領(lǐng)域眾所周知的；許多這些樹(shù)脂可商購(gòu)。典型地通過(guò)在有機(jī)溶劑例如曱苯中共水解氯代硅烷前體的合適混合物，制備用通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂。例如，可通過(guò)在甲苯中共水解通式為Rl、SiCl的第一化合物和通式為R2SiCl3的第二化合物，以形成含水鹽酸和有機(jī)硅樹(shù)脂(它是第一和第二化合物的水解物)，從而制備含Rl、SiOw單元和R2SiO^單元的有機(jī)硅樹(shù)脂，其中R'和112如上定義和例舉。分離含水鹽酸和有機(jī)硅樹(shù)脂，用水洗滌有機(jī)硅樹(shù)脂，以除去殘留的酸，并在溫和的縮合催化劑存在下加熱有機(jī)硅樹(shù)脂，以"稠合"有機(jī)硅樹(shù)脂到所需的粘度，這是本領(lǐng)域已知的。視需要，可在有機(jī)溶劑中用縮合催化劑進(jìn)一步處理有機(jī)硅樹(shù)脂，以降低與硅鍵合的羥基的含量。或者，可共水解含除了氯以外的可水解基團(tuán)例如-Br、-1、-OCH3、-OC(O)CH"-N(CH3)2、-NHCOCH3和-SCH3的第一或第二化合物，形成有機(jī)硅樹(shù)脂。有機(jī)硅樹(shù)脂的性能取決于第一和第二化合物的類型，第一與第二化合物的摩爾比，縮合程度，和加工條件。有機(jī)基硅化合物(B)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子，或者每一分子具有至少三個(gè)與硅鍵合的氫原子。通常要理解，當(dāng)有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)每一分子具有的鏈烯基的平均數(shù)和有機(jī)基硅化合物(B)內(nèi)每一分子具有的與硅鍵合的氫原子的平均數(shù)之和大于4時(shí)，發(fā)生交聯(lián)。在固化之前，有機(jī)基硅化合物(B)的存在量足以固化有機(jī)硅樹(shù)脂(A)。有機(jī)基硅化合物(B)可進(jìn)一步定義為有機(jī)基氫硅烷、有機(jī)基12氫硅氧烷、或其組合。有機(jī)基硅化合物(B)的結(jié)構(gòu)可以是直鏈、支鏈、環(huán)狀或樹(shù)脂結(jié)構(gòu)。在無(wú)環(huán)聚硅烷和聚硅氧烷中，與硅鍵合的氫原子可位于末端、側(cè)鏈或同時(shí)位于末端和側(cè)鏈位置上。環(huán)硅烷和環(huán)硅氧烷典型地具有3-12個(gè)硅原子，或者3-10個(gè)硅原子，或者3-4個(gè)硅原子。有機(jī)基氫硅烷可以是單硅烷、二硅烷、三硅烷或聚硅烷。當(dāng)R2主要是鏈烯基時(shí)，適合于本發(fā)明目的的有機(jī)基氫硅烷的具體實(shí)例包括但不限于二苯基硅烷、2-氯乙基硅烷、雙[(對(duì)二甲基甲硅烷基)苯基]醚、1，4-二甲基二甲硅烷基乙烷、1，3，5-三(二甲基甲硅烷基)苯、1，3,5-三曱基-l，3，5-三硅烷、聚(甲基亞甲硅烷基)亞苯基和聚(曱基亞甲硅烷基)亞甲基。當(dāng)R'主要是氫時(shí)，適合于本發(fā)明目的的有機(jī)基氫硅烷的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的硅烷Vi4Si、PhSiVi3、MeSiVi3、PhMeSiVi2、Ph2SiVi2—PhSi(CH2CH=CH2)3,其中Me是甲基，Ph是苯基，和Vi是乙烯基。有機(jī)基氫硅烷也可具有下式HR、Si-R3-SiR、H(II)其中r如上定義和例舉，和R3是不含脂族不飽和鍵的亞烴基，其具有選自下述結(jié)構(gòu)的通式其中g(shù)為1-6。其中R和R3如上所述和例舉的具有式(II)的有機(jī)基氫硅烷的具體實(shí)例包括但不限于通式選自下述結(jié)構(gòu)的有機(jī)基氫硅烷<image>imageseeoriginaldocumentpage14</image>〖0038]制備有機(jī)基氬硅烷的方法是本領(lǐng)域已知的。例如，可通過(guò)使格氏試劑與烷基或芳基卣化物反應(yīng)，制備有機(jī)基氫硅烷。特別地，可通過(guò)使通式為R3X2的芳基二卣化物與鎂在醚內(nèi)反應(yīng)，產(chǎn)生相應(yīng)的格氏試劑，然后用通式為HR、SiCl的氯代硅烷處理該格氏試劑，從而制備通式為HR、Si-R3-SiR、H的有機(jī)基氫硅烷，其中f和113如上所述和例舉。有機(jī)基氫硅氧烷可以是二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。當(dāng)112主要是氫時(shí)，適合于用作有機(jī)基硅化合物(B)的有機(jī)基硅氧烷的實(shí)例包括但不限于具有下式的硅氧烷PhSi(OSiMe2H)3、Si(OSiMe2H)4、MeSi(0SiMe2H)3和Ph2S"OSiMe2H)2，其中Me是曱基和Ph是苯基。當(dāng)112主要是鏈烯基時(shí)，適合于本發(fā)明目的的有機(jī)基氬硅氧烷的具體實(shí)例包括但不限于1,1，3，3-四曱基二硅氧烷、1，1，3，3-四苯基二硅氧烷、苯基三(二曱基甲硅烷氧基)硅烷、1，3，5-三曱基環(huán)三硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氫硅氧烷)、三甲基曱硅烷氧基封端的聚(二曱基硅氧烷/曱基氫硅氧烷)、二甲基氫曱硅烷氧基封端的聚(曱基氫硅氧烷)，和包括HMe2Si0^單元、Me3SiO^單元和Si04/2單元的樹(shù)脂，其中Me是甲基。有機(jī)基氫硅氧烷也可以是有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂。有機(jī)基氬聚硅氧烷樹(shù)脂典型地為含PJSiO^單元(即T單元)和/或SiOw單元(即Q單元)并結(jié)合R^2SiO^單元(即M單元)和/或R、SiO"2單元(即D單元)的共聚物，其中R4口上所述和例舉。例如，有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂可以是DT樹(shù)脂、MT樹(shù)脂、MDT樹(shù)脂、DTQ樹(shù)脂和MTQ樹(shù)脂，和MDTQ樹(shù)脂、DQ樹(shù)脂、MQ樹(shù)脂、DTQ樹(shù)脂、MTQ樹(shù)脂或MDQ樹(shù)脂。用r表示的基團(tuán)是f或者是具有至少一個(gè)與硅鍵合的氫原子的有機(jī)基甲硅烷基烷基。用r表示的有機(jī)基甲硅烷基烷基包括但不限于通式選自下述結(jié)構(gòu)的基團(tuán)-CH，CH，Me，Si-~~SiMe，H-CH，CH,Me，Si--SiPhMeH-CH,CH,MePhSi~^、)~SiPh，HSiMe2H,-CH2CH2SiMe2H,-CH-2CH2SiMe2CjjH2nSiMe2H,-CH2CH2SiMe2CnH2nSiMePhH，-CH2CH2SiMePhH，-CH2CH2SiPh2H,-CH2CH2SiMePhCnH2nSiPh2H,-CH2CH2SiMePhCnH2nSiMe2H,-CH2CH2SiMePhOSiMePhH，-CH2CH2SiMePhOSiPh(OSiMePhH)2,其中Me是甲基，Ph是苯基，和下標(biāo)n的數(shù)值為2-10。典型地，在有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂中，至少50mol%，或者至少65mol%,或者至少80mo"/。用R4表示的基團(tuán)是具有至少一個(gè)與硅鍵合的氫原子的有機(jī)基甲硅烷基烷基。此處所使用的"在R4內(nèi)有機(jī)基曱硅烷基烷基mor/。"定義為在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)與硅鍵合的有機(jī)基曱硅烷基烷基的摩爾數(shù)與該樹(shù)脂內(nèi)R'基的總摩爾數(shù)之比乘以100。有機(jī)基氬硅氧烷樹(shù)脂的通式典型地為(r^SiO^wO^SiOwh(R4Si03/2)y(Si0v2)z(in),其中R1、R4、w、x、y和z各自如上所述和例舉。用上式(III)表示的有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂的實(shí)例包括但不限于具有下式的樹(shù)脂-CH,CH,MePhSi'16((HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH2)2MeSiO!/2)0.12(PhSiO3/2)0.88,((HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH2)2MeSiO1/2)0.17(phSiO3/2)0.83,((HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH2)2MeSiOm)o.17(MeSiO3/2)0.17(phSi03/2)o.66'((HMe2SiC6H4SiMezCH2CH2)2MeSiOi/2)o.15(phSiC>3/2)0.75(SiO4/2)0.10'and((HMe2SiC6H4SiMe2CH2CH2)2MeSiO!/2)o.08((HMe2SiQiH4SiMe2CH2CH2)Me2SiOi/2)0.06(phSiO3/2)0.86，其中Me是甲基，Ph是苯基，C晶表示對(duì)亞苯基，和在括號(hào)外的數(shù)值下標(biāo)表示摩爾分?jǐn)?shù)。在前面式中的單元順序決不被視為限制本發(fā)明的范圍。可在(c)氫化硅烷化催化劑和任選地(d)有機(jī)溶劑存在下，通過(guò)使含(a)通式為(RR22Si01/2)w(R22Si02/2)x(R2Si03/2)y(Si04/2)z的用上通式(I)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂與(b)每一分子平均具有2-4個(gè)與硅鍵合的氫原子且分子量小于1000的有機(jī)基硅化合物的反應(yīng)混合物反應(yīng)，制備具有式(III)的有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂，其中R1、R2、w、x、y和z各自如上定義和例舉，條件是有機(jī)硅樹(shù)脂(a)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的鏈烯基，和(b)中與硅鍵合的氫原子與(a)中鏈烯基的摩爾比為1.5-5。有機(jī)硅樹(shù)脂(a)與用作組分(A)以形成氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物的特定有機(jī)硅樹(shù)脂可相同或不同。如上所述，有機(jī)基硅化合物(b)每一分子平均具有2-4個(gè)與硅鍵合的氫原子?；蛘撸袡C(jī)基硅化合物(b)每一分子平均具有2-3個(gè)與硅鍵合的氫原子。同樣如上所述，有機(jī)基硅化合物(b)的分子量典型地小于IOOO，或者小于750，或者小于500。有機(jī)基硅化合物(b)進(jìn)一步包括與硅鍵合的有機(jī)基團(tuán)，所述有機(jī)基團(tuán)可選自烴基和卣素取代的烴基，且二者均不含脂族不飽和鍵，它們與以上針對(duì)R'描述和例舉的一樣。有機(jī)基硅化合物(b)可以是有機(jī)基氬硅烷或有機(jī)基氬硅氧烷，其中各自如以上詳細(xì)地定義和例舉的一樣。有機(jī)基硅化合物(b)進(jìn)一步可以是單一的有機(jī)基硅化合物或含兩種或更多種不同的有機(jī)基硅化合物的混合物，其中的各種如上所述。例如；有機(jī)基硅化合物(b)可以是單一的有機(jī)基氫硅烷，兩種不同的有機(jī)基氫硅烷的混合物，單一的有機(jī)基氫硅氧烷，兩種不同的有機(jī)基氫硅氧烷的混合物，或者有機(jī)基氫硅烷與有機(jī)基氫硅氧烷的混合物。在有機(jī)基硅化合物(b)中與硅鍵合的氫原子與有機(jī)硅樹(shù)脂(a)中鏈烯基的摩爾比典型地為1.5-5，或者1.75-3，或者2-2.5。氬化珪烷化催化劑(c)可以是含鉑族金屬(即，鉑、銠、4了、鈀、鋨和銥)或含鈿族金屬的化合物的任何公知的氫化硅烷化催化劑。基于其在氫化硅烷化反應(yīng)中的高活性，鉑族金屬優(yōu)選是鉑。適合于(c)的具體氬化硅烷化催化劑包括氯鉑酸和一些含乙烯基的有機(jī)基硅氧烷的絡(luò)合物，如Willing在美國(guó)專利No.3419593中公開(kāi)的，在此通過(guò)參考引入。這類催化劑是氯鉑酸和1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四曱基二硅氧烷的反應(yīng)產(chǎn)物。氫化硅烷化催化劑也可以是含在其表面上具有鉑族金屬的固體栽體的承載型氬化硅烷化催化劑?？衫缤ㄟ^(guò)過(guò)濾反應(yīng)混合物，方便地分離承載型催化劑與用式(III)表示的有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂。承載型催化劑的實(shí)例包括但不限于在碳上的鉑、在碳上的鈀、在碳上的釕、在碳上的銠、在二氧化硅上的鉑、在二氧化硅上的鈀、在氧化鋁上的鉑、在氧化鋁上的鈀和在氧化鋁上的釕。氬化硅烷化催化劑(c)的濃度足以催化有機(jī)硅樹(shù)脂(a)與有機(jī)基硅化合物(b)的加成反應(yīng)。典型地，基于有機(jī)硅樹(shù)脂(a)與有機(jī)基硅化合物(b)的結(jié)合重量，氫化硅烷化催化劑(c)的濃度足以提供0.1-1000ppm鉑族金屬，或者l-5Q0ppm鉑族金屬，或者5-150ppm鉑族金屬。鉑族金屬在0.lppm以下時(shí)，反應(yīng)速度非常緩慢。使用大于1000ppm的鉑族金屬?zèng)]有導(dǎo)致反應(yīng)速度顯著增加，和因此不經(jīng)濟(jì)。有機(jī)溶劑(d)是至少一種有機(jī)溶劑。有機(jī)溶劑(d)可以是在本發(fā)明方法的條件下不與有機(jī)硅樹(shù)脂(a)、有機(jī)基硅化合物(b)或所得有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)且與組分(a)、(b)和有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂混溶的任何非質(zhì)子或偶極非質(zhì)子有機(jī)溶劑。適合于本發(fā)明目的的有機(jī)溶劑(d)的實(shí)例包括但不限于飽和脂族烴，例如正戊烷、己烷、正庚烷、異辛烷和十二烷；脂環(huán)族烴，例如環(huán)戊烷和環(huán)己烷；芳烴，例如苯、曱苯、二甲苯和1，3，5-三曱基苯；環(huán)醚，例如四氫呋喃(THF)和二喁烷；酮，例如曱基異丁基酮(MIBK);囟代烷烴，例如三氯乙烷；和卣代芳烴，例如溴苯和氯苯。有機(jī)溶劑(d)可以是單一的有機(jī)溶劑或含兩種或更多種不同有機(jī)溶劑的混合物，其中的各種如上所述?；诜磻?yīng)混合物的總重量，有機(jī)溶劑(d)的濃度典型地為0-99%(w/w)，或者30-80%(w/w)，或者45-60%(w/w)?？稍谶m合于氫化硅烷化反應(yīng)的任何標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行形成用式(III)表示的有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂的反應(yīng)。合適的反應(yīng)器包括玻璃和TeHon為襯里的玻璃反應(yīng)器。優(yōu)選地，該反應(yīng)器配有攪動(dòng)，例如攪拌設(shè)備。此外，優(yōu)選地，在惰性氛圍，例如氮?dú)饣驓鍤庀?，在不存在濕氣的情況下進(jìn)行反應(yīng)?？砂凑杖魏雾樞蚪Y(jié)合有機(jī)硅樹(shù)脂(a)、有機(jī)基硅化合物(b)、氬化硅烷化催化劑(c)和任選地有機(jī)溶劑(d)。典型地，在引入有機(jī)硅樹(shù)脂(a)和任選地有機(jī)溶劑(d)之前結(jié)合有機(jī)基硅化合物(b)和氫化硅烷化催化劑(c)。典型地在0-150。C，或者室溫(23t:土2°C)-U5°C的溫度下進(jìn)行反應(yīng)。當(dāng)溫度小于Q'C時(shí)，反應(yīng)速度典型地非常緩慢。反應(yīng)時(shí)間取決于數(shù)個(gè)因素，例如有機(jī)硅樹(shù)脂(a)和有機(jī)基硅化合物(b)的結(jié)構(gòu)以及溫度。在室溫(23。C土2。C)-150。C的溫度下反應(yīng)時(shí)間典型地為1-24小時(shí)。最佳的反應(yīng)時(shí)間可通過(guò)常規(guī)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。要理解，在基底上形成硅氧烷層的過(guò)程中，典型地使用各種已知方法，將硅氧烷組合物施加到基底上，之后如上所述進(jìn)行反應(yīng)?？稍诓环蛛x或純化的情況下使用用式(III)表示的有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂，或者可通過(guò)常規(guī)的蒸發(fā)方法分離有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂與大多數(shù)有機(jī)溶劑(d)。例如，可減壓加熱反應(yīng)混合物。而且，當(dāng)氫化硅烷化催化劑(c)是以上所述的承載型催化劑時(shí)，可通過(guò)過(guò)濾反應(yīng)混合物，容易地分離有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂與氫化硅烷化催化劑(c)。然而，氬化硅烷化催化劑可保持與有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂混合并用作氬化硅烷化催化劑(C)。有機(jī)基硅化合物(B)可以是單一的有機(jī)基硅化合物或含兩種或更多種不同的有機(jī)基硅化合物的混合物，其中的各種如上所述。例如，有機(jī)基硅化合物(B)可以是單一的有機(jī)基氫硅烷，兩種不同的有機(jī)基氫硅烷的混合物，單一的有機(jī)基氫硅氧烷，兩種不同的有機(jī)基氫硅氧烷的混合物，或者有機(jī)基氫硅烷與有機(jī)基氫硅氧烷的混合物。特別地，有機(jī)基硅化合物(B)可以是含基于有機(jī)基硅化合物(B)的總重量用量為至少0.5y。(w/w)或者至少50。/。(w/w)或者至少75Mw/w)具有式(in)的有機(jī)基氬聚硅氧烷樹(shù)脂與進(jìn)一步含有機(jī)基氫硅烷和/或有機(jī)基氬硅氧烷的有機(jī)基硅化合物(B)的混合物，其中上述有機(jī)基氫硅氧烷不同于有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂。(A)。有機(jī)基硅化合物(B)的確切用量取決于所需的固化程度。以每摩爾在有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)的與硅鍵合的鏈烯基計(jì)，有機(jī)基硅化合物(B)的濃度典型地足以提供0.4-2mo1與硅鍵合的氫原子，或者0.8-1.5mo1與硅鍵合的氫原子，或者0.9-1.lmol與硅鍵合的氫原子。氬化硅烷化催化劑(C)包括促進(jìn)有機(jī)硅樹(shù)脂(A)與有機(jī)基硅化合物(B)之間反應(yīng)的至少一種氫化硅烷化催化劑。在一個(gè)實(shí)施方案中，氫化硅烷化催化劑(C)可以是與以上針對(duì)生產(chǎn)有機(jī)基氫聚硅氧烷樹(shù)脂所述的氫化硅烷化催化劑(C)相同。另外，氫化硅烷化催化劑(C)也可以是含微包封的鉑族金屬的催化劑，它包括包封在熱塑性樹(shù)脂內(nèi)的鉑族金屬。微包封的氫化硅烷化催化劑及其制備方法是本領(lǐng)域眾所周知的，例如如美國(guó)專利No.4766176和其內(nèi)引證的參考文獻(xiàn)以及美國(guó)專利No.5017654所例舉。氫化硅烷化催化劑(C)可以是單一的催化劑或含至少一種性能例如結(jié)構(gòu)、形式、鉑族金屬、絡(luò)合配體和熱塑性樹(shù)脂不同的兩種或更多種不同的催化劑的混合物。在另一實(shí)施方案中，氫化硅烷化催化劑(C)可以是至少一種光活化的氫化硅烷化催化劑。光活化的氬化硅烷化催化劑可以是當(dāng)暴露于波長(zhǎng)為150-800nm的輻射線下時(shí)能催化有機(jī)硅樹(shù)脂(A)與有機(jī)基硅化合物(B)的氫化硅烷化反應(yīng)的任何氬化硅烷化催化劑。光活化的氫化硅烷化催化劑可以是含鉑族金屬或含鉑族金屬的化合物的任何眾所周知的氫化硅烷化催化劑。鉑族金屬包括鉑、銠、釕、鈀、鋨和銥。基于其在氫化硅烷化反應(yīng)中的高活性，鉑族金屬典型地為鉑?？赏ㄟ^(guò)常規(guī)實(shí)驗(yàn)容易地確定用在本發(fā)明的硅氧烷組合物中特定的光活化的氫化硅烷化催化劑的合適性。適合于本發(fā)明目的的光活化的氫化硅烷化催化劑的具體實(shí)例包括但不限于)p-二酮根合鉑(n)絡(luò)合物，例如雙(2，4-戊二酮根)合賴(II)、雙(2，4-己二酮根)合鉑(II)、雙(2，4-庚二酮根)合鉑(II)、雙(l-苯基-l，3-丁二酮根)合鉑(II)、雙(l，3-二苯基-l，3-丙二酮根)合鉬(II)、雙(1，1,1，5,5，5-六氟-2，4-戊二酮根)合鉑(II)、(Ti-環(huán)戊二烯基)三烷基鉑絡(luò)合物，例如(Cp)三甲基鉑、(Cp)乙基二甲基鉑、(Cp)三乙基鉑、(氯代-Cp)三甲基鉑和(三甲基甲硅烷基-Cp)三甲基鈾，其中Cp表示環(huán)戊二烯基；三氮烯氧化物-過(guò)渡金屬絡(luò)合物，例如Pt[C6H5NNNOCH3]4、Pt[p-CN-CJ^NMOCJn]"Pt[p-H3COC6H4NMOC6H]4、Pt[p-CH3(CH2)x-C6H4NNNOCH3]4、1，5-環(huán)辛二烯.Pt[p-CN-C6H4NNNOC6H]2、1，5-環(huán)辛二烯Pt[p-CH30-C6H4NNNOCH3]2、[(C6H5)3P]3Rh[p-CN-C6H4NNNOC6H]和Pd[p-CH3(CH2)x-C6H4NNNOCH3]"其中x為1、3、5、11或17;(n-二烯烴)(cj-芳基)鉑絡(luò)合物，例如(HM，5-環(huán)戊二烯基)二苯基鉑、(n[I,3，5，7-環(huán)辛四烯基)二苯基鉑、(n4-2，5-降冰片二烯基)二苯基鉑、(n4-1，5-環(huán)辛二烯基)雙-(4-二甲基氨基苯基)鉑、(n4-1，5-環(huán)辛二烯基)雙-(4-乙?；交?鉑和(n4-1，5-環(huán)辛二烯基)雙-(4-三氟甲基苯基)鉑。優(yōu)選地，光活化的氫化硅烷化催化劑是P-二酮根合Pt(II)絡(luò)合物，和更優(yōu)選催化劑是雙(2，4-戊二酮根)合鉑(II)。氬化硅烷化催化劑(C)可以是單一的光活化氫化硅烷化催化劑或含兩種或更多種不同的光活化氫化硅烷化催化劑的混合物。制備光活化的氫化硅烷化催化劑的方法是本領(lǐng)域眾所周知的。例如，Guo等人(ChemistryofMaterials,1998，10,531-536)報(bào)道了制備P-二酮根合Pt(II)絡(luò)合物的方法。美國(guó)專利No.4510094中公開(kāi)了制備(n-環(huán)戊二烯基)三烷基鉑絡(luò)合物的方法。美國(guó)專利No.5496961公開(kāi)了制備三氮烯氧化物-過(guò)渡金屬絡(luò)合物的方法。美國(guó)專利No.4530879中公開(kāi)了制備(n-二烯烴)(a-芳基)鉑絡(luò)合物的方法。氫化硅烷化催化劑(C)的濃度足以催化有機(jī)硅樹(shù)脂(A)與有機(jī)基硅化合物(B)之間的加成反應(yīng)?；谟袡C(jī)硅樹(shù)脂(A)與有機(jī)基硅化合物(B)的結(jié)合重量，氫化硅烷化催化劑(C)的濃度足以典型地提供0.l-lQQGppm鉑族金屬，或者0.5-lGGppm鉑族金屬，或者1-25ppm鉑族金屬。任選地，氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物進(jìn)一步包含(D)通式選自下述的硅橡膠(intSiOa^SiOhSiR^R1和(ii)R5R、SiO(rR5SiO)bSiR、R5,其中R'和R2如上所定義和例舉的一樣，R5是r或-H，下標(biāo)a和b的數(shù)值各自為1-4，2-4或者2-3，和w、x、y和z也如以上所定義和例舉的一樣，條件是有機(jī)硅樹(shù)脂和硅橡膠(D)(i)每一分子各自平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的鏈烯基，硅橡膠(D)(ii)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子，和在硅橡膠(D)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基或與硅鍵合的氫原子與有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾比為0.01-0.5。適合于用作組分(D)(i)的硅橡膠的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的硅橡膠ViMe2SiO(Me2SiO)aSiMe2Vi、ViMe2SiO(Ph2SiO)aSiMe2Vi和ViMe2SiO(PhMeSiO)aSiMe2Vi，其中Me是甲基，Ph是苯基，Vi是乙烯基，和下標(biāo)a的數(shù)值為1-4。硅橡膠(D)(i)可以是單一的硅橡膠或含兩種或更多種不同的硅橡膠的混合物，其中各自滿足(D)(i)的通式。適合于用作硅橡膠(D)(ii)的硅橡膠的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的硅橡膠HMe2SiO(Me2SiO)bSiMe2H、HMe2SiO(Ph2SiO)bSiMe2H、HMe2SiO(PhMeSiO)bSiMe2H，和HMe2SiO(Ph2SiO)2(Me2SiO)2SiMe2H,其中Me是甲基，Ph是苯基，和下標(biāo)b的數(shù)值為l-4。組分(D)(ii)可以是單一的硅橡膠或含兩種或更多種不同的硅橡膠的混合物，其中各自滿足(D)(ii)的通式。在硅橡膠(D)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基或與硅鍵合的氫原子與有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾比典型地為0.01-0.5,或者0.05-0.4，或者0.l-O.3。當(dāng)硅橡膠(D)是(D)(i)時(shí)，有機(jī)基硅化合物(B)的濃度使得有機(jī)基硅化合物(B)內(nèi)與硅鍵合的氫原子的摩爾數(shù)與有機(jī)硅樹(shù)脂(A)和硅橡膠(D)(i)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾數(shù)之和的比典型地為0.4-2，或者0.8-1.5，或者0.9-1.1。此外，當(dāng)硅橡膠(D)是(D)(ii)時(shí)，有機(jī)基硅化合物(B)的濃度使得有機(jī)基硅化合物(B)和硅橡膠(D)(ii)內(nèi)與硅鍵合的氫原子的摩爾數(shù)之和與有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾數(shù)的比典型地為0.4-2,或者0.8-1.5，或者0.9-1.1。制備含與硅鍵合的鏈烯基或與硅鍵合的氫原子的硅橡膠的方法是本領(lǐng)域眾所周知的，許多這些化合物可商購(gòu)。在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物包含在(C)催化量的氫化硅烷化催化劑存在下(A')橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂和有機(jī)基硅化合物(B)的反應(yīng)產(chǎn)物。可在氫化硅烷化催化劑(c)和任選地有機(jī)溶劑存在下通過(guò)使有機(jī)硅樹(shù)脂(A)與具有下式的硅橡膠(D)(iii)反應(yīng),制備(A')橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂RSRSSiOWSiOhSiRSR5,R丄R、SiO(R22SiO)dSiR、R1其中W和Rs如上所定義和例舉的一樣，以及c和d各自的數(shù)值為4到1000，或者10-500，或者10-50，條件是有機(jī)硅樹(shù)脂(A)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的鏈烯基，硅橡膠(D)(iii)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子，和硅橡膠(D)(iii)內(nèi)與硅鍵合的硅原子與有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾比為0.01-0.5。當(dāng)存在有機(jī)溶劑時(shí)，橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')在有機(jī)溶劑內(nèi)混溶且沒(méi)有形成沉淀物或懸浮體?？赏ㄟ^(guò)任何順序結(jié)合有機(jī)硅樹(shù)脂(A)、硅橡膠(D)(iii)、氫化硅烷化催化劑(c)和有機(jī)溶劑。典型地，在引入氫化硅烷化催化劑(c)之前，結(jié)合有機(jī)硅樹(shù)脂(A)、硅橡膠(D)(iii)和有機(jī)溶劑。典型地在室溫(~23。C±2。C)-150。C,或者室溫到IOO'C的溫度下進(jìn)行反應(yīng)。反應(yīng)時(shí)間取決于數(shù)個(gè)因素，其中包括有機(jī)硅樹(shù)脂(A)和硅橡膠(D)(iii)的結(jié)構(gòu)以及溫度。典型地允許各組分反應(yīng)足以完成氫化硅烷化反應(yīng)的時(shí)間段。這意味著典型地允許各組分反應(yīng)，直到至少95mol%，或者至少98mol%，或者至少99mol。/。最初存在于硅橡膠(D)(iii)內(nèi)的與硅鍵合的氫原子已在氫化硅烷化反應(yīng)中被消耗，這通過(guò)FTIR光譜來(lái)測(cè)定。在室溫(23。C±2。C)-100。C的溫度下，反應(yīng)時(shí)間典型地為0.5-24小時(shí)。最佳反應(yīng)時(shí)間可通過(guò)常規(guī)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。要理解，在基底上形成硅氧烷層的過(guò)程中，典型地使用各種已知方法，將硅氧烷組合物施加到基底上，之后如上所述進(jìn)行反應(yīng)。硅橡膠(D)(iii)內(nèi)與硅鍵合的氫原子與有機(jī)硅樹(shù)脂(A)內(nèi)與硅鍵合的鏈烯基的摩爾比典型地為0.01-0.5，或者0.05-0.4，或者0.1-0.3。氬化硅烷化催化劑(c)的濃度足以催化有機(jī)硅樹(shù)脂(A)與硅橡膠(D)(iii)的加成反應(yīng)。典型地，基于樹(shù)脂與橡膠的結(jié)合重量，氫化硅烷化催化劑(c)的濃度足以提供0.1-1000ppm鉑族金屬。基于反應(yīng)混合物的總重量，有機(jī)溶劑的濃度典型地為0-95%(w/w),或者10-75%(w/w),或者40-60%(w/w)。可在不分離或純化的情況下使用橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')，或者可通過(guò)常規(guī)的蒸發(fā)方法分離橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')與大多數(shù)溶劑。例如，可減壓加熱反應(yīng)混合物。而且，當(dāng)氫化硅烷化催化劑(c)是以上所述的承載型催化劑時(shí)，可通過(guò)過(guò)濾反應(yīng)混合物，容易地分離橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')與氫化硅烷化催化劑(c)。然而，當(dāng)不分離橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')與制備橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')所使用的氫化硅烷化催化劑(c)時(shí)，氳化硅烷化催化劑(c)可用作氫化硅烷化催化劑(C)。本發(fā)明的氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物可包含本領(lǐng)域已知的額外的成分。額外成分的實(shí)例包括但不限于氫化硅烷化催化劑的抑制劑，例如3-甲基-3-戊烯-l-炔、3，5-二甲基-3-己烯-l-炔、3，5-二曱基-l-己炔-3-醇、l-乙炔基-l-環(huán)己醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、乙烯基環(huán)硅氧烷和三苯基膦；粘合促進(jìn)劑，例如在美國(guó)專利Nos.4087585和5194649中教導(dǎo)的粘合促進(jìn)劑；抗氧化劑；熱穩(wěn)定劑；UV穩(wěn)定劑；流動(dòng)控制添加劑；和稀釋劑，例如有機(jī)溶劑和反應(yīng)性稀釋劑。在基底上形成硅氧烷層的過(guò)程中，抑制劑特別可用于硅氧烷組合物中。抑制劑允許在樹(shù)脂、有機(jī)基硅化合物和催化劑一起混合之后控制硅氧烷組合物的固化。抑制劑提供充足的操作時(shí)間，使得在膠凝之前能施加硅氧烷組合物到基底上，和最終固化該硅氧烷組合物。作為氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物的替代，縮合固化的硅氧烷組合物也適合于作為本發(fā)明的硅氧烷組合物?？s合固化的硅氧烷組合物典型地包含具有與硅鍵合的羥基或可水解基團(tuán)的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)和任選地具有與硅鍵合的可水解基團(tuán)的交聯(lián)劑(B')和任選地縮合催化劑(C')的反應(yīng)產(chǎn)物。有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)典型地是含T和/或Q硅氧烷單元結(jié)合M和/或D硅氧烷單元的共聚物。縮合固化的硅氧烷組合物可以是本領(lǐng)域已知的任何縮合固化的硅氧烷組合物。然而，一些縮合固化的硅氧烷組合物可尤其適合于本發(fā)明的目的。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)具有下式O^R^SiO^h'O^SiOwh,(R6Si03/2)y,(Si04/2)z,(IV)其中R'如上定義和例舉的一樣，R6是R1、-H、-OH或可水解基團(tuán)，和w'為0-0.8，優(yōu)選O.02-0.75,和更優(yōu)選0.05-0.3，x'為0-0.95,優(yōu)選O.05-0.8，和更優(yōu)選O.1-0.3，y'為0-1,優(yōu)選0.25-0.8，和更優(yōu)選0.5-0.8,和z'為0-0.99，優(yōu)選0.2-0.8,和更優(yōu)選0,4-0.6，和有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子，幾基，或可水解基團(tuán)。此處所使用的術(shù)語(yǔ)"可水解基團(tuán)"是指在不存在催化劑的情況下在室溫(~23±2。C)-100。C的任何溫度下使與硅鍵合的基團(tuán)與水在數(shù)分鐘例如30分鐘內(nèi)反應(yīng)形成硅烷醇基(SiOH)。用R6表示的可水解基團(tuán)的實(shí)例包括但不限于-Cl、-Br、-OR'、-OCH2CH2OR7、CH3C(=0)0-、Et(Me)C-N-O-、CH3C(=0)N(CH3)-和-ONH2，其中IT是C「Cs烴基或C「C8卣素取代的烴基。用R'表示的蜂基和卣素取代的烴基典型地具有1-8個(gè)碳原子，或者3-6個(gè)碳原子。含至少3個(gè)碳原子的無(wú)環(huán)烴基和囟素取代的烴基可具有支化或未支化的結(jié)構(gòu)。用R'表示的烴基包括但不限于未支化和支化的烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、l-曱基丙基、2-曱基丙基、l，l-二曱基乙基、戊基、1-甲基丁基、l-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二曱基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基和辛基；環(huán)烷基，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和甲基環(huán)己基；苯基；烷芳基，例如曱苯基和二甲苯基；芳烷基，例如芐基和苯乙基；鏈烯基，例如乙烯基、烯丙基和丙烯基；芳基烯基，例如苯乙烯基；和炔基，例如乙炔基和丙炔基。用R'表示的卣素取代的烴基的實(shí)例包括但不限于3，3，3-三氟丙基、3-氯丙基、氯苯基和二氯苯基。典型地，至少5mol%，或者至少15mol%，或者至少30mol%在有機(jī)硅樹(shù)脂內(nèi)的R6基是氫、羥基或可水解基團(tuán)。此處所使用的"在R6內(nèi)的mo1%基團(tuán)，，定義為在有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)內(nèi)與硅鍵合的基團(tuán)的摩爾數(shù)與在該有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)內(nèi)的116基的總摩爾數(shù)之比乘以100。由有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)形成的固化的有機(jī)硅樹(shù)脂的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的固化的有機(jī)硅樹(shù)脂(MeSi03/2)n、(PhSi03/2)n、(Me3Si01/2)08(Si04/2)0.2、(Me3Si03/2)。67(PhSi03/2)。.33、(MeSi03/2)。45(PhSi03/2)。.4。(Ph2Si02/2)01(PhMeSi0w)。。5、(PhSi03/2)。4(MeSi03/2)。45(PhSi03/2)01(PhMeSi02/2)。.。5和(PhSiOw)。.4(MeSi03/2)。."PhMeSiOw)。.5，其中Me是曱基，Ph是苯基，括號(hào)外的數(shù)值下標(biāo)表示摩爾分?jǐn)?shù)，下標(biāo)n的數(shù)值使得該有機(jī)硅樹(shù)脂的數(shù)均分子量為500-50，000。在前面的通式中的單元序列決不視為限制本發(fā)明的范圍。如上所述，用式(IV)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)的數(shù)均分子量(Mn)典型地為500-50，000?；蛘撸袡C(jī)硅樹(shù)脂(A〃)的Mn可以是至少300，或者1000-3000，其中通過(guò)凝膠滲透色錯(cuò)法，使用小角激光散射檢測(cè)儀或者折射指數(shù)檢測(cè)儀和有機(jī)硅樹(shù)脂(MQ)標(biāo)準(zhǔn)物，測(cè)定該分子量。有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)在25。C下的粘度典型地為0.OlPa.s到固體，或者0.1-100，OOOPa.s，或者l-1000Pa.s。用式(IV)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)的制備方法是本領(lǐng)域眾所周知的；許多這些樹(shù)脂可商購(gòu)。典型地通過(guò)在有機(jī)溶劑例如甲苯中共水解氯代硅烷前體的合適混合物，制備用式(IV)表示的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)。例如，可通過(guò)共水解通式為RfjiCl的第一化合物和通式為R6SiCh的第二化合物，制備含Rf2SiOm單元和1163103/2單元的有機(jī)硅樹(shù)脂，其中R'和R6如上定義和例舉。共水解工藝如以上針對(duì)氫化硅烷化固化的有機(jī)硅樹(shù)脂所述的一樣?？蛇M(jìn)一步"稠合"共水解的反應(yīng)物到所需程度，以控制可交聯(lián)基的含量與粘度。在式(IV)中Q單元可以是有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)內(nèi)的離散顆粒形式。粒度典型地為1納米-20微米。這些顆粒的實(shí)例包括但不限于直徑為15納米的二氧化硅(SiOv2)顆粒?？s合固化的硅氧烷組合物可進(jìn)一步含有無(wú)機(jī)填料，例如二氧化硅、氧化鋁、碳酸鉤和云母。取決于復(fù)合制品所打算的用途，填料的粒度可優(yōu)選低于可見(jiàn)光的波長(zhǎng)。另外，當(dāng)使用填料時(shí)，優(yōu)選采用合適的措施來(lái)防止在施加硅氧烷組合物到基底上的過(guò)程中或者在硅氧烷組合物固化的過(guò)程中顆粒聚集。在另一實(shí)施方案中，縮合固化的硅氧烷組合物包含橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃')和其他任選的組分的反應(yīng)產(chǎn)物?？稍谒?iv)縮合催化劑和(v)有機(jī)溶劑存在下，通過(guò)使選自(i)通式為(RiR、SiOv2)w(R62Si02/丄(R6Si03")y(SiOv2)z的有機(jī)硅樹(shù)脂和(ii)(i)的可水解前體中的有機(jī)基硅化合物與(iii)通式為R、SiO(RfSiO)mSiR83的硅橡膠反應(yīng)制備橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃')，其中IT和W如上定義和例舉，Rs是R'或可水解基團(tuán)，m為2-1000，或者4-500，或者8-400,和w、x、y和z如上所定義和例舉，和有機(jī)硅樹(shù)脂(i)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的羥基或可水解基團(tuán)，硅橡膠(iii)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的可水解基團(tuán)，且硅橡膠(iii)內(nèi)與硅鍵合的可水解基團(tuán)與有機(jī)硅樹(shù)脂(i)內(nèi)與硅鍵合的羥基或可水解基團(tuán)的摩爾比為0.01-1.5，或者O.05-0.8，或者Q.2-0.5。典型地，至少5mol%，或者至少15mol°/。，或者至少30mol%在有機(jī)硅樹(shù)脂(i)內(nèi)的116基是羥基或可水解基團(tuán)。有機(jī)硅樹(shù)脂(i)的數(shù)均分子量(Mn)典型地為至少300，或者500-10,000，或者1000-3000,其中通過(guò)凝膠滲透色譜法，使用小角激光散射檢測(cè)儀或者折射指數(shù)檢測(cè)儀和有機(jī)硅樹(shù)脂(MQ)標(biāo)準(zhǔn)物，測(cè)定該分子量。由有機(jī)硅樹(shù)脂(i)形成的固化的有機(jī)硅樹(shù)脂的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的固化的有機(jī)硅樹(shù)脂(MeSi03/2)n、(PhSi03/2)n、(PhSi03/2)。.4(MeSi03/2)。."(PhSi03/2)0^PhMeSi02/2)。.。5和(PhSi03/2)。.3(Si04/2)。.丄(Me2Si02/2)。.2(Ph2Si02/2)。力其中Me是甲基，Ph是苯基，括號(hào)外的數(shù)值下標(biāo)表示摩爾分?jǐn)?shù)，下標(biāo)n的數(shù)值使得該有機(jī)硅樹(shù)脂的數(shù)均分子量為500-50,000。在前面的通式中的單元序列決不視為限制本發(fā)明的范圍。有機(jī)硅樹(shù)脂(i)可以是單一的有機(jī)硅樹(shù)脂或含兩種或更多種不同的有機(jī)硅樹(shù)脂的混合物，其中的各種具有規(guī)定的通式。此處所使用的術(shù)語(yǔ)"可水解前體"是指適合于用作制備有機(jī)硅樹(shù)脂(i)的起始材料(前體)的具有可水解基團(tuán)的硅烷。可水解的前體(ii)可用下述通式為代表irR、SiX、R82SiX2、R8SiX3—SiX4，其中R1、R8和X如上所定義和例舉?？伤獾那绑w(ii)的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的硅烷Me2ViSiCl、Me3SiCl、MeSi(OEt)3、PhSiCl3、MeSiCl3、Me2SiCl2、PhMeSiCh、SiCh、Ph2SiCl2、PhSi(OMe)3、MeSi(OMe)3、PhMeSi(OMe)2和Si(OEt),，其中Me是甲基，Et是乙基，和Ph是苯基。硅橡膠(iii)的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的硅橡膠(EtO)3SiO(Me2SiO)55Si(OEt)"(EtO)3SiO(Me2SiO)"Si(0Et)3和(EtO)3SiO(Me2SiO)386Si(OEt)3和(EtO)2MeSiO(Ph—MeSiO)10SiMe(0Et)2，其中Me是甲基，Et是乙基。典型地在從室溫(~23±2。C)-180。C，或者從室溫到100'C的溫度下進(jìn)行該反應(yīng)。反應(yīng)時(shí)間取決于幾個(gè)因素，其中包括有機(jī)硅樹(shù)脂(i)和硅橡膠(iii)的結(jié)構(gòu)以及溫度。典型地允許各組分反應(yīng)的時(shí)間段足以完成縮合反應(yīng)。這意味著允許各組分反應(yīng)直到至少95moiy。，或者至少98mol%,或者至少99mol。/。最初存在于硅橡膠(iii)內(nèi)的與硅鍵合的可水解基團(tuán)已在縮合反應(yīng)中消耗掉，這通過(guò)"Si賜R光語(yǔ)法來(lái)測(cè)定。在室溫(~23土2。C)-100。C的溫度下，反應(yīng)時(shí)間典型地為1-30小時(shí)?？赏ㄟ^(guò)常規(guī)實(shí)驗(yàn)測(cè)定最佳反應(yīng)時(shí)間。要理解，在基底上形成硅氧烷層的過(guò)程中，典型地使用各種已知方法，將硅氧烷組合物施加到基底上，之后如上所述進(jìn)行反應(yīng)。以下進(jìn)一步描述了合適的縮合催化劑(iv)，且合適的有機(jī)溶劑(v)如以上針對(duì)橡膠改性的有機(jī)硅樹(shù)脂(A')所述的一樣。縮合催化劑(iv)的濃度足以催化有機(jī)硅樹(shù)脂(i)與硅橡膠(iii)的縮合反應(yīng)。典型地，基于有機(jī)硅樹(shù)脂(i)的重量，縮合催化劑(iv)的濃度為0.01-2%(w/w)，或者0.01-l%(w/w)，或者0.05-0.2%(w/w)。基于反應(yīng)混合物的總重量，有機(jī)溶劑(v)的濃度典型地為10-95%(w/w)，或者20-85°/。(w/w)，或者50-80%(w/w)。在反應(yīng)混合物內(nèi)水的濃度取決于在有機(jī)基硅化合物內(nèi)R8基的性質(zhì)和在硅橡膠內(nèi)與硅鍵合的可水解基團(tuán)的性質(zhì)。當(dāng)有機(jī)硅樹(shù)脂(i)含有可水解基團(tuán)時(shí)，水的濃度足以進(jìn)行有機(jī)硅樹(shù)脂(i)和硅橡膠(iii)內(nèi)的可水解基團(tuán)的水解。例如，以每摩爾結(jié)合的有機(jī)硅樹(shù)脂(i)和硅橡膠(iii)內(nèi)的可水解基團(tuán)計(jì)，水的濃度典型地為0.01-3摩爾，或者O.05-l摩爾。當(dāng)有機(jī)硅樹(shù)脂(i)不含可水解基團(tuán)時(shí)，在反應(yīng)混合物內(nèi)要求僅僅痕量，例如100ppm的水。痕量的水通常存在于反應(yīng)物和/或溶劑內(nèi)。如上所述，縮合固化的硅氧烷組合物可進(jìn)一步包含交聯(lián)劑(B')的反應(yīng)產(chǎn)物。交聯(lián)劑(B')的通式可以是R7qSiX4-q;其中R'是C廣Cs烴基或d-Cs面素取代的烴基，X是可水解基團(tuán)，和q為O或l。用R7表示的烴基和S素取代的烴基，以及用X表示的可水解基團(tuán)如上所述和例舉的一樣。交聯(lián)劑(B')的具體實(shí)例包括但不限于烷氧基硅烷，例如MeSi(OCH3)3、CH3S"OCH2CH3)3、CH3Si(OCH2CH2CH3)3、CH3Si3、Si[-O-N-C(CH3)CH2CH3]4和CH產(chǎn)CHSi[-O-N-C(CH3)CH2CH3]3;有機(jī)基乙酰胺基硅烷，例如CH3Si[匿(=0)CH3]3和C6H5Si[NHC(=0)CH3]3;氨基硅烷，例如CH3Si[NH(s-C4H9)]3和CH3Si(NHC6HU)3;和有機(jī)基氨基氧基硅烷。交聯(lián)劑(B')可以是單一的硅烷或含兩種或更多種不同硅烷的混合物，其中的各種如上所述。此外，制備三官能和四官能的硅烷的方法是本領(lǐng)域眾所周知的；許多這些硅烷可商購(gòu)。若使用的話，在形成縮合固化的硅氧烷組合物之前，交聯(lián)劑(B')的濃度足以固化(交聯(lián))該縮合固化的有機(jī)硅樹(shù)脂。交聯(lián)劑(B')的確切用量取決于所需的固化程度，其通常隨交聯(lián)劑(B')內(nèi)與硅鍵合的可水解基團(tuán)的摩爾數(shù)與有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)內(nèi)與硅鍵合的氫原子、羥基或可水解基團(tuán)的摩爾數(shù)之比增加而增加。典型地，交聯(lián)劑(B')的濃度足以提供0.2-4摩爾與硅鍵合的可水解基團(tuán)/摩爾在有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)內(nèi)與硅鍵合的氫原子、羥基或可水解基團(tuán)。可通過(guò)常規(guī)試驗(yàn)容易地確定交聯(lián)劑(BO的最佳量?？s合催化劑(C')可以是典型地促進(jìn)與硅鍵合的羥基(硅烷醇基)縮合形成Si-O-Si鍵所使用的任何縮合催化劑。縮合催化劑的實(shí)例包括但不限于胺；以及鉛、錫、鋅和鐵與羧酸的絡(luò)合物。特別地，縮合催化劑(C')可以選自錫(II)和錫(IV)化合物，例如二月桂酸錫、二辛酸錫和四丁錫；和鈥化合物，例如四丁醇鈦。若存在的話，基于有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)的總重量，縮合催化劑(C')的濃度典型地為0.l-10%(w/w)，或者0.5-5%(w/w)，或者l-3%(w/w)。當(dāng)在縮合催化劑(C')存在下形成縮合固化的硅氧烷組合物時(shí)，典型地由兩部分組合物形成縮合固化的硅氧烷組合物，其中有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)和縮合催化劑(C')在單獨(dú)的部分內(nèi)。為了形成硅氧烷層，有機(jī)珪樹(shù)脂和催化劑優(yōu)選一起共混，形成硅氧烷組合物，然后施加該以烷組合物所述的那些類似的條件下固化，且以上針對(duì)氫化硅烷化固化的有機(jī)硅樹(shù)脂所述的額外的成分。在再一實(shí)施方案中，硅氧烷組合物可以是自由基固化的硅氧烷組合物。自由基固化的硅氧烷組合物的實(shí)例包括過(guò)氧化物固化的硅氧烷組合物，含自由基光引發(fā)劑的輻射固化的硅氧烷組合物，和高能輻射固化的硅氧烷組合物。典型地，自由基固化的硅氧烷組合物包含有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)和任選地交聯(lián)劑(B〃)和/或自由基引發(fā)劑(C〃)(例如自由基光引發(fā)劑或有機(jī)過(guò)氧化物)的反應(yīng)產(chǎn)物。有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)可以是可通過(guò)選自(i)在自由基光引發(fā)劑存在下暴露有機(jī)硅樹(shù)脂于波長(zhǎng)為150-800nm的輻射線下，(ii)在有機(jī)過(guò)氧化物存在下加熱有機(jī)硅樹(shù)脂(A'〃')，和(iii)暴露有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)于電子束下中的至少一種方法固化(即交聯(lián))的任何有機(jī)硅樹(shù)脂。有機(jī)硅樹(shù)脂(A'〃')典型地是含T硅氧烷單元和/或Q硅氧烷單元結(jié)合M和/或D硅氧烷單元的共聚物。例如，有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)可具有下式:(R^SH(R92Si02/2)x〃(R9Si03/2)y〃(SiOw)z〃其中P。如上定義和例舉的一樣，P是R1、鏈烯基或炔基，w〃是0-0.99，x〃是0-0.99，y〃是0-0.99，和z〃是0-0.85，和w〃+x〃+y〃+z〃=l。用119表示的鏈烯基可以相同或不同，如以上f的說(shuō)明中定義和例舉的一樣。用R'表示的炔基可以相同或不同，典型地具有2-約10個(gè)碳原子，或者2-6個(gè)碳原子，且例舉但不限于乙炔基、丙炔基、丁炔基、己炔基和辛炔基。有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)的數(shù)均分子量(NU典型地為至少300，或者500-10，000，或者1000-3000，其中通過(guò)凝膠滲透色語(yǔ)法，使用折射指數(shù)檢測(cè)儀和有機(jī)硅樹(shù)脂(MQ)標(biāo)準(zhǔn)物，測(cè)定分子量。有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)可含有小于10%(w/w)，或者小于5%(w/w)，或者小于2%(w/w)與硅鍵合的羥基，這通過(guò)"SiNMR來(lái)測(cè)定。適合于本發(fā)明目的的有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)的實(shí)例包括但不限于具有下式的有機(jī)硅樹(shù)脂(Vi2MeSi01/2)。.25(PhSi03/2)。.75、(ViMe2Si01/2)?！?(PhSi03/2)0、(ViMe2SiO/2)。.25(MeSi03/2)0.25(PhSi03/2)。.5。、(ViMe2Si01/2)。.〗5(PhSi03/2)075(Si04/2)01和(V2MeSiOw)u5(ViMe2SiO巾)o.i(PhSi03/2)。.75,其中Me是曱基，Vi是乙烯基，Ph是苯基，括號(hào)外的數(shù)值下標(biāo)表示摩爾分?jǐn)?shù)。在前面的式中的單元序列決不視為限制本發(fā)明的范圍本發(fā)明方法中的自由基固化的成分，其中包括但不限于硅橡膠；不飽和化合物；自由基引發(fā)劑；有機(jī)溶劑；UV穩(wěn)定劑；敏化劑；抗氧化劑；填料，例如增強(qiáng)填料、增量填料和傳導(dǎo)填料；和粘合促進(jìn)劑。如上所述，若使用填料，則填料的粒度優(yōu)選低于可見(jiàn)光的波長(zhǎng)，和優(yōu)選采用合適的措施來(lái)防止顆粒聚集。自由基固化的硅氧烷組合物可進(jìn)一步包含選自(i)每一分子具有至少一個(gè)與硅鍵合的鏈烯基的至少一種有機(jī)基硅化合物，(ii)每一分子具有至少一個(gè)脂族碳-碳雙鍵的至少一種有機(jī)化合物，和(iii)含(i)和(ii)的混合物中的不飽和化合物的反應(yīng)產(chǎn)物，其中該不飽和化合物的分子量小于500?；蛘撸伙柡突衔锏姆肿恿啃∮?00或小于300。此外，該不飽和化合物可具有直鏈、支鏈或環(huán)狀結(jié)構(gòu)。有機(jī)基硅化合物(i)可以是有機(jī)基硅烷或有機(jī)基硅氧烷。有機(jī)基硅烷可以是單硅烷、二硅烷、三硅烷或聚硅烷。類似地，有機(jī)基硅氧烷可以是二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。環(huán)硅烷和環(huán)硅氧烷典型地具有3-12個(gè)硅原子，或者3-10個(gè)硅原子，或者3-4個(gè)硅原子。在無(wú)環(huán)聚硅烷和聚硅氧烷中，與硅鍵合的鏈烯基可位于末端、側(cè)基或同時(shí)位于末端和側(cè)基位置上。Vi4Si、PhSin3、MeSiVi3、PhMeSiVi2、Ph2SiVi2—PhSi(C)"其中Me是甲基，Ph是苯基，和Vi是乙烯基。有機(jī)基硅氧烷的具體實(shí)例包括但不限于具有下式的硅氧坑PhSi(OSiMe2Vi)3、Si(OSiMe2Vi)4、MeSi(OSiMe2Vi)3和Ph2Si(OSiMe2Vi)2，其中Me是甲基,和Ph是苯基。有機(jī)化合物可以是每一分子含有至少一個(gè)脂族碳-碳雙鍵的任何有機(jī)化合物，條件是該化合物不妨礙有機(jī)硅樹(shù)脂(A'〃')固化形成有機(jī)硅樹(shù)脂膜。有機(jī)化合物可以是烯烴、二烯烴、三烯烴或多烯烴。而且，在無(wú)環(huán)有機(jī)化合物中，碳-碳雙鍵可位于末端、側(cè)基或同時(shí)位于末端和側(cè)基位置上。有機(jī)化合物可含有除了脂族碳-碳雙鍵以外的一個(gè)或多個(gè)官能團(tuán)。合適的官能團(tuán)的實(shí)例包括但不限于-O-、>C=0、-CHO、-C02-、-CsN、-N02、>C=C<、-C=C-、-F、-Cl、-Br和-1?？赏ㄟ^(guò)常規(guī)實(shí)驗(yàn)，飽和有機(jī)化合物的合適性。有機(jī)化合物在室溫下可具有液態(tài)或固態(tài)。此外，有機(jī)化合物在固化之前在自由基固化的硅氧烷組合物內(nèi)可以是可溶的，部分可溶或者不可溶。有機(jī)化合物的正常沸點(diǎn)取決于化合物的分子量、結(jié)構(gòu)和官能團(tuán)的數(shù)量與性質(zhì)，且可在寬的范圍內(nèi)變化。優(yōu)選地，有機(jī)化合物的正常沸點(diǎn)大于組合物的固化溫度。在其他情況下，可在固化過(guò)程中通過(guò)揮發(fā)，除去顯著量的有機(jī)化合物。含脂族碳-碳雙鍵的有機(jī)化合物的實(shí)例包括但不限于1，4-二乙烯基苯、1，3-己二烯基苯和1，2-二乙烯基環(huán)丁烷。不飽和化合物可以是單一的不飽和化合物或含兩種或更多種不同的不飽和化合物的混合物，其中的各種如上所述。例如，不飽和化合物可以是單一的有機(jī)基硅烷，兩種不同的有機(jī)基硅烷的混合物，單一的有機(jī)基硅氧烷，兩種不同的有機(jī)基硅氧烷的混合物，有機(jī)基硅烷和有機(jī)基硅氧烷的混合物，單一的有機(jī)化合物，兩種不同的有機(jī)化合物的混合物，有機(jī)基硅烷和有機(jī)化合物的混合物，或者有機(jī)基硅氧烷和有機(jī)化合物的混合物。在固化之前，基于自由基固化的硅氧烷組合物的總重量，不飽和化合物的濃度典型地為0-70%(w/w),或者10-50%(w/w)，或者20-術(shù)"w/w)。制備含與硅鍵合的鏈烯基的有機(jī)基硅烷和有機(jī)基硅氧烷以及含脂族碳-碳雙鍵的有機(jī)化合物的方法是本領(lǐng)域眾所周知的；許多這些化合物可商購(gòu)。自由基引發(fā)劑典型地是自由基光引發(fā)劑或有機(jī)過(guò)氧化物。34而且，自由基光引發(fā)劑可以是當(dāng)暴露于波長(zhǎng)為200-800nm的輻射線下時(shí)能引發(fā)有機(jī)硅樹(shù)脂固化(交聯(lián))的任何自由基光引發(fā)劑。自由基光引發(fā)劑的實(shí)例包括但不限于二苯曱酮；4,4'-雙(二甲基氨基)二苯甲酮；卣代二苯甲酮；苯乙酮；cx-羥基苯乙酮；氯代苯乙酮，例如二氯苯乙酮和三氯苯乙酮；二烷氧基苯乙酮，例如2，2-二乙氧基苯乙酮；a-羥基烷基苯酮，例如2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮和l-幾基環(huán)己基苯基酮；a-氨基烷基苯酮，例如2-甲基-4'-(曱硫基)-2-嗎啉基苯丙酮；苯偶姻；苯偶姻醚，例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚和苯偶姻異丁醚；苯偶?？s酮，例如2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮；酰基氧化膦，例如二苯基(2，4，6-三曱基苯曱?；?氧化膦；咭噸酮衍生物；噻噸酮衍生物；茴酮衍生物；曱基苯基乙醛酸；萘乙酮；蒽醌衍生物；芳族化合物的磺酰氯；和O-酰基ot-肟基酮，例如1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)將。自由基光引發(fā)劑也可以是聚硅烷，例如West在美國(guó)專利No.4260780中定義的苯基甲基聚硅烷，其涉及苯基甲基聚硅烷的公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入；Baney等人在美國(guó)專利No.4314956中定義的胺化甲基聚硅烷，其涉及胺化曱基聚硅烷的公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入；Peterson等人在美國(guó)專利No.4276424中定義的甲基聚硅烷，其涉及曱基聚硅烷的公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入；和West等人在美國(guó)專利No.4324901中定義的聚硅雜苯乙烯，其涉及聚硅雜苯乙烯的公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入。自由基光引發(fā)劑可以是單一的自由基光引發(fā)劑或含兩種或更多種不同自由基光引發(fā)劑的混合物。基于有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)的重量，自由基光引發(fā)劑的濃度典型地為0.1-6%(w/w)，或者l-3。/"w/w)。自由基引發(fā)劑也可以是有機(jī)過(guò)氧化物。有機(jī)過(guò)氧化物的實(shí)例包括過(guò)氧化二芳酰，例如過(guò)氧化二苯曱酰、過(guò)氧化二對(duì)氯苯曱酰和過(guò)氧化雙-2，4-二氯苯甲酰；過(guò)氧化二烷基，例如過(guò)氧化二叔丁基和2，5-二曱基-2，5-二(過(guò)氧7k丁基)己烷；過(guò)氧化二芳烷基，例如過(guò)氧化二枯基；過(guò)氧化烷基芳烷基，例如過(guò)氧化叔丁基枯基和1，4-雙(叔丁基過(guò)氧異丙基)苯；和過(guò)氧化烷基芳酰，例如過(guò)苯甲酸叔丁酯、過(guò)乙酸叔丁酯和過(guò)辛酸叔丁酯。有機(jī)過(guò)氧化物可以是單一的過(guò)氧化物或含兩種或更多種不同有機(jī)過(guò)氧化物的混合物。基于有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)的重量，有機(jī)過(guò)氧化物的濃度典型地為0.l-5%(w/w)，或者0.2-2%(w/w)?？稍谥辽僖环N有機(jī)溶劑存在下形成自由基固化的硅氧烷組合物。有機(jī)溶劑可以是不與有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)或額外的成分反應(yīng)且與有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃〃)混溶的任何非質(zhì)子或偶極非質(zhì)子有機(jī)溶劑。有機(jī)溶劑的實(shí)例包括但不限于飽和脂族烴，例如正戊烷、己烷、正庚烷、異辛烷和十二烷；脂環(huán)族烴，例如環(huán)戊烷和環(huán)己烷；芳烴，例如苯、甲苯、二甲苯和1，3，5-三曱基苯；環(huán)醚，例如四氫呋喃(THF)和二鳴烷；酮，例如甲基異丁基酮(MIBK);鹵代烷烴，例如三氯乙烷，和鹵代芳烴，例如溴苯和氯苯。有機(jī)溶劑可以是單一的有機(jī)溶劑或含兩種或更多種不同有機(jī)溶劑的混合物，其中的各種如上所述。在固化之前，基于自由基固化的硅氧烷組合物的總重量，有機(jī)溶劑的濃度典型地為0-99%(w/w)，或者30-80%(w/w)，或者45-60%(w/w)。當(dāng)由一種或多種額外的成分，例如自由基引發(fā)劑形成以上所述的自由基固化的硅氧烷組合物時(shí)，可由在單一部分內(nèi)包括有機(jī)硅樹(shù)脂和任選的成分的單部分組合物，或者在兩個(gè)或更多個(gè)部分內(nèi)包括各組分的多部分組合物，形成自由基固化的硅氧烷組合物?？赏ㄟ^(guò)間歇或連續(xù)方法形成硅氧烷層16。例如，可通過(guò)連續(xù)方法，例如通過(guò)旋涂、浸涂、噴涂或刷涂，施加硅氧烷組合物到基底12上，之后固化該硅氧烷組合物，形成含固化的硅氧烷組合物的硅氧烷層16。為了形成固化的硅氧烷組合物，可在大氣壓、亞大氣壓或超大氣壓下，加熱硅氧烷組合物。典型地在從室溫(~23。C土2。C)到250。C的溫度下，或者從室溫到200。C下，或者從室溫到150。C下，在大氣壓下加熱硅氧烷組合物。加熱硅氧烷組合物的時(shí)間段應(yīng)足以固化(交聯(lián))該硅氧烷組合物。例如，典型地在150-200。C的溫度下加熱36硅氣烷組合物0.1-3小時(shí)?；蛘撸稍?00-200。C的溫度和1000-20，OOOPa的壓力下真空加熱硅氧烷組合物0.5-3小時(shí)的時(shí)間，形成硅氧烷層16。可使用常規(guī)的真空袋方法，在真空下加熱硅氧烷組合物。在典型的方法中，在基底12上的硅氧烷組合物上施加吸膠材料(例如聚酯)，在吸膠材料上施加有微孔紙(例如，尼龍、聚酯)，在有微孔紙上施加配有真空噴嘴的真空袋膜(例如，尼龍)，用膠帶密封該組件，施加真空(例如，1000Pa)到該密封組件上，并如上所述加熱該抽空的袋子。硅氧烷層16的厚度取決于復(fù)合制品10打算的用途。典型地，硅氧烷層16的厚度為至少0.1微米，更典型地為0.50-10微米，最典型地為l-3微米。厚度為至少0.l微米的硅氧烷層16有效地防止陽(yáng)離子從基底12遷移到陽(yáng)離子敏感層14。更具體地，參考圖3和4，示出了次級(jí)離子質(zhì)鐠(SIMS)結(jié)果，它表明在各種測(cè)試的表面上或其附近存在的鈉陽(yáng)離子含量作為在測(cè)試表面上或其附近存在的陽(yáng)離子數(shù)量的代表性測(cè)量結(jié)果。SIMS對(duì)小至ppm級(jí)的運(yùn)動(dòng)的陽(yáng)離子非常敏感，且能深度描畫(profiling)最多3微米深度處的離子。SIMS結(jié)果是在測(cè)試表面上或其附近，即在測(cè)試表面3微米以內(nèi)存在的陽(yáng)離子的相對(duì)數(shù)的指示。參考圖3和4，顯而易見(jiàn)的是，顯著較少的陽(yáng)離子存在于置于基底12上的硅氧烷層16表面上或其附近，正如實(shí)施例lc、ld、2a、2b、4a、4b、5a和5b所示，這與在圖3和4中對(duì)比例1所示的基底12表面上存在的陽(yáng)離子量相反。更具體地，對(duì)于到達(dá)至少l微米深度的每一硅氧烷層16來(lái)說(shuō)，小于102°鈉陽(yáng)離子存在于表面處或其附近，而基底12在所有深度處包括超過(guò)1021鈉陽(yáng)離子。圖3示出了當(dāng)基底12和硅氧烷層16沒(méi)有進(jìn)行退火時(shí)的結(jié)果，和圖4示出了當(dāng)基底12和硅氧烷層16在約300。C的溫度下在氮?dú)夥諊鷥?nèi)進(jìn)行約60分鐘時(shí)間段的退火處理時(shí)的結(jié)果。如上所述，硅氧烷層16與基底12相鄰布置。更具體地，硅氧烷層16粘附到基底12上。在一個(gè)實(shí)施方案中，如圖1所示，硅氧烷層16可直接在基底12上形成?？稍诨?2上旋涂硅氧烷層16，隨后固化。在這一實(shí)施方案中，在固化之前固化的硅氧烷組合物可包括至少一種官能團(tuán)以供粘附到固化的硅氧烷組合物上，和因此硅氧烷層16粘附到基底12上。所述至少一種官能團(tuán)可選自下述基團(tuán)，但不限于這些基團(tuán)硅烷醇基、烷氧基、環(huán)氧基、氫化硅基、乙酰氧基、及其組合。為了直接在基底12上形成硅氧烷層16，可簡(jiǎn)單地以液體形式施加硅氧烷組合物到基底12上，之后可固化該硅氧烷組合物。在另一實(shí)施方案中，如圖2所示，復(fù)合制品10進(jìn)一步包括置于硅氧烷層16和基底12之間的粘合層18。更具體地，可采用粘合層18,將硅氧烷層16粘附到基底12上。若使用的話，粘合層18典型地包括硅氧烷基粘合劑；然而，要理解，適合于粘附硅氧烷到玻璃上的任何粘合劑適合于本發(fā)明的目的。硅氧烷基粘合劑典型地包括至少一種官能團(tuán)以供粘附粘合層18到硅氧烷層16上，以及粘附粘合層18到基底12上。所述至少一種官能團(tuán)可選自選自下述基團(tuán)，但不限于這些基團(tuán)硅烷醇基、烷氧基、環(huán)氧基、氫化硅基、乙酰氧基、及其組合。這種硅氧烷基粘合劑是本領(lǐng)域已知的。硅氧烷基粘合劑可以是單部分或多部分體系。如上所述，復(fù)合制品10包括陽(yáng)離子敏感層14。由陽(yáng)離子敏感材料形成陽(yáng)離子敏感層14。陽(yáng)離子敏感材料典型地為有機(jī)發(fā)光材料，例如低聚物或聚合物；然而，陽(yáng)離子敏感材料可以是本領(lǐng)域已知的對(duì)陽(yáng)離子敏感的任何類型的材料。"敏感"是指陽(yáng)離子負(fù)面影響材料所指的一種或多種性能。例如，陽(yáng)離子劣化有機(jī)發(fā)光材料的亮度，這導(dǎo)致隨著時(shí)間流逝，OLED發(fā)光故障。作為另一實(shí)例，陽(yáng)離子敏感層14可以是導(dǎo)電層，例如電路或電極。已知陽(yáng)離子使導(dǎo)電層短路。如圖l所示，陽(yáng)離子敏感層14在操作上可與硅氧烷層相連?；蛘?，如圖2所示，復(fù)合制品IO進(jìn)一步包括置于硅氧烷層16和離子敏感層14之間的第一電極20，例如陽(yáng)極。當(dāng)復(fù)合制品10是OLED時(shí)情況尤其如此?？梢杂杀绢I(lǐng)域已知的適合于電極的任何材料，例如金屬、金屬氧化物及其組合，形成第一電極20。優(yōu)選地，由透明金屬氧化物，例如氧化錫銦(ITO)形成第一電極20。然而，要理解，本領(lǐng)域已知的其他透明金屬氧化物也可以是合適的。典型地，第一電極20在操作上與硅氧烷層16相連。"操作上與…相連，，是指第一電極20通過(guò)化學(xué)或者物理連接，與硅氧烷層16相連?？赏ㄟ^(guò)本領(lǐng)域已知的常規(guī)方法形成第一電極20。例如，可通過(guò)高密度等離子的離子鍍敷方法，形成第一電極20。這一方法的優(yōu)點(diǎn)的實(shí)例是快速沉積速度、低的生長(zhǎng)溫度、平面內(nèi)的均勻度、降低的離子損壞和按比例放大的能力。第一電極20的典型厚度為約100納米。典型地，第一電極20的電阻率低于100Q/cm2，更典型地低于100Q/cm2，和最典型地低于40Q/cm2。典型地。第一電極20還具有高的透明度。另外，可在第一電極20上形成絕緣層(未示出)?？赏ㄟ^(guò)本領(lǐng)域已知的方法，由已知的絕緣材料，例如一氧化硅，形成絕緣層(未示出)。如圖2所示，特別地當(dāng)復(fù)合制品IO是OLED時(shí)，復(fù)合制品10還典型地包括置于第一電極20和陽(yáng)離子敏感層14之間的空穴注入層22?？捎梢阎目昭ㄗ⑷氩牧闲纬煽昭ㄗ⑷雽?2，且它可通過(guò)已知的方法形成。再次參考圖2，復(fù)合制品10可進(jìn)一步包括第二電極24。第二電極24可與陽(yáng)離子敏感層M相鄰地布置在從硅氧烷層16起陽(yáng)離子敏感層14的相對(duì)側(cè)上。與第一電極20—樣，第二電極24可以由本領(lǐng)域已知的適合于電極的任何材料例如金屬、金屬氧化物及其組合物形成。盡管第二電極24可由透明金屬氧化物形成，但第二電極W所使用的材料類型可能部分取決于復(fù)合制品IO的結(jié)構(gòu)和復(fù)合制品10打算的用途。例如，當(dāng)復(fù)合制品IO是OLED時(shí)，基底12包括玻璃，和第一電極20由透明金屬氧化物形成，第二電極24可由適合于電極的任何類型的材料形成，不管透明與否?；蛘撸?dāng)復(fù)合制品IO是OLED時(shí)，基底12包括金屬，和/或第一電極20包括不透明的金屬氧化物，然后第二電極24優(yōu)選包括透明金屬氧化物。復(fù)合制品IO可進(jìn)一步包括與陽(yáng)離子敏感層14相鄰地布置在從硅氧烷層16起陽(yáng)離子敏感層的相對(duì)側(cè)上的阻擋層26。更具體地，參考圖2，阻擋層26典型地與第二電極24相鄰地布置在從陽(yáng)離子敏39感層14起第二電極24的相對(duì)側(cè)上。阻擋層26可由適合于基底12的相同類型的材料形成，且可具有與基底12相同的厚度。然而，要理解，阻擋層26可由與基底12所使用的材料不同的材料形成，且可具有與基底12的厚度不同的厚度。盡管如此，但阻擋層26優(yōu)選由優(yōu)良的阻擋材料例如鋼、鋁或玻璃形成。此外，第二硅氧烷層(未示出)可置于阻擋層26和第二電極24之間；然而，第二硅氧烷層是任選的且取決于阻擋層26所使用的材料。例如，若阻擋層26由不具有或具有低含量陽(yáng)離子的材料形成，則可能不需要第二硅氧烷層?；蛘撸?dāng)阻擋層26由基底12所使用的相同材料形成時(shí)，第二硅氧烷層可能是優(yōu)選的。當(dāng)本發(fā)明的復(fù)合制品10是0LED時(shí)，以上所述的固化的硅氧烷組合物的顯著優(yōu)點(diǎn)是它們可改進(jìn)基底12的強(qiáng)度，和此外，包括固化的硅氧烷組合物的硅氧烷層16充當(dāng)電絕緣層。這些性能對(duì)于在非常薄的玻璃基底12,例如以上提及的厚度小于IOO微米的那些上構(gòu)造可彎曲/撓性的0LED來(lái)說(shuō)是非常有用的。這些玻璃基底12非常脆且非常難以處理。由于薄基底12的厚度低，因此薄基底12是撓性的和可彎曲的并可能給撓性/可彎曲OLED提供理想基底12。當(dāng)玻璃用作基底12時(shí)，它保護(hù)陽(yáng)離子敏感層，即有機(jī)發(fā)光材料避免蒸汽、氧氣和濕氣，并進(jìn)一步保護(hù)電極20、24。在玻璃基底12上與玻璃或金屬阻擋層26一起建造的OLED的壽命具有可接受的長(zhǎng)度?？墒褂贸Ｒ?guī)的材料來(lái)密封OLED的邊緣。當(dāng)含硅氧烷層16的基底12與單獨(dú)的基底12相比較時(shí)，可以通過(guò)彎曲半徑的增加來(lái)表達(dá)基底12強(qiáng)度的增加。例如，Microsheet⑧典型地能在直徑1.67英寸的圓柱體周圍纏繞且沒(méi)有龜裂，而含置于其上的硅氧烷層16的Microsheet⑧典型地能在直徑約1英寸的圓柱體周圍纏繞且沒(méi)有龜裂。沉積第一電極20來(lái)典型地繼續(xù)構(gòu)造OLED，所述第一電極20可以是透明導(dǎo)電陽(yáng)極，典型地ITO。由ITO形成的陽(yáng)極具有良好的電阻率和透明度。固化的硅氧烷組合物典型地復(fù)制基底12的光滑表面，并允許在沉積和結(jié)晶之后第一電極20保持非常光滑的表面。在隨后在其上形成空穴注入層22和有機(jī)發(fā)光層14以確保OLED的合適操作的步驟之前，第一電極的光滑表面是優(yōu)選的。因此，硅氧烷組合物提供的優(yōu)勢(shì)在于(a)改進(jìn)薄玻璃的強(qiáng)度，(b)防止陽(yáng)離子擴(kuò)散到器件的電子組件上，和(c)維持玻璃基底光滑的表面以供隨后的各層?？赏ㄟ^(guò)添加阻擋層26,完成0LED，所述阻擋層26可以是另一薄的玻璃層，且第二硅氧烷層包括置于阻擋層26和第二電極24之間的固化的硅氧烷組合物。阻擋層26輔助夾雜0LED的活性組分。所得0LED可以薄至1S0微米。在另一實(shí)施方案中，阻擋層26可以是不銹鋼的薄層，以產(chǎn)生頂部發(fā)光的0LED,所述頂部發(fā)光的0LED甚至比當(dāng)阻擋層26包括另一薄玻璃層時(shí)更薄。一些不銹鋼箔薄至25微米，其中包括不銹鋼和第二硅氧烷層。例如，0LED的厚度可以是約IOO微米(O.1毫米)。含不銹鋼薄層和第二硅氧烷層的阻擋層26可提供電絕緣和不銹鋼的平面化。含不銹鋼薄層和第二硅氧烷層的的阻擋層26給由玻璃形成的基底12提供額外的保護(hù)，同時(shí)允許OLED保持可彎曲和撓性。在阻擋層26內(nèi)使用鋼或玻璃還提供生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)。例如，可使用連續(xù)或半連續(xù)工藝來(lái)形成含不銹鋼薄層或玻璃的其他薄層的阻擋層26。當(dāng)在阻擋層26中使用玻璃時(shí)，可在玻璃浮選且冷卻的同時(shí)(或者當(dāng)玻璃從拉伸塔中出來(lái)時(shí))形成阻擋層26,和當(dāng)已達(dá)到合適的固化溫度時(shí)，可將硅氧烷組合物施加到基底上。硅氧烷組合物在高溫(常常高于200'C)下固化，這是在薄玻璃冷卻的尾端。如上所述，纖維增強(qiáng)劑可包括在硅氧烷組合物、特別是制備第二硅氧烷層所使用的硅氧烷組合物中。這一結(jié)構(gòu)可改進(jìn)阻擋層26中玻璃的機(jī)械堅(jiān)固度。優(yōu)選地，采取合適的步驟，使在纖維增強(qiáng)劑內(nèi)包括的增強(qiáng)纖維和硅氧烷組合物的折射指數(shù)相匹配。然而，在一些情況下，例如對(duì)于OLED基發(fā)光應(yīng)用而不是OLED基顯示應(yīng)用來(lái)說(shuō)，透明度的輕微下降可能不是有害的。圍。實(shí)施例制備包括硅氧烷層的基底。還根據(jù)本發(fā)明制備復(fù)合制品，然而，最相關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果涉及基底和硅氧烷層，更精確地涉及硅氧烷層防止陽(yáng)離子從基底遷移通過(guò)它的能力。正因?yàn)槿绱?，首先列出涉及含硅氧烷層的許多基底樣品的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，接著列出所制備的復(fù)合制品的實(shí)際例子。如同許多不同類型的硅氧烷組合物一樣，使用許多不同類型的基底。在下述各實(shí)施例中列出了關(guān)于每一基底和硅氧烷組合物的材料類型和工藝條件的細(xì)節(jié)。實(shí)施例1具有透明面漆、60/40-80/50傷痕/亮點(diǎn)和平坦?fàn)顩r為2-3個(gè)波紋/英寸的直徑為約3英寸和厚度為約0.Q28英寸的鈉鈣玻璃基底獲自ValleyDesignCorporationofShirley,MA。通過(guò)施加異丙醇并用手擦拭基底，來(lái)清潔鈉鈣玻璃基底，然后在基底上在1000rpm下旋涂丙酮30秒。將硅氧烷組合物移液到基底上，然后在1000rpm下旋涂30秒。使用含下述結(jié)構(gòu)的硅氧烷的樹(shù)脂A，制備這一實(shí)施例的硅氧烷組合物(MeSi03/2)n其中n為10-50，更具體地為約30。樹(shù)脂A獲自SDCCorporationofGardenGrove,CA。樹(shù)脂A進(jìn)一步包括基于硅氧烷組合物的總重量，存在量為約20wty。的膠態(tài)二氧化硅。樹(shù)脂A是用于這一實(shí)施例目的的珪氧烷組合物。在于基底上固化硅氧烷組合物之前，將涂布的基底破碎成幾塊，并在不同條件下固化在各塊上的硅氧烷組合物。為了固化在基底上的硅氧烷組合物，將涂布的基底置于使用i.rc/分鐘的升溫速度的FisherIsotemp強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)。在FisherIsotempProgrammableForced-Draft爐內(nèi)在空氣中進(jìn)行退火。在4個(gè)循環(huán)的施加真空/用高純氮?dú)夥创祾咧?，在Lindburg爐內(nèi)進(jìn)行在氮?dú)庵械耐嘶?。如下所述制備四個(gè)不同的樣品a.在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在IO(TC下在空氣中固化2小時(shí)。42b.在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在200。C下在空氣中固化2小時(shí)。c.在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在350。C下在空氣中固化2小時(shí)。d.在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在50(TC下在空氣中固化2小時(shí)。實(shí)施例2如實(shí)施例1所述獲得并制備基底。以與實(shí)施例l相同的方式用硅氧烷組合物涂布基底，所不同的是使用不同的硅氧烷組合物。為了制備硅氧烷組合物，使用包括下式的硅氧烷的樹(shù)脂B:(MeSi03/2)。.45(PhSi03/2)。.4(Ph2Si0)。.(PhMeSi0)。。5混合3.98g樹(shù)脂B與12.02g甲苯，生產(chǎn)24.9%硅氧烷溶液?；旌?.2634g該硅氧烷溶液與0.0187g商購(gòu)于DowCorningCorporationofMidland，MI的Y-177催化劑，形成硅氧烷組合物。將該硅氧烷組合物過(guò)濾通過(guò)O.2微米，然后通過(guò)O.l微米的Whatman過(guò)濾器。如上所述，將過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物施加到玻璃基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例2a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在IO(TC下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在160。C下固化1小時(shí)，然后在200'C下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例2b來(lái)說(shuō)，另外在30(TC下，在氮?dú)庵袩崂匣柩跬榻M合物1小時(shí)。實(shí)施例3如實(shí)施例1所述獲得并制備基底。以與實(shí)施例l相同的方式用硅氧烷組合物涂布基底，所不同的是使用不同的硅氧烷組合物。為了制備硅氧烷組合物，使用包括下式的硅氧烷的樹(shù)脂C:(MeSi03/2)n其中n為10-50，更具體地為約30。制備29.Swt。/n在MIBK內(nèi)的樹(shù)脂C的溶液，并離心15分鐘，然后過(guò)濾通過(guò)O.2微米過(guò)濾器，形成硅氧烷組合物。如上所述，將過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物施加到基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例3a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在100'C下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在160'C下固化1小時(shí)，然后在200。C下固化l小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例3b來(lái)說(shuō)，另外在300'C下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例4如實(shí)施例1所述獲得并制備基底。以與實(shí)施例l相同的方式用硅氧烷組合物涂布基底，所不同的是使用不同的硅氧烷組合物。為了制備硅氧烷組合物，使用包括下式的硅氧烷的樹(shù)脂D:(PhSi03/2)。.75(Me2ViSi01/2)。25通過(guò)混合5.02g樹(shù)脂D與15.03gMIBK,制備樹(shù)脂D在MIBK內(nèi)的25wt。/。溶液?；旌?.4991g該溶液與0.0230g含在曱苯內(nèi)1000ppm柏和4摩爾過(guò)量的Ph3P的催化劑。將該溶液過(guò)濾通過(guò)O.2微米過(guò)濾器，然后通過(guò)Q.1微米過(guò)濾器，形成硅氧烷組合物。如上所述，將過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物施加到基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例4a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在IOO'C下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在160t:下固化l小時(shí)，然后在200'C下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例4b來(lái)說(shuō)，另外在30(TC下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例5如實(shí)施例1所述獲得并制備基底。以與實(shí)施例l相同的方式用硅氧烷組合物涂布基底，所不同的是使用不同的硅氧烷組合物。為了制備硅氧烷組合物，使用包括下式的硅氧烷的樹(shù)脂E:(Me2ViSi01/2)0.15(PhSi03/2)。.75(Si04/2)。.，通過(guò)混合8.74g樹(shù)脂E與26.24g甲苯，制備樹(shù)脂E在甲苯內(nèi)的25wt。/。溶液。混合3.6253g該溶液與0.0184g含在甲苯內(nèi)1000ppm鉑和4摩爾過(guò)量的Ph3P的催化劑。將該溶液過(guò)濾通過(guò)0.2微米過(guò)濾器，然后通過(guò)0.1微米的過(guò)濾器，形成硅氧烷組合物。如上所述，將過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物施加到玻璃基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例5a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在IOO'C下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在160。C下固化1小時(shí)，然后在200。C下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例5b來(lái)說(shuō)，另外在300'C下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例6具有透明面漆、60/40-80/50scratch/dig和2-3個(gè)波紋/英寸的平坦?fàn)顩r的直徑為約3英寸和厚度為約0.028英寸的硼硅浮法44玻璃基底獲自ValleyDesignCorporationofShirley,MA。通過(guò)施加異丙醇并用手擦拭基底，來(lái)清潔該基底，然后在基底上在lOOOrpm下旋涂丙酮30秒。將實(shí)施例1的硅氧烷組合物移液到基底上，然后在lOOOrpm下旋涂30秒。對(duì)于實(shí)施例6a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在IOO'C下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在16(TC下固化1小時(shí)，然后在200'C下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例6b來(lái)說(shuō)，另外在50(TC下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例74英寸x4英寸的Microsheet玻璃基底獲自Corning,IncorporatedofCorning,NY。以與實(shí)施例4相同的方式用硅氧烷組合物涂布基底，且使用與實(shí)施例4相同的硅氧烷組合物。具體地，通過(guò)混合5.02g樹(shù)脂D與15.03gMIBK，制備樹(shù)脂D在MIBK內(nèi)的25wt。/。溶液?；旌?.5454g該溶液與0.0145g含在曱苯內(nèi)1000ppm鉑和4摩爾過(guò)量的Ph3P的催化劑。將該溶液過(guò)濾通過(guò)0.2微米過(guò)濾器，然后通過(guò)0.1微米過(guò)濾器，形成硅氧烷組合物。如上所述，將過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物施加到基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例7a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在IOO'C下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在16(TC下固化1小時(shí)，然后在200。C下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例7b來(lái)說(shuō)，另外在30(TC下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例8用與實(shí)施例1相同的硅氧烷組合物，用包括樹(shù)脂A的硅氧烷組合物，涂布4英寸x4英寸的Microsheet⑧玻璃基底。然而，通過(guò)混合8.75g樹(shù)脂A與8.76g異丙醇，制備硅氧烷組合物。如上所述，將硅氧烷組合物施加到基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例8a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在100'C下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在160。C下固化l小時(shí)，然后在200。C下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例8b來(lái)說(shuō)，另外在300。C下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例94英寸x4英寸的Microsheet玻璃基底獲自Corning,IncorporatedofCorning,NY。釆用由以上實(shí)施例5中所述的樹(shù)脂E制備的硅氧烷組合物涂布基底。具體地，通過(guò)混合5.43g樹(shù)脂E與21.86g曱苯，制備在甲苯內(nèi)的樹(shù)脂E的19.9wt。/。溶液?；旌?.5208g該溶液與0.0132g含在甲苯內(nèi)1000ppm鉑和4摩爾過(guò)量的Ph3P的催化劑。將該溶液過(guò)濾通過(guò)0.2微米過(guò)濾器，然后通過(guò)O.l微米過(guò)濾器，形成硅氧烷組合物。如上所述，將過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物施加到基底上并旋涂。對(duì)于實(shí)施例9a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在10(TC下固化在基底上的硅氧烷組合物1小時(shí)，然后在16(TC下固化1小時(shí)，然后在20(TC下固化1小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例9b來(lái)說(shuō)，另外在300。C下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。實(shí)施例104英寸x4英寸的Microsheet玻璃基底獲自Corning,IncorporatedofCorning,NY。采用由以上實(shí)施例3中所述的樹(shù)脂C制備的硅氧烷組合物涂布基底。具體地，制備在MIBK內(nèi)的樹(shù)脂C的29.5wt。/。溶液，并將該溶液過(guò)濾通過(guò)0.45微米的過(guò)濾器，形成硅氧烷組合物。施加約1ml過(guò)濾過(guò)的硅氧烷組合物到基底上，并在1500rpm下旋涂30秒。對(duì)于實(shí)施例10a來(lái)說(shuō)，在強(qiáng)制空氣烘箱內(nèi)，在200'C下固化在基底上的硅氧烷組合物3小時(shí)。對(duì)于實(shí)施例10b來(lái)說(shuō)，另外在300。C下，在氮?dú)庵袩崂匣坎嫉牟ＡЩ?小時(shí)。對(duì)比例為了對(duì)比的目的，制備沒(méi)有硅氧烷層的基底。對(duì)比例1是原樣接收使用的未涂布的鈉鉤玻璃基底。對(duì)比例2是在500。C下在空氣中熱老化2小時(shí)的未涂布的鈉鈣玻璃基底。對(duì)比例3是在300'C下在氮?dú)庵袩崂匣?小時(shí)的未涂布的鈉鈣玻璃基底。對(duì)比例4是原樣接收使用的未涂布的硼硅浮法玻璃基底。對(duì)比例5是在500。C下在空氣中熱老化2小時(shí)的未涂布的硼硅浮法玻璃基底。對(duì)比例6是原樣接收使用的未涂布的Microsheet。對(duì)比例7是在強(qiáng)制空氣爐內(nèi)，在500。C下在空氣中熱老化2小時(shí)的未涂布的Microsheet.對(duì)比例7是在強(qiáng)制空氣爐內(nèi)，在30(TC下在空氣中熱老化1小時(shí)的未涂布的Microsheet⑧。對(duì)比例8是在強(qiáng)制空氣爐內(nèi)，在300。C下在氮?dú)庵袩崂匣?小時(shí)的未涂布的Microsheet⑧。試驗(yàn)方法在實(shí)施例lc、2a、4a和5a以及在對(duì)比例1上進(jìn)行次級(jí)離子質(zhì)譜法(SIMS),圖3中示出了關(guān)于鈉陽(yáng)離子存在的結(jié)果。還在實(shí)施例ld、2b、4b和5b上進(jìn)行SIMS，圖4中示出了關(guān)于鈉陽(yáng)離子存在的結(jié)果。SIMS技術(shù)對(duì)小至ppm級(jí)的運(yùn)動(dòng)的陽(yáng)離子非常敏感。SIMS還能深度描畫通過(guò)阻擋層到達(dá)最多約3微米深度的離子。使用QuadrupoleMS儀器，由EvansAnalyticalGroupofEastWindsor,NJ，完成SIMS分析。表l強(qiáng)調(diào)了所使用的條件。<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>通過(guò)運(yùn)行EAG標(biāo)準(zhǔn)"110"的并流分析，量化鈉和鉀，同時(shí)進(jìn)行鈣的近似量化。沒(méi)有量化碳、氧和硅。這一分析的檢測(cè)極限對(duì)于鈉、鉀和鉤來(lái)說(shuō)為1x10"個(gè)原子/cm3。對(duì)于每一實(shí)施例以及對(duì)于每一對(duì)比例，還進(jìn)行X-射線光電子能語(yǔ)(XPS)，也稱為用于化學(xué)分析的電子能譜(ESCA)。這一技術(shù)可檢測(cè)在約0.1原子重量％級(jí)的離子濃度。使用KratosAnalyticalAXIS165ESCA，使用在120W下操作的單色AlKax-射線源，進(jìn)行ESCA分析。低能電子flood用于表面電荷補(bǔ)償。在3點(diǎn)中分析每一實(shí)施例和對(duì)比例。在每一分析位置處獲得低分辨的檢測(cè)光譜和高分辨的氧ls、碳ls和硅2p光譜。分析面積大致為0.8ramx1.4mm。以原子重量百分?jǐn)?shù)給出了表面組成。重復(fù)率估計(jì)為0.5原子wt。/。。下表2中列出了實(shí)施例卜6以及對(duì)比例1-5的ESCA數(shù)據(jù)，其中在各原子符號(hào)下方列出的數(shù)值表示原子wt%，作為在所測(cè)試的實(shí)施例表面上所有原子的總原子重量百分?jǐn)?shù)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage49</column></row><table>其中，表2中，Com.Ex,代表對(duì)比例，Ex.代表實(shí)施例結(jié)果基于圖3和4以及上表2中列出的結(jié)果，可顯然看出，與對(duì)比例相比，在根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)施例的表面上或其附近存在更少的陽(yáng)離子。更具體地，XPS和ESCA結(jié)果表明，當(dāng)使用硅氧烷組合物時(shí)陽(yáng)離子檢測(cè)低于儀器下限(小于0.1原子％)。SIMS數(shù)據(jù)通過(guò)顯示與棵玻璃基底相比，陽(yáng)離子下降2-4個(gè)數(shù)量級(jí)，從而支持了XPS和ESCA結(jié)果(參考圖3和4)。因此，顯然看出，與硅氧烷層沉積在其上的基底相比，硅氧烷層在其表面上或其附近包括更少的陽(yáng)離子。此外，顯然看出，與由其他硅氧烷組合物形成的硅氧烷層相比，一些硅氧烷組合物在由其形成的硅氧烷層上或其附近具有更少的陽(yáng)離子。例如，如圖4所示，實(shí)施例4b所使用的硅氧烷組合物顯示出在約300'C的溫度下在氮?dú)夥諊鷥?nèi)退火約60分鐘的時(shí)間段之后，在由該硅氧烷組合物形成的硅氧烷層的表面上或其附近關(guān)于鈉陽(yáng)離子存在的較低的SIMS值。在基底上的不同硅氧烷層的變化厚度造成陽(yáng)離子濃度開(kāi)始上升的可變化的開(kāi)始點(diǎn)。實(shí)施例11根據(jù)本發(fā)明，在Microsheet⑧玻璃基底上制備OLED。在由比利時(shí)ACROSOrganicsofGeel供應(yīng)的電子等級(jí)溶劑內(nèi)首先制備商購(gòu)于日本SumationofTokyo的空穴注入材料(HIM)和有機(jī)發(fā)光聚合物(LEP)RedH2。更具體地，在曱基異丁基酮內(nèi)制備2.Owt仰IM，和在二甲苯內(nèi)制備1.5wt。/。LEP。釆用商購(gòu)于Sigma-AldrichCorporationofSt.Louis,MO的鈦固化促進(jìn)劑n(PrO),摻雜HIM到相當(dāng)于0.2wt。/o的濃度。在使用之前，在腕力作用的搖動(dòng)器上混合LEP至少2小時(shí)，以確保充分溶解。在Microsheet⑧玻璃基底上形成硅氧烷層。由氫化硅烷化類型的硅氧烷組合物形成硅氧烷層，所述硅氧烷組合物采用交聯(lián)劑和氫化硅烷化催化劑制備。該樹(shù)脂組合物為(Me2ViSiOi/2)。.5(PhSiO3/2)o.75(SiO"2)o.o。含ITO的第一電極層沉積在硅氧烷層上。借助高能等離子體離子鍍敷方法，沉積ITO。測(cè)定到ITO的厚度為IOO納米和電阻率為35Q/cm2。通過(guò)在ChematKW-4A旋涂機(jī)上，在約750rpm加速下，在2000rpm下，旋轉(zhuǎn)流延獲自ACROSOrganic的p.a.等級(jí)的異丙醇(IPA)20秒，來(lái)清潔含硅氧烷層和第一電極的基底。就在使用之前，用0.1孩￡米TeflonWhatmanPuradisc注射器過(guò)濾器過(guò)濾IPA。接下來(lái)，通過(guò)在2.Oxi(T6mbar的真空下，使用掩模，沉積lOOnm商購(gòu)于Sigma-Aldrich的99.99%純度的一氧化硅(SiO)，在第一電極上形成絕緣層(未示出)。這在BOCEdwardsAuto306AEvaporator內(nèi)通過(guò)在鉬船內(nèi)真空加熱SiO來(lái)實(shí)現(xiàn)。就在于第一電極上旋轉(zhuǎn)流延HIM之前，通過(guò)將第一電極的表面暴露于氧等離子體下5分鐘，來(lái)調(diào)理基底。在ISOClass6清潔室內(nèi)，在Chemat旋涂機(jī)上，通過(guò)使用平坦的玻璃載片作為基底的背襯物，完成HIM的旋轉(zhuǎn)流延。通過(guò)在背襯物上放置的小滴水，將基底粘附到玻璃背襯物上。采用0.1微米的TeflonWhatmanPuradisc注射器過(guò)濾器，預(yù)過(guò)濾HIM,并在約750rpm加速下，在2000rpm下旋轉(zhuǎn)30秒。在設(shè)定為40。C的FisherIsotempOven內(nèi)，在空氣中，固化HIM,并以每5分鐘5'C的遞增，增加到190。C。一旦達(dá)到19(TC,則保持該溫度5分鐘，然后在從烘箱中取出基底之前下降到IOO'C。冷卻工藝花費(fèi)約20分鐘。當(dāng)固化時(shí)，預(yù)期HIM層為約45-50納米厚。以與HIM類似的方式旋轉(zhuǎn)流延LEP的溶液，但具有幾個(gè)區(qū)別。采用0.2-微米的聚丙烯WhatmanPuradise注射器過(guò)濾器預(yù)過(guò)濾LEP的溶液，并在約750rpm的加速下，在2250rpm下旋轉(zhuǎn)40秒，和在Fischer烘箱內(nèi)，在IO(TC下在空氣中使所得LEP層退火30分鐘。所有其他方面與制備HIM層相同。在這些條件下，預(yù)期LEP層為約50-70nm厚。將含HIM層和LEP層的所有復(fù)合制品轉(zhuǎn)移到MBraun干燥手套箱內(nèi)，以沉積第二電極，即陰極，并密封該復(fù)合制品。在BOCEdwardsAuto500Vacuum蒸發(fā)儀內(nèi)，在每一制品的LEP層頂部沉積鋇/鋁陰極。在2.Ox10—6mbar的真空下，從鎢船中蒸發(fā)10nm鋇。就在鋇之后從盤繞的涂鋁的鎢絲中蒸發(fā)150nm鋁。在發(fā)生沉積之前，在真空下允許制品脫氣30分鐘。采用由Microsheet⑧玻璃的另一片材形成的阻擋層，密封實(shí)施例lla，并在玻璃和笫二電極之間沉積第二硅氧烷層。由與以上使用的相同的硅氧烷組合物形成第二硅氧烷層。采用不銹鋼阻擋層密封實(shí)施例lib,同樣在鋼和第二電極之間沉積第二硅氧烷層。通過(guò)施加3滴獲自Electro-LiteCorporation的ELC-2500Clear環(huán)氧樹(shù)脂，在陰極棒的頂部形成阻擋層，并將用第二硅氧烷層涂布的不銹鋼或玻璃放置在陰極頂部上。在365nm的UV燈下固化環(huán)氧樹(shù)脂15分鐘。仔細(xì)確保一部分陰極仍然暴露，結(jié)果可產(chǎn)生電接觸。圖5示出了根據(jù)前述方法制備的0LED的照片。實(shí)施例11a的總厚度為約150微米；實(shí)施例lib的總厚度為約100微米。周期性測(cè)試實(shí)施例11a和lib以確定它們?cè)谝欢螘r(shí)間內(nèi)是否起作用或者它們是否劣化。在超過(guò)40天(例如實(shí)施例lla)和9月(對(duì)于實(shí)施例llb)時(shí)，這兩個(gè)實(shí)施例保持其功能。顯然，鑒于上述教導(dǎo)，本發(fā)明的許多改性和變化是可能的?？稍谒綑?quán)利要求范圍內(nèi)具體地描述的以外實(shí)踐本發(fā)明。另外，參考標(biāo)記僅僅是為了方便，和決不意味著限制。權(quán)利要求1.一種復(fù)合制品，它包括基底，該基底在其表面上包含至少0.1原子wt％的陽(yáng)離子，基于所述基底表面上的總原子重量；含陽(yáng)離子敏感材料并置于所述基底表面上的陽(yáng)離子敏感層；和置于所述基底和所述陽(yáng)離子敏感層之間且包括固化的硅氧烷組合物的硅氧烷層，以防止陽(yáng)離子從所述基底遷移到所述陽(yáng)離子敏感層中。2.權(quán)利要求1的復(fù)合制品，其中所述固化的硅氧烷組合物進(jìn)一步定義為氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物。3.權(quán)利要求2的復(fù)合制品，其中所述氫化硅烷化固化的硅氧烷組合物包含在(C)催化量的氫化硅垸化催化劑存在下(A)有機(jī)硅樹(shù)脂和(B)用量足以固化所述有機(jī)硅樹(shù)脂的每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子的有機(jī)基硅化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。4.權(quán)利要求3的復(fù)合制品，其中所述有機(jī)硅樹(shù)脂的通式為(RtSi01/2)w(R22Si02/2)x(R2Si03/2)y(Si04/2)z其中R'是d-d。烴基或d-d。卣素取代的烴基，二者均不含脂族不飽和鍵，R2是I^或鏈烯基，w為0-0.9，x為O-O.9，y為0-0.99，z為0-0.85，w+x+y+z-l，y+z/(w+x+y+z)為0.l-O.99，和w+x/(w+x+y+z)為0.01-0.9，條件是所述有機(jī)硅樹(shù)脂每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的鏈烯基。5.權(quán)利要求1的復(fù)合制品，其中所述固化的硅氧烷組合物進(jìn)一步定義為縮合固化的硅氧烷組合物。6.權(quán)利要求5的復(fù)合制品，其中所述縮合固化的硅氧烷組合物包含任選地在(C')催化量的縮合催化劑存在下(A〃)具有至少兩個(gè)與硅鍵合的羥基或可水解基團(tuán)的有機(jī)硅樹(shù)脂和任選地(B')具有與硅鍵合的可水解基團(tuán)的交聯(lián)劑的反應(yīng)產(chǎn)物。7.權(quán)利要求6的復(fù)合制品，其中所述有機(jī)硅樹(shù)脂(A〃)的通式為(RR62Si01/2)w,(R62Si02/2)x,(R6Si03/2)y,(Si04/2)z.其中f是d-d。烴基或c「c。卣素取代的烴基，二者均不含脂族不飽和鍵，R6是R1、-H、-0H或可水解基團(tuán)，和w'為0-0.8，x'為0-0.95，y'為0-1，和z'為0-0.99,w'+x'+y'+z'=l,和所述有機(jī)娃樹(shù)脂(A〃)每一分子平均具有至少兩個(gè)與硅鍵合的氫原子、羥基、或可水解基團(tuán)。8.權(quán)利要求7的復(fù)合制品，其中所述硅氧烷組合物進(jìn)一步包含顆粒形式的無(wú)機(jī)填料。9.權(quán)利要求1的復(fù)合制品，其中所述固化的硅氧烷組合物進(jìn)一步定義為自由基固化的硅氧烷組合物。10.權(quán)利要求9的復(fù)合制品，其中由下式的有機(jī)硅樹(shù)脂形成所述自由基固化的硅氧烷組合物(RiR^SiOwh,,(R92Si02/2)x,,(R9Si03/2)y,,(Si04/2)z,,其中W是C廣d。烴基或C「d。卣素取代的烴基，二者均不含脂族不飽和鍵，R9是R'、鏈烯基或炔基，w〃是0-0.99，x〃是0-0.99，y〃是0-0.99,和z〃是0-0.85，和w〃+x〃+y〃+z〃=l。11.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述硅氧烷組合物包含在固化之前用于粘附所述硅氧烷組合物到所述基底上的至少一種官能團(tuán)。12.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述至少一種官能團(tuán)選自硅烷醇基、烷氧基、環(huán)氧基、氫化硅基、乙酰氧基、及其組合。13.權(quán)利要求1-10任何一項(xiàng)的復(fù)合制品，進(jìn)一步包括置于所述硅氧烷層和所述基底之間的粘合層。14.權(quán)利要求13的復(fù)合制品，其中所述粘合層包括硅氧烷基粘合劑。15.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述硅氧烷層進(jìn)一步包括纖維增強(qiáng)劑。16.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述硅氧烷層的厚度為至少約0.1微米。17.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述基底包括選自玻璃、金屬、及其組合中的材料。18.權(quán)利要求17的復(fù)合制品，其中所述玻璃選自鈉鈣玻璃、硼硅浮法玻璃、硅鋁酸鹽玻璃、及其組合。19.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述基底的厚度小于或等于0.5mm。20.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，其中所述陽(yáng)離子敏感層進(jìn)一步定義為有機(jī)發(fā)光材料。21.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，進(jìn)一步包括置于所述陽(yáng)離子敏感層和所述硅氧烷層之間的第一電極。22.權(quán)利要求21的復(fù)合制品，其中所述第一電極在操作上與所述硅氧烷層相連。23.權(quán)利要求21或22的復(fù)合制品，進(jìn)一步包括置于所述第一電極和所述陽(yáng)離子敏感層之間的空穴注入層。24.前述任何一項(xiàng)權(quán)利要求的復(fù)合制品，進(jìn)一步包括與所述陽(yáng)離子敏感層相鄰地布置的在從所述硅氧烷層起所述陽(yáng)離子敏感層的相對(duì)側(cè)上的阻擋層。25.權(quán)利要求24的復(fù)合制品，其中所述阻擋層包括選自常規(guī)玻璃質(zhì)材料、金屬、及其組合中的材料。全文摘要復(fù)合制品包括具有表面的基底，含置于基底表面上的陽(yáng)離子敏感材料的陽(yáng)離子敏感層，以及置于基底和陽(yáng)離子敏感層之間的硅氧烷層。陽(yáng)離子存在于基底表面上，其中基于基底表面上原子的總原子重量，其用量為至少0.1原子wt％。硅氧烷層包括固化的硅氧烷組合物用以防止陽(yáng)離子從基底遷移到陽(yáng)離子敏感層上。在陽(yáng)離子敏感層和基底之間包括硅氧烷層使得能使用過(guò)去因該材料內(nèi)存在過(guò)量陽(yáng)離子導(dǎo)致無(wú)法使用的基底材料。文檔編號(hào)H01L51/52GK101589483SQ200780050405公開(kāi)日2009年11月25日申請(qǐng)日期2007年12月19日優(yōu)先權(quán)日2006年12月20日發(fā)明者D·E·凱特索里斯,E·麥克奎斯頓,N·格里爾,P·沙爾克,T·D·巴納德申請(qǐng)人:陶氏康寧公司