專利名稱：用于芯片封裝的散熱片組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種散熱片組件，特別是涉及一種用于芯片封裝 的散熱片組件。
背景技術(shù)：
如圖l所示，目前用于芯片封裝的散熱片1包含一散熱體ll,及一自散熱體11周緣向外且向下延伸的支撐體12(在此以BGA為例說 明)。該用于芯片封裝的散熱片l在制程中，是在沖壓成形后再一片一 片地進(jìn)行電鍍(Electroplating)，陽極處理或氧化處理步驟，作法是將該 支撐體12與負(fù)極電連接，使該散熱體11浸滯于含有金屬(例如金、銀、 鎳)離子的電鍍液、陽極處理槽液或氧化處理液中，通電之后就可鍍4隻 一金屬層、陽極皮膜層或氧化層，并使該散熱片l具有防氧化銹蝕或 絕緣的能力。由于該散熱片l是一片一片地進(jìn)行處理，不但費(fèi)時(shí)費(fèi)工，也不易 應(yīng)用在可大量生產(chǎn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線上，在制程效率上相當(dāng)不理想。以電鍍作業(yè)來說，每一散熱片1電鍍后形成在該散熱片l表面的 金屬層的質(zhì)量也會(huì)因?yàn)槭且黄黄丶庸ざ鴧⒉畈积R。舉例來說，鍍 覆在散熱片l表面上的金屬層厚度與分布平均度會(huì)因外在因素，例如 散熱片1浸滯在電鍍液中的時(shí)間長短等而有所不同，如該散熱片l需 要被大量生產(chǎn)，就單以金屬層厚度來說，各個(gè)完成品之間的差異會(huì)相 對(duì)提高，造成出貨質(zhì)量上的參差不齊且控管不易，進(jìn)而影響出產(chǎn)的散 熱片l抗氧化銹蝕的能力。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的，在于提供一種用于芯片封裝的散熱片組件，鍍處理、陽極處理及氧化處理制程效率，而且也可以同時(shí)提升處理后 散熱片組件的質(zhì)量。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件，包含 一框架單元及一散熱片單元。該框架單元具有多個(gè)相鄰接的框架，每一框架圍繞界定出 一容置 空間，及至少一 自該框架向該容置空間延伸突出的連接段。該散熱片單元具有多個(gè)位于該容置空間中的散熱片，且每一散熱 片是與該連接段連接。本實(shí)用新型的功效在于，利用一框架單元搭載多個(gè)散熱片，并在 電鍍、陽極處理或氧化處理過程中能借由該框架單元一次處理多個(gè)散 熱片，進(jìn)而提升制程效率，各批處理后的完成品也會(huì)因?yàn)榻邮芡瑯拥?處理過程而質(zhì)量較穩(wěn)定。


圖1是一立體圖 圖2是一俯視圖第一優(yōu)選實(shí)施例；圖3是一俯視圖 第二優(yōu)選實(shí)施例；圖4是一俯視圖 第三優(yōu)選實(shí)施例；圖5是一俯視圖 第四優(yōu)選實(shí)施例；圖6是一俯視圖 第五優(yōu)選實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
下面通過優(yōu)選實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱 片組件進(jìn)行詳細(xì)說明。,說明現(xiàn)有用于芯片封裝的散熱片；,說明本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的,說明本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的,說明本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的,說明本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的，說明本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的在本實(shí)用新型被詳細(xì)描述之前，要注意的是，在以下的說明中， 類似的元件是以相同的附圖標(biāo)記來表示，此外，本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件，可被應(yīng)用在各種不同的芯片封裝方式上，例如 覆晶封裝(Flip Chip， F/C)、球門陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)、方 塊形扁平封裝(Quad Flat Package, QFP)、超薄方塊形扁平封裝(Low Profile Quad Flat Package, LQFP)等。如圖2所示，本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的第一優(yōu)選 實(shí)施例，適用于球門陣列封裝(Ball Grid Array, BGA)用的散熱片，BGA 封裝在電子產(chǎn)品中，主要應(yīng)用于300接腳數(shù)以上高密度結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品， 如芯片組、CPU、 Flash、部份通信用IC等；由于BGA封裝所具有的 良好電氣、散熱性質(zhì)，以及可有效縮小封裝體面積的特性，使其需求 成長率遠(yuǎn)高于其它型態(tài)的封裝方式。該第一優(yōu)選實(shí)施例，包含 一框架單元2及一散熱片單元3。該 框架單元2具有多個(gè)相鄰接的框架21，且所述框架21為正矩形。在 本實(shí)施例中，每一框架21由四個(gè)側(cè)邊圍繞界定出一容置空間，并于 各個(gè)側(cè)邊向該容置空間延伸突出一連接段2U,進(jìn)而形成如圖2所示 每一框架21上設(shè)有四個(gè)連接段211。選擇此連接段211的配置方式， 是為了讓連接于所述連接段211上的散熱片單元3在電鍍、陽極處理 或氧化處理后形成的金屬層、陽極皮膜層或氧化層的厚度更為平均。該散熱片單元3，具有多個(gè)位于該容置空間中的散熱片31,每一 散熱片31與設(shè)于其相對(duì)應(yīng)的框架21的連接段211相連接。該散熱片 31是與現(xiàn)有技術(shù)相似的供球門陣列封裝用的散熱片。在本實(shí)施例中，每一連接于其相對(duì)應(yīng)框架21上的散熱片31預(yù)先 經(jīng)沖壓成形后之后才進(jìn)行電鍍、陽極處理或氧化處理作業(yè)。借由上述設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型于實(shí)際運(yùn)作時(shí)，具有以下所述的優(yōu)點(diǎn)1.該框架單元2可搭載包含多個(gè)散熱片31的該散熱片單元3， 在電鍍、陽極處理或氧化處理作業(yè)中可將框架單元2直接浸滯在一含 有金屬離子的電鍍液、陽極處理槽液或氧化處理槽液中，并借此一次 對(duì)多個(gè)散熱片31進(jìn)行處理，進(jìn)而提高制程效率，且各個(gè)完成品之間的電鍍、陽極處理及氧化處理質(zhì)量較不易參差不齊。2. 該框架單元2可配合自動(dòng)化設(shè)備將電鍍、陽極處理或氧化處理 步驟自動(dòng)化，并借此進(jìn)一步地提高制程效率。3. 該框架單元2可搭載不同種類的芯片封裝用散熱片，例如 BGA封裝用或是覆晶(Flip Chip， F/C)封裝用。4. 每一連接于其相對(duì)應(yīng)框架21上的散熱片31預(yù)先經(jīng)沖壓成形后 之后才進(jìn)行電鍍、陽極處理或氧化處理作業(yè)，如此一來就可避免沖壓 成形作業(yè)對(duì)金屬層、陽極皮膜或氧化層所造成的損壞。如圖3所示，為本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的第二優(yōu) 選實(shí)施例，該第二優(yōu)選實(shí)施例大致上是與該第一優(yōu)選實(shí)施例相同，相 同之處于此不再贅言，其中不相同之處在于，該第二優(yōu)選實(shí)施例中散 熱片單元3中的多個(gè)散熱片31是適用于覆晶封裝(Flip Chip， F/C)的 散熱片31。覆晶封裝技術(shù)應(yīng)用的應(yīng)用范圍包括高階計(jì)算機(jī)、PCMCIA 卡、軍事設(shè)備、個(gè)人通信產(chǎn)品、鐘表以及液晶顯示器等。好處為可縮 小芯片封裝后的尺寸，使得芯片封裝前后大小差不多。如圖4所示，為本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的第三優(yōu) 選實(shí)施例，該第三優(yōu)選實(shí)施例大致上是與該第二優(yōu)選實(shí)施例相同，相 同之處于此不再贅言，其中不相同之處在于，該第三優(yōu)選實(shí)施例中每 一正矩形的框架21的每一角還可向該容置空間延伸突出一連接段 211。如圖5所示，為本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的第四優(yōu) 選實(shí)施例，該第四優(yōu)選實(shí)施例大致上是與該第一優(yōu)選實(shí)施例相同，相 同之處于此不再贅言，其中不相同之處在于，該第四優(yōu)選實(shí)施例的每 一框架21也可只設(shè)有一個(gè)連接段211。如圖6所示，為本實(shí)用新型用于芯片封裝的散熱片組件的第五優(yōu) 選實(shí)施例，該第五優(yōu)選實(shí)施例大致上是與該第二優(yōu)選實(shí)施例相同，相 同之處于此不再贅言，其中不相同之處在于，該第五優(yōu)選實(shí)施例的每 一框架21的各個(gè)側(cè)邊向該容置空間延伸突出兩個(gè)連接段211，進(jìn)而形 成如圖6所示每一框架21上設(shè)有八個(gè)連接段211。所述連接段211的形成位置與配置方式也可再進(jìn)一步地變化，所以并不應(yīng)以上述的各個(gè) 優(yōu)選實(shí)施例所限。綜上所述，本實(shí)用新型的用于芯片封裝的散熱片組件，利用一框架單元2將多個(gè)散熱片31搭載，使所述散熱片31能一次進(jìn)行電鍍、 陽極處理或氧化處理作業(yè)，不但提高制程效率，也借此增進(jìn)成品及成 品間電鍍、陽極處理及氧化處理的質(zhì)量的穩(wěn)定性，所以確實(shí)能達(dá)到本 實(shí)用新型的目的。
權(quán)利要求1.一種用于芯片封裝的散熱片組件，其特征在于所述用于芯片封裝的散熱片組件，包含一框架單元及一散熱片單元，所述框架單元具有多個(gè)相鄰接的框架，每一框架圍繞界定出一容置空間，及至少一自所述框架向所述容置空間延伸突出的連接段，所述散熱片單元具有多個(gè)位于所述容置空間中的散熱片，每一散熱片是與所述連接段連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述用于芯片封裝的散熱片組件，其特征在于 所述框架單元的每一框架具有多個(gè)向所述容置空間中延伸突出且相間隔地與其對(duì)應(yīng)的散熱片的側(cè)緣連接固定的連接段。
專利摘要一種用于芯片封裝的散熱片組件，包含一框架單元及一散熱片單元，該框架單元具有多個(gè)相鄰接的框架，每一框架圍繞界定出一容置空間，及一自該框架向該容置空間延伸突出的連接段，該散熱片單元具有多個(gè)位于該容置空間中的散熱片，且每一散熱片是與該連接段連接，借由該框架單元將多個(gè)散熱片搭載，使所述散熱片能一次進(jìn)行電鍍、陽極處理或氧化處理作業(yè)，不但提高制程效率，也借此增進(jìn)成品與成品間電鍍、陽極處理或氧化處理的質(zhì)量的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01L23/34GK201122591SQ20072018348
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2007年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者楊肇煌, 黃琮琳 申請(qǐng)人:旭宏科技有限公司