專利名稱：銻化銦霍爾元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種霍爾元件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在在市場上的銻化銦(InSb)霍爾元件通常是使用兩次光刻，在 光刻"十"字形銻化銦(InSb)感知膜表面再光刻金電極圖形，在"十" 字形銻化銦感知膜表面沒有任何保護(hù)，這樣的霍爾元件穩(wěn)定性差，銻化 銦感知膜容易損傷。發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷，本實(shí)用新型提供一種銻化銦霍爾元件，這種銻 化銦霍爾元件感知膜不會損傷、性能穩(wěn)定且成本較低。本實(shí)用新型為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)問題是 一種銻化銦 霍爾元件，主要由鎳鋅材料基板、二氧化硅絕緣層、"十"字形銻化銦感 知膜和金電極組成，"十"字形銻化銦感知膜上覆蓋有"十"字形液體樹 脂保護(hù)膜，"十"字形液體樹脂保護(hù)膜圖形尺寸稍小于"十"字形銻化銦 感知膜圖形尺寸，以便于"十"字形銻化銦感知膜的四端露出于"十" 字形液體樹脂保護(hù)膜之外與金電極相接。"十"字形液體樹脂保護(hù)膜的"十"字寬度大于"十"字形銻化銦 感知膜的"十"字寬度，可更好地保護(hù)"十"字形銻化銦感知膜。
本實(shí)用新型的有益效果是由于十"字形銻化銦感知膜表面加上-層"十"字形液體樹脂(PIX)保護(hù)膜，對"十"字形銻化銦感知膜表面 起到保護(hù)作用，這樣"十"字形銻化銦感知膜就不易損壞，保證霍爾元 件穩(wěn)定的特性；又加液體樹脂(PIX)保護(hù)膜的方法與加銻化銦感知膜類 似，因此簡單易行，不需另行增加生產(chǎn)設(shè)備，成本較低。


圖1為本實(shí)用新型所述十"字形銻化銦感知膜和"十"字形液體樹 脂保護(hù)膜疊加示意圖；圖2為本實(shí)用新型的示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例 一種銻化銦霍爾元件，主要由鎳鋅材料基板、二氧化硅絕 緣層、"十"字形銻化銦感知膜和金電極組成，"十"字形銻化銦感知 膜1上覆蓋有"十"字形液體樹脂保護(hù)膜2，"十"字形液體樹脂保護(hù)膜 圖形尺寸稍小于"十"字形銻化銦感知膜圖形尺寸，以便于"十"字形 銻化銦感知膜的四端露出于"十"字形液體樹脂保護(hù)膜之外與金電極3 相接。"十"字形液體樹脂保護(hù)膜的"十"字寬度大于"十"字形銻化銦 感知膜的"十"字寬度，可更好地保護(hù)"十"字形銻化銦感知膜。 本實(shí)用新型制造方法如下 銻化銦高靈敏度型霍爾器件芯片的生產(chǎn)原材料是從日本進(jìn)口的鎳 鋅材料基板，直徑60咖、厚度是0.3mm，經(jīng)過涂料工藝(旋轉(zhuǎn)涂料機(jī)) 或者濺射工藝在圓片表面生成二氧化硅(Si02)，形成絕緣層，在絕緣層
表面使用日本ULVAC公司的蒸膜機(jī)蒸著一層銻化銦(InSb)導(dǎo)電層，銻化銦導(dǎo)電層的性能直接影響銻化銦高靈敏度型霍爾器件的特性，所以在 蒸著是對InSb和Sb的重量比例(比例是8: 1)、真空度(6X10'pa以下)和熱處理溫度(根據(jù)產(chǎn)品外觀及特性來調(diào)整)等條件都有相當(dāng)嚴(yán)格 的要求，蒸著完成的芯片進(jìn)行銻化銦(InSb)導(dǎo)電層性能測試，對不同 性能的芯片進(jìn)行檔次分類，不同檔次的芯片用不同尺寸的銻化銦(InSb) 導(dǎo)電層圖形來進(jìn)行校正，所其性能盡量達(dá)到^一致；進(jìn)行銻化銦(InSb)導(dǎo)電層光刻、在光刻前預(yù)先在蒸著完成的InSb 表面旋轉(zhuǎn)涂布一層光刻膠(5500rpm、 37. 5sec)， 9(TC烘千以后進(jìn)行"十" 字形銻化銦感知膜光刻。光刻好的產(chǎn)品在與光刻膠相配套的顯像液中顯 像(顯像液水=1: 1、液體溫度=24匸 26匸、顯像時間=80秒)，在光 刻時照到紫外線的地方，光刻膠進(jìn)行清洗掉，留下"十"字形的光刻膠 圖形。9CTC烘干以后進(jìn)行第一次腐蝕，第一腐蝕液是乳酸硝酸二5: 1(體積比)、腐蝕液溫度二27。C 29。C、腐蝕時間二240 sec，沒有光刻膠 的地方銻化銦感知膜就會腐蝕掉，只留下"十"字形的光刻膠圖形和其 底下的"十"字形銻化銦感知膜。然后進(jìn)行第二次腐蝕，第二次腐蝕是 對第一次腐蝕的圖形進(jìn)行完整修補(bǔ)，第二腐蝕液是鹽酸，時間二300 sec。 第二次腐蝕以后在丙酮中進(jìn)行光刻膠清除，就形成"十"字形銻化銦感 知膜；進(jìn)行液體樹脂(PIX)保護(hù)膜形成，在形成"十"字形銻化銦感知 膜的基板表面旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)涂布一層液體樹脂(PIX)保護(hù)膜(7000rpm、24sec)、 經(jīng)過140。C和2小時的烘干。再在液體樹脂(PIX)保護(hù)膜表面旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)涂 布一層光刻膠(3000rpm、 24sec)、 9(TC烘干以后在"十"字形銻化銦感
知膜上進(jìn)行"十"字形液體樹脂(PIX)保護(hù)膜光刻("十"字形PIX保護(hù)膜圖形尺寸是460um，"十"字形銻化銦感知膜圖形尺寸是580 pm ， "十"字形液體樹脂保護(hù)膜圖形尺寸比"十"字形銻化銦感知膜圖形要 窄一點(diǎn)，PIX保護(hù)膜"十"字的寬度是衡m、銻化銦感知膜"十，，字 的寬度是150um，液體樹脂保護(hù)膜"十"字的寬度要寬 點(diǎn))。光刻好 的產(chǎn)品在與光刻膠相配套的顯像液中顯像(顯像液水=1: 1、液體溫度=24°C 26°C、顯像時間90sec)，在光刻時照到紫外線的地方，液體樹 脂保護(hù)膜和光刻膠進(jìn)行清洗掉，留下"十"字形的光刻膠圖形(PIX保 護(hù)膜和光刻膠)。然后再在醋酸丁中清洗掉剩余的光刻膠，就在"十"字 形銻化銦感知膜表面形成"十"字形液體樹脂保護(hù)膜；在形成"十"字形銻化銦感知膜和"十"字形液體樹脂保護(hù)膜的基 板表面涂布一層光刻膠進(jìn)行烘干，與"十"字形銻化銦感知膜和"十" 字形液體樹脂保護(hù)膜光刻口平行接觸處進(jìn)行四個金電極圖形光刻，在每 個金電極圖形以內(nèi)的部分用紫外線進(jìn)行照射，接著放入顯像液中顯像、 清除金電極圖形以內(nèi)的光刻膠，形成四個金電極圖形，(金電極圖形以外 留有光刻膠)；7)金電極圖形形成以后進(jìn)行金電極蒸著，在芯片表面依 次蒸著 一層0.08txm的Cr、 0. 77 u m的Au，蒸著完成后金電極圖形以 外部分的金用膠帶、丙酮等去除(因?yàn)樵谡艚鹬敖痣姌O圖形以外部分 有一層光刻膠，即"十"字形液體樹脂保護(hù)膜表面及兩兩相鄰金電極間 覆蓋有光刻膠、覆蓋在光刻膠表面的Cr和Au—并去除)，即形成四個金 電極，再進(jìn)行芯片性能測試及表面外觀檢査；然后芯片進(jìn)行劃片、切割、在四個金電極上使用金絲球焊連接、進(jìn) 行超小型封裝、進(jìn)行電鍍處理以后就形成了特性穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)緊湊的InSb 高靈敏度型霍爾器件。本例所述的"十"字形液體樹脂保護(hù)膜中的液體樹脂生產(chǎn)r家是曰本曰立化成公司，"十"字形液體樹脂保護(hù)膜又稱"十"字形PIX保護(hù)膜。
權(quán)利要求1.一種銻化銦霍爾元件，主要由鎳鋅材料基板、二氧化硅絕緣層、“十”字形銻化銦感知膜和金電極組成，其特征是“十”字形銻化銦感知膜上覆蓋有“十”字形液體樹脂保護(hù)膜，“十”字形液體樹脂保護(hù)膜圖形尺寸稍小于“十”字形銻化銦感知膜圖形尺寸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的銻化銦霍爾元件，其特征是"十"字 形液體樹脂保護(hù)膜的"十"字寬度大于"十"字形銻化銦感知膜的"十" 字寬度。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種銻化銦霍爾元件，主要由鎳鋅材料基板、二氧化硅絕緣層、“十”字形銻化銦感知膜和金電極組成，“十”字形銻化銦感知膜上覆蓋有“十”字形液體樹脂保護(hù)膜，“十”字形液體樹脂保護(hù)膜圖形尺寸稍小于“十”字形銻化銦感知膜圖形尺寸，以便于“十”字形銻化銦感知膜的四端露出于“十”字形液體樹脂保護(hù)膜之外與金電極相接。由于十”字形銻化銦感知膜表面加上一層“十”字形PIX保護(hù)膜，對“十”字形銻化銦感知膜表面起到保護(hù)作用，這樣“十”字形銻化銦感知膜就不易損壞，保證霍爾元件穩(wěn)定的特性；又加PIX保護(hù)膜的方法與加銻化銦感知膜類似，因此簡單易行，不需另行增加生產(chǎn)設(shè)備，成本較低。
文檔編號H01L43/04GK201017910SQ20072003648
公開日2008年2月6日 申請日期2007年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日
發(fā)明者西垣誠 申請人:昆山尼賽拉電子器材有限公司