專利名稱：引線框架及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種改善了電鍍區(qū)域的引線框架及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體封裝工藝中，引線框架與半導(dǎo)體芯片一起構(gòu)成半導(dǎo)體器件。引 線框架除了用于把半導(dǎo)體芯片連接到外部電路之外，還用于支撐半導(dǎo)體芯片。 通常，使用灌塑成型方法來形成最后的單個元器件，在該工藝中，由于不能
有效地去除粘附的環(huán)氧樹脂(EMC)封裝材料而導(dǎo)致成型后的產(chǎn)品中存在塑 封料毛刺。
圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的電鍍區(qū)域的圖。圖2是示出根據(jù) 現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的電鍍區(qū)域?qū)е碌囊€框架的最終元器件的外觀不良的圖。
參照圖1和圖2,雖然在制造引線框架的過程中，在引線框架的內(nèi)部引 線的引腳處電鍍了一層銀，但是參照圖2可以看出，在后續(xù)工藝中，還是有 一部分環(huán)氧樹脂不能被有效地去除，從而導(dǎo)致最終元器件的外觀不良。
因此，需要一種能有效地去除毛刺，又不增加成本和工藝步驟的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種引線框架及其制造方法，其中，通過對引線 框架的與成型過程中的灌注出口對應(yīng)的出口區(qū)域增加電鍍層，來有效地去除 后續(xù)工藝中存在的毛刺，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。另外，由于根據(jù)本發(fā)明實施例的 引線框架的制造方法是在對引線框架的內(nèi)部引線的引腳處電鍍銀的同時對引 線框架的出口區(qū)域電鍍銀，所以不會增加整個工藝的步驟，從而不會增加生 產(chǎn)成本。
根據(jù)本發(fā)明的實施例提供了一種引線框架，所述引線框架包括用來設(shè) 置半導(dǎo)體芯片的焊盤，所述焊盤位于引線框架的中心；圍繞所述焊盤向外延
3伸的多個引線組，每個引線組包括多條引線，引線用于連接到所述焊盤上的 半導(dǎo)體芯片；以及分別位于所述多個引線組中的兩個相鄰的引線組之間的外 端的進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域，所述進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域分別對應(yīng)于成型過程中
的灌注進(jìn)口和灌注出口 ；在所述出口區(qū)域的表面上電鍍有與灌注材料的粘合 力小的金屬。
在上述引線框架中，當(dāng)所述灌注材料為環(huán)氧樹脂時，所述金屬為銀。 根據(jù)本發(fā)明的實施例提供了 一種引線框架的制造方法，所述引線框架包 括用來設(shè)置半導(dǎo)體芯片的焊盤，所述焊盤位于引線框架的中心；圍繞所述 焊盤向外延伸的多個引線組，每個引線組包括多條引線，引線用于連接到所 述焊盤上的半導(dǎo)體芯片；以及分別位于所述多個引線組中的兩個相鄰的引線 組之間的外端的進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域，所述進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域分別對應(yīng)于 成型過程中的灌注進(jìn)口和灌注出口，所述制造方法包括以下步驟制備金屬 基底；對金屬基底進(jìn)行電鍍，其中，對引線框架的內(nèi)部引線的引腳和所述出 口區(qū)域同時電鍍與灌注材料的粘合力小的金屬。


下文中，將通過參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，在附圖中 圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的電鍍區(qū)域的圖； 圖2是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的電鍍區(qū)域?qū)е碌囊€框架的最終 元器件的外觀不良的圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的引線框架的電鍍區(qū)域的圖。
具體實施方式
下文中，將參照附圖來更充分地描述本發(fā)明。
目前使用的引線框架的主要成分為銅和合金42 (含42 %的鎳和58 %的 鐵)。通常在引線框架的內(nèi)部引線的引腳處電鍍一層銀(Ag)來改善引線框 架與環(huán)氧樹脂的電連接特性和工藝的穩(wěn)定性。因為銅和合金42與環(huán)氧樹脂之 間的粘合力較大，而環(huán)氧樹脂與銀的粘合力比環(huán)氧樹脂與銅和合金42的粘合 力小，所以也可以通過電鍍一層銀來改善環(huán)氧樹脂和引線框架的結(jié)合情況。
參照圖3，根據(jù)本發(fā)明實施例的引線框架IO可以為方形。引線框架10 包括焊盤11，位于引線框架10的中心位置，用來安裝半導(dǎo)體芯片(未示出)；多個引線組22,包括多條引線，用于將半導(dǎo)體芯片連接到外部電路，
并且從焊盤11周圍向引線框架10的外圍延伸； 一個進(jìn)口區(qū)域14和三個出口 區(qū)域13，在多個引線組22的外端位于多個引線組22中的兩個相鄰的引線組 22之間，進(jìn)口區(qū)域14與灌塑成型過程中的灌注進(jìn)口對應(yīng)，出口區(qū)域13與灌 塑成型過程中的灌注出口對應(yīng)。其中，灌注進(jìn)口與外界相通，并且在灌塑成 型的過程中通過該灌注進(jìn)口注入樹脂；灌注出口與外界相通，并且在灌塑成 型的過程中用于排放氣體。根據(jù)本發(fā)明實施例的引線框架IO在至少一個出口 區(qū)域13的表面上電鍍有與樹脂的粘合力小的金屬，從而形成電鍍區(qū)。當(dāng)上述 樹脂為環(huán)氧樹脂時，所述金屬優(yōu)選地為金屬銀。只要鍍銀區(qū)不與引線接觸， 根據(jù)本發(fā)明實施例的鍍銀區(qū)可以為三角形、圓形等各種形狀。在三個出口區(qū) 域13都電鍍有金屬銀的情況下，在灌塑成型的過程中，通過灌注出口溢出的 環(huán)氧樹脂的量最少，從而得到的最終半導(dǎo)體器件的外觀最好。因為銀與環(huán)氧 樹脂的粘合力較差，所以可以減少在灌塑成型過程中通過灌注出口溢出的環(huán) 氧樹脂的量。另外，由于環(huán)氧樹脂與銀的粘合力差，所以在后續(xù)的成型工藝 過程中殘留的環(huán)氧樹脂比較容易清除。因此，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的引線 框架上的殘留的環(huán)氧樹脂難以清除的問題，從而使得引線框架在后續(xù)工藝的 過程中外觀優(yōu)良。
在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明實施例的引線框架的制造方法。該制造方 法包括以下步驟制備金屬基底；對金屬基底進(jìn)行電鍍，其中，在對引線框 架的內(nèi)部引線的引腳處電鍍金屬的同時，對至少一個出口區(qū)域13的表面電鍍 所述金屬，其中，所述金屬與所述灌注材料的粘合力小。優(yōu)選地，當(dāng)上述樹 脂為環(huán)氧樹脂時，所述金屬為金屬銀。
根據(jù)本發(fā)明實施例的引線框架的制造方法，在對內(nèi)部引線的引腳處進(jìn)行 電鍍的同時，對出口區(qū)域13的表面進(jìn)行電鍍，從而不增加生產(chǎn)步驟，并且不 增加生產(chǎn)成本。
根據(jù)本發(fā)明實施例的引線框架及其制造方法可以用于各種引線框架和相 應(yīng)元器件以及引線框架和這些元器件的生產(chǎn)過程。
權(quán)利要求
1、一種引線框架，其特征在于所述引線框架包括用來設(shè)置半導(dǎo)體芯片的焊盤，所述焊盤位于引線框架的中心；圍繞所述焊盤向外延伸的多個引線組，每個引線組包括多條引線，引線用于連接到所述焊盤上的半導(dǎo)體芯片；以及分別位于所述多個引線組中的兩個相鄰的引線組之間的外端的進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域，所述進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域分別對應(yīng)于成型過程中的灌注進(jìn)口和灌注出口；在所述出口區(qū)域的表面上電鍍有與灌注材料的粘合力小的金屬。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于當(dāng)所述灌注材料為環(huán) 氧樹脂時，所述金屬為銀。
3、 一種引線框架的制造方法，所述引線框架包括用來設(shè)置半導(dǎo)體芯片 的焊盤，所述焊盤位于引線框架的中心；圍繞所述焊盤向外延伸的多個引線 組，每個引線組包括多條引線，引線用于連接到所述焊盤上的半導(dǎo)體芯片； 以及分別位于所述多個引線組中的兩個相鄰的引線組之間的外端的進(jìn)口區(qū)域 和出口區(qū)域，所述進(jìn)口區(qū)域和出口區(qū)域分別對應(yīng)于成型過程中的灌注進(jìn)口和 灌注出口，所述制造方法包括以下步驟制備金屬基底；對金屬基底進(jìn)行電鍍，其中，對引線框架的內(nèi)部引線的引腳和所述出口 區(qū)域同時電鍍與灌注材料的粘合力小的金屬。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于當(dāng)所述灌注材料為環(huán) 氧樹脂時，所述金屬為銀。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種引線框架及其制造方法。該引線框架在出口區(qū)域的表面上電鍍有金屬銀。根據(jù)本發(fā)明實施例的引線框架的制造方法在對引線框架的內(nèi)部引線的引腳位置電鍍金屬銀的同時對引線框架的出口區(qū)域電鍍金屬銀。
文檔編號H01L23/495GK101465333SQ200710300120
公開日2009年6月24日 申請日期2007年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月17日
發(fā)明者周永華, 夏一凡, 王宏杰, 鋒 謝 申請人:三星電子株式會社;三星半導(dǎo)體(中國)研究開發(fā)有限公司