專利名稱：對(duì)稱電感元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于 一種對(duì)稱電感元件，特別是有關(guān)于一種對(duì)稱電感元件適用
于差動(dòng)型(differential)操作。
背景技術(shù)：
許多數(shù)字及模擬部件及電路已成功地運(yùn)用于半導(dǎo)體集成電路。上述部件 包含了無源元件，例如電阻、電容或電感等。典型的半導(dǎo)體集成電路包含一 硅基底。 一層以上的介電層設(shè)置于基底上，且一層以上的金屬層設(shè)置于介電 層中。這些金屬層可藉由現(xiàn)行的半導(dǎo)體工藝技術(shù)而形成芯片內(nèi)建部件，例如 芯片內(nèi)建電感元件(on-chip inductor)。
傳統(tǒng)上，芯片內(nèi)建電感形成于基底上且運(yùn)用于射頻頻帶(radio frequency band)集成電路設(shè)計(jì)。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示出一現(xiàn)有二匝對(duì)稱型電感元件平 面示意圖。此電感元件形成于一基底100上方的絕緣層110中，包括對(duì)稱 設(shè)置于虛線2兩側(cè)的絕緣層110上的第一及第二繞線部。第一繞線部包括半 圈型導(dǎo)線層101及103,而第二繞線部包括半圈型導(dǎo)線層102及104。半圈 型導(dǎo)線層103平行半圈型導(dǎo)線層101并位于其外側(cè)。半圈型導(dǎo)線層104平行 半圈型導(dǎo)線層102并位于其外側(cè)。每一半圈型導(dǎo)線層具有第一及第二端10 及20，其中半圈型導(dǎo)線層101的第一端IO延伸并連接至半圏型導(dǎo)線層102 的第一端10。
為了維持電感元件幾何對(duì)稱性(geometric symmetry),半圈型導(dǎo)線層 103的第二端20藉由一下^爭接(underpass) 111與半圈型導(dǎo)線層102的第二 端20電連接。另外，半圈型導(dǎo)線層104的第二端20藉由一上跨接層113而 與半圖型導(dǎo)線層101的第二端20電連接。半圈型導(dǎo)線層103及104的第一 端10具有側(cè)向延伸部30及40,用以作為輸入/輸出端。
近來，越來越多的無線通訊設(shè)計(jì)使用差動(dòng)電^各以降低共才莫(common mode)噪聲，而運(yùn)用于上述差動(dòng)電路的電感需為對(duì)稱式來防止共模噪聲產(chǎn)生。 在圖1的電感元件中，相較于上跨接層113，下跨接層111較接近基底100。
因此，下跨接層111與基底100之間的電容性耦合(capacitive coupling)大 于上跨接層113與基底100之間的電容性耦合。再者，由于下跨接層lll的 厚度小于上跨接層113,因此下跨接層111具有較大的導(dǎo)體損失。如此一來， 在差動(dòng)操作中，上述具有幾何對(duì)稱性的電感元件并無法有效降低共模噪聲且 會(huì)降低其品質(zhì)因素(quality factor/Q value )。
因此，有必要尋求新的對(duì)稱電感元件設(shè)計(jì)，以有效P爭低共模噪聲并提升 品質(zhì)因素。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明在于提供一種對(duì)稱電感元件，其藉由增加上跨接層附 近與基底之間的電容性耦合，使上下跨接層與基底之間具有相似的電容性耦 合，進(jìn)而有效降低共模噪聲并提升其品質(zhì)因素。
根據(jù)上述的目的，本發(fā)明提供一種對(duì)稱電感元件，配置于一基底上，包 括相互對(duì)稱設(shè)置于一絕緣層上的第一及第二繞線部。每一繞線部包括由外 而內(nèi)同心排列的第一及第二半圈型導(dǎo)線層，且每一半圈型導(dǎo)線層具有一第一 端及一第二端。 一上跨接層及一下跨接層交錯(cuò)連接第一及第二半圈型導(dǎo)線層 的第二端。連接上跨接層兩端的半圈型導(dǎo)線層下方的絕緣層內(nèi)分別具有第一 及一第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中每一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括至少一導(dǎo)電層及電連接導(dǎo)電 層及對(duì)應(yīng)的半圈型導(dǎo)線層的多個(gè)導(dǎo)電插塞。 .
本發(fā)明藉由增加上跨接層附近與基底間的電容性耦合，使上下跨接層與 基底間具有相似的電容性耦合，進(jìn)而有效降低共模噪聲并提升其品質(zhì)因素。


圖1繪示出現(xiàn)有二匝對(duì)稱型電感元件平面示意圖。
圖2繪示出才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的二匝對(duì)稱型電感元件平面示意圖。
圖3A繪示出圖2中沿3a-3a，線的剖面示意圖。
圖3B繪示出圖2中沿3b-3b，線的剖面示意圖。
圖3C繪示出圖2中沿3c-3c，線的剖面示意圖。
圖4繪示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的三匝對(duì)稱型電感元件平面示意圖。
圖5A繪示出圖4中沿5a-5a，線的剖面示意圖。
圖5B繪示出圖4中沿5b-5b，線的剖面示意圖。
圖5C繪示出圖4中沿5c-5c，線的剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說明
現(xiàn)有
2~虛線；10 第一端；20 第二端；30、 40 側(cè)向延伸部；100~基底；101、 102、 103、 104 半圈型導(dǎo)線層；110 絕緣層；111 下跨接層；113 上跨接層。 實(shí)施例
4~虛線;50~第一端;60 第二端;70、 80 側(cè)向延伸部;200~基底;201、 202、 203、 204、 205、 206 半圈型導(dǎo)線層;210~絕緣層;212、 214、 216、 218 內(nèi)連線結(jié)構(gòu);220、 230 下跨接層;221、 222、 223、 224、 225、 226、 227、 228、 422、 423、 427、 428 導(dǎo)電插塞;240、 250 上跨接層；320、 322、 323、 327、 328、 330、 522、 523、 527、 528 導(dǎo)電層。
具體實(shí)施例方式
以下配合圖2、 3A、 3B、及3C說明本發(fā)明實(shí)施例的二匝對(duì)稱電感元件， 其中圖2繪示出二匝對(duì)稱型電感元件平面示意圖，而圖3A、 3B、及3C分 別繪示出圖2中沿3a-3a，線、3b-3b，、及3c-3c，線的剖面示意圖。對(duì)稱電感元 件包括設(shè)置于一基底200上的一絕緣層210、第一及第二繞線部、 一上跨 接層240、 一下跨接層220、以及內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212及214。
基底200包括一硅基底或其它現(xiàn)有的半導(dǎo)體基底?；?00中可包含各 種不同的元件，例如晶體管、電阻、及其它現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件。再者，基底 200亦可包含其它導(dǎo)電層(例如，銅、鋁、鵪、或其合金)。.此處為了簡化 圖式，僅以一平整基底表示之。另外，絕緣層210可為一單層介電層或是多 層介電結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，絕緣層210可包括氧化硅層、氮化硅層、或低 介電材料層的多層介電結(jié)構(gòu)。此處為了簡化圖式，亦僅以一單層介電層表示 之，如圖3A所示。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，第一繞線部設(shè)置于絕緣層210上，且位于虛線4的一第一 側(cè)。第一繞線部包括由外而內(nèi)依序同心排列的半圈型導(dǎo)線層201及203。第 二繞線部設(shè)置于絕緣層210上，且位于虛線4的一第二側(cè)，而此第二側(cè)相對(duì) 于第一側(cè)。第二繞線部包括由外而內(nèi)依序同心排列的半圈型導(dǎo)線層202及 204。第二繞線部以虛線4為對(duì)稱軸而對(duì)稱于第一繞線部。第一及第二繞線 部可構(gòu)成大體為圓形、矩形、六邊形、八邊形、或多邊形的外形。此處，為筒化圖式，以八邊形作為范例說明。再者，第一及第二繞線部的材質(zhì)可由金屬所構(gòu)成，例如銅、鋁、或其合金。在本實(shí)施例中，半圈型導(dǎo)線層201、 202、 203、及204可具有相同的線寬W與線距S。再者，每一半圈型導(dǎo)線層 具有一第一端50及一第二端60。第一繞線部的半圈型導(dǎo)線層203的第一端 50延伸至第二繞線部的半圈型導(dǎo)線層204的第一端50以相互連接。第一繞 線部的半圈型導(dǎo)線層201及第二繞線部的半圈型導(dǎo)線層202的第一端50分 別具有側(cè)向延伸部70及80，用以作為信號(hào)輸入或輸出端。
在本實(shí)施例中，為了維持電感元件幾何對(duì)稱性，上跨接層240及下跨接 層220設(shè)置于第 一與第二繞線部之間，用以交^"連接第 一繞線部的半圈型導(dǎo) 線層201及203的第二端60與第二繞線部的半圈型導(dǎo)線層202及204的第 二端60。舉例而言，下跨接層220, i殳置于絕緣層210內(nèi)，且藉由導(dǎo)電插塞 221及224分別電連接半圈型導(dǎo)線層201的第二端60及半圈型導(dǎo)線層204 的第二端60。再者，上跨接層240,設(shè)置于絕緣層210上，且延伸至半圈型 導(dǎo)線層202的第二端60及半圈型導(dǎo)線層203的第二端60以供電連接之用。 在一些實(shí)施例中，下跨接層220可藉由導(dǎo)電插塞分別電連接半圈型導(dǎo)線層 202的第二端60,及半圈型導(dǎo)線層203的第二端60,而上跨接層240可延伸 至半圈型導(dǎo)線層201的第二端60及半圈型導(dǎo)線層204的第二端60以供電連 接之用。需注意的是由于下跨接層220的厚度小于上跨接層240,使得下跨 接層220具有較大的導(dǎo)體損失而降低電感元件的品質(zhì)因素。因此，請(qǐng)參照?qǐng)D 3B，可在下跨接層220下方額外并接一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，以降低下跨接層220的 導(dǎo)體損失。此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)置于下跨接層220下方的絕緣層210內(nèi)，其包括 一導(dǎo)電層320及電連接導(dǎo)電層320及下跨接層220的多個(gè)導(dǎo)電插塞。舉例而 言，二導(dǎo)電插塞(未繪示)分別設(shè)置于導(dǎo)電層320與下跨接層220之間的絕 緣層210內(nèi)，且大體分別對(duì)準(zhǔn)于導(dǎo)電插塞221及224 (如圖2所示)。在一 些實(shí)施例中，此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)可包括多個(gè)堆疊且電連接的導(dǎo)電層。
再者，請(qǐng)參照?qǐng)D2，連接上跨接層240兩端的半圈型導(dǎo)線層203及202 下方分別并接內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212及214,其中絕緣層210內(nèi)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212 及214分別包括至少一導(dǎo)電層及電連接導(dǎo)電層及對(duì)應(yīng)的半圈型導(dǎo)線層的多個(gè) 導(dǎo)電插塞。舉例而言，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212包括堆疊的導(dǎo)電層323及523及導(dǎo)電 插塞223及423,如圖3A所示，而內(nèi)連線結(jié)構(gòu)214包括堆疊的導(dǎo)電層322 及522及導(dǎo)電插塞222及422，如圖3C所示。需注意的是，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212
及214中導(dǎo)電層的層數(shù)，可依設(shè)計(jì)需求而定。另外，在本實(shí)施例中，下跨接
中導(dǎo)電層的層數(shù)且相同于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)214中導(dǎo)電層的層數(shù)。換言之，位于下 跨接層220下方的最接近基底200的導(dǎo)電層(例如圖3B的導(dǎo)電層320 ) 與位于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212及214下方的最接近基底200的導(dǎo)電層(例如圖3A 的導(dǎo)電層523及圖3C的導(dǎo)電層522)位于同一層。在另一實(shí)施例中，若下 跨接層220的下方未配置有內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，則下跨接層220與位于內(nèi)連線結(jié)構(gòu) 212及214下方的最^妄近基底200的導(dǎo)電層(例如圖3A的導(dǎo)電層523及 圖3C的導(dǎo)電層522)位于同一層。
雖然下跨接層220與基底200之間的電容性耦合大于上跨接層240與基 底200之間的電容性耦合，然而上跨接層240兩端附近的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)212及 214可增加半圈型導(dǎo)線層203及202與基底200之間的電容性耦合而近似于 半圈型導(dǎo)線層201及204與基底200之間的電容性耦合。如此一來，在差動(dòng) 操作中，根據(jù)本實(shí)施例的電感元件可有效降低共模噪聲并提升其品質(zhì)因素。
以下配合圖4、 5A、 5B、及5C說明本發(fā)明實(shí)施例的三匝對(duì)稱電感元件， 其中圖4繪示出三匝對(duì)稱型電感元件平面示意圖，而圖5A、 5B、及5C分 別繪示出圖4中沿5a隱5a，線、5b-5b，、及5c-5c，線的剖面示意圖。相同于圖2、 3A、 3B、及3C中對(duì)稱電感元件的部件使用相同的標(biāo)號(hào)并省略相關(guān)的說明。 在本實(shí)施例中，第一繞線部包括由外而內(nèi)依序同心排列的半圈型導(dǎo)線層201 、
203、 及205。第二繞線部包括由外而內(nèi)依序同心排列的半圈型導(dǎo)線層202、
204、 及206。每一半圈型導(dǎo)線層具有一第一端50及一第二端60。第一繞線 部的半圈型導(dǎo)線層205的第二端60延伸至第二繞線部的半圈型導(dǎo)線層206 的第二端60以相互連4妻。
在本實(shí)施例中，除了上跨接層240及下跨接層220交錯(cuò)連接第 一繞線部 的半圈型導(dǎo)線層201及203的第二端60與第二繞線部的半圈型導(dǎo)線層202 及204的第二端60之外，電感元件還包括上跨接層250及下跨接層230交 錯(cuò)連接第一繞線部的半圈型導(dǎo)線層203及205與第二繞線部的半圈型導(dǎo)線層 204及206的第一端50。舉例而言，下跨接層230藉由導(dǎo)電插塞225及226 分別電連接半圈型導(dǎo)線層203的第一端50及半圈型導(dǎo)線層206的第一端50。 再者，上跨接層240延伸至半圈型導(dǎo)線層205的第一端50及半圈型導(dǎo)線層 204的第一端50以供電連接之用。在一些實(shí)施例中，下跨接層230可藉由導(dǎo)電插塞分別電連接半圈型導(dǎo)線層205的第一端50及半圏型導(dǎo)線層204的第 一端50,而上跨接層250可延伸至半圏型導(dǎo)線層203的第一端50及半圈型 導(dǎo)線層206的第一端50以供電連接之用。
請(qǐng)參照?qǐng)D5B，可在下跨接層230下方額外并接一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，以降低 下跨接層230的導(dǎo)體損失。此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)設(shè)置于下跨接層230下方的絕緣層 210內(nèi)，其包括一導(dǎo)電層330及電連接導(dǎo)電層330及下跨接層230的多個(gè)導(dǎo) 電插塞舉例而言，二導(dǎo)電插塞(未繪示)分別設(shè)置于導(dǎo)電層330與下跨接層 230之間的絕緣層210內(nèi)，且大體分別對(duì)準(zhǔn)于導(dǎo)電插塞225及226 (如圖4 所示)。在一些實(shí)施例中，此內(nèi)連線結(jié)構(gòu)可包括多個(gè)堆疊且電連接的導(dǎo)電層。
再者，請(qǐng)參照?qǐng)D4，連接上跨接層250兩端的半圈型導(dǎo)線層205及204 下方分別并接內(nèi)連線結(jié)構(gòu)216及218，其中絕緣層210內(nèi)的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)216 及218分別包括至少一導(dǎo)電層及電連接導(dǎo)電層及對(duì)應(yīng)的半圈型導(dǎo)線層的多個(gè) 導(dǎo)電插塞。舉例而言，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)216包括堆疊的導(dǎo)電層327及527及導(dǎo)電 插塞227及427，如圖5A所示，而內(nèi)連線結(jié)構(gòu)218包括堆疊的導(dǎo)電層328 及528及導(dǎo)電插塞228及428,如圖5C所示。另外，在本實(shí)施例中，下跨 接層230與其下方的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電層的層數(shù)總和可相同于內(nèi)連線結(jié)構(gòu) 216中導(dǎo)電層的層數(shù)且相同于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)218中導(dǎo)電層的層數(shù)。換言之，位 于下跨接層230下方的最接近基底200的導(dǎo)電層(例如圖5B的導(dǎo)電層330 ) 與位于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)216及218下方的最接近基底200的導(dǎo)電層(例如圖5A 的導(dǎo)電層527及圖5C的導(dǎo)電層528 )位于同一層。在另一實(shí)施例中，若下 跨接層230的下方未配置有內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，則下i 爭接層230與位于內(nèi)連線結(jié)構(gòu) 216及218下方的最接近基底200的導(dǎo)電層(例如圖5A的導(dǎo)電層527及 圖5C的導(dǎo)電層528)位于同一層。
上跨接層250兩端附近的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)216及218可增加半圈型導(dǎo)線層 205及204與基底200之間的電容性耦合而近似于半圈型導(dǎo)線層203及206 與基底200之間的電容性耦合，進(jìn)而有效降低共模噪聲并提升其品質(zhì)因素。
另外，需注意的是雖然上述實(shí)施例中以二匝及三匝的對(duì)稱型電感元件作 為范例說明，然而在其它多匝的對(duì)稱型電感元件的應(yīng)用中，亦可獲得相同的 優(yōu)點(diǎn)。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)稱電感元件，配置在一基底上，該對(duì)稱電感元件包括一絕緣層；一第一繞線部及一第二繞線部，相互對(duì)稱設(shè)置于該絕緣層上，每一繞線部包括由外而內(nèi)同心排列的一第一半圈型導(dǎo)線層及一第二半圈型導(dǎo)線層，且每一半圈型導(dǎo)線層具有一第一端及一第二端；一第一上跨接層及一第一下跨接層，交錯(cuò)連接所述第一半圈型導(dǎo)線層及第二半圈型導(dǎo)線層的所述第二端；以及一第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及一第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于連接該第一上跨接層兩端的所述半圈型導(dǎo)線層下方的該絕緣層內(nèi)，其中每一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括至少一導(dǎo)電層及電連接該導(dǎo)電層與對(duì)應(yīng)的該半圈型導(dǎo)線層的多個(gè)導(dǎo)電插塞。
2. 如權(quán)利要求1所述的對(duì)稱電感元件，其中所述第二半,型導(dǎo)線層的所 述第一端相互連接。
3. 如權(quán)利要求1所述的對(duì)稱電感元件，更包括一第三內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，設(shè)置 于該第 一下^爭接層下方的該絕緣層內(nèi)，其中該第三內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括至少 一導(dǎo) 電層及電連接該導(dǎo)電層及該第 一下聘卜接層的多個(gè)導(dǎo)電插塞。
4. 如權(quán)利要求3所述的對(duì)稱電感元件，其中所述第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、第二 內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及第三內(nèi)連線結(jié)構(gòu)分別包括堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層，且該第一下跨接 層與該第三內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中所述導(dǎo)電層的層數(shù)總和相同于該第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu) 中所述導(dǎo)電層的層數(shù)且相同于該第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中所述導(dǎo)電層的層數(shù)。
5. 如權(quán)利要求1所述的對(duì)稱電感元件，其中每一繞線部更包括 一第三 半圈型導(dǎo)線層且同心排列于該第二半圈型導(dǎo)線層的內(nèi)側(cè)。
6. 如權(quán)利要求5所述的對(duì)稱電感元件，其中所述第三半圈型導(dǎo)線層的所 述第二端相互連接。 .
7. 如權(quán)利要求5所述的對(duì)稱電感元件，更包括 一第二上跨接層及一第二下跨接層，交錯(cuò)連接所述第二半圈型導(dǎo)線層及第三半圏型導(dǎo)線層的所述第一端。
8. 如權(quán)利要求7所述的對(duì)稱電感元件，更包括 一第三內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及一 第四內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于連接該第二上跨接層兩端的所述半圏型導(dǎo)線層 下方的該絕緣層內(nèi)，其中每一 內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括至少 一導(dǎo)電層及電連接該導(dǎo)電層及對(duì)應(yīng)的該半圈型導(dǎo)線層的多個(gè)導(dǎo)電插塞。
9. 如權(quán)利要求7所述的對(duì)稱電感元件，更包括一第五內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，設(shè)置 于該第二下跨接層下方的該絕緣層內(nèi)，其中該第五內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括至少一導(dǎo) 電層及電連接該導(dǎo)電層及該第二下跨接層的多個(gè)導(dǎo)電插塞。
10. 如權(quán)利要求9所述的對(duì)稱電感元件，其中所述第三內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、第 四內(nèi)連線結(jié)構(gòu)及第五內(nèi)連線結(jié)構(gòu)分別包括堆疊的多個(gè)導(dǎo)電層，且該第二下跨 接層與該第五內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中所述導(dǎo)電層的層數(shù)總和相同于該第三內(nèi)連線結(jié) 構(gòu)中所述導(dǎo)電層的層數(shù)且相同于該第四內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中所述導(dǎo)電層的層數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種對(duì)稱電感元件，配置于一基底上，包括相互對(duì)稱設(shè)置于一絕緣層上的第一及第二繞線部。每一繞線部包括由外而內(nèi)同心排列的第一及第二半圈型導(dǎo)線層，且每一半圈型導(dǎo)線層具有一第一端及一第二端。一上跨接層及一下跨接層交錯(cuò)連接第一及第二半圈型導(dǎo)線層的第二端。連接上跨接層兩端的半圈型導(dǎo)線層下方的絕緣層內(nèi)分別具有第一及一第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中每一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括至少一導(dǎo)電層及電連接導(dǎo)電層及對(duì)應(yīng)的半圈型導(dǎo)線層的多個(gè)導(dǎo)電插塞。
文檔編號(hào)H01L27/00GK101202277SQ20071016791
公開日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月26日
發(fā)明者李勝源, 林筱筑 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司