專利名稱：場效應(yīng)晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及適用于1GHz以上的高頻帶使用的場效應(yīng)晶體管及 其制造方法。
背景技術(shù)：
利用1GHz以上的高頻帶的無線通信以近來便攜式電話的普及為 首，正利用WiMAX等進(jìn)行面向高頻帶的各種系統(tǒng)的開發(fā)和整備。此夕卜， 可以預(yù)想今后60GHz頻帶的高速大容量通信系統(tǒng)或70 80GHz頻帶的 車載雷達(dá)系統(tǒng)等亳米波無線通信的市場也會更加擴(kuò)大。在收發(fā)這些高 頻帶無線信號的部分，主要使用化合物半導(dǎo)體、特別是以GaAs為襯底 的稱之為MESFET、 HFET或HEMT的場效應(yīng)晶體管。 一般，通信系統(tǒng)的 普及必須降低終端系統(tǒng)的成本。在硅處理工藝中，原來硅和作為表面絕緣膜使用的利用熱氧化形 成的氧化硅膜非常穩(wěn)定且防濕性好，此外，在半導(dǎo)體上層疊有夾著層 間絕緣膜的多層布線，對于耐濕性也很有效。但是，終端的收發(fā)模塊使用的化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，因本 來其化合物半導(dǎo)體本身的耐濕性就非常差，加之，層疊絕緣膜的耐濕性也并不好，如果膜厚很薄，則在100nm以下的臺階差下由于覆著膜 的不良等原因水分容易進(jìn)入，從而導(dǎo)致特性惡化的問題。因此，以往 將其封裝在氣密密封封裝體中之后再使用。但是，由于氣密密封封裝體其所花的成本比晶體管芯片還高，所 以，為了采用簡易的封裝體以降低成本，迫切需要提高晶體管芯片單 體的耐濕性。因此，為了提高耐濕性，提出了增加耐濕絕緣膜的膜厚 的方案。但是，因在高頻帶工作，所以當(dāng)耐濕絕緣膜的膜厚變厚時，空間 容量增大，存在特性下降的問題。特別是，對于經(jīng)常在毫米頻帶使用 的HEMT結(jié)構(gòu)，若在柵極和半導(dǎo)體表面之間存在絕緣膜，則柵極電容大 大增加，存在增益明顯下降的問題。因此，為了防止空間電容的增大，提出了一種半導(dǎo)體裝置的制造
方法，即，在n型活性層上覆著氧化硅膜，該氧化硅膜作為柵極隔離 (gate lift-off )的隔離子(spacer)，并在其上覆著比氧化膜更 薄的氮化硅膜，在利用光致抗蝕劑對柵極形成部進(jìn)行構(gòu)圖之后，利用 干蝕刻除去該氮化膜，然后，利用濕蝕刻只將氧化膜除去直至襯底， 而幾乎不對氮化膜進(jìn)行蝕刻，進(jìn)而，進(jìn)行側(cè)面蝕刻，在氮化膜下部設(shè) 置空隙，其次，形成凹槽(recess)，蒸鍍柵極金屬，使用抗蝕劑進(jìn) 行隔離，形成柵極，填充氮化膜和柵極之間，并在凹槽內(nèi)形成空洞(例 如，參照專利文獻(xiàn)l)。[專利文獻(xiàn)l]特開平5-63003號公報但是，在形成凹槽之后形成柵極，將氮化硅膜和柵極之間填塞而 在凹槽內(nèi)形成空洞，因此為了形成凹槽，覆著氧化硅膜和氮化硅膜， 并在氮化硅膜上設(shè)置開口，以便用來設(shè)置柵電極，從該開口將氧化硅 膜除去直至n型活性層，且利用側(cè)面蝕刻在氮化硅膜的下部設(shè)置空隙， 這需要很多道工序，因此，存在成本上升的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種價格低廉的場效應(yīng)晶體管及其制造方 法，通過耐濕絕緣膜的厚膜層疊對柵極周圍進(jìn)行防濕處理，而且可以 抑制柵極電容的增大。本發(fā)明的場效應(yīng)晶體管是在半導(dǎo)體層上配設(shè)有T型或r型柵電 極、通過n型參雜的半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置的漏電極和源電極的場效應(yīng)晶體管， 具有將上述柵電極的周圍和上述半導(dǎo)體層的表面覆蓋的膜厚為50nm以 下的絕緣膜和以催化劑CVD法堆積而將上述絕緣膜覆蓋的氮化硅膜， 利用上述氮化硅膜，在上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和上述 半導(dǎo)體層之間形成空洞。本發(fā)明的場效應(yīng)晶體管具有如下效果通過利用催化劑CVD法將 具有防濕效果的氮化硅膜堆積成厚膜，可以在柵電極的相當(dāng)于張開的 傘罩的部分和半導(dǎo)體層之間形成空洞，因此，能夠省卻用于形成空洞 的工序，降低制造成本。


圖1是本發(fā)明實施形態(tài)1的場效應(yīng)晶體管的截面圖。
圖2是表示使空洞周圍的絕緣膜的膜厚可變、仿真求出的柵-漏間電容的曲線圖。圖3是表示使柵電極的張開的傘罩和覆蓋層之間的距離可變、仿真求出的柵-漏間電容的曲線圖。圖4是表示仿真柵-漏間電容時使用的計算器件模型的圖。圖5是表示使用計算器件模型使柵極向漏極側(cè)延伸部分可變、仿真求出的柵-漏間電容的曲線圖。圖6是本發(fā)明實施形態(tài)3的場效應(yīng)晶體管的截面圖。圖7是表示使從r型柵電極的相當(dāng)于傘柄(shank)部分的側(cè)面向漏電極側(cè)延伸的絕緣膜的寬度可變、仿真求出的耐壓和柵-漏間電容的曲線圖。
具體實施方式
實施形態(tài)1.圖l是本發(fā)明實施形態(tài)1的場效應(yīng)晶體管的截面圖。如圖1所示，本發(fā)明實施形態(tài)1的場效應(yīng)晶體管1，具有由在作為 半絕緣性襯底的半絕緣性GaAs襯底上生長的未參雜GaAs的外延層形 成的緩沖層3、由在該緩沖層3上生長的未參雜GaAs的外延層形成的 溝道層4、由在該溝道層4上生長的未參雜AlGaAs的外延層形成的柵 極接觸層5、由在該柵極接觸層5上生長的未參雜GaAs的外延層形成 的柵極埋入層6、以及由在柵極埋入層6上生長之后進(jìn)行構(gòu)圖并使其離 開規(guī)定的距離的n+型GaAs的外延層形成的2個覆蓋層(capping layer) 7a、 7b。再有，將緩沖層3、溝道層4、柵極接觸層5、柵極 埋入層6以及覆蓋層7a、 7b統(tǒng)稱作半導(dǎo)體層2。該未參雜AlGaAs的外延層是n型參雜的本征半導(dǎo)體。此外，該未 參雜GaAs的外延層是n型參雜的本征半導(dǎo)體。此外，本實施形態(tài)1的場效應(yīng)晶體管1具有在一個覆蓋層7a上形 成的源電極8、在另一個覆蓋層7b上形成的漏電極9、 一部分埋入柵 極埋入層6且控制流向源電極8和漏電極9之間的溝道層4的電流的 柵電極10、將半導(dǎo)體層2露出的表面覆著的絕緣膜11和覆蓋絕緣膜 11的防濕絕緣膜12。在該柵極埋入層6中設(shè)置使柵極接觸層5從底面露出的貫通孔21。而且，還設(shè)置凹槽23，將該貫通孔21包在里面，且截面比貫通孔 21的截面大，使柵極埋入層6從底部露出來。該柵電極IO是傘狀的T型柵極結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于傘柄的部分將貫通孔 21貫通，相當(dāng)于傘柄的部分的一個端部與柵極接觸層5接觸，相當(dāng)于 傘罩的部分張開。再有，柵電極10是TaN/Au的2層結(jié)構(gòu)。另外，在 毫米頻帶HEMT結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管中，必須使柵極長度在0. 5nm以 下，若柵極長度小，則柵極電阻增大且增益下降，所以為了達(dá)到使不 與半導(dǎo)體層2接觸的相當(dāng)于傘罩的部分張開來降低柵極電阻的目的， 有必要將柵電極10的結(jié)構(gòu)做成T型柵極結(jié)構(gòu)。此外，柵電極10的相 當(dāng)于傘罩的部分影響最大的是柵-漏間電容，所以，相當(dāng)于傘罩的部 分向源極側(cè)延伸或不延伸都與本發(fā)明無關(guān)。也就是，當(dāng)相當(dāng)于傘罩的 部分向源極側(cè)延伸時，是T型柵極結(jié)構(gòu)，不延伸時是r型柵極結(jié)構(gòu)。因此，如圖2所示，若將絕緣膜的膜厚作為變量對柵-漏間電容 Cgd進(jìn)行仿真，則絕緣膜的膜厚越厚柵-漏間電容Cgd越大，故在形成 空洞的柵極埋入層6、覆蓋層7a、 7b和柵電極10的表面形成工藝中通 常使用的50nm以下的絕緣膜11。通過像這樣用絕緣膜ll覆蓋半導(dǎo)體 層2的表面，可以不使半導(dǎo)體層2的表面暴露在氣相(vapor phase) 中，從而防止因表面缺陷等不穩(wěn)定性而導(dǎo)致器件特性的變化。防濕絕緣膜12作為一個整體覆著源電極8的側(cè)面、覆蓋層7a、 7b 的表面、柵極埋入層6的表面和柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的表面 和側(cè)面的部分。作為該防濕絕緣膜12，適合使用利用催化劑CVD法形成的氮化硅 膜(以下稱作SiNx膜，也包括像Sh仏那樣的不是化學(xué)計量法 (stoichiometric)的情況)。再有，作為通常經(jīng)常被使用的防濕絕 緣膜12，其余還有氧化硅膜(Si0膜)或氮氧化硅膜(Si0N膜)等， 因介電常數(shù)比SiNx小，故電容減小，但耐濕性和耐藥品性差。此外，在該實施形態(tài)1的場效應(yīng)晶體管1中，在柵電極10的相當(dāng) 于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2之間形成有空洞14。因此，就形成該空洞14的制造方法進(jìn)行說明。為了形成該空洞 14，使用催化劑CVD法形成SiNx膜。在催化劑CVD法中，設(shè)置在晶片上部的高溫鵠絲在硅烷(SiHO
和氨(NHO反應(yīng)時起催化劑的作用，而且不加熱晶片、不使用等離子 體等就可以形成SiNx膜。由于不發(fā)生等離子體，故不會損壞半導(dǎo)體層 2的表面，成為折射率非常高(折射率n約為2. 05 )的SiNx膜，且耐 濕性和耐藥品(稀釋的氟酸)性也非常高。再有，關(guān)于利用該催化劑 CVD法形成的SiNx膜的特性，在A.Masuda和其余4位作者的"由化 學(xué)氣相沉積接觸反應(yīng)形成的高耐濕性氮化硅膜和對砷化鎵場效應(yīng)晶體 管的應(yīng)用Highly moisture-resistive silicon nitride films prepared by catalytic chemical vapor deposition and application to gallium arsenide field-effect transistors"， Vac畫、74巻、2004年，P. 525-529中有詳細(xì)記栽。在催化劑CVD法中，晶片襯底溫度可以是300x:以下的低溫(在通 常的等離子體CVD法中，晶片襯底溫度是400 6001C )，這對于高折 射率膜的形成很有效，但是，因晶片襯底溫度低，故SiNx在表面不怎 么擴(kuò)散，SiNx在被柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分覆蓋的柵極埋 入層6的表面和柵電極10的相當(dāng)于傘柄的部分的側(cè)面蔓延的情況很 少。通常，從被柵電極10的相當(dāng)于傘罩的部分覆蓋的對柵極埋入層6 表面的不充分覆著這一點來看，SiNx蔓延少可以說是一種缺點，但是， 本發(fā)明中卻利用 一種逆向思維，SiNx膜在柵電極10的相當(dāng)于傘罩的部 分和覆蓋層7a、 7b之間連在一起，而且可以在該連接的SiNx膜的柵 極埋入層6—側(cè)形成與外部隔離的空洞14。這樣，通過利用催化劑CVD法在包含柵電極10的半導(dǎo)體層2的表 面厚厚地層疊SiNx膜，可以保持良好的耐濕性，同時，通過在柵電極 10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2之間形成空洞14，可以使 柵- 漏間電容與在柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2 之間埋入絕緣膜的情況相比降低。這意味著利用催化劑CVD法堆積空洞14的最佳制造方法。當(dāng)利用催化劑CVD法堆積SiNx膜時，使平坦處的膜厚在200nm以 上。這是因為，當(dāng)利用催化劑CVD法對具有凹凸的結(jié)構(gòu)堆積SiNx膜時， 可知凹凸側(cè)壁的膜厚成為平坦處的一半以下，為了提高耐濕性，就必 須使所有的地方的膜厚在50~100nm以上，所以就有必要使平坦處的 膜厚在200nm以上。再有，該SiNx膜可以是l層，也可以層疊多層。
雖然可以說柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2之 間的距離越長越可以降低柵極電容，但為了使用催化劑CVD法堆積 SiNx膜并形成空洞14，就有必要使柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的 部分和半導(dǎo)體層2之間的距離為SiNx膜的膜厚以下。雖然半導(dǎo)體層2內(nèi)的耗盡層的行為對柵-漏間電容有很大的影 響，但外部結(jié)構(gòu)、特別是柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和覆蓋 層7b的重合程度也有影響?？梢詫⑵淇闯墒菛烹姌O10的相當(dāng)于張開 的傘罩的部分和覆蓋層7b之間的準(zhǔn)(pseudo)平行平板電容。因此，通過使柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分的漏電極9一 側(cè)的端部和覆蓋層7b的柵電極10 —側(cè)的端部之間的間隙(以下簡稱 "Lgd")可變，仿真求出柵-漏間電容Cgd。再有，將柵電極10的 相當(dāng)于張開的傘罩的部分向漏電極9一側(cè)延伸的長度設(shè)定為0. 75ium進(jìn) 行仿真。圖3中示出仿真的結(jié)果，柵-漏間電容Cgd與Lgd成反比關(guān)系。 而且，當(dāng)Lgd從0. 2pm向0. 75拜變化時，柵-漏間電容Cgd降低 0. 03pF，而當(dāng)Lgd從O. 75jLim變化到1.85)um時，柵-漏間電容Cgd也 只降低O. 005pF。因此，當(dāng)使Lgd大于等于柵電極10的相當(dāng)于張開的 傘罩的部分向漏電極9 一側(cè)延伸的長度時，可以使準(zhǔn)平行平板電容足 夠小。再有，在該實施形態(tài)l中，作為半導(dǎo)體層，使用以GaAs為基本成 分的化合物半導(dǎo)體AlGaAs和GaAs的外延層進(jìn)行了說明，但是，也可 以使用其它以氮化鎵(GaN)、砷化鋁(AlAs)、磷化鎵(GaP )、銻 化鎵(GaSb )、氮化鋁(A1N )、氮化銦(InN )、磷化銦(InP )等為 基本成分的外延層作為半導(dǎo)體層。此外，使用TaN/Au的2層結(jié)構(gòu)說明了柵電極10的T型柵極結(jié)構(gòu)， 但是，其它的T型柵極結(jié)構(gòu)、例如Ti/Al結(jié)構(gòu)、Ti/Pt/Au結(jié)構(gòu)、WSi/Au 結(jié)構(gòu)也沒有問題。此外，T型柵極結(jié)構(gòu)是與半導(dǎo)體的接合部分被埋入的形狀，但也可 以不埋入。此外，在柵極旁邊的半導(dǎo)體表面有凹槽23，但也可以沒有凹槽。 實施形態(tài)2.圖4表示仿真柵-漏間電容時使用的計算器件模型。
在實施形態(tài)2中，使實施形態(tài)1的場效應(yīng)晶體管1的柵電極10的 相當(dāng)于張開的傘罩的部分向漏電極9 一側(cè)延伸的長度(以下稱作"柵 極向漏極側(cè)的延伸GH")可變，對柵-漏間電容Cgd進(jìn)行仿真。在該仿真中，使用圖4所示的計算器件模型，對于在柵極上和源 電極8與漏電極9之間充填相對介電常數(shù)為7. 55的SiNx且在柵電極 10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2之間形成空洞14的結(jié)構(gòu) (實施形態(tài)2的結(jié)構(gòu))、在包含柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分 和半導(dǎo)體層2之間在內(nèi)的柵極上和源電極8與漏電極9之間充填相對 介電常數(shù)為2. 1的低介電常數(shù)膜的結(jié)構(gòu)(比較例1的結(jié)構(gòu))、以及在 包含柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2之間在內(nèi)的柵 極上和源電極8與漏電極9之間充填相對介電常數(shù)為3. 9的氧化硅的 結(jié)構(gòu)(比較例2的結(jié)構(gòu))，進(jìn)行了柵-漏間電容Cgd的仿真。再有，在該仿真中，設(shè)柵極電壓為-2V，漏極電壓為0V。此外，雖然柵極電容有柵-漏間電容Cgd和柵-源間電容，但柵 -源間電容大致依賴于半導(dǎo)體內(nèi)耗盡層電容，特別是柵極接合面積， 幾乎不受外部結(jié)構(gòu)的影響，所以不屬于探討的范圍。圖5表示仿真的結(jié)果，不管那種結(jié)構(gòu)，柵極向漏極側(cè)的延伸GH越 大，柵-漏間電容Cgd越增加，但是，實施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)的計算器件 模型與比較例1或比較例2的結(jié)構(gòu)的計算器件模型相比，增加率小。 而且，在實施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)的計算器件模型中，當(dāng)柵極向漏極側(cè)的延 伸GH為0. 8,時，其柵-漏間電容Cgd與比較例1結(jié)構(gòu)的計算器件模 型相等，進(jìn)而，當(dāng)柵極向漏極側(cè)的延伸GH變大時，實施形態(tài)2結(jié)構(gòu)的 計算器件模型的柵-漏間電容Cgd更小。此外，在實施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)的計算器件模型中，當(dāng)柵極向漏極側(cè) 的延伸GH為0. 5，以上時，其柵-漏間電容Cgd比由比較例2結(jié)構(gòu)的 計算器件模型的柵-漏間電容C gd小。這樣，若使柵電極10的相當(dāng)于張開的傘罩的部分向漏電極9一側(cè) 延伸的長度GH為0. 9拜以上時，能夠降低柵極電阻，同時可以使柵-漏間電容Cgd低于以低介電常數(shù)膜充填的結(jié)構(gòu)。再有，作為低介電常數(shù)膜，對相對介電常數(shù)為2.1的膜進(jìn)行了仿 真，但在現(xiàn)在經(jīng)常使用的低介電常數(shù)膜中，相對介電常數(shù)2.1是屬于 最小的一種。但是，若相對介電常數(shù)低則成為疏松(coarse)的膜的
可能性高，所以耐濕性差。實施形態(tài)3.圖6是本發(fā)明實施形態(tài)3的場效應(yīng)晶體管的截面圖。 本發(fā)明實施形態(tài)3的場效應(yīng)晶體管1B，其柵電極10B與實施形態(tài) 1的場效應(yīng)晶體管1不同，其余都相同，所以對同樣的部分添加同樣的 符號并省略其說明。如圖6所示，本實施形態(tài)3的柵電極IOB是相當(dāng)于張開的傘罩的 部分只向漏電極9一側(cè)延伸的r型柵極結(jié)構(gòu)。而且，在柵電極10的相 當(dāng)于張開的傘罩的部分和半導(dǎo)體層2之間，在從柵電極10B的相當(dāng)于 傘柄的部分的側(cè)面向漏電極9 一側(cè)延伸的部分填充SiNx，其余是空洞 14。而且，對實施形態(tài)3的場效應(yīng)晶體管IB的耐壓和柵-漏間電容Cgd 進(jìn)行了仿真。在該仿真中，使從柵電極10B的相當(dāng)于傘柄的部分的側(cè) 面向漏電極9一側(cè)延伸的SiNx的寬度(以下，稱作"柵極莖側(cè)絕緣膜 寬度GS，，)可變，再求出耐壓和柵-漏間電容Cgd。再有，耐壓用漏 電流達(dá)到0. lmA/mm的柵-漏間電壓來表示。此外，在該仿真中，設(shè)柵 電極10B的相當(dāng)于張開的傘罩的部分向漏電極9 一側(cè)延伸的長度GH為 2pin。即，使柵極莖側(cè)絕緣膜寬度GS在Oiiun到2，之間可變。圖7表示仿真結(jié)果，柵-漏間電容Cgd相對柵極莖側(cè)絕緣膜寬度 GS大致成比例增大，但在柵極莖側(cè)絕緣膜寬度GS大于等于liiun時，耐 壓Vgdo飽和。因此，若設(shè)柵極莖側(cè)絕緣膜寬度GS為l一左右時，則 耐壓Vgdo和沒有空洞14時大致相同，但柵-漏間電容Cgd只增加一 半左右，所以，能夠提高耐壓Vgdo同時抑制柵-漏間電容Cgd的增加。
權(quán)利要求
1.一種場效應(yīng)晶體管，在半導(dǎo)體層上配設(shè)有T型或Γ型柵電極、通過n型參雜的半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置的漏電極和源電極，其特征在于具有將上述柵電極的周圍和上述半導(dǎo)體層的表面覆蓋的膜厚小于等于50nm的絕緣膜，和以催化劑CVD法堆積而將上述絕緣膜覆蓋的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和上述半導(dǎo)體層之間形成空洞。
2. 權(quán)利要求l記載的場效應(yīng)晶體管，其特征在于利用上述催化 劑CVD法堆積的氮化硅膜的平坦處的膜厚為200rnn以上，上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和上述半導(dǎo)體層之間的最 短距離小于等于上述氮化硅膜的膜厚。
3. 權(quán)利要求l記栽的場效應(yīng)晶體管，其特征在于 上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分向上述漏電極側(cè)延伸的長度大于等于0. 9pm。
4. 權(quán)利要求2記載的場效應(yīng)晶體管，其特征在于 上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分向上述漏電極側(cè)延伸的長度大于等于0.9，。
5. 權(quán)利要求1至4的任何一項記載的場效應(yīng)晶體管，其特征在于 上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分向上述漏電極側(cè)延伸的長度大于等于lpm，在上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和上述半導(dǎo)體層之間， 從上述柵電極的相當(dāng)于傘柄的部分的側(cè)面向漏電極方向的不到1拜的 區(qū)域由上述氮化硅膜填充，其余的區(qū)域形成空洞。
6. —種場效應(yīng)晶體管的制造方法，是在半導(dǎo)體層上配設(shè)有t型或r型柵電極的場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于包括在上述柵電極的周圍和上述半導(dǎo)體層的表面形成膜厚小于等 于50nm的絕緣膜的工序，和通過以催化劑CVD法堆積氮化硅膜，在上述柵電極的相當(dāng)于張開 的傘罩的部分和上述半導(dǎo)體層之間形成空洞的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種價格低廉的場效應(yīng)晶體管及其制造方法，通過耐濕絕緣膜的厚膜層疊對柵電極周圍進(jìn)行防濕處理，而且可以抑制柵極電容的增大。上述場效應(yīng)晶體管是在半導(dǎo)體層上配設(shè)有T型或Γ型柵電極、通過n型參雜的半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置的漏電極和源電極的場效應(yīng)晶體管，具有將上述柵電極的周圍和上述半導(dǎo)體層的表面覆蓋的膜厚小于等于50nm的絕緣膜和以催化劑CVD法堆積而將上述絕緣膜覆蓋的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述柵電極的相當(dāng)于張開的傘罩的部分和上述半導(dǎo)體層之間形成空洞。
文檔編號H01L29/772GK101162731SQ20071010233
公開日2008年4月16日 申請日期2007年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月12日
發(fā)明者天清宗山, 戶塚正裕 申請人:三菱電機(jī)株式會社